1.

Transistores de union bipolar :

Los mas comunmente utilizados en la fabricacion de aparatos estos estan
compuestos de tres capas de material (generalmente germanio o silicio) Estos
solo funcinan cuando estan en polarizacion directa (se dice que estan en
saturacion) y en polarizacion inversa no funcionan (se dice que estan en corte)A
base de estos se construyen los circuitos integrados y otros tipos de transistores.

2. Transistores de efecto de campo :

Son mas modernos que los BJT, el conjunto de los FET comprende a los JFET y
a lso MOSFET. Para empezar hablaremos un poco hacerca de los transistores
JFET.
Caracteristicas.
-Control:
Ganancia de Voltaje:
Impedancia de entrada:

BJT.
Controlado por corriente.
Alta
Normalmente baja.-

JFET.
Controlado por voltaje.
Baja
Normalmente infinita.

3.
Correspondencias de un BJT con respecto a un JFET:
BJT.
-E (emisor)
-B (base)
-C (colector)

JFET
-S (fuente)
-G (puerta)
-D (drenador)

4.
La diferencia de un BJT con un JFET es que en un transistor BJT siempre
polarizamos el diodo base- emisor en directa, y en el JFET el diodo
correspondiente es decir el diodo compuerta fuente se polariza en inversa. Como
resultado solo una corriente inversa muy pequea puede existir en la terminal de
la puerta. IG = 0

3. Foto transistores :
Es mucho mas sencible que el fotodiodo, tiene una pequea ventana sobre la
union P-N. Cuando no hay luz incidiendo en la union P-N actua como un
circuito abierto y cuando hay luz actua como un circuito cerrado donde la

corriente de colector-emisor se denomina circuito cerrado (ICEO)

IR = ICEO

Donde:

IR : es la corriente de protandores minoritarios los cuales hacen que la corriente

sea un poco mas intensa. El diodo de colector es sensible a la luz entonces la ICEO
aumenta de forma proporcional al aumento de IR.
4. Transistor Darlington :
Consiste en dos transistores en cascada. Sus ventajas son la alta impedancia de
entrada que se persibe en la base del primer transistor, este dispositivo de tres
terminales conocido como transistor darlington actua como un transistor de un
factor de amplificacion muy alto y que ahora hay dos transistores o sea dos
caidas de voltaje de union base-colector.

Donde IB = IC1 = IE1 Este dispositivo de 3 terminales conocido como trasistor

Darlington actua como un solo trasistor con una ( factor de amplificacion muy
alta )
Se puede utilizar el transistor Darlington en los amplificadores donde se necesite
una ganancia de tension muy alta tal como en los amplificadores de sonido por
ejemplo. El analizis de un amplificador en el que se emplea un transistor
Darlington(llamado amplificador Darlington) es similar a losque llevan un solo
transistor, ecepto que ahora hay dos transistores.

Ventajas:

Alta impedancia de entrada que se percibe hacia la base del primer transistor.
Impedancia: Z = * RE .
La ganancia de correinte es mucho mas grande, esto debido a T = 1 * 2.

Funcionamiento en clase B:Conlleva a que la IC circule solo 180 del ciclo de

la senal; implica que el punto Q se aproxima al punto de corte de ambas rectas
de carga ( la continua y la de seal ) Este desarrolla primero un semiciclo y
despues el otro semiciclo.
En este caso amplifica primero el semiciclo negativo ( PNP ) despues el positivo
( NPN ) Como los transistores Darlington clase B generan grandes cantidades de
calor el dispositivo debetener un tamano optimo para su fucion o estar
acompanado de un cooler.
Ventajas : Menos consumo de corriente y mayor rendimiento.
Transistores de efecto de campo de metal oxido semiconductor (MOSFET) :
Son transistores mas modernos que los JFET, existen dos tipos de MOSFET el de
empobresimiento y el de enriquecimiento.

El MOSFET de empobrecimiento se compone de un material N con un material P a la

derecha y una puerta aislada a izquierda. Los electrones pueden circular desde la fuente
hasta drenador atravez del material N, el material P se denomina sustrato ( o cuerpo).
Como funciona el MOSFET de empobrecimiento?
Como sucede con el JFET la tension de la puerta controla el ancho del canal N el cual
permite el paso de la corriente. Cuanto mas negativa sea menor sera la corriente del
drenador. En consecuencia el funcionamiento de un MOSFET es similar al de un JFET
cuando VGS(Voltaje de compuerta- fuente) es negativo.
El MOSFET de enriquecimiento (tambien llamado MOSFET de acumulacion) tiene un
sustrato que se extiende a lo ancho de hasta el dioxido de siclicio, ya no existe un canal
N entre la fuente y el drenador.
Como funciona el MOSFET de enriquecimiento?
Cuando la tension de la puerta es nula, la alimentacion VDDtrata de hacer circular alos
electrones libres desde la fuente hacia el drenador, pero el substrato p solo tiene unos
cuantos electrones libres producidos termicamente. La corriente desde la fuente al
drenador es nula. Por esta razon el MOSFET enriquecedor por lo general siempre esta
en corte.
Cuando la puerta es lo suficientemente negativa hay una pequea corriente desde la
fuente al drenador y se pruduce una pequea seccion de placa N.
La VGS minima que crea la capa de inversion se llama "tension umbral" (VGS(th) por sus
siglas en ingles "thresshold") cuando VGS es menor que VGS(th) entonces la corriente del
drenador es nula. cuando ocurre que VGS(th) es menor que VGS la corriente del drenador
es distinta de cero.
Transistor Uniunion:
Son transisotes los cuales solo tienen un tipo de union, este posee dos emisores y una
base, se polariza al igual que el BJT, con una fuente de tension.

Transistor CMOS:
Este transistor es similar al BJT pero solo posee una sola capa, puede ser una capa P(PMOS) o una capa N(C-MOS).
El transistor P-MOS se pone en estado de corte cuando a la puerta G(Gate) se le aplica
un voltaje positivo (0.7V p. ej.), y se pone en corte cuando se le aplica un voltaje
aproximadamente igual a cero.

El transistor N-MOS funciona de manera inversa al aplicarsele un voltaje aproximado a

cero se pone en estado de saturacion y al aplicarsele un voltaje positivo se pone en
estado de corte.

Los transistores como los BTJ, los FET, los FET, los C-MOS,y los MOS-FET son la
base de las compuertas logicas las cuales se utilizan mucho en la electronica digital, a su
vez el transistor BJT es uno de los principales componentes de los amplificadores
operacionales (Op-Amp's)muy utilizados en el sistema digital.