UNIVERSIDAD TCNICA DE AMBATO

FACULTAD DE INGENIERA EN SISTEMAS, ELECTRNICA E INDUSTRIAL

OCTUBRE 2015 FEBRERO 2016

I.

PORTADA
UNIVERSIDAD TCNICA DE AMBATO
Facultad de Ingeniera en Sistemas, Electrnica e Industrial

II.

Ttulo:

Consulta
#01:
Escalas
de
Integracin,
Tecnologas de Fabricacin, Cuadro comparativo.

Carrera:

Ingeniera Electrnica y Comunicaciones

rea Acadmica:

Fsica y Electrnica

Lnea de Investigacin:

Sistemas Electrnicos

Ciclo Acadmico y Paralelo:

Octubre 2015 Febrero 2016, Octavo A

Mdulo:

VLSI

Fecha de envo:

22/Octubre/2015

Fecha de entrega:
}

05/Noviembre/2015

CONSULTA #01
1. PP
2. YY
2.1 Ttulo
Escalas de Integracin, Tecnologas de Fabricacin, Cuadro comparativo.

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2.2 Objetivos
General

Comprender y diferenciar entre escalas de integracin y tecnologas de

fabricacin.
Especficos

Analizar sobre las escalas de integracin.

Investigar que funcin realiza las tecnologas de fabricacin.
Comprender las diferencias que hay entre las escalas de integracin y las
tecnologas de fabricacin
2.3 Resumen
Desde la aparicin del transistor el mundo de la electrnica ha tomado un punto de
miniaturizacin que con el paso de los aos va permitiendo que los circuitos
integrados posean ms caractersticas y servicio, es as como nacen las escalas
de integracin, que permiten clasificar a los circuitos integrados en dependencia de
los factores de complejidad que estn hechos.
2.4 Palabras clave:
Electrnica, Miniaturizacin, Integrados.
2.5 Introduccin
Las escalas de integracin de los circuitos integrados estn clasificadas por
categoras que representan el nmero de compuertas existentes en un apartado
de tecnologa digital llamado chip que se construyen en diferentes capas de
metalizacin, todo en base al principio de fabricacin a travs de la creacin del
transistor. Hay que tomar en cuenta que las categoras van en dependencia de la
miniaturizacin que tienen y numero de procesos internos de cada uno y estos
mientras siga aumentando los avances en miniaturizacin se considerar estas
categoras o el incluirla en algunas ms.
2.6 Marco Terico
ESCALAS DE INTEGRACIN DE LOS CIRCUITOS LGICOS
Qu es?
El esfuerzo de la industria electrnica en la miniaturizacin de sus equipos se ha
visto compensado ampliamente con el descubrimiento de los circuitos integrados,
en los que se ha conseguido construir miles de componentes dentro de la misma
cpsula, cuyas dimensiones son similares a las de un simple -transistor.
Importancia
Son importantes por:

Reduccin de coste
Aumento considerable de la fiabilidad
Las modernas tcnicas de fabricacin.
La reduccin de longitud en las interconexiones.

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La menor influencia de la temperatura

El encapsulado total de los componentes
Aumenta la proteccin de los componentes.
La respuesta de un circuito integrado es mucho ms rpida
Reduccin importante de las capacidades parsitas que existen entre los
componentes, a causa de su proximidad
Reduccin de tiempo en la localizacin de averas
Reduccin de stocks para las reparaciones y montajes.
Eliminacin de los posibles errores en el montaje e interconexin de
componentes. [2]

