Caracterizacin y polarizacin de transistores

de unin bipolar BJT

Christian M. Fonseca S. Manuel
Facultad De Ingeniera
Universidad Nacional De Colombia

funcionamiento de los transistores de uni bipolar

(BJT)

Abstract en esta prctica se realizan diversos

circuitos usando un componente fundamental en la
electrnica anloga (transistor BJT), mediante estos
circuitos se lograra caracterizar un transistor BJT,
mediante esto poder obtener las curvas caractersticas del
transistor bipolar, efectuando mediciones consecutivas y
observaciones en el osciloscopio. Mediante esto poder
analizar el funcionamiento del transistor.
Se realizaran otros circuitos para poder familiarizarse
con el transistor y experimentar con algunas tcnicas de
polarizacin, se analizaran las regiones de operacin y se
realizaran grficos para comprender mejor y lograr
visualizar el funcionamiento, se realizaran 5 circuitos, de
los cuales 2 sern para caracterizacin y 3 para analizar
la polarizacin de los transistores.

II. MARCO TERICO

Transistor BJT
Es un componente electrnico, el cual se utiliza para
entregar una seal de salida de respuesta a una seal
de entrada. Los transistores BJT (bipolar junction
transistor), este tipo de transistores tienen tres zonas,
dos de las cuales son del mismo tipo, por lo cual se
pueden formar dos tipos de transistores de unin libre
tipo NPN y PNP, formando de esta manera dos
uniones NP, similar a los diodos.[1]

Palabras clave curva caracterstica BJT, estado de

saturacin, estado activo, estado de corte, tipo NPN, tipo
PNP, transistor BJT.

I. INTRODUCCION

En la actualidad, prcticamente todos los equipos

electrnicos que usamos en nuestra vida cotidiana
contienen en su interior circuitos con transistores, el
transistor de unin bipolar es uno de los componentes
activos claves en todos los aparatos electrnicos
modernos.
La utilidad fundamental de un transistor es que este es
capaz de utilizar una pequea seal aplicada entre un
par de sus terminales para controlar una seal mucho
ms grande en el otro par de terminales, a
comparacin del MOSFET, el BJT tiene una mayor
capacidad de amplificacin, lo que permite que tan
solo con una pequea seal se pueda controlar una
corriente mucho mas grande.
Otra diferencia de los BJT es que son dispositivos de
baja impedancia de entrada y se usan en diversos
circuitos fundamentales. Los resultados de la prctica
se consignaran debidamente para luego ser
comparados con lo que predice la teora, de esta
manera visualizar errores y comprender el

Img 1. Transistor de unin polar (BJT). Tipo NPN

El transistor es el ms comn de los transistores y

como los diodos, puede ser de germanio o de silicio.
Tiene tres terminales las cuales son. [1]
-

Emisor
Base
Colector

La zona N es aquella que contiene los elementos

donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P
es la que contiene los huecos (cargas positivas).
Transistor tipo NPN.
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares,
en los cuales las letras N y P se refieren a los

portadores de carga mayoritarios dentro de las

diferentes regiones del transistor. La mayora de los
transistores bipolares usados hoy en da son NPN,
debido a que la movilidad del electrn es mayor que la
movilidad de los huecos en los semiconductores,
permitiendo mayores
corrientes
y
velocidades
de
operacin.

Los transistores BJT tienen diferentes curvas

caractersticas, dependiendo la corriente que fluye por
el terminar base.

La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la

terminal del emisor y apunta en la direccin en la que
la corriente convencional circula cuando el dispositivo
est en funcionamiento activo.[2] Transistor tipo
PNP.
Los transistores PNP consisten en una capa de material
semiconductor dopado N entre dos capas de material
dopado P. Los transistores PNP son comnmente
operados con el colector a masa y el emisor conectado
al terminal positivo de la fuente de alimentacin a
travs de una carga elctrica externa. Una pequea
corriente circulando desde la base permite que una
corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia
el colector.
La flecha en el transistor PNP est en el terminal del
emisor y apunta en la direccin en que la corriente
convencional circula cuando el dispositivo est en
funcionamiento activo.
Se puede analizar los transistores de unin bipolar
como diodos, ya que se pueden representar como dos
diodos, debido a su unin.[3]

Img 3. Curvas caractersticas de los transistores BJT.

