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Ingenieras
Fsico
Mecnicas
Escuela de Ingenieras
Elctrica, Electrnica y de
Telecomunicaciones
LABORATORIO - Hoja 1 de 4.
FUNDAMENTOS DE CIRCUITOS ANALGICOS (23414).
ASIGNATURA: Fundamentos de Circuitos Analgicos 2 Sem 2015
PRCTICA DE LABORATORIO:
CARACTERIZACIN DE TRANSISTORES
CDIGO: 23414
NO.: 03
Figura 1
LABORATORIO DE
FUNDAMENTOS DE CIRCUITOS ANALGICOS (23414)
Segundo Semestre de 2015
Hoja: 1 De: 4
JAAP/JA8A
CONSTRUIMOS FUTURO
Facultad de
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Escuela de Ingenieras
Elctrica, Electrnica y de
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LABORATORIO - Hoja 2 de 4.
FUNDAMENTOS DE CIRCUITOS ANALGICOS (23414).
ACTIVIDADES EN EL LABORATORIO
1. Caracterstica ID vs VGS
1.1.
Establezca una tensin de cero voltios en el terminal de cuerpo. Incremente VDD hasta observar una
corriente medible a travs del convertidor de corriente a tensin y a partir de este punto mida ID para
varios valores de VGS = VDS hasta alcanzar 10V.
1.2.
Repita las medidas de ID vs VGS para varios valores de VSB hasta alcanzar 10V. Verifique que siempre
la tensin del surtidor es mayor a la tensin de sustrato (cuerpo).
2. Caracterstica ID vs VD
El montaje en este experimento se muestra en la figura 2.
2.1.
Configure una seal triangular de baja frecuencia (1kHz o menor) en el generador de seales con una
tensin de offset (DC) de 7.5V y 15Vp-p. Esto con el fin de tener una excursin de seal desde 0 hasta
15 V en la tensin VDD emulada por este generador. Note que esta configuracin permite hacer un
barrido por diversos puntos de polarizacin del transistor y por tanto extraer la curva ID vs VDS.
2.2.
Utilizando el modo X-Y del osciloscopio con 1V/div en cada canal, Conecte el canal horizontal entre
el drenador y la tierra real del sistema.
2.3.
Configure el canal vertical en modo invertido para poder hacer la traduccin de la corriente con el
signo correcto Por qu?
2.4.
El canal vertical debe mostrar la caracterstica de corriente en funcin de VDS, obtenga esta curva para
diversos valores de VGS que podr ajustar a travs del potencimetro (esto es una curva completa para
cada valor de VGS).
Figura 2
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FUNDAMENTOS DE CIRCUITOS ANALGICOS (23414)
Segundo Semestre de 2015
Hoja: 2 De: 4
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LABORATORIO - Hoja 3 de 4.
FUNDAMENTOS DE CIRCUITOS ANALGICOS (23414).
3. Transistor PMOS
3.1.
Repita los procedimientos descritos en la parte 2 para el transistor PMOS. Utilice el montaje mostrado
en la figura 3 para llevar a cabo esto. Para este caso configure el generador de seales con una funcin
triangular de 1kHz y -15Vp-pcentrada en -7.5V.
Figura 3
4. Identifique los transistores utilizados en la prctica para usarlos en algunos diseos ms adelante.
5. Una vez extrados los datos y medidas, lea cuidadosamente el anexo de la prctica para el
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Segundo Semestre de 2015
Hoja: 3 De: 4
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CONSTRUIMOS FUTURO
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LABORATORIO - Hoja 4 de 4.
FUNDAMENTOS DE CIRCUITOS ANALGICOS (23414).
LABORATORIO DE
FUNDAMENTOS DE CIRCUITOS ANALGICOS (23414)
Segundo Semestre de 2015
Hoja: 4 De: 4
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CONSTRUIMOS FUTURO