De acuerdo a su complejidad, los circuitos integrados digitales se clasifican en 4

categoras bsicas llamadas SSI, MSI, LSI, y VLSI. Esta clasificacin se fundamenta
en la cantidad de compuertas utilizadas para implementar la funcin propia del chip.
Como sabemos, las compuertas son los bloques constructivos bsicos de todos los
circuitos Digitales.
SSI: Significa Small Scale Integration (integracin en pequea escala) y comprende
los chips que contienen menos de 13 compuertas. Ejemplos: compuertas y slip-flops.
Los CI SSI se fabrican principalmente empleando tecnologas TTL, CMOS y ECL. Los
primeros circuitos integrados eran SSI
MSI: Significa Mdium Scale Integration (integracin en mediana scala) y comprende
los chips que contiene de 13 a 100 compuertas. Ejemplos; codificadores, registros,
contadores, multiplexores, decodificadores, demultiplexores. Los CI MSI se fabrican
empleando tecnologas TTL, CMOS y ECL.
LSI: Singnifica Large Scale Integration (integracin en alta scala) y comprende los
chips que contienen de 100 a 1000 compuertas. Ejemplos: memorias, unidades
aritmticas y lgicas (ALUs), microprocesadores de 8 y 16 bits. Los CI LSI se fabrican
principalmente empleando tecnologas 12L, NMOS y PMOS.
VLSI: Significa Very Large Scale Integration (integracin de muy alta escala) y
comprende los chips que contienen ms de 1000 compuertas, Ejemplos:
microprocesadores de 32 bits, microcontroladores, sistemas de adquisicin de datos.
Los CI VLSI se fabrican tambin empleando tecnologas 12L, NMOS y PMOS.
ULSI: Significa Ultra Large Scale Integration (integracin a ultra gran escala)
Tecnologa de circuitos integrados que utiliza entre 100.000 y un milln de transistores
por circuito integrado, equivalentes a 10.000a 100.000 puertas lgicas. Actualmente se
utiliza para fabricar microprocesadores complejos. [3]
TECNOLOGAS DE FABRICACIN DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS
La mayora de los sistemas electrnicos se implementan utilizando circuitos
integrados. Un circuito integrado es un conjunto de dispositivos activos y pasivos
construidos sobre un mismo substrato semiconductor e interconectados mediante
diferentes capas de metalizacin. Los elementos ms importantes de un circuito
integrado son los transistores, por lo tanto, describiremos cmo se fabrican los
transistores en las diferentes tecnologas existentes. La figura siguiente muestra los
principales pasos a seguir en la fabricacin de un circuito integrado.

Tecnologa Bipolar: Muchos circuitos con aplicacin comercial necesitan

aumentar el ancho de banda de manera que puedan trabajar a frecuencias

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ms elevadas. Esta necesidad de operar a mayores velocidades se traduce en

