Electronique Numrique

Chapitre III : Transistor A Effet De Champ

III.25

Chapitre III
TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP

I.

Transistor FET Jonction

A. Principe de fonctionnement
1. Constitution dun FET

De mme comme le transistor bipolaire il existe deux types de transistors bipolaires (NPN et
PNP), le FET jonction (ou JFET) est dclin en deux versions : le canal N et le canal P.
Le FET jonction canal N est constitu d'une mince plaquette de silicium N qui va former le
canal conducteur principal. Cette plaquette est recouverte partiellement d'une couche de
silicium P de manire former une jonction PN latrale par rapport au canal (Fig. 1.).

Fig. 1. FET jonction canal N (principe).

Le courant circulera dans le canal, rentrant par une premire lectrode, le drain et sortant par
une deuxime, la source. L'lectrode connecte la couche de silicium P sert commander la
conduction du courant dans le canal ; on l'appelle la grille.
Le transistor FET fonctionnera toujours avec la jonction grille-canal polarise en inverse.
1. Phnomne de pincement.

Tension drain-source nulle.

Pour simplifier le raisonnement, nous allons considrer dans un premier temps un montage
(Fig. 2.) o le canal est court-circuit (VDS = 0) et o la grille est un potentiel ngatif par
rapport au canal (jonction polarise en inverse).
Nous avons vu dans le chapitre consacr la diode que le fait de polariser la jonction en
inverse crait une zone vide de porteurs, d'paisseur w = k|VGS |.

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Fig. 2. Modulation de conductivit VDS = 0.

Il reste dans le canal N une zone conductrice d'paisseur (h-w).
La rsistance RDS varie donc avec la tension (inverse) applique sur la jonction grille-canal. A
la limite, pour VGS = VP , appele tension de pincement, la zone de dpltion ferme le canal :
il n'y a plus de porteurs, et la rsistance entre source et drain tend vers l'infini (Fig.3.) : c'est le
phnomne de pincement.

Fig. 3. Phnomne de pincement.

Tension drain-source non nulle.

Si on reprend le montage prcdent, et qu'en plus on applique une tension positive entre le
drain et la source, le gradient de potentiel prsent tout le long du barreau de silicium
constituant le canal va modifier le profil de la zone de dpltion. Vers le drain, la tension
grille-canal sera suprieure (en valeur absolue) ce qu'elle est vers la source. En effet, on a la
relation (attention, tous les termes sont ngatifs) :

En consquence, la zone isolante prsente une forme similaire celle donne sur la figure 4.

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III.27

Fig. 4. Modulation de conductivit pour VDS non nul.

Sur cette figure, le canal n'est pas compltement bouch. Si on augmente la tension VDS ,
VGS donne, l'paisseur isolante w2 va augmenter ; partir d'une certaine tension VDS ,
correspondant une largeur du canal trs faible, le courant va tendre vers une valeur
constante, car deux phnomnes contradictoires vont s'quilibrer :
Une augmentation de VDS devrait entraner un accroissement du courant dans le canal (loi
d'ohm), mais cette augmentation de VDS va accrotre la tension VDG, qui aura pour effet
d'agrandir la zone de dpltion et entraner une diminution de la largeur du canal, donc, de sa
rsistivit.
B. Caractristiques.
A partir de ce qui a t dit dans le paragraphe prcdent, on peut dj deviner trois
choses :
Si VGS =Vp, dans tous les cas, quelle que soit la tension V DS, le courant dans le canal sera nul.
En effet, une tension VDS non nulle ne fera que renforcer le phnomne de pincement.
Le courant de drain deviendra dautant plus vite constant que la tension |VDS| sera plus leve.
Le courant constant maximum sera obtenu pour une tension grille-source nulle.
Les caractristiques du FET sen dduisent aisment.
1. Caractristique dentre.
Nous avons vu que le FET sera toujours utilis avec une polarisation grille-canal ngative,
Soit VGS<0. La caractristique correspondante est donc celle dun interrupteur ouvert :
Courant nul quelque soit la tension applique. En pratique, on aura un trs lger courant de
fuite caractristique dune jonction diode polarise en inverse.
2. Caractristiques de sortie et de transfert
La figure4 reprsente les caractristiques de transfert I DS = f(VGS) gauche et de sortie I DS
=f(VDS,VGS) droite.

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Figure4. Caractristiques du FET jonction.

Le rseau de caractristiques de sortie comporte deux grandes zones :
-

Zone de saturation ou le courant est presque indpendant de tension drain ;

Dans la zone ohmique le FET est assimilable une rsistance dont la valeur est
fonction de la tension VGS.

