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leos

CAMPOS ELCTRICOS
El campo elctrico es una perturbacin que modifica el espacio que lo rodea,
dicho campo puede provenir, por ejemplo, de una carga elctrica puntual. Se
considera un ente fsico no visible, pero si medible, y se lo modeliza
matemticamente como el vector campo elctrico, que se define como la
relacin entre la Fuerza Coulombiana que experimenta una carga testigo y el
valor de la carga testigo (una carga testigo positiva). La definicin ms intuitiva
del campo elctrico se la puede dar mediante la ley de Coulomb. Esta ley, una
vez generalizada, permite expresar el campo entre distribuciones de carga en
reposo relativo. Sin embargo, para cargas en movimiento se requiere una
definicin ms formal y completa, se requiere el uso de cuadrivectores y el
principio de mnima accin. A continuacin se describen ambas.
Antecedentes tericos:
Campo elctrico y potencial de una carga puntual:
El campo elctrico de una carga puntual Q en un punto P distante r de la carga
viene representado por un vector de:

mdulo

Cuando varias cargas estn presentes el campo elctrico resultante es la suma

vectorial de los campos elctricos producidos por cada una de las cargas.
El potencial del punto P debido a la carga Q es un escalar y vale

El potencial en el punto P debido a las dos cargas es la suma de los potenciales

debidos a cada una de las cargas en dicho punto.

Lneas de campo elctrico:

El campo elctrico es tangente a las lneas de campo en cualquier punto que se
considere.
Las lneas de campo elctrico comienzan en cargas positivas y terminan en
cargas negativas (o en el infinito).
Las lneas se dibujan simtricamente saliendo entrando a la carga.
Ejemplos de lneas de campo elctrico:

El Campo Elctrico producido por una distribucin discreta de cargas

Para determinar el campo elctrico producido por un conjunto de cargas
puntuales se calcula el campo debido a cada carga en el punto dado como si
fuera la nica carga que existiera y se suman vectorialmente los mismos para
encontrar el campo resultante en el punto. En forma de ecuacin:

Campo elctrico creado por un dipolo elctrico

A continuacin se analiza el campo elctrico creado por una distribucin de dos
cargas de igual magnitud y de signo opuesto conocida como Dipolo elctrico.
1.- Campo elctrico en los puntos de la bisectriz del eje del dipolo

2.- Campo elctrico en los puntos del eje del dipolo

Puntos fuera de la lnea de unin de las cargas

Puntos sobre la lnea de unin de las cargas

3.- Otros puntos

Considrese un dipolo elctrico y un punto
representado en la figura.

de coordenadas

tal como el

Campo generado por un cudruplo elctrico lineal en su bisectriz

Campos magnticos

Lneas mostrando el campo magntico de un imn de barra, producidas por

limaduras de hierro sobre papel.
El campo magntico es una regin de espacio en la cual una carga elctrica
puntual de valor q, que se desplaza a una velocidad , sufre los efectos de una
fuerza que es perpendicular y proporcional tanto a la velocidad v como al
campo B. As, dicha carga percibir una fuerza descrita con la siguiente
igualdad.

Donde F es la fuerza, v es la velocidad y B el campo magntico, tambin

llamado induccin magntica y densidad de flujo magntico. (Ntese que
tanto F como v y B son magnitudes vectoriales y el producto vectorial tiene
como resultante un vector perpendicular tanto a v como a B). El mdulo de la
fuerza resultante ser

La existencia de un campo magntico se pone de relieve gracias a la propiedad

localizada en el espacio de orientar un magnetmetro (laminilla de acero
imantado que puede girar libremente). La aguja de una brjula, que evidencia
la existencia del campo magntico terrestre, puede ser considerada un
magnetmetro.
Fuentes del campo magntico
Un campo magntico tiene dos fuentes que lo originan. Una de ellas es una
corriente elctrica de conduccin, que da lugar a un campo magntico esttico.
Por otro lado una corriente de desplazamiento origina un campo magntico
variante en el tiempo, incluso aunque aquella sea estacionaria.