una reduccin de la anchura de la base para as disminuir el tiempo de trnsito
de los portadores y el valor de las capacidades parsitas. La reduccin de las
dimensiones del dispositivo obliga a que la anchura de las regiones de
deplexin dentro de la estructura se reduzca en proporcin, por lo que es
necesario el uso de menores tensiones de operacin y mayores
concentraciones de impurezas en las distintas regiones que componen el
dispositivo. Para cubrir estas necesidades se ha desarrollado una secuencia de
procesos para fabricar transistores bipolares diferente a la que se utilizara, por
ejemplo, en aplicaciones de potencia donde es frecuente la aplicacin de
grandes tensiones.
Tecnologa NMOS: En la actualidad los transistores MOS son los ms
utilizados en circuitos VLSI ya que pueden ser escalados a dimensiones ms
pequeas que el resto de dispositivos. La tecnologa MOS puede dividirse en
tecnologa NMOS que produce transistores canal n, y tecnologa CMOS
compuesta por transistores canal n y canal p sobre el mismo substrato. Las dos
tecnologas son importantes puesto que la tecnologa NMOS es ms simple
que la tecnologa bipolar (involucra menos pasos de proceso) mientras que la
tecnologa CMOS proporciona circuitos con muy bajo consumo de potencia. A
principio de los 70, la longitud mnima de los transistores MOS era del orden de
7.5 m y el rea total del chip del orden de 6000 mm2. En la actualidad se
fabrican transistores con longitud de canal por debajo de 0.1 m (100nm).
Tecnologa CMOS: En un inversor CMOS ideal no hay disipacin de potencia
en reposo ya que ninguno de los dispositivos conduce. stos lo hacen
nicamente cuando se produce la transicin entre estados, por lo que
nicamente en rgimen dinmico es cuando se produce disipacin de potencia.
Esto hace que la potencia media disipada por el inversor CMOS sea muy
pequea (del orden de nanowatios). Cuando el nmero de componentes por
chip aumenta, la disipacin de potencia se convierte en uno de los principales
agentes limitadores (ms que el espacio) del nmero de dispositivos que
pueden integrarse. Por esta razn es muy utilizada la tecnologa CMOS
(aunque un inversor CMOS ocupe ms espacio que un inversor NMOS).
Asociado con todos los circuitos CMOS aparece un problema inherente
denominado latchup. Este problema est relacionado con la aparicin de
transistores bipolares parsitos. Puede formarse un transistor npn con la
difusin n+ de fuente o drenador cmo emisor, el pozo p como base y el pozo n
cmo colector. De la misma forma puede observarse la formacin de un
transistor pnp con la difusin p+ de fuente o drenador como emisor y con los
pozos n y p cmo base y colector respectivamente. Los dos transistores
bipolares parsitos pueden acoplarse y actuar como un tiristor. En condiciones
normales de operacin, todas las uniones pn estn polarizadas en inverso. Sin
embargo, si por algn motivo los dos transistores bipolares entran en la regin
activa, el dispositivo posee una gran realimentacin positiva (si el producto de
las betas es mayor que la unidad) de manera que los transistores conducen
producindose la ruptura del transistor MOS.
Tecnologa SOI: El silicio sobre aislante (SOI) es un nuevo material para la
fabricacin de chips que reemplaza a las obleas tradicionales de silicio. Este
substrato est compuesto de tres capas diferenciadas. Primero una delgada
lmina de silicio que puede ir desde unos pocos nanometros hasta varias
micras. A continuacin una capa de aislante, normalmente xido de silicio con
un grosor variable y finalmente la lmina ms gruesa de silicio que acta como

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material que da soporte mecnico a toda la estructura. Los dispositivos se

fabrican en la capa superficial de silicio. Cada transistor se encuentra aislado
del resto gracias al xido enterrado. Esta caracterstica permite evitar el
fenmeno de latchup y fabricar ms transistores por cm2. Adems se ha
demostrado una importante mejora en sus prestaciones ya que pueden trabajar
a menores tensiones, aumentar la velocidad de conmutacin y son menos
vulnerables al efecto de las partculas csmicas y efectos de canal corto (SCE).
Tecnologa BiCMOS: Para conseguir una elevada tensin de ruptura en la
unin base colector de un transistor bipolar es necesario utilizar una lmina
epitaxial muy gruesa (17mm de material con 5W-cm para 36V). Si se permiten
tensiones de ruptura mucho ms bajas (por ejemplo 7V si se trabaja con
tensiones de alimentacin de 5V) entonces se puede utilizar un dopado
elevado en el colector (del orden de 0.5W-cm). En este caso es posible aislar
lateralmente los diferentes dispositivos fabricados siguiendo la tecnologa
bipolar mediante capas de xido gracias a la tcnica LOCOS. Esto tiene la gran
ventaja de reducir enormemente la capacidad parsita existente entre colector
y substrato porque las regiones muy dopadas prximas a la superficie ahora se
sustituyen por las capacidades mucho menores de los xidos de aislamiento.
Adems, los dispositivos se pueden empaquetar con mayor densidad dentro
del chip y la tecnologa de fabricacin bipolar y CMOS comienzan a parecerse
mucho.
Tecnologa MESFET: Avances recientes en el procesamiento tecnolgico del
arseniuro de galio han hecho posible una tecnologa de circuitos integrados en
arseniuro de galio similar a la del silicio.
El arseniuro de galio tiene tres ventajas fundamentales sobre el silicio:
1. Mayor movilidad de los electrones, lo que se traduce en una menor
resistencia serie para una geometra dada, y mayores niveles de corriente.
2. Mayor velocidad de deriva para un valor aplicado de campo elctrico, lo que
mejora la velocidad de respuesta del dispositivo.
3. Pueden crecerse capas de arseniuro de galio semiaislante, lo que
proporciona la posibilidad de substratos cristalinos aislantes.
Sin embargo, el arseniuro de galio posee tambin tres inconvenientes
importantes frente al silicio:
4. Vida media de minoritarios muy corta.
5. Ausencia de un xido estable y de buena calidad.
6. Los defectos cristalinos en el arseniuro de galio son muchos rdenes de
magnitud mayores que en el caso del silicio.
La escasa vida media de los minoritarios y la ausencia de un xido estable y de
buena calidad ha hecho imposible la fabricacin de transistores MOS en
arseniuro de galio.
Por lo tanto, la tecnologa del arseniuro de galio se ha basado principalmente
en los transistores MESFET en la que los portadores mayoritarios son
transportados a travs de contactos metal semiconductor. [3]

