Practica 4. Transistores BJT.

NiloChaverraKatianVallejo

nilochaverra221928@correo.itm.edu.co

pnp), tal como se muestran en la figura 1, junto con sus

respectivos smbolos circuitales.

Abstract-- En esta prctica nos disponemos a Estudiar

las propiedades y curvas caractersticas del transistor
BJT de manera terica y experimentalmente. En primer
lugar se realiz la simulacin del circuito de la figura 5
y los resultados se llevaron a la tabla 1, posteriormente
se hicieron los clculos de forma matemticamente y
los resultados obtenidos se llevaron a la tabla 3 y
finalmente en el laboratorio se midieron dichos datos.
De ah se grafic la curva caracterstica del transistor Ic
vs Vce para cada una de las tablas y con la ecuacin (#)
se calcul el porcentaje de error teniendo en cuenta los
datos tericos y prcticos.

I.

Figura 1. Tipos y smbolos de transistores.

Las tres terminales del transistor se nombran base (B),
emisor (E) y colector (C). El transistor tiene dos formas
fundamentales de actuar dentro de un circuito.

INTRODUCCIN

Como amplificador
En el presente informe se trabaj con un dispositivo el
cual ha revolucionado la vida de todos nosotros; el
transistor, que es sin duda uno de los mejores inventos
del hombre diseado para operar en circuitos
electrnicos como amplificador, oscilador o
conmutador.

Cuando el transistor se comporta de este modo, la

corriente del colector es veces la corriente de la base,
donde es un parmetro propio del transistor
(diferentes transistores pueden tener diferentes valores
de ). Entonces podemos entender que la corriente de la
base se est amplificando en el colector con una
ganancia igual a .

Los componentes bsicos del transistor son

comparables a los de un tubo de vaco trodo e incluyen
el emisor que corresponde al ctodo caliente de un
trodo como fuente de electrones.

Para que el transistor opere de este modo necesita estar

en una regin de operacin llamada regin activa.

El transistor fue desarrollado por los cientficos

estadounidenses Walter Houser Brattain, John Bardeen
y William Bradford Shockley de los bell laboratories.
Este logro loes hizo merecedores del premio nobel de
fsica en 1956.

II.

Regin activa o de amplificacin

En esta regin de operacin existen corrientes en todos
sus terminales y se cumple que la unin base-emisor se
encuentra polarizada en directa y la colector-base en
inversa.
En general, y a efectos de clculo, se considera que se
verifica lo siguiente:

DESARROLLO DEL CONTENIDO

El transistor es un dispositivo electrnico de tres

terminales, formado por tres regiones semiconductoras.
Dependiendo del tipo de semiconductor de cada regin
(p o n), podemos tener dos tipos de transistor (npn y

(1)
(2)
Donde

Donde las tensiones base-emisor y colector-emisor de

saturacin suelen tener valores determinados (0,8 y 0,2
voltios habitualmente). Es de sealar especialmente que
cuando el transistor se encuentra en saturacin circula
tambin corriente por sus tres terminales, pero ya no se
cumple la relacin

V es la tensin de conduccin de la unin base-emisor

(en general 0,6 voltios)
Para esta regin se tiene que VCE>VCEsat
Como interruptor
Cuando el transistor opera de este modo tiene dos
posibles estados: un estado en el que la corriente entre
emisor y colector el cero, y un estado en el cual esta
corriente es mxima. De este modo podemos entender
que entre colector y emisor tenemos un interruptor que
permite o no el paso de la corriente.

(5)
En la siguiente grfica se muestra el voltaje entre
colector y emisor contra la corriente de colector. Hay
una grfica para cada valor de corriente de base.

Cuando se presenta este tipo de funcionamiento, el

transistor opera en dos regiones: corte (cuando el suche
est abierto) y saturacin (cuando el interruptor est
cerrado).
Corte
Un transistor est en corte cuando: Ic = Ie = 0.
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del
transistor es el voltaje de alimentacin del circuito.
(Como no hay corriente circulando, no hay cada de
voltaje). Este caso normalmente se presenta cuando la
corriente de base = 0 (Ib=0)

Figu
ra 2 curvas de salida del transistor
Analicemos con detalle la grfica:
A medida que aumentamos la corriente de base desde
IB1 hasta IB4, la corriente de colector aumenta en una
forma proporcional a esta en la regin activa. La
constante de proporcionalidad es hFE o .Esta regin
es la regin de amplificacin.