La relacin entre el campo magntico y una corriente elctrica est dada por la
ley de Ampre. El caso ms general, que incluye a la corriente de
desplazamiento, lo da la ley de Ampre-Maxwell.
Campo magntico producido por una carga puntual
El campo magntico generado por una nica carga en movimiento (no por una
corriente elctrica) se calcula a partir de la siguiente expresin:

Donde
. Esta ltima expresin define un campo vectorial
sinodal, para distribuciones de cargas en movimiento la expresin es diferente,
pero puede probarse que el campo magntico sigue siendo un campo sinodal.
Propiedades del campo magntico

La inexistencia de cargas magnticas lleva a que el campo magntico es

un campo solenoidal lo que lleva a que localmente puede ser derivado
de un potencial vector , es decir:

A su vez este potencial vector puede ser relacionado con el vector densidad de
corriente mediante la relacin:

Determinacin del campo de induccin magntica B

La direccin del "campo magntico" se define operacionalmente del

siguiente modo. Para una cierta direccin de v, la fuerza F se anula. Se
define esta direccin como la de B.

Una vez encontrada esta direccin el mdulo del "campo magntico"

puede encontrarse fcilmente ya que es posible orientar a v de tal
manera que la carga de prueba se desplace perpendicularmente a B. Se
encuentra, entonces, que la F es mxima y se define la magnitud de B
determinando el valor de esa fuerza mxima:

En consecuencia: Si una carga de prueba positiva q0 se dispara con una

velocidad v por un punto P y si obra una fuerza lateral F sobre la carga que se
mueve, hay una induccin magntica B en el punto P siendo B el vector que
satisface la relacin:

La magnitud de F, de acuerdo a las reglas del producto vectorial, est dada por
la expresin:

Expresin en la que es el ngulo entre v y B.

La figura muestra las relaciones entre los vectores.

Se observa que: (a) la fuerza magntica se anula cuando

, (b) la fuerza
magntica se anula si v es paralela o anti paralela a la direccin de B (en estos
casos

o bien
y
) y (c) si v es perpendicular a B (
) la fuerza desviadora tiene su mximo valor dado por

El hecho de que la fuerza magntica sea siempre perpendicular a la direccin

del movimiento implica que el trabajo realizado por la misma sobre la carga, es
cero. En efecto, para un elemento de longitud de la trayectoria de la
partcula, el trabajo
es
que vale cero por ser y perpendiculares.
As pues, un campo magntico esttico no puede cambiar la energa cintica
de una carga en movimiento.
Si una partcula cargada se mueve a travs de una regin en la que coexisten
un campo elctrico y uno magntico la fuerza resultante est dada por:

Teora de los semiconductores

Un semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o
como aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo
elctrico o magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la temperatura
del ambiente en el que se encuentre. Los elementos qumicos semiconductores
de la tabla peridica se indican en la tabla adjunta.

Elemento

Grup Electrones en
os
la ltima capa

Cd

12

2 e-

Al, Ga, B, In

13

3 e-

Si, C, Ge

14

4 e-

P, As, Sb

15

5 e-

Se, Te, (S)

16

6 e-

El elemento semiconductor ms usado es el silicio, el segundo el germanio,

aunque idntico comportamiento presentan las combinaciones de elementos
de los grupos 12 y 13 con los de los grupos 14 y 15 respectivamente (AsGa,
PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd). Posteriormente se ha comenzado a emplear
tambin el azufre. La caracterstica comn a todos ellos es que son
tetravalentes, teniendo el silicio una configuracin electrnica sp.

