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R.

BENBRAHIM
TD dlectronique analogique 1A : Diodes
Ex 1 : Analyse statique / dynamique dun circuit
On donne le circuit suivant avec une source de tension continue V1 et une source de
tension alternative v2 (t) sinusodale.
R 01

v 2 = 2sin( t) [V]

R1

R 02

V 1 = 10 V

R 01 = R 02 = 50

B
V1

RL

R2

R 1 = 3 k
R 2 = 2 k

v 2 (t)
C

R3

R 3 = 2 k
R L = 100 k

1) Etablir le schma quivalent en continu et dterminer la composante continue du


potentiel aux noeuds A, B, C et D.
2) Etablir le schma quivalent en alternatif des frquences assez hautes pour que les
capacits puissent tre remplaces par des courts-circuits. Dterminer la
composante alternative du potentiel aux noeuds A, B, C et D.

Ex 2 : Thvenin
Dterminer la source de Thvenin quivalente du circuit ci-dessous :
U 12

I2

R1
R2

G mU 12

U1

U2

Ex 3 : Point de fonctionnement dune diode


Soit le circuit diode suivant :
R

U0

I0

VD

IS = 1 0

-11

n = 1.5
UT = 26 mV

On veut imposer un courant I0 = 1 mA partir dune source U0 = 2 V.

R.BENBRAHIM

1.1 En utilisant le modle exponentiel de la diode, calculer


a)
la chute de tension aux bornes de la diode
b)
la rsistance R ncessaire pour imposer le courant I0
c)
la rsistance dynamique de la diode au point de fonctionnement
1.2
En utilisant le modle simplifi ( segments linaires) de la diode (UD = Uj = 0.7 V),
calculer le courant I0 en prenant la mme rsistance que celle trouve prcdemment.

Ex 4 : Modlisation des diodes


En utilisant le modle simplifi des diodes et des diodes Zener (chute de tension constante de
Uj = 0.7 V dans le sens direct et, pour les diodes Zener, chute de tension constante Uz dans le
sens inverse), tudier le comportement des circuits suivants en traant un diagramme de la
tension de sortie en fonction du temps.
R1
(a)

1 k

v 1 = Asin t
A = 10 V

v2 ?

Zener 6 V

R1
(b)

10 k

v 1 = Asin t
A = 10 V

Zener 6 V

R2
10 k

v2 ?

R1
(c)
v 1 = Asin t
A = 10 V

1 k
R2
100 k

Zener 6 V

v2 ?

C
(d)

v1

v2 ?

V1= signal triangulaire


symtrique 5V

Ex 5 :
Tracer la caractristique I=f(V) du diple reprsent cicontre. Les diodes sont considres comme idales.
V

5k

1k

2V

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Ex 6 : Multiplieur

IL 0

Soit le montage ci contre avec v e = 240Veff . Les


diodes sont supposes idales et le courant dans la
charge est ngligeable (IL = 0). Donner la forme et
lamplitude de v s . Quelle est la tension inverse
maximale que doit supporter chaque diode ?
Quadviendrait- il si le courant IL tait non- nul?

ve

C2

vs

C1

Ex 7 : Attnuateur variable
Montrer que le montage ci-contre se comporte pour
de petits signaux approximativement comme un
attnuateur dont le rapport dattnuation dpend de
IF.
On suppose que les diodes se comportent comme des
jonctions PN idales (caractristiques exponentielles).
Les capacits sont prises trs grandes de manire
pouvoir les ngliger en dynamique. IF varie de 0,1 1
mA et v ec.a.c < 10mV.

R
vs
ve

D1

D2

IF
C

Ex 8 : Circuit d'alimentation
D

IR
IL

IZ
2 2 0 V eff
50 Hz

V1

V2

DZ

Vo

RL

V1eff = 12 V, Uz= 10 V, Izmin = 5 mA, I L = 0 50 mA.


a)

b)
c)
d)

Dessiner l'allure de V1, V2 et V0 indiqus dans la figure, en supposant que le


courant I Z ne sannule jamais et que les diodes D et DZ ont une rsistance
diffrentielle nulle.
En admettant que V2 ne descend pas en dessous de 14 V, calculer R pour que le
courant I Z ne descende jamais au dessous du minimum spcifi.
Calculer la capacit de filtrage pour assurer que la tension V2 ne descend pas au
dessous de 14 V.
Dterminer les conditions de charge qui entranent un courant I Z maximum.
Calculer IZmax, et en dduire la puissance moyenne maximum dissipe dans la
diode Zener.

