Instituto Superior de Engenharia de Coimbra

Electrnica
2 Ano da Licenciatura em Engenharia Electrotcnica
2014/15

Trabalho Prtico N. 6
Funcionamento do Transstor Bipolar de Juno

Funcionamento dos Transstores Bipolares de Juno

OBJECTIVOS
Ao concluir este trabalho o aluno deve:
Compreender o funcionamento do transstor bipolar de juno e relacionar correntes e
tenses nas vrias zonas de funcionamento;
Conhecer as caractersticas principais dos BJTs
Conhecer e compreender as diferenas de funcionamento entre transstores NPN e PNP

1. INTRODUO
O transstor o componente base na construo de circuitos electrnicos, tanto simples como de
elevada complexidade, essenciais para o estilo de vida moderno, encontrando-se presentes desde o
mais simples brinquedo at ao mais evoludo supercomputador. A sua utilizao tanto pode ser feita
de uma forma discreta como na forma de Circuito Integrado, em aplicaes analgicas ou digitais.
Este componente est ento presente nos mais diversos aparelhos electrnicos, sem o quais a nossa
vida do dia-a-dia seria muito diferente. Dada a sua importncia vamos, neste trabalho, ficar a
conhec-lo melhor.
H duas grandes famlias de transstores: os bipolares de juno ou BJT e os de efeito de campo ou
FET. Neste trabalho vamos analisar e compreender as caractersticas dos transstores BJT.
Os transstores bipolares so constitudos por duas junes PN, com a estrutura interna mostrada
na figura 1.1. Na figura 1.2 mostram-se os smbolos dos transstores npn e pnp, com a identificao
dos terminais.

Figura 1.1. Estrutura interna de um BJT do tipo npn

npn

B
E

pnp

B
E

Figura 1.2. Simbologia dos BJTs

Os mecanismos de funcionamento dos transstores apresentam alguma complexidade e o

conhecimento integral das suas caractersticas implica um conhecimento de um nmero de
parmetros elevado. No entanto, o conhecimento de um nmero relativamente pequeno das
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referidas caractersticas as caractersticas fundamentais - permite-nos ter um entendimento bsico

do seu funcionamento e limitaes, sendo suficiente para uma utilizao na prtica. As
caractersticas mais importantes a conhecer de um transstor bipolar so:
Ganho de corrente, ou hFE relao entre IC e IB, na regio activa
Corrente mxima de colector, ICMAX
Tenso mxima entre Colector e Emissor, VCE0
Potncia mxima de dissipao, PMAX
Para ilustrar o que acabou de se referir, apresenta-se na tabela 1.1 as caractersticas principais de
trs transstores do tipo NPN muito utilizados em Electrnica, que tm aplicaes tpicas diferentes.
Tabela 1.1. Caractersticas principais de 3 transstores

BC548B

2N2222A

2N3055

Aplicao
tpica

general purpose amplifiers and

switches requiring collector
currents to 300 mA

Linear amplification and

switching

power transistor for

generalpurpose switching and
amplifier applications

ou hFE

200-480

100-300

20-70

ICMAX

500 mA

800 mA

15 A

VCE0

30 V

40 V

60 V

PMAX (@25C)

625 mW

500 mW

115 W

Metal

Metal

Plstico

Encapsulamento

TO-3
TO-18

Na realidade, tal com o j foi referido anteriormente, o transstor possui um elevado nmero de
caractersticas, muitas das quais variam de transstor para transstor (com mesma referncia), com
a temperatura, com as tenses aos seus terminais, com as correntes, etc

Modos ou Regies de Funcionamento

As regies ou modos de funcionamento so caracterizadas pela maneira como as duas junes
existentes no transstor, juno C-B e B-E se encontram polarizadas, de acordo com a tabela 1.2.
Tabela 1.2 Modos de funcionamento

B-E

C-B

Corte

Inversa

Inversa

Activa

Directa

Inversa

Saturao

Directa

Directa

Activa inversa

Inversa

Directa

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Com VCE>0 (NPN) ou VCE<0 (PNP), um transstor bipolar encontra-se funcionar num dos 3 modos
de funcionamento apresentados na Tabela 1.2.

Corte:

Neste modo ou regio de funcionamento as junes B-E e B-C encontram-se polarizadas

inversamente. Como resultado iB=0 e iC=0.

Activa:

Nesta regio, a juno B-E encontra-se directamente polarizada e a juno B-C

inversamente polarizada. A sua corrente de colector pode ser descrita do seguinte modo:
v BE

iC = I SE (e

VT

v
1)1 + CE
VA

v
iC = .i B 1 + CE
VA

ou

(1)

iC = .iB

sendo normalmente aproximada por:

(2)

que uma das expresses mais conhecidas dos BJTs.

Saturao: Nesta regio, as junes B-E e B-C encontram-se directamente polarizadas, pelo que
podemos utilizar
(3)

vCE 0,2V
Nesta zona de funcionamento a expresso (2) no vlida.

