Medir comprobar con un multmetro un

Mosfet nuevo o usado

Un MOSFET de potencia presenta por lo general una de las dos siguientes fallas elctricas:
Entra en cortocircuito, y es tan bajo el ohmiaje que presenta que no es necesario retirarlo
del circuito para saber que se encuentra daado, para ello es necesario desconectar el cable
que alimenta la fuente de 50VDC o l fusible de dicho transistor. Esta operacin evita que
al aplicar el multmetro al transistor MOSFET nos de un falso cortocircuito por entrar a
cargar los grandes capacitores de la fuente.
Si has retirado el fusible o el cable de fuente de 50VDC, aplica el multmetro entre tierra
del amplificador, que generalmente se encuentra unido a la carcasa o disipador. Medirs
valores de resistencia muy bajos, menores a 10 ohmios (< 10 ), lo cual nos indica que el
transistor MOSFET est cortocircuitado.
El MOSFET en corto, evidentemente se ver reflejado en que los fusibles de la fuente de
50VDC se hallan fundidos. No remplazes el fusible sin antes saber que ocasion el
fundimiento del fusible. En algunas fuentes con protecciones electrnicas de cortocircuito,
se presentarn dos clases de protecciones: El voltaje caer a cero y se encender una alarma
de SOBRECORRIENTE, o el voltaje se reducir a un valor bajo- como dos tres voltios, y
la corriente se mantendr en un valor limitado por diseo de la fuente.
La segunda clase de falla que presenta el MOSFET es una alta fuga de drenaje a fuente
(Drain a Source), lo que se traduce en una bajsima ganancia de la etapa en cuestin.
Para esto es necesario retirar el transistor MOSFET de su circuito, con mucho cuidado para
no daar las pistas del impreso.
Valores menores a 100 kilo-ohmios (< 100k ) entre drenaje y fuente sern indicio que se
debe cambiar el componente antes de que entre en cortocircuito y falle en el campo o al
aire. Un MOSFET con fugas altas (< 100k ) llevar en cascada a daarse a otros
MOSFETS cuando operan en amplificadores de alta potencia de varios MOSFETS en
paralelo.
Si es posible- y aveces termina siendo necesario, se extrae el mosfet bajo prueba y se aplica
el procedimiento para probarlo como si fuera nuevo, tal como se describe a continuacin.

Cmo medir un Mosfet de cualquier tipo

Cuando tenemos un mosfet

potencia NUEVO, siempre
nos entra la duda de si
estar en buen estado antes
de realizar la instalacin
del mismo en el
amplificador, pues sucede
muchas veces que el mosfet
es incorrectamente
instalado- o sin las
precauciones del caso, y al
encender el equipo para
probarlo en dinmico,
resulta que el mosfet se
entra en
CORTOCIRCUITO y ya
no hay nada que podamos
hacer m;as que cambiarlo por uno nuevo.
Entonces con MOSFET NUEVO, debemos tener primero la precaucin de manipularlo
correctamente: esto es cuidar que no se dae por descargas de electricidad esttica que se
hayan acumulado en nuestro cuerpo y fcilmente pueden perforar la compuerta-fuente del
mosfet.
Para evitar tal dao es necesario usar una pulsera antiesttica atada a nuestra mueca
mientras que el otro extremo de la pulsera- el del lagarto, se conecta a la estructura metlica
de nuestra mesa o a la estructura metlica de la habitacin donde nos encontramos,
haciendo esto descargamos la electricidad esttica.
Luego si podemos con seguridad manipular el mosfet y hacer cualquier prueba.
Ahora debemos tener un multmetro en funcin OHMETRO, con suficiente tensin en
circuito abierto como para "activar" la compuerta del mosfet, en palabras simples LA
TENSIN DEL HMETRO EN CIRCUITO ABIERTO DEBER SER MAYOR A 3.0
VOLTIOS, esto tiene que
ver mucho Cmo se
polariza un mosfet.
Se mide la resistencia entre
drenaje y y fuente y debe
dar un valor superior a 1
Megaohmio, en algunos
mosfets puede llegar a 10
Megaohmios ms.
Se podr notar con la
funcin diodo que existe un