R.BENBRAHIM
Ex : 9
Le montage ci-dessous est destin dlivrer une tension de rfrence Vref.
DZ est une diode Zener de valeur UZ = -10V et dont la pente caractristique, au del du coude
Zener, est de 0,1 A/V.
Vo = 50V.
vref
En considrant laspect dynamique, tablir lexpression littrale de F =
.
v
Pour quelle valeur de R a-t-on F = 0 ?
v

1k

10k

Quelle est la valeur de Vref quand v = 0 ?

V ref+ vref

Quelle est la rsistance de sortie du montage ?

Vo
DZ

R.BENBRAHIM
TD dlectronique analogique 1A : Transistors n1

Ex1 : Mode de fonctionnement


Soit le circuit suivant, o Vcc = 5 V, RC = 1 k, RB = 27 k, = 100
Vcc
RC

RB

IC

IB

V out

V BE

V in

a) Dterminer les diffrents modes de fonctionnement du transistor lorsque Vin volue de 0


Vcc, en adoptant, pour la jonction base-metteur, le modle simple o VBE Uj = 0.7
V dans le sens passant.
En utilisant lhypothse simplificatrice VCE,sat 0 V, calculer les courants IC et I B ainsi
que la tension Vout pour deux valeurs particulires de la tension dentre: Vin = 0 V et
Vin = Vcc.
b) Dterminer la valeur maximum admissible pour RB de faon ce que le transistor sature
lorsque Vin = Vcc.
Ex 2 :
Soit la structure de la figure suivante. Sachant que UBE = Uj, calculer les courants I B, I E et
IC, ainsi que les tensions UE et UC.
Quel est le mode de fonctionnement du transistor ?
Valeurs numriques: U = 3.4 V
R2 =2.7 k

Uj = 0.7 V

R1 = 4.7 k

= 200

Vcc =10 V
V CC
R

C
U

R
I

2
E

R.BENBRAHIM
Ex 3 : Point de fonctionnement
Soit la structure de la figure suivante. Sachant que UBE = Uj, calculer les courants I B et IC,
ainsi que les tensions UB et UC.
Valeurs numriques: U = 3.4 V
R2 =2.7 k

Uj = 0.7 V
= 200

R1 = 4.7 k
Vcc = 10 V
VCC
R

R2

IC
U

IE

Ex 5 : Source de courant
Soit la structure de la figure suivante.
Application numrique:
= 200
R2 =5.6 k

Uj = 0.7 V
R1=8.2 k
RE = 2.7 k

VCC = 10 V

a.) Sachant que UEB = Uj et en ngligeant IB, montrer que le courant IC


ne dpend pas de la charge RL (source de courant), puis vrifier l'hypothse.
b.) Quelle est la valeur maximale de RL.
V CC
R

R1

IB
IC
R2

RL

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Ex 6 : Rgime dynamique
Soit la structure de la figure suivante.
a) Sachant que UBE = Uj, calculer le point de repos (u=0) c..d. les courants I B, I E et IC,
ainsi que les tensions UE et UC.
Quelle est le mode de fonctionnement du transistor ?
b) Dessiner le schma pour accroissements (petits signaux) et dterminer gm et gbe.
c) Dterminer le gain G1 = uE/u et G2 = uC/u.
Application numrique:
RE =3.9 k

U0 = 4.6 V
= 200

Uj = 0.7 V
Vcc =10 V

VCC
RC
IB

IC

UC
RE

U0

IE

UE

RC = 4.7 k

R.BENBRAHIM
TD dlectronique analogique 1A : Transistors n2
Exercice n 1: Etage amplificateur
a) Concevoir un amplificateur de type "metteur commun" prsentant les caractristiques
suivantes: Zin = 1k et AV = - 50 avec hfe = 150. La source vs a une rsistance interne
de 50.
Vcc = 10 V

R1

Rc

Rs

vc
vs

R2

ve

Re

b)- Aprs avoir dimensionn les lments :


- calculer le point de fonctionnement (Ve, Vc, Ic) avec les valeurs normalises des
rsistances (valeurs normalises : 1 - 1.2 - 1.5 - 1.8 - 2.2 - 2.7 - 3.3 - 3.9 - 4.7 - 5.6 6.8 - 8.2).
- calculer Zin et Av.
-

tracer les droites de charge statique et dynamique (RL = 5.6 k).

dterminer l'amplitude crte crte maximale du signal de sortie (avant distorsion).

