Sie sind auf Seite 1von 12

ESCUELA DE CIENCIAS BASICAS, TECNOLOGIA E INGENIERIA

ECBTI

Nombre de la actividad

ELECTRONICA BASICA
COMPONENTE PRACTICO

Presentado por:
ALFONSO GUERRERO ROJAS
COD. 79298133

TUTOR/DIRECTOR
JAIRO LUIS GUTIERREZ

ESCUELA DE CIENCIAS BASICAS TECNOLOGIA E INGENIERIA


INGENIERA ELECTRONICA
ABRIL 29 DE 2015

INTRODUCCION

ESCUELA DE CIENCIAS BASICAS, TECNOLOGIA E INGENIERIA

ECBTI

Nombre de la actividad

El presente trabajo tiene por objeto aplicar conceptos vistos en el modulo de la fase 2, en
cuanto a dispositivos electrnicos de almacenamiento y amplificacion de seales, para ser
utilizados en el trabajo colaborativo que su objetivo es la consruccion de una fuente de
alimentacin regulada. Tales dispositivos son: Capacitores, diodos y transistores
Asi mismo, adquirir destrezas en el manejo de simuladores de circuitos electrnicos para el
diseo de sistemas electrnicos.

DESARROLLO

ESCUELA DE CIENCIAS BASICAS, TECNOLOGIA E INGENIERIA

ECBTI

Nombre de la actividad

Practica No. 1 EL DIODO RECTIFICADOR

Seal Resultante en R1:

Practica No. 2 EL TRANSISTOR BJT

ESCUELA DE CIENCIAS BASICAS, TECNOLOGIA E INGENIERIA

ECBTI

Nombre de la actividad

Dadas las formulas:


Vce = Vc Beta = Ic / Ib

Ib = (Vbb Vbe) / Rb

Pd = Vce * Ic

Dado el circuito Transistor BJT NPON Emisor comn:


Completar la siguiente tabla:

Vc

Rc

Ib

VB

RB

PD

8V

80 ohm

1,01 mA

6,3V

6,23
Kohm

800mW

Construir en el simulador PSpice Student 9,1 el Transistor JT NPN Emisor Comun, incluya
imagen capturadad desde la aplocacion mostrando los valores de voltaje y corriente.

Vce= Vc = 8V
Ib = Ic/Beta = 100mA / 99 = 1,01 mA

ESCUELA DE CIENCIAS BASICAS, TECNOLOGIA E INGENIERIA

ECBTI

Nombre de la actividad

Rb = (Vbb Vce)/Ib = (7V-0,7)/1,01 = 6,23 Kohmios


Rc = (Vcc Vce)/Ic = 16V-8V/100 = 80 ohmios
Pd = Vce * Ic = 8V *100 mA = 800mW

Practica No. 3 EL FET

Parametros de Diseo:
Id = 3mA Vd= 10V Vcc= 20V
Idss= 16mA VGS(off) = -8V
Dadas las formulas:
VGS (off) = -Vp

Rd = (Vcc Vd)/Id

Rs = VGS(off) / Idss

VGS = -Id*Rs Av = -Gm * Rd

Rg >>500 Kohmios

Gm = Id/VGS

Calcular:
5

Zo~Rd

ESCUELA DE CIENCIAS BASICAS, TECNOLOGIA E INGENIERIA

ECBTI

Nombre de la actividad

Rd = (Vcc Vd) / Id = (20V 10V) / 3mA = 333,3 ohmios


Rs = VGS/Idss = -8V / 16 mA = 500 ohmios
Rg = 10 Mohmios
VGS = Id * Rs = 3mA * 500 ohmios = 1,5 V
Gm = Id * VGS = 3mA * 1,5 V = 0,003/1,5 = 0,002
Av = -Gm * Rd = 0,002 * 333,3 = 6,6
Rs

Rd

Rg

Vgs

Gm

Av

500 ohm 333.3 ohm 10Mohm


1.5 V
0,002
6,6
Simular en anlisis transitorio dibujando al menos 3 ciclos de la seal de 80 Mhz de
frecuencia generada por Vin, inckuir pantallazo de graficas de la seal de entrada y la de
salida.