Como se puede observar la curva caracterstica del

transistor de unin bipolar, cuenta con una familia de
curvas, las cuales se pueden observar en la imagen, se
puede visualizar que la corriente en la base del
transistor aumenta cuando aumenta la corriente en el
terminal colector.[3]
Regin activa.
Cuando un transistor no est ni en su regin de
saturacin ni en la regin de corte entonces est en una
regin intermedia, la regin activa. En esta regin la
corriente de colector (Ic) depende principalmente de la
corriente de base (Ib), de
(ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de
las resistencias que se encuentren conectadas en el
colector y emisor. Esta regin es la ms importante si
lo que se desea es utilizar el transistor como un
amplificador de seal.[3]
Regin de corte.
Un transistor BJT se encuentra en el estado de corte,
cuando el voltaje no permite entre sus terminales el
flujo de corriente, por lo cual cuando se encuentra en
este estado, la corriente en la base, colector y emisor,
es 0.[3]

Img 2. Modelos y relacin diodo BJT.

Regin de saturacin.

Curva caracterstica del BJT.

Un transistor est saturando cuando la corriente del

terminar colector es igual a la corriente del emisor y
esta corriente es la mxima.[3]

En este caso la magnitud de la corriente depende del

voltaje de alimentacin del circuito y de las
resistencias conectadas en el colector o el emisor o en
ambos, ver ley de Ohm. Este caso normalmente se
presenta cuando la corriente de base es lo
suficientemente grande como para inducir una
corriente de colector veces ms grande.[4]

IV. Preguntas sugeridas.

V. CONCLUSIONES
-

Los transistores de unin bipolar (BJT) son

elementos que tienen una infinidad de
aplicaciones en el campo de la ingeniera, por
lo que es de vital importancia saber
polarizarlos y conocer el funcionamiento
interno para aprovechar las ventajas que nos
presentan estos sobre otros dispositivos como
los mosfets.

Los BJT son ms estables cuando se aumenta

la temperatura del circuito y esto es muy til
ya que siempre al trabajar en un circuito la
temperatura va aumentar y su estabilidad nos
ofrece posibilidades de ejecutar con mayor
eficiencia los procesos que necesitamos.

Las curvas de las corrientes vs voltajes no se

lograron ver el osciloscopio ya que este no
muestra la grfica de la corriente pero nos
mostr una equivalente en voltaje que nos
fue til para realizar el anlisis y las pruebas
en la prctica.

III. ANLISIS DE RESULTADOS

Materiales
Para esta prctica se utiliz equipos e instrumentos de
mucha relevancia para la electrnica con la finalidad
de profundizar en el manejo de estos y analizar su
funcionamiento. Los equipos utilizados fueron:
Osciloscopio (de dos Canales)
Generador de seales (digital)
Multmetros
Fuente dual DC
Sondas
Protoboard
Conectores caimn- caimn, banana-caimn
Resistencias
Transistor de unin bipolar BJT
Practica
En esta prctica se realizaran primero 2 circuitos para
caracterizar el transistor de unin bipolar y observar
cmo se comporta este tipo de elementos en un
circuito determinado.
Curvas caractersticas.
El objetivo de esta El objetivo de esta seccin es trazar
y visualizar las curvas caractersticas del transistor
bipolar mediante dos circuitos de prueba, efectuando
mediciones consecutivas y observaciones en el
osciloscopio.
Las
curvas
a
realizar
son:
..

VI. BIBLIOGRAFA
[1] wikipedia, transitores de union bipolar
monografias, 05 2001. [En lnea]. [ltimo
acceso:
05
2015].
http://es.wikipedia.org/wiki/transistoresBJT
[2] electronica facil, BJT UNAD, 05 2001. [En
lnea].
Available:
http://www.electronicafacil.net/tutoriales/BJT.ph
p
[3] definicion.de regiones transistor, [En lnea].
Available: http://definicion.de/circuito-integrado/
[4] J. J. K. Williamh. Hayt, Analisis de circuitos en
Ingenieria, Mc Graw Hill, 2004.