Exercice n 2 : Montage bootstrap


Donner un exemple de polarisation (ordres de grandeurs et composants) du montage.
Calculer :

VCC

vs1
ve

le gain

v
le gain s 2
ve

limpdance dentre Ze.

RC
R1

R3

vs2

ve
R2

RE

vs1

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On ngligera limpdance des condensateurs.
Exercice n 3:
Soit le montage ci contre o T1 et T2 sont des transistors bipolaires au silicium fonctionnant
temprature ambiante (T = 300 K)..
Pour T1 et T2, h fe = 400
Hoe = hre = 0

Donner les tensions statiques aux points A, B, C, D, E. Dduire les valeurs de hie1 et de hie 2
de T2.
Sachant que les capacits peuvent tre choisies aussi grande que lon veut, donner le schma
dynamique petit signaux du montage.
Calculer de faon littrale :
- vs 1 / ve et vs 2 / ve
- Ze Impdance dentre du montage
- Z s1 et Z s 2 impdances de sortie respectives 1 et 2 sachant que le gnrateur dattaque ve
prsente une rsistance interne Rg de 50 .
Vcc = 20 V
RE2
RB1

200

RC1
1 k

56 k

D
C3

C
R g = 50

C1

T2
T1

C2

B
ve

RB2
2 2k

RE1
1 k

Vs2

v s1

RC2
250

C4

R.BENBRAHIM

Exercice n 4:
Soit lamplificateur transistors bipolaires NPN silicium suivant ci-dessous :
Pour T1 et T2, h fe = 100, Hoe = hre = 0.
Dterminer les tensions statiques aux divers points du montage et la valeur du paramtre hie
temprature ambiante (T = 300 K).
Etablir le schma quivalent dynamique petits signaux sachant que les capacits peuvent tre
prises aussi grandes que lon veut.
Dans les deux cas suivants :
a) Re 2 courtcircuite par une capacit de valeur leve
b) Re 2 seule
Calculer les gains en tensions v1 / ve et v2 / ve et les impdances dentre et de sortie du
montage.
Prsenter les rsultats sous littrale puis effectuer lapplication numrique.
Les approximations employes devront tre justifies.

VC C = 18 V

RC

R1

C3

1 k

6 .8 k

C1
T1

R2
5 .6 k

RL

C2
T2
ve

R3
4.7 k

C4

RE1
68 0

RE2

330

2 k

V1

v2

R.BENBRAHIM

Exercice n 5 :
Les lments actifs sont au silicium et fonctionnent temprature ambiante (T = 300K).
Les diodes Zener sont parfaites.
On utilisera, en les justifiant, les approximations dusage.

Le montage de la figure ci-dessous reprsente le rgulateur dune alimentation stabilise


VS = 30V o Ve qui peut varier autour de 40V, est la tension continue filtre dentre. La
diffrence de tension entre la fraction de VS prleve par Ra et Rb et la tension de rfrence
fournie par D3 et D4 est amplifi par T4 . T4 contrle la conduction de T2 et T3 pour annuler
cette diffrence et stabiliser la sortie VS sa valeur nominale.
Les transistors sont du type bipolaire, avec les paramtres suivants :
- Pour T1 , T4 , T5 et T7 , h fe = 200, hoe # hre = 0,
- Pour T2 , H fe 2 # h fe 2 = 50, hoe2 # hre2 = 0.
- Pour T3 , H fe 3 # h fe3 = 20, hoe 3 = 1

