Inversor de Voltaje

La funcin de un inversor es cambiar un voltaje de entrada de corriente

continua a un voltaje simtrico de salida de corriente alterna, con la
magnitud y frecuencia deseada por el usuario o el diseador. Los
inversores se utilizan en una gran variedad de aplicaciones, desde
pequeas fuentes de alimentacin para computadoras, hasta aplicaciones
industriales para controlar alta potencia. Los inversores tambin se utilizan
para convertir la corriente continua generada por los paneles solares
fotovoltaicos, acumuladores o bateras, etc, en corriente alterna y de esta
manera poder ser inyectados en la red elctrica o usados en instalaciones
elctricas aisladas.
Historia
Desde finales del siglo 19 hasta mediados del siglo 20 la conversin de
DC-AC se lograba utilizando convertidores rotacionales o un motorgenerador. No fue sino hasta la introduccin en 1957 del tiristor o SCR
(silicon-controlled rectifier) que se inicio la transicin a inversores de
circuitos de estado slido.
Para finales de la dcada de los setenta ya se haba popularizado el
MOSFET en la electrnica de potencia. Durante los ochenta se cre el IGBT
(Insulated Gate Bipolar Transistor), el cual se volvi ampliamente
popular al llegar los noventa. El IGBT combina la capacidad de manejar
rangos de potencia comparables a un transistor bipolar pero con la ventaja
de tener una alta impedancia de entrada como los MOSFET.
Topologia
Existen muchos tipos de topologas de circuitos de potencia y estrategias
de control en el diseo de inversores. El diseo se escoge dependiendo de
las especificaciones y usos que se le vayan a dar.
En la figura se aprecia el
bsico de un inversor
entrada y salida
desean en este

diagrama de bloques
cuyos voltajes de
son los que se
trabajo.

Funcionamiento
Un inversor simple consta de un oscilador que controla a un transistor, el
cual se utiliza para interrumpir la corriente entrante y generar una onda
rectangular.
Esta onda rectangular alimenta a un transformador que suaviza su forma,
hacindola parecer un poco ms una onda senoidal y produciendo
el voltaje de salida necesario. La forma de onda de salida del voltaje de un
inversor ideal debera ser sinusoidal. Una buena tcnica para lograr esto
es utilizar la tcnica de PWM logrando que la componente principal
senoidal sea mucho ms grande que las armnicas superiores.
Los inversores ms modernos han comenzado a utilizar formas ms
avanzadas de transistores o dispositivos similares, como lostiristores,
los triac o los IGBT.
Los inversores ms eficientes utilizan varios artificios electrnicos para
tratar de llegar a una onda que simule razonablemente a una onda
senoidal en la entrada del transformador, en vez de depender de ste para
suavizar la onda.
Se pueden clasificar en general en dos tipos: 1) inversores monofsicos y
2) inversores trifsicos.
Se pueden utilizar condensadores e inductores para suavizar el flujo de
corriente desde y hacia el transformador.
Adems, es posible producir una llamada "onda senoidal modificada", la
cual se genera a partir de tres puntos: uno positivo, uno negativo y uno
de tierra. Una circuitera lgica se encarga de activar los transistores de
manera que se alternen adecuadamente. Los inversores de onda senoidal
modificada pueden causar que ciertas cargas, como motores, por ejemplo;
operen de manera menos eficiente.
Los inversores ms avanzados utilizan la modulacin por ancho de
pulsos con una frecuencia portadora mucho ms alta para aproximarse
ms a la onda seno o modulaciones por vectores de espacio mejorando la
distorsin armnica de salida. Tambin se puede predistorsionar la onda
para mejorar elfactor de potencia (cos ).

Los inversores de alta potencia, en lugar de transistores utilizan un

dispositivo de conmutacin llamado IGBT (Insulated Gate Bipolar transistor
Transistor Bipolar de Puerta Aislada).