diodo en paralelo entre la juntura drenaje-fuente, con el ctodo hacia el drenaje, este diodo
proteje al mosfet de los voltajes inversos.
Se aplica voltaje positivo a la compuerta: terminal negativo del hmetro a la
fuente(SOURCE) y terminal positivo del hmetro a la compuerta (GATE), debido a la muy
alta impedancia entre compuerta y fuente se mantiene la carga positiva por varios segundos
lo que hace que el mosfet entre en conduccin total, y esto se puede medir con el hmetro
entre fuente y drenaje (DRAIN) con un valor muy prximo a cero ohmios.
Para apagar el mosfet se aplica carga negativa a la compuerta- o se pueden unir la
compuerta con la fuente del mosfet usando una punta del multmetro: terminal positivo a la
fuente y terminal negativo a la compuerta, as se apaga el mosfet, cosa que se puede
comprobar midiendo una muy alta resistencia entre fuente y drenaje.

Prueba del transistor FET - MOSFET

22:50 Pruebas de componentes
El transistor FET (transistor de efecto de campo) , es uno de los componentes
mas utilizados en la electrnica moderna, se le puede ver usualmente en fuentes
conmutadas, conversores DC- DC, DC-AC etc.
Saber si un FET esta en buen estado, es muy importante en el campo de las
reparaciones, ya que de lo contrario se tendran muchos inconvenientes para
detectar fallas en los circuitos.
La mayora de los circuitos integrados digitales, estn construidos en base a
transistores FET, lo que los hace ms veloces y eficientes, ya que consumen
menos corriente y pueden operar con voltajes muy bajos.
Algunos de estos circuitos integrados pueden funcionar hasta con menos de 1vdc.
Obviamente los transistores FET de nuestro inters, son los que conforman un
solo componente electrnico.
Existen diferentes tipos de transistores FET, los cuales son utilizados en diferentes
clases de circuitos. Los tipos de transistores FET ms comunes, suelen ser los
siguientes:
- JFET (Fet de union)
- MOSFET ( Fet de metal oxido)
Pero el tipo de FET que ms encontraras es el MOSFET. Y al igual que los
transistores bipolares, el FET puede ser positivo (Fet de canal P) o negativo (Fet
de canal N), adems sus terminales reciben otras definiciones, como:

- Gate (compuerta) equivalente a la base.

- Drain (drenador) equivalente al colector.
- Source (surtidor) equivalente al emisor.
A diferencia con el transistor bipolar, el transistor FET tiene la compuerta (base)
aislada de la juntura Drenador Surtidor, lo que hace que el FET tenga una
entrada de alta impedancia, casi infinita.
Esta caracterstica hace que el FET no consuma corriente desde su compuerta,
solo basta con un pequeo voltaje para saturarlo (de 0.5 a 1vdc).
La juntura Drenador Surtidor es equivalente a la juntura Colector Emisor en un
transistor bipolar, pero en el FET esta se parece mas a una resistencia que a un
diodo. Esta cualidad hace que el FET pueda ser utilizado, como un resistor
controlado por voltaje, en algunos circuitos.

Prueba del transistor FET

Ahora que sabemos que es un transistor FET, podremos probar su estado con
ayuda de un multimetro analgico o digital. Los pasos para probar un transistor
FET, se describen a continuacin.
1- En la funcin de diodos del multimetro, vamos a colocar la punta de prueba
negra ( -) del multimetro, en el terminal Drain y la punta roja (+) en el terminal
Source.

Resultado de la prueba: Se debe obtener una medida de 513mv o similar (Los

resultados varan segn el tipo de FET). Sino se obtiene ninguna lectura, el FET
esta en circuito abierto. Si la lectura es baja, el FET esta en cortocircuito.

2 Sin retirar la punta negra del terminal Drain, colocamos la punta roja en el
terminal Gate.

Resultado de la prueba: No se debe obtener lectura alguna, de lo contrario el

FET presenta una fuga o esta en cortocircuito.
3- Ahora regresamos la punta roja al terminal Source, con lo que la juntura Drain
Source se activa.

Resultado de la prueba: Entre Drain y Source se obtiene una lectura baja,

alrededor de 0.82v, debido a que el FET se enciende. Para desactivar el FET, se
debe cortocircuitar sus 3 terminales por medio de un elemento metlico, as el FET
regresara a su estado de reposo.