CUADROS COMPARATIVOS:
Escalas de
Integraci

Sigla

Nmero de
compuerta

Nmero de
component

Funcin

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n
Pequea
escala de
integraci
n
(Small
Scale
of
Integration
)
Mediana
escala de
integraci
n
(Medium
Scale
of
Integration
)
Gran
escala de
integraci
n
(Large
Scale
of
Integration
)
Muy
alta
escala de
integraci
n
(Very
Large
Scale
of
Integration
)
Ultra alta
escala de
integraci
n
(Ultra
Large
Scale
of
Integration
)
Giga
alta
escala de
integraci
n
(Giga
Large
Scale
of

SSI

s
1 10

es
10 - 100

MSI

10 100

100 1000

LSI

100 1000

1000
10000

Memorias,
microcontrolador
es, perifricos

VLSI

1000
10000

1000
10000

Memorias,
microprocesador
es, perifricos

ULSI

1000
10000

100000
1000000

Microcomputado
res, memorias,
perifricos

GLSI

100000
1000000

1000000

10000000

Microcomputado
res, memorias,
perifricos

Puertas lgicas,
y biestables.

Sumadores,
registros,
contadores.

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Integration
)

Tecnologa
Familia
de
circuitos
lgicos
integrados con
transistores
bipolares

TTL

Serie
TTL Estndar
TTL
de
baja
potencia
TTL shoottky
TTL shoottky de
baja potencia
TTL
shoottky
avanzada

ECL
Familia
de
circuitos
lgicos
integrados con
transistores
MOSFET

CMOS

CMOS Estndar
CMOS HC
CMOS HCT

NMOS
PMOS

CUADRO DE COMPARACION
Familias
Definicin
TTL
Es una de las

Lgica
familias lgicas
Transistor
de uso ms
Transistor
extendido, en
Transistor
particular para
Transistor Logic
aplicaciones
que requieran
pequea y

mediana escala
de integracin
(SSI y MSI).

DE FAMILIAS LOGICAS
Comparacin
Es
una
familia
"saturante"
caracterizada
fundamentalmente
por
su
rapidez.
La
mayor
parte
de
los
transistores que la forman
trabajan en corte-saturacin.
Estos transistores conducen tan
pronto como la corriente de
base, suficiente para hacer que
la intensidad de colector sea la
de saturacin.
Normalmente, un transistor con
ganancia en corriente elevada
requiere
una
considerable
corriente de base lo que
favorece
la
entrada
en
saturacin del transistor.
Cuando
queremos
que
el

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ECL
Lgica de
Emisores
Acoplados
Emitter Coupled
Logic

CMOS
Complementari
a de
Semiconductor
De Oxido de
Metal
Complementary
Metal Oxide
Semiconductor