Tipos de semiconductores

Semiconductores intrnsecos
Es un cristal de silicio o Germanio que forma una estructura tetradrica similar
a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos, en la figura
representados en el plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a
temperatura ambiente algunos electrones pueden absorber la energa
necesaria para saltar a la banda de conduccin dejando el correspondiente
hueco en la banda de valencia. Las energas requeridas, a temperatura
ambiente, son de 0,7 eV y 0,3 eV para el silicio y el germanio respectivamente.
Semiconductores extrnsecos
Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo
porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el
semiconductor se denomina extrnseco, y se dice que est dopado.
Evidentemente, las impurezas debern formar parte de la estructura cristalina
sustituyendo al correspondiente tomo de silicio. Hoy en da se han logrado
aadir impurezas de una parte por cada 10 millones, logrando con ello una
modificacin del material.
Semiconductor tipo N
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado
aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el
nmero de portadores de carga libres (en este caso negativos o electrones).

Cuando se aade el material dopante aporta sus electrones ms dbilmente

vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es
tambin conocido como material donante ya que da algunos de sus electrones.
Semiconductor tipo P
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado,
aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el
nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos).
Cuando se aade el material dopante libera los electrones ms dbilmente
vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin
conocido como material aceptor y los tomos del semiconductor que han
perdido un electrn son conocidos como huecos.

Diodo
Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la
circulacin de la corriente elctrica a travs de l en un sentido. Este trmino
generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el ms comn en
la actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos
terminales elctricos. El diodo de vaco (que actualmente ya no se usa, excepto
para tecnologas de alta potencia) es un tubo de vaco con dos electrodos: una
lmina como nodo, y un ctodo.
De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos
regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un
circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado
con una resistencia elctrica muy pequea. Debido a este comportamiento, se
les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de suprimir
la parte negativa de cualquier seal, como paso inicial para convertir una
corriente alterna en corriente continua. Su principio de funcionamiento est
basado en los experimentos de Lee De Forest.
Los primeros diodos eran vlvulas o tubos de vaco, tambin llamados vlvulas
termo inicas constituidos por dos electrodos rodeados de vaco en un tubo de
cristal, con un aspecto similar al de las lmparas incandescentes. El invento fue
desarrollado en 1904 por John Ambrose Fleming, empleado de la empresa
Marconi, basndose en observaciones realizadas por Thomas Alva Edison.
Rectificador de media onda

El rectificador de media onda es un circuito empleado para eliminar la parte

negativa o positiva de una seal de corriente alterna de entrada (Vi)
convirtindola en corriente directa de salida (Vo).
Es el circuito ms sencillo que puede construirse con un diodo.
Rectificador de onda completa
Un Rectificador de onda completa es un circuito empleado para convertir una
seal de corriente alterna de entrada (Vi) en corriente continua de salida (Vo)
pulsante. A diferencia del rectificador de media onda, en este caso, la parte
negativa de la seal se convierte en positiva o bien la parte positiva de la seal
se convertir en negativa, segn se necesite una seal positiva o negativa de
corriente continua.
Existen dos alternativas, bien empleando dos diodos o empleando cuatro
(puente de Graetz).
Rectificador con dos diodos.

En el circuito de la figura, ambos diodos no pueden encontrarse

simultneamente en directa o en inversa, ya que las diferencias de potencial a
las que estn sometidos son de signo contrario; por tanto uno se encontrar
polarizado inversamente y el otro directamente. La tensin de entrada (Vi) es,
en este caso, la mitad de la tensin del secundario del transformador.

Tensin de entrada positiva.

El diodo 1 se encuentra en polarizado directamente (conduce), mientras que el

2 se encuentra en inversa (no conduce). La tensin de salida es igual a la de
entrada. El diodo 2 ha de soportar en inversa la tensin mxima del
secundario.
Tensin de entrada negativa.

El diodo 2 se encuentra en directa (conduce), mientras que el diodo 1 se

encuentra en inversa (no conduce). La tensin de salida es igual a la de
entrada pero de signo contrario. El diodo 1 ha de soportar en inversa la tensin
mxima del secundario.
Puente de Graetz o Puente Rectificador de doble onda

En este caso se emplean cuatro diodos con la disposicin de la figura. Al igual

que antes, slo son posibles dos estados de conduccin, o bien los diodos 1 y 3
estn en directa y conducen (tensin positiva) o por el contrario son los diodos
2 y 4 los que se encuentran en inversa y conducen (tensin negativa).