Para polarizar el transistor en corte basta con no

polarizar en directa la unin base-emisor del mismo, es
decir, basta con que VBE=0
Saturacin

La regin de corte ocurre cuando la corriente de base

es aproximadamente cero con lo cual el transistor sera
un interruptor abierto.

Un transistor est en regin de saturacin cuando:

Ic Ie = Mxima

Al contrario cuando la corriente de base es muy alta,

el transistor se cortocircuita entre colector y emisor
con lo que podemos afirmar que el transistor es un
interruptor cerrado.

En este caso la magnitud de la corriente depende del

voltaje de alimentacin del circuito y de las resistencias
conectadas en el colector o el emisor o en ambos.

b. Amplificador en emisor comn

En la regin de saturacin se verifica que tanto la unin

base-emisor como la base-colector se encuentran en
directa. Se dejan de cumplir las relaciones de activa, y
se verifica slo lo siguiente:

La siguiente configuracin de conexin del transistor se

conoce como amplificador en emisor comn. Se llama
as porque las corrientes de base y colector se combinan
en el emisor. En la figura 2 se muestra esta
configuracin.

(3)

(4)

obtener valores de IC y de VCE que corten dicha curva.

Manteniendo fijos los voltajes VCC obtendremos dicha
variacin a travs de la corriente de base en la que
como vimos en la ecuacin de entrada depende Del
voltaje de polarizacin de entrada o de la resistencia de
base Rb. El punto Q es ms estable o presenta mayor
excursin de la onda entre ms lejos se encuentre de los
puntos de corte y saturacin por lo que generalmente se
selecciona en el punto medio de la curva. Los
fabricantes de transistores entregan una serie de curvas
experimentales que sirven de ayuda en el diseo del
amplificador.

Figura 3. Polarizacin en emisor comn

Hacemos un anlisis de la malla de entrada y salida
para poder encontrar el punto de trabajo de este
transistor Malla de base

Con este mismo circuito podemos trabajar el transistor

como un interruptor si logramos alimentar la base solo
con los 2 niveles de voltaje que normal mente son 0
voltios corte y 5 voltios saturacin para compuertas
TTL.

(6)

III. PROCEDIMIENTO
EXPERIMENTAL

La corriente de base depende del voltaje de

polarizacin de la base si tenemos un resistor fijo
aunque puede ser al contrario. El voltaje VBE lo
asumimos constante e igual a 0.7V a temperatura
ambiente. Malla de colector emisor.

Simulacin:

Inicialmente se simulo el circuito de la figura 5 de la

siguiente manera:
(8)
En la ecuacin anterior las variables son IC y VCE que
son los ejes graficados para las curvas de salida as que
con ello superpondremos la recta dada por la ecuacin
con las curvas de salida y para la recta bastara con
encontrar los puntos de corte con los ejes coordenados.
Para el corte con el eje IC hacemos VCE = 0 con lo que
obtenemos IC = VCC/Rc y si hacemos IC = 0 VCE =
VCC.

Figura 5. BJT con polarizacin de Emisor Comn

Donde VCC=VBB=10V, Rb=potencimetro de
1Meg, Rc=Potencimetro de 5K Y Transistor
2n2222
Para la simulacin se escogi un valor de Rb y se vari
Rc hasta que el voltaje colector emisor tuvo la mitad de
Vcc, se registr en la tabla 1 los valores de Ib, Vce e Ic.
Luego se vari Rc para registrar dos valores de Vce
superiores a 5V y dos valores inferiores a 5V.
Seguidamente se repitieron los pasos uno a tres dos
veces para otros valores de Rb.

