Escuela Superior Politcnica de Chimborazo. Bone Karen.

Simulador Arqumedes

Simulador Arqumedes (Ejemplo Mosfet)

Bone, Karen
fany3692@gmail.com
Facultad de Informtica y Electrnica
Escuela Superior Politcnica de Chimborazo

Abstracto Este trabajo presenta la simulacin con

Arqumedes de un Mosfet con datos dados por defecto y
modificaciones de valores de Vg, as como un anlisis de las
grficas obtenidas en la simulacin del mismo.
ndice de Trminos Circuito de disparo, Mosfet, densidad
de electrones, Vds., Vg (Voltaje Gate).
Abstract This paper presents the simulation with
Archimedes MOSFETs with data given by Default and
changes in values Vg, and an analysis of the graphs obtained
in the simulation of Himself.

OBJETIVO: Analizar la estructura bsica de un

MOSFET mediante la simulacin con Arquimedes para
entender su adecuado funcionamiento.

Mosfet [2] (Transistor de efecto de campo

semiconductor de xido metlico)
El Mosfet ha llegado a ser uno de los dispositivos ms
importantes utilizados en el diseo y construccin de
circuitos integrados para computadoras digitales. Su
estabilidad trmica y otras caractersticas generales
hacen que sean extremadamente populares en el diseo
de circuitos de computadora. Se divide en tipo
empobrecimiento y enriquecimiento.
Mosfet tipo empobrecimiento
La
construccin bsica
del
MOSFET tipo
empobrecimiento de canal n, se forma una placa de
material tipo p a partir de una base de silicio y se conoce
como sustrato. Es la base sobre la cual se construye el
dispositivo.

I. INTRODUCCIN
Como bien sabemos es muy til valernos de programas
de simulacin en este ocasin, hemos utilizado el
Simulador Arqumedes para ver la variacin de Energa,
densidad de electrones presentes en un Mosfet,
aprovechando las diferentes visualizaciones que este
presenta (Electron Density, Electrostatic Potential,
Electron Energy and Conduction Band in X)

II. DESARROLLO
Fig.1. Mosfet tipo empobrecimiento de canal n

A. Conceptos Bsicos [1]

Arqumedes es el paquete de GNU para dispositivos
semiconductores simulaciones en semiclsica y el
rgimen cuntico que se puede utilizar para simular.
Puede ser considerado como un buen punto de partida
para aquellos que quieren entender transporte de
electrones en los dispositivos semiconductores, as como
tambin como punto de partida para investigadores que
quieren tener un cdigo de transporte probado. Este
paquete se utiliza hoy en da por muchas universidades y
empresas, tambin es utilizado para desarrollar nuevos
cdigos interesantes.

Operacin y caracacteristicas bsicas

El voltaje de la compuerta a la fuente se ajusta a 0V por
la conexin directa de una terminal a la otra y se aplica
un voltaje VDS del drenaje a la fuente. El resultado es la
atraccin del potencial positivo en el drenaje por los
electrones libres del canal n y la corriente semejante a la
que se establece a travs del canal del JFET.

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Fig.2. Mosfet tipo empobrecimiento de canal n con VGS= 0V y

voltaje aplicado VDD.

Mosfet tipo enriquecimiento

La construccin de un Mosfet tipo enriquecimiento de
canal p es exactamente a la inversa de el Mosfet tipo
empobrecimiento. Es decir, ahora hay un sustrato tipo n
y regiones tipo n dopadas bajo las conexiones del
drenaje y la fuente. Las terminales no cambian, pero
todas las polaridades del voltaje y las direcciones de la
corriente se invierten.

Fig.4. Simulacin Mosfet (Visualizacin Conduction Band

in X-direction)

Fig.5. Simulacin Mosfet (Visualizacin Electron Density)

Fig.3. Mosfet tipo enriquecimiento de canal p

Simulacin del comportamiento de un Mosfet

En las grficas que vemos a continuacin est el
resultado de como se visualiza un Mosfet en el
Simulador Arquimedes, para la simulacin se realizaron
cuatro 4 casos:
- Vds=1.0V; Vg=0.8V
- Vds=1.0V; Vg=2.2V
- Vds=1.0V; Vg=3.0V
- Vds=1.0V; Vg=3.4V
, con diferentes representaciones como vemos a
continuacin:

Fig.6. Simulacin Mosfet (Visualizacin Electrostatic

Potential)

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III. CONCLUSIONES

Mediante la investigacin realizada podemos

concluir sobre que al mantener constante el valor de
Vds y variar el Vg obtendremos un nmero
generoso de portadores libres, lo que hace que no se
obtenga una gran acumulacin de portadores
(electrones) entre el drenaje y la fuente. Por lo tanto
las grficas no presentan variaciones en cada uno de
los diferentes casos de simulacin

Fig.7. Simulacin Mosfet (Visualizacin Electron energy)

En las cuatro simulaciones realizadas se pudo apreciar

que no hubo cambio significativo a medida que se
aument el Vg (Voltaje de gate), las grficas en las
diferentes visualizaciones se mantuvieron, para una
mejor comprensin, en la Visualizacin Conduction Band
in X-direction) describiremos brevemente como interpretarlo
En la grfica, la parte superior izquierda muestra la energa del
electrn y su posicin con respecto al eje X (Conduccin de
banda de los electrones en el Mosfet), la visualizacin de los
dems grficas tambin es con referencia a los electrones,
densidad pero visto con una estructura diferente, segn el tipo
de visualizacin.

REFERENCIAS

Fig.8. Cdigo en el Script de Arqumedes

Al correr el Simulador Arqumedes nos sale una opcin

grfica, la misma que podemos modificar, para nuestra
simulacin seleccionamos la opcin que dice Script en el
cdigo especificamos el tipo de material haciendo
referencia de que deseamos simular, en la seccin que
dice #Definition of the various contacts (Contact up
Ohmic mantenemos el voltaje Vds que ah se encuentra
(OHMIC 1.0 3.e23)), el Voltaje que debemos variar es
el Vg (Voltaje de gate) que lo podemos modificar en la
parte del cdigo que dice (Oxyde up 0.2e-6 0.4e-6
0.06e-2 2.2) siendo este ltimo valor (2.2) el valor de
gate que vamos a variar.

[1] Archimedes the Free Monte Carlo simulator.pdf

[2] Electrnica teora de circuitos y dispositivos
electrnicos.10ma edicin. Robert L. Boylestad