A diferencia del caso anterior, ahora la tensin mxima de salida es la del

secundario del transformador (el doble de la del caso anterior), la misma que
han de soportar los diodos en inversa, al igual que en el rectificador con dos
diodos. Esta es la configuracin usualmente empleada para la obtencin de
onda continua.
Tensin rectificada.
Vo = Vi = Vs/2 en el rectificador con dos diodos.
Vo = Vi = Vs en el rectificador con puente de Graetz.
Si consideramos la cada de tensin tpica en los diodos en conduccin,
aproximadamente 0,6V; tendremos que para el caso del rectificador de doble
onda la Vo = Vi - 1,2V.

Filtro electrnico
Un filtro elctrico o filtro electrnico es un elemento que discrimina una
determinada frecuencia o gama de frecuencias de una seal elctrica que pasa
a travs de l, pudiendo modificar tanto su amplitud como su fase.
Funcin de transferencia
Con independencia de la realizacin concreta del filtro (analgico, digital o
mecnico) la forma de comportarse de un filtro se describe por su funcin de
transferencia. sta determina la forma en que la seal aplicada cambia en
amplitud y en fase al atravesar el filtro. La funcin de transferencia elegida
tipifica el filtro. Algunos filtros habituales son:

Filtro de Butterworth, con una banda de paso suave y un corte agudo.

Filtro de Chebyshev, con un corte agudo pero con una banda de paso
con ondulaciones

Filtros elpticos o filtro de Cauer, que consiguen una zona de transicin

ms abrupta que los anteriores a costa de oscilaciones en todas sus
bandas

Filtro de Bessel, que, en el caso de ser analgico, aseguran una variacin

de fase constante

Se puede llegar a expresar matemticamente la funcin de transferencia en

forma de fraccin mediante las transformaciones en frecuencia adecuadas. Se
dice que los valores que hacen nulo el numerador son los ceros y los que hacen
nulo el denominador son polos.

El nmero de polos y ceros indica el orden del filtro y su valor determina las
caractersticas del filtro, como su respuesta en frecuencia y su estabilidad.

EJERCICIOS
CAMPO ELECTRICO
1.- Un electrn es lanzado con una velocidad de 2.10 6 m/s paralelamente a las
lneas de un campo elctrico uniforme de 5000 V/m. Determinar:

a) La distancia que ha recorrido el electrn cuando su velocidad se ha reducido

a 0'5.106 m/s
b) La variacin de energa potencial que ha experimentado en ese recorrido.
Solucin:
Al tener el electrn carga negativa se ve sometido a una fuerza opuesta al
campo elctrico que le va frenando:
m.a=q.Ea=q.E/m
a = 1'6.10-19 . 5000 / 9'1.10-31 = 8'79.1014 m/s2
Al ser la aceleracin constante, las ecuaciones del movimiento son:
v = vo - a . t t = (vo - v) / a = ( 2.106 - 0'5.106 ) / 8'79.1014 = 1'7.10-9 s
e = vo . t - a . t2 /2 = 2.106 . 1'7.10-9 - 8'79.1014 . (1'7.10-9 )2 / 2 = 0'0021 m
La diferencia de potencial entre dos puntos de un campo uniforme es:
VA - VB = E . d = 5000 . 0'0021 = 10'5 Voltios
La variacin de energa potencial ser:
EpA - EpB = q . (VA - VB ) = - 1'6 . 10-19 . 10'5 = - 1'68.10-18 Julios
2.- En tres vrtices de un cuadrado de 40 cm de lado se han situado cargas
elctricas de +125 m C. Determinar el campo elctrico en el cuarto vrtice y el
trabajo necesario para trasladar una carga de - 10 m C desde ese vrtice al
centro del cuadrado.
El campo producido en D ser la suma vectorial de los campos creados por
cada carga:
EC = EA = k.q / a2
EB = k. q / (a2 + a2)
El campo resultante tendr la direccin y sentido de
EB y valdr:

E = EB + (EA2 + EC2)1/2 = k. q /(2.a2) + (2. k2. q2. / a4)1/2

E = k. q. (1 / 2 + 21/2) / a2 = 9.109. 125.10-6. (1 / 2 + 21/2) / 0'42 = 1'35.107 N /C
El trabajo para trasladar una carga de un punto a otro es la carga por la d.d.p.
entre los puntos:
El potencial en un punto es la suma de los potenciales creados por cada carga:
V(D) = k. q / a + k . q. /a + k. q. /(a 2 + a2)1/2 = + k. q. (2 + 1 / 21/2) / a
V(D) = 9.109. 125.10-6. (2 + 1 /21/2) / 0'4 = 7613738 Voltios
V(O) = 3. k. q. /( a / 21/2) = 3. 9.109. 125.10-6. 21/2 / 0'4 = 11932427 Voltios
W = q' . (V(O) - V(D)) = - 10.10-6. ( 11932427 - 7613738 ) = 43'2 J

3.- Dos cargas de + 12 mC y - 18 mC estn separadas 40 cm. Determinar en

qu punto del espacio el campo es nulo.
La suma de dos vectores da nulo si tienen el mismo modulo y forman entre s
180. En los puntos como B, C y D el campo no puede anularse pues los
campos forman ngulos distintos de 180 . Slo puede anularse en el eje que
une las cargas y a derecha o izquierda de ellas, no entre ellas. En el punto E no
puede ser pues la carga negativa es mayor y genera un campo todava mayor
por estar ms prxima al punto. La nica posibilidad es en un punto como el A.
En A los campos creados por las cargas
son opuestos y valen:
E+q = k. 12.10-6 / x2
E-q = k. 18.10-6 / (0'4 + x)2
Para que el campo total sea nulo los dos campos deben ser iguales en
mdulo:

k. 12.10-6 / x2 = k. 18.10-6 / (0'4 + x)2 12 / x2 = 18 /(0'4 + x)2 x = 1'78 m

4.- Disponemos de dos condensadores de 3 y 5 microfaradios cargados a 500 y

700 voltios respectivamente. Permaneciendo cargados se unen las placas del
mismo signo. Determinar la d.d.p. que se establecer y la carga de cada
condensador.
La carga de cada condensador independiente es
q = C. V
q1 = C1.V1 = 3.500 = 1500 m C
q2 = C2.V2 = 5.700 = 3500 m C
Al unir los dos condensadores por sus placas del mismo signo, la carga no
desaparece ni contrarresta; la carga del condensador equivalente debe ser
igual a la suma de cargas:
q = q1 + q2 = 1500 + 3500 = 5000 m C
La capacidad equivalente del conjunto en paralelo es la suma:
C = C1 + C2 = 3 + 5 = 8 m F
La d.d.p. que aparecer entre las placas de este conjunto ser:
V = q / C = 5000 / 8 = 625 Voltios
y la carga de cada condensador ser q = C.V
q'1 = 3. 625 = 1875 m C q'2 = 5. 625 = 3125 m C

5.- Determinar la relacin que existe entre las capacidades de dos

condensadores si conectados en serie tiene una capacidad cuatro veces menor
que conectados en paralelo.
La capacidad equivalente de dos condensadores en paralelo es: C p = C1 + C2
y en serie: Cs = 1 / (1/C1 + 1/C2)
Si la capacidad en serie es cuatro veces menor que en paralelo, tenemos:
1 / (1/C1 + 1/C2) = ( C1 + C2 ) /4 4. C1 . C2 = ( C1 + C2 )2