La caractristique de transfert IDS =f(VGS) rsume bien les limites du FET : courant de
drain nul pour une tension VGS gale la tension de pincement Vp, et courant maxi IDSS pour
une tension VGS nulle. La courbe est assez approxime par une parabole dquation :

La drive de cette loi va nous renseigner sur l'aptitude du transistor amplifier : en effet,
pour un courant IDS donn, la drive (qu'on appelle la pente du FET) va tre gale :

Cette pente est le rapport de la variation du paramtre de sortie (IDS ) et du paramtre d'entre
(VGS ) ; elle est bien reprsentative de l'amplification d'un signal d'entre. La valeur
maximum, atteinte pour VGS = 0, vaut :

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III.29

On peut alors exprimer l'quation [4] sous la forme condense suivante :

La pente du FET est en moyenne relativement faible, soit quelques mA/V, au mieux quelques
dizaines de mA/V. Elle dpend de la tension VGS (la tension de polarisation) : comme pour le
transistor bipolaire, l'amplification ne sera pas linaire ; on fera l aussi des hypothses de
fonctionnement en petits signaux.
C. Reprsentation Schma quivalent
1. Symboles des FETs.
Le FET est reprsent par les symboles suivants :

Figure 5. Symboles lectriques des FETs.

La flche reprsente la jonction grille/ canal, et son sens indique quel serait le sens du
courant si la jonction tait passante.
Pour le FET canal N, le courant Id circulera dans le sens reprsent sur la figure 5, la tension
VDS sera positive et la tension VGS ngative.
Pour le FET canal P, la tension VDS sera ngative et la tension VGS positive. Le courant de
drain circulera de la source vers le drain.

2. Schma quivalent
Schma quivalent en petit signaux

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III.30

Figure 6 : Schma quivalent alternatif

Le schma de la figure 6 est celui relatif au FET canal N. Lentre se fait sur la grille.
On note un trou entre grille et source : limpdance grille-source est trs leve, on la
considre en premire approximation comme infini. En sortie, on retrouve les mmes
lments que pour le transistor bipolaire : une source de courant (commande par la tension
VGS, et non par un courant, et sa rsistance parallle . Comme pour le transistor bipolaire,
cette rsistance est trs leve (plusieurs centaines de k ), et on la ngligera dans toutes les
applications courantes.
D. Montage source commune.
Nous allons voir le montage source commune pour le FET de type N. Le montage
canal P sen dduit aisment.
1. Polarisation

Figure7. Montage source commune

Nous avons vu lors de lexplication du principe de fonctionnement du FET que le bon
fonctionnement ncessitait une alimentation positive pour polariser le canal drain-source, et
une alimentation ngative pour polariser la grille par rapport la source. Ce raisonnement est
valable si on place la source la masse.
En pratique, on va relier la grille la masse par une rsistance de forte valeur ; comme
le courant qui circule dans la grille est trs faible (courant de fuite), le potentiel de la grille va

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III.31

tre pratiquement nul. Il reste trouver une astuce pour mettre la source un potentiel positif,
ce qui fera VSG positif, donc VGS ngatif. Pour ce faire, on intercale une rsistance entre la
source et la masse. Le courant de drain va circuler dans cette rsistance et lever le potentiel
de la source par rapport la grille. Deux phnomnes vont alors se contrarier :
Le courant de drain est maxi pour VGS =0 ; au dmarrage, on aura donc un fort courant
dans la rsistance de source, donc une forte tension.
Mais, au fur et mesure que la tension va augmenter la tension | VGS |va augmenter
aussi ce qui va avoir pour effet de limiter le courant de drain.
Les deux phnomnes vont squilibrer. La valeur du courant de drain va dpendre des
caractristiques du FET (IDSS et VP) et de la rsistance de source : cest cette dernire qui nous
permettra dajuster le courant de drain.
La tension de polarisation sur Rs sera de lordre de quelques volts (typiquement 1 3
V).
Il ne reste plus qu alimenter le drain laide dune source de tension, en intercalant
une rsistance RD qui aura pour fonction la conversion courant/tension permettant dexploiter
le signal de sortie.
On choisira le courant de drain (ou la rsistance R D) de manire ce que la chute de
tension dans cette rsistance soit gale la tension de polarisation V DS0, ceci pour assurer un
maximum de dynamique au signal alternatif.
On rajoute un condensateur de dcouplage Cd sur Rs pour que la source soit
effectivement la masse en alternatif.