20 k

- enfin pour T6 , H fe 6 # h fe 6 = 200, hoe6 = 1


, h = 0.
100 k re6

R.BENBRAHIM
T3
Ip
R4

T2

R1

R3
C1

R5

T1
Ve

R7

Ra

VS

T4
Ib 7

D1

T5

T7
RC

D2

R2

Rb

D3
T6
D4

R a = R b = 4.7 k

R1 = 820

P o u r D 1 e t D 4 : V z = - 4V

R 2 = R 3 = 4.7 k
P o u r D 2 : V z 2 = - 1 9 .3V

R6

R4 = 5 k

R5 = R 7 = 1 0 k

R 6 = 3.3 k

P o u r D 3 : V z 3 = -1 1 V

- Aspect statique :
On supposera que lalimentation dbite sur une charge RC denviron 30 telle que T3 dlivre
une intensit de 1 A. On prendra I b 7 = I P .
Dterminer, dans lordre que vous jugerez le plus judicieux, les courants qui circulent dans les
metteurs des transistors.
Dterminer les valeurs de hiei (i = 1 7) des transistors. Vrifiez que hie5 = hie7 = hie
(attention hie est trs grand et hie3 est trs petit)
- Aspect dynamique :
Justifier le fait que T1 nintervienne pas en dynamique ; quel est son rle ?
Montrer que lensemble T2 - T3 peut tre assimil un seul transistor dont on donnera le
schma dynamique quivalent, prciser les valeurs de hoeeq , hfeeq et hieeq .
Montrer que la partie du montage situe entre le collecteur de T6 et la masse peut tre
considre, en dynamique, comme une rsistance RM leve mais non infinie dont on
calculera la valeur.
Sachant que la capacit est prise aussi grande que souhait, mais non infinie et en tenant
compte des simplifications cites ci-dessus :
Etablir le schma dynamique

R.BENBRAHIM
Exercice n 6 :
Soit le montage ci-dessous o les transistors sont du type bipolaire au silicium.
- T1 , T2 et T3 sont presque identiques avec les paramtres suivants : h fe = 200, hoe # hre = 0,
- Pour T3 , H fe 3 # h fe3 = h fe
Aspect statique:
Prciser les rles de T1 et T2 .
Dterminer dans lordre qui vous paratra le plus judicieux, les tensions aux diffrentes
lectrodes des transistors.
Calculer hie1 , hie2 et hie3 .
Aspect dynamique :
Tracer le schma dynamique :
Sachant que C1 = 1F et que C2 peut tre considre comme trs leve, calculer le gain en
rgime harmonique T ( j) .
T ( j) =

vS ( j)
ve ( j)

En dduire la pulsation de coupure lie C1 .


Quelle est limpdance de sortie du montage lorsque la frquence est telle que les capacits
sont quivalentes des courts-circuits dynamiques.
+15 V
R1

Rb

R3

C1
T3
Rg

Re
C2

Ve

T1

T2

R2

RL

VS

R4

-15 V
R 1 = 27 k
R e = 9.3 k

R 2 = R 4 = 2.2 k
R g = 5 k

R 3 = 1 k
R L = 1 0 0 k

R b =1 M

R.BENBRAHIM
TD dlectronique analogique 1A : Transistors effet de champ

Exercice n 1:
Dans le montage ci-dessous, on utilise un transistor dont les caractristiques sont :
I dss = 0.48 mA ; VGSoff = 3.6 V ; 1/ = 0
Le point de fonctionnement est donn par : VDSQ = 7 V ; I DQ = 0.25 mA ; RG = 1M .
Toutes les capacits sont grandes.
Dterminer RS 1 + RS 2 et RD . Calculer RS 1 et RS 2 si vS / ve = 5
V D D = +15 V

RD
C2
C1

T
S

RS1

RG

ve

vS
RS2

C3

Exercice n 2:
Soit le montage ci-dessous o T1 et T2 sont des transistors effet de champ, canal N
appauvrissement et T3 un transistor bipolaire. La diode est au silicium et serait parfaite si elle
navait pas de seuil.
VD D = +10 V

T1
ve

R1
1M

S
T3

D
G

T2
S

R2
1k

V S S = -10 V

Pour T1 et T2 : VP = 3.5 V , I dss = 7 mA , 1/ = 0

vS

R.BENBRAHIM
Pour T3 : H fe h fe = 200 , hoe = hre = 0 .
Aspect statique :
Dterminer, dans lordre que vous jugerez le plus judicieux, les tensions par rapport la
masse, aux diffrentes lectrodes ainsi que les courants dans les trois transistors quand ve est
nulle.
Aspect dynamique : Calculer vS / ve , limpdance dentre et limpdance de sortie.
Exercice n 3:
Soit le montage ci-dessous, o T1 et T2 sont des transistors effet de champ, canal N
appauvrissement fonctionnant en rgime linaire, DZ = 8 V .
Pour T1 et T2 : VP = 4 V , I dss = 4 mA , 1/ = 0 .
Aspect statique :
Dterminer, dans lordre que vous le jugerez le plus judicieux, les tensions, par rapport la
masse, aux diffrentes lectrodes.
Aspect dynamique :
Etablir le schma dynamique dans les cas o les capacits C1 et C2 sont prises aussi grandes
que souhait mais non infinies.
V DD = +24 V
RZ