C1 . C2 = C12 + C22 + 2. C1. C2 C12 + C22 - 2. C1. C2 = 0 ( C1 - C2 )2 = 0

C1 = C 2

CAMPOS MAGNETICOS

6.- Un alambre recto horizontal de 0,5 m de largo lleva corriente de 5 A de sur

a norte en un campo magntico cuya induccin magntica es de 0,5 N/Am
hacia arriba. Encuentre:
a) La magnitud de la fuerza de deflexin.
b) La direccin y sentido de esa fuerza.
a) F = B.i.l
F = 0,5 (N/A.m).5 A.0,5 m
F = 1,25 N
b) Oeste este
7.- Un alambre que pesa 0,25 kg/m conectado con conductores flexibles, se
encuentra en un campo magntico de densidad de flujo 2 Wb/m . Calcule la
corriente necesaria para que el alambre quede sin peso y cmo debe ir dirigida
esa corriente.
F = B.i.l
P = g.l.mL
F=P
B.i.l = g.l.mL
i = g.l.mL/B.l
i = 9,8 (m/s ).0,25 (kg/m)/2 (N/A.m)
i = 1,225 A
8.- Se trata de calcular la intensidad del campo magntico B creado por una
corriente de 4 A de intensidad en cada uno de los siguientes casos: a) a 4 cm
de un hilo conductor rectilneo e indefinido; b) en el centro de una bobina
formada por 20 espiras circulares de 10 cm de dimetro; c) en cualquier punto
del interior de un solenoide de 2 cm de dimetro y de longitud indefinida que
posee 40 espiras por cada centmetro de longitud (Tmese 0 = 4..107 T
m/A).
a) El campo magntico B debido a una corriente rectilneo indefinida en un
punto que dista r de dicha corriente, viene dado por la expresin
B = 0.l/2..r
Sustituyendo los datos del enunciado y recordando que todas las magnitudes
se han de expresar en unidades SI, resulta:

B = 4..107 T.(m/A).4 A/2..4.10 m = 2.105 T

b) El campo B debido a una bobina formada por N espiras de igual radio R en
su centro geomtrico ser igual a N veces el campo debido a una sola, es
decir:
B = 0.l.N/2.R = 20.4..107 T.(m/A).4 A/10.10 m = 3,2..104 T
c) En cualquier punto del interior de un solenoide el campo magntico es
homogneo, es decir, toma el mismo valor B = 0.I.N/l. An cuando no se
conozca la longitud, para calcular B basta conocer el nmero de espiras por
unidad de longitud, que en este caso es N/l =4.10 espiras/m. sustituyendo,
resulta:
B = 4..107.4.40.10 = 6,4..10 T
9.- Se tiene un imn de momento magntico 0,5 A.m 2 formando un ngulo de
45 con la componente horizontal de la intensidad del campo magntico
terrestre. Suponiendo este campo uniforme, calcular el valor del par de fuerzas
que es necesario ejercer para mantener el imn en esa posicin. Si el imn
tiene una longitud de 10 cm, cunto vale la fuerza sobre cada polo?
Suponiendo el imn delgado con relacin a su longitud, de manera que las
cargas magnticas se puedan considerar puntuales. La componente horizontal
de la intensidad de campo magntico terrestre vale 0,2.10 -4 T.
El momento del par de fuerzas viene dado por:
M = m.Bh
Tomando mdulos, resulta:
M = m.Bh.sen 45 = 0,5 A.m2.0,2.10-4 T.(2/2) = 7,1.10-6 N.m
Para calcular la fuerza, recordar M = l.Fn, de donde, tomando mdulos:
M = l.Fn.sen
Despejando Fn:
Fn = M/(l.sen )
Fn = [7,1.10-6 N.m]/[0,1 m.(2/2)] = 1,0.10-4 N
10.- El filamento de una lmpara incandescente es perpendicular a un campo
magntico de densidad de flujo 0,3 Wb/m . Calcule la fuerza lateral que
experimenta una porcin de filamento de 4 cm de longitud cuando la corriente
que pasa por l es de 0,5 A.
B = F/i.l
F = B.i.l
F = 0,3 (N/m.A).0,04 m.0,5 A
F = 0,006 N

Semiconductores
11.- La energa de la banda prohibida del germanio puro es Eg = 0.67 eV. (a)
Calcular el nmero de electrones por unidad de volumen en la banda de

conduccin a 250 K, 300 K, y a 350 K. (b) Hacer lo mismo para el silicio

suponiendo que Eg = 1.1 eV. La masa efectiva de los electrones y huecos son
en el germanio es 0.12 me y 0.23 me, y en el silicio 0.31 me y 0.38 me, donde
me = 9.11031 Kg es la masa de electrn libre.