2. Fonctionnement en petits signaux.

-

Schma quivalent

Le schma quivalent se construit de la mme manire que pour les montages transistors
bipolaires. On utilise le schma quivalent du FET de la figure 7, et on obtient :

Figure 8. Schma quivalent en alternatifs petits signaux.

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III.32

Ce schma est similaire celui de lmetteur commun du transistor bipolaire. La diffrence

essentielle est que la gnrateur de courant est command par la tension VGS, et non pas par un
courant ib
-

Gain en tension

Les quations sont quasiment triviales. En entre, On a :

En sortie, si on nglige , dont la valeur est trs leve vis vis de RD, on a :

On en tire aisment le gain en tension vide :

Ce gain a une valeur relativement faible, due au faite que g ne dpasse gure la dizaine de
mA/V : on aura des valeurs comprises entre 10 et 50 environ.

III.

Impdance dentre

Impdance de sortie

Le transistor MOS FET.

Les transistors MOSFET reprennent plusieurs caractristiques de FETs jonction : ils se

dclinent en deux versions, le canal N et le canal P, et les lectrodes vont aussi s'appeler drain,
source et grille, leur fonction tant la mme que pour les JFETs.
B. LE MOSFET CANAL INDUIT.
1. Description.
Dans un substrat faiblement dop P, on insre deux zones N fortement dopes. Ces deux zones
seront la source et le drain du MOSFET ; elles sont distantes d'une dizaine de m (spares
par le substrat P). La source est gnralement relie au substrat.
La grille n'est pas directement relie au substrat P ; elle en est isole par l'intermdiaire d'une
trs fine (quelques nm) couche d'isolant (de l'oxyde de silicium). Cette caractristique donne
son nom au MOSFET : Mtal Oxyde Semiconductor.
La grille est ainsi isole du substrat : le courant de grille sera nul en continu.

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III.33

Fig. 12. Schma de principe d'un MOSFET canal N.

2. Principe de fonctionnement.
Lorsqu'on applique une tension VGS positive, l'lectrode de grille, l'isolant et le substrat P
forment un condensateur.

Fig. 13. Phnomne d'inversion.

Les lectrons (porteurs minoritaires du substrat P) sont alors attirs vers la grille. Pour une
tension VGS suffisamment leve (tension de seuil), la concentration en lectrons dans le
substrat est suprieure la concentration en trous au voisinage de la grille ; on a alors une
couche N dite couche d'inversion entre les zones N de la source et du drain. Les deux
jonctions disparaissent, on n'a plus qu'un canal N, et le courant peut passer entre drain et
source.
Ce mode de fonctionnement est appel enrichissement, car une tension VGS positive
enrichit le canal en porteurs minoritaires, permettant le passage du courant. La tension qui
cre la couche dinversion sappelle tension de seuil VGS(th).

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3.

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III.34

Caractristiques.

Fig. 14. Caractristique de sortie du MOS canal N.

La caractristique de sortie est similaire celle d'un JFET, sauf que le courant de drain pourra
atteindre plusieurs ampres pour des composants de puissance. On note la zone en
fonctionnement ohmique, tout fait similaire celle des JFETs, et permettant les mmes
applications.
La caractristique de transfert a la forme suivante :

Fig. 15. Caractristique de transfert du MOS canal N.

Cette caractristique de transfert est appele la transconductance du MOS, et est exprime en
siemens (S). Pour des MOS de puissance, elle vaut plusieurs siemens (1 10 typiquement),
soit des valeurs beaucoup plus importantes que pour les JFETs (quelques mS).
La tension de seuil atteint plusieurs volts (1 3 typiques). Ce seuil varie avec la temprature.
C. LE MOSFET CANAL INITIAL.
1. Description du principe de fonctionnement.

Le MOSFET canal initial a la mme structure que le MOS canal induit, avec en plus, un
canal faiblement dop N entre la source et le drain.
Pour VGS nulle, Ce transistor fonctionne comme un JFET : un courant de drain pourra
circuler ; quand VDS augmente, un phnomne de pincement se produit, qui obstrue le canal :
le courant de drain devient constant.

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III.35

Si VGS est infrieure ou gale 0, on acclre le pincement (le condensateur form par la
grille, l'isolant et le canal attire des trous dans le canal initial qui neutralisent les lectrons de
cette zone N) : on fonctionne en rgime d'appauvrissement.
Au contraire, pour VGS suprieure 0, on retrouve le fonctionnement du MOS canal induit,
et le courant de drain va crotre.

Fig. 16. MOSFET N canal initial..