ESCUELA DE CIENCIAS BASICAS, TECNOLOGIA E INGENIERIA

ECBTI

Nombre de la actividad

Cual es el tipo de polarizacin aplicada al JFET del circuito?


Autopolarizacion
Cual es la funcin de los capacitores C1 y C2 en el circuito?
Los capaitores son dispositivos electrnicos capaces de almacenar determinada cantidad de
electricidad, debido a la tensin alterna, el condensador resulta cargado, descargado, vuelto
a cargar con polaridad opuesta; una vez ms descargado, y as sucesivamente. Con ello
circula una corriente cuya variacin es senoidal. Pero, la corriente no circula a travs del
condensador, es decir a travs de su dielctrico que es aislante como hemos dicho, la
corriente slo circula de los bornes del generador a las armaduras del condensador y
viceversa, es decir, aunque el circuito realmente no est cerrado el efecto es como si lo

ESCUELA DE CIENCIAS BASICAS, TECNOLOGIA E INGENIERIA

ECBTI

Nombre de la actividad

estuviera; y siendo ste el efecto, se suele decir que por el circuito circula una corriente
elctrica.
La intensidad de la corriente o, mejor dicho, el valor eficaz de la corriente alterna depende,
aparte de la tensin del generador, de la capacidad del condensador y de la frecuencia de la
propia corriente alterna. Cuanto mayor es la capacidad y ms elevada la frecuencia, con
tanta ms violencia se desarrolla el proceso continuo de carga y descarga y, en
consecuencia, tanto ms intensa ser la corriente. A pequeas capacidades y frecuencias
circular slo una dbil corriente.
En tre sus funciones principales estn: Filtrado de una fuente de poder,
Eliminacin de interferencias en amplificadores y sistemas de audio y video, Para aumentar
voltaje y para temporizar algun circuito.
Es Id = Is Justifique su respuesta:
Cuando se aplicaun voltaje VDS en forma directa a la fuente se establece una
condicin VGS = 0 V y en ese momento las terminales de compuerta y fuente se hallan al
mismo potencial y en el instante que el voltaje VDD que ser igual a VDS, los electrones
sern atrados hacia la terminal de drenaje, estableciendo la corriente convencional iD con
la misma direccin que la trayectoria del flujo de carga indicando que en ese momento las
corrientes de fuente y drenaje son equivalentes (Id = Is).
Practica No. 4 EL TIRISTOR

ESCUELA DE CIENCIAS BASICAS, TECNOLOGIA E INGENIERIA

ECBTI

Nombre de la actividad

Montaje de circuito en PSPICE

Simulacion de tensin de entrada V1 y la Tension de la carga en R1

ESCUELA DE CIENCIAS BASICAS, TECNOLOGIA E INGENIERIA

ECBTI

Nombre de la actividad

Simulacion e la tensin de entrada y cada de tension en R4

10

ESCUELA DE CIENCIAS BASICAS, TECNOLOGIA E INGENIERIA

ECBTI

Nombre de la actividad

CONCLUSIONES:
Se observa el comportamiento de components electronicos como Diodos, Transistores
y tiristores al aplicar tensiones.
Se aplican conceptos de manejo de simuladores para este caso PSPICE
Se logra aplicar conceptos de la unidad 2.

11

ESCUELA DE CIENCIAS BASICAS, TECNOLOGIA E INGENIERIA

ECBTI

Nombre de la actividad

REFERENCIAS:
http://www.asifunciona.com/fisica/ke_diodo/ke_diodo_1.htm
http://es.wikipedia.org/wiki/Archivo:Zener_diode_voltage_regulator.svg
http://www.areaelectronica.com/componentes-pasivos/condensadores.htm

12

Das könnte Ihnen auch gefallen