Germanio (m-3)

Silicio (m-3)

T
(k)
NC

NV

NC

NV

250 0,7910 2,11024 0,02310 3,2910 4,41024

0,031
016

300 1,0410 2,81024 0,401019 4,3310 5,91024

0,291
016

24

24

19

24

24

350 1,3110 3,51024 3,241019 5,51024 7,41024 7,7101

24

12.- Supngase que la masa efectiva de los huecos en un material es 4 veces

la de los electrones. A que temperatura el nivel de Fermi estar un 10% por
encima del punto medio de la banda prohibida. Sea Eg = 1 eV.

13.- Los valores de la conductividad del germanio puro a las temperaturas en

K: (300, 350, 400, 450, 500) son respectivamente en -1m-1: (2, 13, 52, 153,
362). a) Hacer una grfica de ln frente a 1/T. b) Determinar Eg para el
germanio.
ln = [0,693; 2,56; 3,95; 5,03; 5,89]
1/T = [0,0033; 0,0029; 0,0025; 0,0022; 0,0020]

Sale una recta.

14.- El Ge es un semiconductor con una banda prohibida (BP), Eg = 0.7eV.

Dentro de esta BP aparecen niveles de energa debidos a impurezas. Medidos
respecto a la BV estos niveles estn a 0.01 eV para el Al y 0.69 para el P. Cul
de estas impurezas acta como donadora y cul como aceptora?

El Al, al estar ms cerca de la banda de valencia (BV), acta como impureza

aceptora. Pueden pasar fcilmente e- de la BV al nivel de la energa aceptora,
EA. Por tanto el Al es aceptor.

DIODOS
15.- Una carga de 3600 coulombs pasa por un punto en un circuito elctrico
durante media hora. Cul es el promedio de circulacin de corriente?
Solucin :

16.- A travs de un circuito electrnico se observa que circula una corriente

uniforme de 50 mA (miliamperes). Qu carga se transfiere durante un
intervalo de 10 minutos?
Solucin Q = I x t = (50 x 10-3 ) amp x (10 x 60 ) seg = 30 coulombs

17.- Para obtener un plateado de espesor deseado, por la cuba lectroltica

debe pasar una carga de 72.000 coulombs, utilizando una corriente constante
de 8 amperes. Qu tiempo es necesario?

18.- Cuando un condensador (de capacidad C) se carga a voltaje, constante (E)

a travs de una resistencia (R), la carga (q) sobre el condensador, en cualquier
tiempo (t) est dada por la expresin :

Determinar una expresin general para la corriente de carga (i) en el

condensador , en cualquier tiempo (t)
Solucin : Dado que i= dq/dt , la expresin para la carga instnea (q) debe ser
diferenciada con respecto al tiempo (t) . Por lo tanto ,

Rectificador de onda completa

19.- Un puente rectificador de onda completa con una entrada senoidal de 120Vrms tiene una resistencia de carga de 1 K.
si se utilizan diodos de silicio, cul es el voltaje dc disponible en la
carga?

+
D1
Vi

D2
0

D3

D4

RL
1k

Vo

VT = 0.7 Volt, Vi = 120Vrms, Vipico =120Vx 2 =169.7056 V

Si analizamos el circuito para el primer ciclo de la tensin de entrada, es decir,
el ciclo positivo tenemos.
+
+

R1
1k

Vi

VT

Vo

VT

- Vi + VT + VO + VT =0 => VOMAX = Vi 2VT sustituyendo valores, nos

queda:
VOMAX = 169.7056 2(0.7) = 169.7056 1.4 = 168.3056 V pico
VOMAX = 168.3056 Volt
Luego Vdc lo obtenemos de la siguiente relacin
Vdc = 0.636(VOMAX) = 0.636 (Vi 2VT) = 0.636(168.3056) = 107.0423 Volt
Vdc = 107.0423 Volt