Las familias ECL

son las ms
rpidas que
existen,
llegando sus
retardos a
sobrepasar en
muchas
ocasiones un
nanosegundo
por puerta y la
frecuencia de
reloj suele ser
de 50 MHz,
pudiendo llegar
a las cercanas
del GHz. Todo
esto las hace
recomendables
en contadores,
comunicaciones
digitales de alta
velocidad,
sistemas de
clculo de alta
velocidad, entre
otros.
Es una
tecnologa para
la construccin
de circuitos
integrados.se
utiliza en los
microprocesado
res,
microcontrolado
res, RAM
esttica, y otros

transistor pase al corte, el

exceso de carga acumulado en
la base tarda en desalojarse, lo
que contribuye a que los
tiempos de conmutacin del
transistor sean mayores.
Utilizan transistor de entrada
multiemisor que favorece el
paso del estado de saturacin al
de corte, retirando la carga
almacenada en la base del
transistor durante la saturacin.
La familia ECL tiene unas
propiedades
ideales;
en
caractersticas en cuanto a la
disipacin de potencia.
Es la familia ms rpida,
tambin es la familia que ms
potencia disipa.
Su tensin de alimentacin es
negativa, no es una familia tan
apetecible como en un principio
pareca, porque no slo consume
mucho, sino que los niveles
lgicos que proporciona no son
en nada compatibles con los de
las restantes familias lgicas,
por lo que los problemas en la
interconexin con otras familias
lgicas son muchos.

Esta familia tiene velocidades

ms cercanas a las de la familia
TTL. Como ventajas sobre las
familias TTL hay que destacar
que su consumo puede ser por
miles, incluso millones de veces
inferior, siempre y cuando las
frecuencias de trabajo no sean
muy elevadas.
En esta familia se disminuye el
volumen de los circuitos, aparte

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circuitos lgicos
digitales.

MOS
Lgica De
Semiconductor
De xido De
Metal
Metal Oxide
Semiconductor

Present
inicialmente
grandes
dificultades,
derivadas de
ser un efecto
superficial que
es afectado por
cualquier
impureza o

dislocacin en
la superficie del
cristal de silicio;
fue preciso
desarrollar
tcnicas de muy
alta limpieza
ambiental que
no estuvieron
disponibles
hasta mediados
de los aos 70.
Sin embargo,
una vez que se
dispuso de tales
tcnicas, las
extraordinarias
ventajas de los
transistores
MOS (referidas
a
autoaislamiento
,
autoalineamient
o, tamao y
consumo)

de que tiene una gran inmunidad

al ruido y funciona con una
amplia gama de valores de
tensiones de alimentacin.
Hay que destacar el gran dao
que
pueden
producir
las
descargas electrostticas en los
circuitos CMOS.
Amplios mrgenes de ruido.
Alto fan-out y fan-in.
Amplios
mrgenes
en
la
alimentacin.
No admite cableado lgico.
Menos rpida que TTL y ECL.
La utilizacin de transistores
MOS como resistencias de
polarizacin permite configurar
puertas
lgicas
utilizando
nicamente transistores y reduce
considerablemente el rea de
integracin, al prescindir de
resistencias
integradas
de
valores relativamente altos.
Suponen un nuevo avance
cualitativo en la miniaturizacin
de
la
electrnica
digital,
reduccin
que
afecta
no
solamente al tamao y a la
densidad de integracin, sino
tambin, y en forma an ms
significativa, al consumo.

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determinaron
un rpido
desarrollo y
difusin de los
circuitos
integrados
digitales MOS.
Escalas de Integracin Cuadro Comparacin entre ASIC - ASSP
ASIC
(Aplication ASSP
(Aplication
Specific
Integrate Specific
Standard
Circuit)
Parts)
Utilidad
Asociacin
de Programa De Celdas
compuertas
con Estndar que utilizan
funciones especficas y circuitos MSI de mayor
determinadas para un frecuencia
fin
Estructura
Altamente optimizando Permite
el
tiempo de propagacin escalamiento de varios
microsistemas
Modo de trabajo
Macroceldas
(Arreglo Macroceldas
(Celda
de Compuertas)
Estndar)
Tamao
Aumento de espacios Espacio conserva una
para funciones lgicas optimizacin para su
especificas en 25%
produccin en masa
Sistemas Digitales
Discreto
Complejos
Componentes
De consumo nico
De varios consumos
Arquitectura
Fija
Configurable
Mas Vendidos
83%
17%
Costo
Ms Elevado
Menor Costo
Costo
de
la 5000 USD o mas
2000 USD aprox
Ingeniera
No
Currente