RD

10 k

D Z = -8 V

4 . 7 k
G

RG

1.5 M

C1

T2

C2

D
G

T1
S

ve

RS
2 k

RL
10 k

vs

Exercice n 4:
Soit le montage ci-dessous, o les diodes Zener ont une rsistance directe et une rsistance
inverse nulles au-del du coude Zener. Les transistors T1 et T2 sont des transistors bipolaires
et T3 et T4 des transistors effet de champ, canal N appauvrissement.
Pour T1 :

h fe = 400 , hoe = 0 , hre = 0

Pour T2 :

h fe = 100 , hoe = 1/50 k , hre = 0

R.BENBRAHIM
Pour T3 et T4 , VP = 4 V , I dss = 2 mA , 1/ = 0
V D D = +24 V
RC
C1

10 k

V Z 1 = -11.3V

C2

T1
C3
G

vs

D1

3
2

T3
S

ve 1

RG1
10 M

T4

C4

Rp
10 k

RG2

ve 2

10 M

T2
1

RE

V Z 2 = -5.7V

5 k

V S S = -12 V

Aspect statique :
a)

Dduire du fonctionnement de T2 la diffrence de potentiel V1 entre j et la masse et la


valeur du courant I.

b)

Sachant que les courants statiques sont identiques dans T3 et T4 , dterminer les VGS de
ces derniers ainsi que la ddp V2 entre k et la masse.

c)

Dterminer les ddp V3 , V4 , V5 des points l, m, et n par rapport la masse puis VDS 3 ,
VDS 4 , VCE 1 et VCE 2 .

Aspect dynamique :
a)

Etablir le schma dynamique sachant que les capacits sont prises aussi grandes que
possible.

b)

Dterminer la transconductance g m de T3 et T4 et hie 2 de T2 .

c)

Dterminer la rsistance dynamique RCM que constitue, entre k et la masse, le montage


de T2 vu de son collecteur.

d)

Dterminer

( vGS3 vGS 4 )

et

( vGS 3 + vGS 4 )

( vGS = tension dynamique entre grille et

source) en fonction de ve1 et ve 2 et ventuellement g m et RCM .

R.BENBRAHIM
e)

Montrer que vS peut tre mis sous la forme vs = Ad ( ve 1 ve 2 ) + AC ( ve1 + ve 2 ) . Donner


les expressions et les valeurs de Ad et AC . Les approximations devront tre justifies.

Exercice n 5:
Pour le transistor : K = 20 A / V 2 , W / L = 1 , VT = 2 V
Dterminer le point de fonctionnement.
V D D = +15 V
RD

R1

4 0 k

150 k

C2

C1

RS

R2

ve

5 k

100 k

vS

Exercice n 6:
Soit le montage de la figure ci-dessous, o les transistors sont des transistors MOSFETs. T1
est du type canal N appauvrissement avec I dss = 8 mA , VP = 4 V , 1/ = 0 . T2 et T3 sont
des MOSFETs du type canal N, enrichissement, avec K = 2.04 mA / V 2 , VT = 0.6 V ,
1/ = 0 .
VD D = +30 V
Rd2

1 0 k

3.9 k

T3

C1

ve

Rd1

T1

Rg
1M

C3
T2
RS

1 k

C2

R1
1 0 k

vS

- Aspect statique :
Dterminer, dans lordre que vous jugerez le plus judicieux, les tensions par rapport la
masse, aux diffrentes lectrodes des transistors, ainsi que les courants.
- Aspect dynamique :
Etablir le schma dynamique petits signaux

R.BENBRAHIM
Dterminer vS / ve en considrant que les capacits sont prises aussi grandes que souhait,
mais non infinies.
Dterminer limpdance de sortie ZS du montage.
Exercice n 7:
Soit le montage ci-dessous.
Expliquer le fonctionnement du circuit.
Faire ensuite lanalyse statique et dynamique du circuit.
VD D = + 1 5 V
RP1

RC

75 k

5 k

C1
T2

1 F

vS

RP2

ve

C2

50 k

RD

RG
100 k

vcom

100 k

T1

1 mA

R.BENBRAHIM
Exercice n 8:
Soit le montage ci-dessous.
Expliquer le fonctionnement du circuit.
Faire ensuite lanalyse statique et dynamique du circuit.
Transistor de puissance
( e x : 2N3055),
avec radiateur

Entre
12V 30V
(non rgule)

ve

T1

Sortie (rgule )
0 10 A V

T2

vS

R1
10 k

R P1
4.3 k

A
741

I1

B
V Z1 = -5.6V

R P2
5.6 k