Figura 4. Recta de carga

A medida que aumentamos la corriente de base se
presentan curvas de mayor corriente de colector la recta
determina un camino en la eleccin de los valores de
resistencia con los cuales trabajare en corte saturacin o
la regin activa. El ponto marcado por Q es el punto de
trabajo en activa y para cuestiones de diseo solo puedo

Tabla 1. Resultados de la simulacin

Medici
Rb k Ib(uA)
Ic
n

mA
1
100
93.30
13.63

Vce
V
5.005

2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15

100
100
100
100
200
200
200
200
200
300
300
300
300
300

93.30
93.30
93.30
93.30
46.76
46.76
46.76
46.76
46.76
31.21
31.21
31.21
31.21
31.21

13.53
13.40
13.75
13.93
6.215
6.178
6.142
6.252
6.289
3.835
3.821
3.807
3.849
3.863

4.187
3.302
5.875
7.214
5.028
4.440
3.858
5.624
6.226
5.015
4.651
4.290
5.382
5.751

8
9
10
11
12
13
14
15

200
200
200
300
300
300
300
300

Grafica

Posteriormente Con los valores de la la tabla 1 se

grafic Vce contra Ic, de tal manera que se obtuvo una
grfica similar a la figura 4, con tres curvas (una para
cada valor de Rb y por lo tanto de Ib)
Clculos tericos:

Grafica

Para el circuito de la figura 5, se encontr

matemticamente los valores de Ib, Ic y Vce. Para
realizar los clculos se consult en la hoja de datos el
valor de hFE o = 100 a 150. Con los resultados se
llen la tabla 2. La hoja de especificaciones seala
como valores mximos garantizados 500 miliamperios,
50 voltios de tensin de colector, y hasta 500 milivatios
de potencia. La frecuencia de transicin es de 250 a
300 MHz, lo que permite utilizarlo en aplicaciones de
radio de alta frecuencia (hasta 300 MHz).
La beta (factor de amplificacin, hFe) del transistor es
de por lo menos 100; valores de 150 son tpicos.

Tabla 2. Resultados tericos

Medici
Rb
Ib(uA)
n
k
1
100
2
100
3
100
4
100
5
100
6
200
7
200

Ic
mA

Tabla 3. Medicin experimental

Medici
Rb k Ib(uA)
Ic
n

mA
1
100
93.68
13.69
2
100
93.68
13.57
3
100
93.68
13.45
4
100
93.68
13.81
5
100
93.68
13.99
6
200
46.85
6.229
7
200
46.85
6.192
8
200
46.85
6.155
9
200
46.85
6.266
10
200
46.85
6.304
11
300
31.21
3.881
12
300
31.21
3.865
13
300
31.21
3.851
14
300
31.21
3.894
15
300
31.21
3.908

Vce
V

Vce
V
5.017
4.163
3.274
5.858
7.202
5.017
4.427
3.845
5.614
6.218
5.012
4.589
4.224
5.328
5.701

Grafica
III.

ANALISIS DE RESULTADOS

[3] Es.wikipedia.org. (2016). 2N2222. [online]

Available at: https://es.wikipedia.org/wiki/2N2222
[Accessed 11 Sep. 2016].

IV.

[4] Boylestad, R., Nashelsky, L. (2009) Teora de

Circuitos y Dispositivos Electrnicos. Mxico: Pearson
Educacin. 10 ed. ISBN: 9786074422924

RECOMEDACIONES

[5] Malvino, A. P., & Bates, D. J. (2007). Principios de

electrnica (sptima ed.). Madrid: McGraw-Hill, 964p.
ISBN: 9788448156190

V.

[6] Jaeger, R. C., & Blalock, T. N. (2005). Diseo de

circuitos microelectrnicos (segunda ed.). Mxico:
McGraw-Hill, 967p. ISBN: 978-0073380452

CONCLUSION

V. REFERENCIAS
[1] Hector, J. (1999). U.S. Patent No. 5,883,549.
Washington, DC: U.S. Patent and Trademark Office.
[2] Zbar, P., Malvino, A. P., & Miller, M. A. (2001).
Prcticas de electrnica (sptima ed.). Mxico:
Alfaomega, 380p. ISBN: 9788448156190