Transistor IGBT
Este dispositivo posee las caractersticas de las seales de puerta de
los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo
voltaje de saturacin del transistor bipolar, combinando una puerta
aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como
interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitacin del IGBT es
como el del MOSFET, mientras que las caractersticas de conduccin son
como las del BJT.
Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no haban sido viables
hasta entonces, en particular en los Variadores de frecuencia as como en
las
aplicaciones
en mquinas
elctricas,
convertidores
de
potencia, domtica y Sistemas de Alimentacin Ininterrumpida, entre otras
aplicaciones.
Caractersticas
Logra baja resistencia de encendido con la desventaja de
tiempos de
conmutacin
ms bajos que
el
MOSFET
pero
ms rpido
que
los
Darlington, GTO y SCR.
Es utilizado en aplicaciones de entre 500 y 1700 V con niveles
de potencia de entre 1 y 1000 kW, figura 2.4.
Posee un coeficiente de temperatura positivo en alta corriente.
Frecuencias de conmutacin de 3 a 30 kHz.

Mosfet
Es un transistor utilizado para amplificar o conmutar seales electrnicas.
Es el transistor ms utilizado en la industria microelectrnica, ya sea en

circuitos analgicos o digitales, aunque el transistor de unin bipolar fue

mucho ms popular en otro tiempo. Prcticamente la totalidad de
los microprocesadores comerciales estn basados en transistores MOSFET.
Caracteristicas
Son rpidos dado que casi no hay carga almacenada en la
regin n-.
Tienen una alta resistencia de encendido, especialmente en
dispositivos de ms de 100 V.
Se restringe a niveles de potencia bajos, de 1 a 2 kW como se
ve en la figura 2.4, aunque se pueden poner en paralelo para
alta potencia.
Es capaz de disipar grandes cantidades de potencia.
Fucionamiento
Existen dos tipos de transistores MOSFET, ambos basados en la estructura
MOS. Los primeros son los MOSFET de enriquecimiento los cuales se basan
en la creacin de un canal entre el drenador y la fuente, al aplicar una
tensin en la puerta. La tensin de la puerta atrae portadores minoritarios
hacia el canal, de manera que se forma una regin de inversin, es decir,
una regin con dopado opuesto al que tena el sustrato originalmente. El
trmino enriquecimiento hace
referencia
al
incremento
de
la conductividad elctrica debido a un aumento de la cantidad
de portadores de carga en la regin correspondiente al canal. El canal
puede formarse con un incremento en la concentracin deelectrones (en
un nMOSFET o NMOS), o huecos (en un pMOSFET o PMOS). De este modo
un transistor NMOS se construye con un sustrato tipo p y tiene un canal de
tipo n, mientras que un transistor PMOS se construye con un sustrato tipo
n y tiene un canal de tipo p.

Diagrama de bloques del inversor

El diagrama de bloques del circuito es el siguiente:

Inversor

Transformador

(conjunto de transistores)

(elevador)

Filtro

Carga

Fuente DC

Controlador

Diagrama de bloques del inversor

Fuente DC:
La fuente del circuito es de 12 Vdc, los cuales pueden ser aportados por
un conjunto de bateras en paralelos, ya que el voltaje de una batera
disminuye con respecto al tiempo es necesario simular esta condicin para
determinar el voltaje mnimo de operacin.
Inversor
Despus de analizar las diferentes topologas de inversores y
considerando los requisitos de diseo tales como economa, sencillez y
eficiencia, se escogi para el diseo un puente H o full bridge. A pesar
que tradicionalmente este tipo de circuito se utiliza para el control de
motores, se puede implementar para cargas puramente resistivas al
mismo tiempo que se deja cierto grado de libertad para su uso en cargas
inductivas o una combinacin de ambas, de modo que se incrementa el
nmero de aplicaciones que se le puede dar.
Considerando que se va a alimentar una carga de 2 kW es necesario
utilizar transistores de potencia capaces de soportar la corriente que pase
a travs de ellos, de acuerdo al desarrollo terico la potencia mxima de
los MOSFET es de 2 kW, como esto que da en el lmite de los requerido por
la carga es preferible utilizar IGBT que a su vez tienen menos prdidas por
lo cual se mejora la eficiencia.
Transformador:
En esta etapa se utiliza un transformador para elevar el voltaje de 12 a
120 Vac, adems de servir como aislamiento entre la carga y el inversor.
Debido a que el inversor genera una gran cantidad de armnicos es
necesario un tipo especial de transformador.
Filtro:

El filtro pasivo pasa bajos est compuesto por una inductancia en serie y
una capacitancia en paralelo.
Carga
Puede ser resistiva, inductiva o ambas, esto gracias a la flexibilidad que
ofrece el diseo del inversor.
Controlador:
Se utiliza un controlador PWM para manejar los IGBT, este funciona como
un oscilador que enciende y apaga los transistores, comparando la salida
del inversor y ajustando el ciclo de trabajo para obtener los resultados
deseados.

Algunos materiales
Transformador
Se
denomina transformador a
un dispositivo elctrico que
permite aumentar o disminuir la
tensin en un circuito elctrico de
corriente alterna, manteniendo
la potencia.
La potencia que
ingresa al equipo, en el caso de
un transformador ideal (esto es,
sin prdidas), es igual a la que se
obtiene a la salida.

Regulador de Voltaje
Si el voltaje de entrada es pobre es necesario algn tipo de control, una de
las tcnicas ms utilizadas actualmente es la modulacin por ancho de
pulsos, o PWM por sus siglas en ingls, la cual es una tcnica en la que se
modifica el ciclo de trabajo de una seal peridica ya sea para el envo de
informacin en un canal de comunicacin o el voltaje que se le da a una
carga.
La construccin tpica de un circuito PWM se lleva a cabo mediante un
comparador con dos entradas y una salida. Una de las entradas se conecta
a un oscilador de onda triangular, mientras que la otra queda disponible
para la seal moduladora. En la salida la frecuencia es generalmente igual
a la de la seal triangular y el ciclo de trabajo esta en funcin de la
portadora.

Algunos parmetros importantes de un PWM son:

La relacin de amplitudes entre la seal portadora y la
moduladora, siendo recomendable que la ltima no supere el
valor pico de la portadora y est centrada en el valor medio de
sta.
La relacin de frecuencias, donde en general se recomienda
que la relacin entre la frecuencia de la portadora y la de seal
sea de 10 a 1.
El PWM se utiliza en inversores para regular el voltaje, alternando en ciclo
de trabajo se puede aproximar el voltaje de salida al deseado.
Primero se mide el voltaje de salida, si es menor a la referencia se
enciende el interruptor, si el voltaje es mayor se apaga el interruptor.
Frecuenciador

En la fotografa se pueden observar dos terminales de cobre, uno al frente

del primer transistor de potencia y el otro al frente del tercer transistor. En
esos terminales que es donde se conecta el transformador, podemos
colocar las puntas del frecuencmetro, al momento de graduar la
frecuencia. Lo primero es colocar el restato en la mitad, encendemos el
inversor, medimos y con la ayuda de un destornillador, vamos girando el
restato, hasta llegar a la frecuencia deseada. Tambin podemos colocar
las puntas de frecuencmetro a la salida AC del inversor.

Terminales de cobre
En la foto podemos apreciar tres terminales de cobre: El primero recibe el
polo positivo de la batera o en caso de usar el inversor como UPS,
conectamos un cable del pin 1 del relevo (relay) a este Terminal. El
segundo terminal esta conectado al LED con su respectiva resistencia
limitadora 560 ohmios. Este terminal va al positivo de la batera,
encendiendo el LED que indica que el inversor est encendido. La
resistencia limitadora del LED puede variar entre 470 ohmios y 1K. El
tercer terminal es tierra o masa comn. En el se conecta el polo negativo
de la batera.

Fuente de Poder
En electrnica, la fuente de alimentacin o fuente de poder es el
dispositivo que convierte la corriente alterna (CA), en una o varias
corrientes continuas (CC), que alimentan los distintos circuitos del aparato
electrnico al que se conecta (computadora, televisor, impresora, router,
etc.