As curvas caractersticas de sada em Emissor Comum (Figura 1.3) do-nos uma ideia mais detalhada
daquilo que se espera dum transstor bipolar de juno. Cada curva mostra como a corrente de
colector, IC, varia com a tenso Colector-Emissor (VCE), para um valor fixo de corrente de Base, IB.
Este tipo de curvas caractersticas muito til quando se projectam amplificadores e outros circuitos
baseados em transstores bipolares, j que elas contm muita informao. Entre outras coisas,
dizem-nos claramente que a corrente de colector quase no depende da tenso VCE e que a corrente
de colector, IC, directamente proporcional corrente de base IB (equao 2), quando a funcionar
na regio Activa.
IC
20 mA
IB= 0,8 mA

IB= 0,6 mA

10 mA

IB= 0,4 mA

IB= 0,2 mA

IB= 0 mA
4V

8V

10 V

VCE

Figura 1.3. Curvas caractersticas de sada em Emissor Comum.

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O Efeito de Early
Quando o transstor se encontra a funcionar na regio activa, verifica-se uma pequena dependncia
da corrente de colector com VCE para uma corrente de base constante. Esta dependncia quase
linear e com um declive igual a 1/ro. Isto significa que a resistncia de sada do transstor, entre o
Colector e o Emissor no infinita.
Quando extrapoladas, as curvas caractersticas encontram-se todas num ponto sobre o eixo negativo
de VCE, o ponto -VA. Esta tenso designada por tenso de Early.
Este fenmeno acontece devido reduo da espessura da base com a tenso inversa na juno
Colector-Base.

Figura 1.4. Efeito de Early.

Na parte experimental deste trabalho ser utilizado o transstor bipolar NPN 2N2222 e o seu
complementar, o 2N2907. Estes so transstores de baixa potncia, utilizados em comutadores e
amplificadores, possuindo um encapsulamento metlico TO-18, como indicado na tabela 1.1. Neste
encapsulamento o colector encontra-se fisicamente ligado parte metlica do encapsulamento.

2. PREPARAO
2.1.

Obtenha as curvas de sada IC (VCE) do transstor 2N2222, utilizando o modelo completo do

transstor. Faa IB variar de 0 a 150A com passo de 30A e VCE variar de 0 a 20 V com
incrementos de 0,1V.

2.2.

Utilize a caracterstica de sada obtidas em 2.1 para determinar analiticamente a tenso de

Early.

2.3.

Obtenha a caracterstica de entrada IB(VBE) para uma tenso de VCE de 10V.

2.4.

Repita 2.1, 2.2 e 2.3 para o transstor 2N3055, mas utilize correntes de base de 0 a 10mA
com passo de 2 mA, com VCE a variar entre 0 e 30V. Comente os resultados obtidos.

2.5.

Repita a questo2.1 para um transstor PNP sua escolha. Comente as diferenas

observadas.

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3. PROCEDIMENTO EXPERIMENTAL
Determinao das caractersticas do transstor na configurao de Emissor Comum
Com o circuito da figura 3.1 e utilizando um transstor 2N2222, pretende-se obter duas curvas de
IC(VCE) para dois valores distintos de IB.
RC, 220

IC
RB, 100K

VBB

2N2222

VCE

VCC

IB

Figura 3.1. Circuito experimental para obter curvas caractersticas de sada

RC, 1K

IE
RB, 100K

VBB

2N2907

VCE

VCC
10V

IB

Figura 3.2. Circuito experimental para obter curvas caractersticas de sada

3.1.

Ajuste a fonte VBB de modo a colocar em IC uma corrente de 2 mA (para VCE=5V). Faa
variar VCC de modo a obter pares (IC; VCE) necessrios para traar a respectiva curva. Utilize
quantos pares achar que so necessrios para uma boa definio da curva. VCE deve variar
entre 0 e 15 V.

3.2.

Repita o procedimento anterior para IC igual a 10 mA.

3.3.

Utilize os grficos obtidos para determinar o valor de para VCE=10V para as duas curvas,
comparando os valores de obtidos com o valor indicados pelo fabricante.

3.4.

Numa das curvas de IB constante calcule os valores de considerando VCE 5V e 15V

Comente !

3.5.

No grfico desenhado identifique as zonas de funcionamento do transstor.

3.6.

Qual o valor da tenso de Early para o transstor testado?

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3.7.

Proponha um setup experimental para obter uma curva IC(VCE) , para um valor de IB, sem
ter de fazer n medies de pares IC(VCE). Obtenha duas curvas de IC(VCE) utilizando o
circuito por si proposto.

3.8.

Monte o circuito da figura 3.2 e teste-o com os seguintes valores de VBB > 0,5V; 2V; 5V e
9,5V. Para cada uma das situaes indique qual o PFR e zona de funcionamento. Justifique
a sua resposta.

3.9.

Repita 3.8, mas agora utilize uma resistncia RC de 10 . Comente os resultados obtidos.

MATERIAL A UTILIZAR
1 transstor 2N22222
1 transstor 2N2907
resistncias de 10, 220, 1 k, 100 k
2 multmetros
1 fonte de alimentao DC dupla

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