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2.7 SNTESIS
Circuitos

Las escalas de integracin son la

forma de clasificar a los circuitos
integrados de acuerdo al nmero de

SSI

MSI

(Small Scale
of
integration)

(Medium
Scale of
integration)

Tiene de 10 a
100
transistores y
de 1 a 10
compuertas.
Es la escala

Tiene de 100
a 1000
transistores y
de 10 a 100
compuertas.
Es comn en
sumadores,

Escalas de
Integracin

LSI

(Large Scale
of integration)
Tiene de 1000
a 10000
transistores y
de 100 a 1000
compuertas.
Estos
integrados
realizan una
funcin
completa,

Maquinas Secuenciales

VLSI

ULSI

(Very Large
Scale of
integration)

(U Large
Scale of
integration)

Tiene de
10000 a
100000
transistores y
de 1000 a
10000
compuertas.
Dan inicio a
la era de la

Tiene de
10000 a
100000
transistores
y de 1000 a

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TTL
Lgica Transistor
Transistor
Transistor
Transistor Logic

CMOS
Complementaria de
Semiconductor De
Oxido de Metal
TECNOLOG
IAS DE
FABRICACI
ON
ECL
Lgica de Emisores
Acoplados
Emitter Coupled
Logic

MOS
Lgica De
Semiconductor De
xido De Metal

Es una de las familias lgicas

de uso ms extendido
Estos transistores conducen
tan pronto como la corriente
de base, suficiente para hacer
que la intensidad de colector
sea la de saturacin
Esta familia tiene velocidades
ms cercanas a las de la
familia TTL
Amplios mrgenes de ruido.
Alto fan-out y fan-in.
Amplios mrgenes en la
alimentacin.
Las familias ECL son las ms
rpidas que existen
Tiene unas propiedades
ideales; en caractersticas en
cuanto a la disipacin de
potencia.
La utilizacin
de transistores
MOS como resistencias de
polarizacin permite
configurar puertas lgicas
utilizando nicamente
transistores y reduce el rea
de integracin
Present inicialmente grandes
dificultades

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ASSP

ASIC

ApplicationSpecificStanda
rdProductoASSP
Producto estndar para una
aplicacin especfica

ApplicationSpecificIntegrated
Circuit
Circuito integrado de aplicacion
especifica

Cumple funciones general

Cumple funciones especificas

Menor costo

Mayor costo

ASSPs se encuentran disponibles

como componentes de consumo
masivo.

ASICs se encuentran disponibles

como componentes de consumo
unico.

2.8 Aporte Grupal:

Las escalas de integracin de los circuitos integrados son muy importantes ya que
representan el nmero de compuertas existentes en un apartado de tecnologa
digital llamado chip ya que entre ms transistores contenga dicho chip mucho ms
potente ser el microchip.
Estas tecnologas resultan muy importantes ya que permiten la reduccin de costo
una mejor respuesta al ser mucho ms rpido y segn su complejidad se dividen
en SSI, MSI, LSI, y VLSI.

2.9 Referencias bibliogrficas

[1] Electrnica Fcil. (2004). Marco Terico Escalas de Integracin de los
Circuitos
integrados.
[En
lnea].
Disponible
en:
http://www.electronicafacil.net/tutoriales/ESCALAS-INTEGRACION-CIRCUITOSLOGICOS-SSI-MSI-LSI.php
[2] Marco Terico Manual Completo TTL. [En lnea]. Disponible en:
http://www.ie.itcr.ac.cr/rsoto/TTL%20Data%20Book%20y
%20mas/MANUAL_TTL_esp.pdf.
[3] Gray, Hurst, Lewis and Meyer. Analysis and Design of Analog Integrated
Circuits. John Wiley and Sons, 4th Edition, 2001
[4] Datos y Anlisis. Cuadro de comparacin de familias lgicas. [En lnea].
Disponible
en:
http://es.slideshare.net/danielnp33/cuadro-de-comparacion-defamilias-logicas.