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Elektronische Bauelemente

R. Gromann
A. Frey

Grundlagen.........................................................................................................................................................................4

Widerstnde .......................................................................................................................................................................8

Kondensatoren.................................................................................................................................................................24

Spulen und Transformatoren ..........................................................................................................................................37

Lineare Netzwerke ...........................................................................................................................................................47

Halbleiter ..........................................................................................................................................................................54

Dioden...............................................................................................................................................................................60

Bipolar-Transistoren (BJT) .............................................................................................................................................86

Feldeffekt-Transistoren (FET) .......................................................................................................................................107

Transistoranwendungen ...............................................................................................................................................122

Elektronische Bauelemente
Inhalt:
0

Grundlagen............................................................ 4

2.3.4

Doppelschicht-Kondensatoren ...............33

2.3.5

Einsatzbereiche ......................................34

0.1

Ideale Netzwerkelemente .................................. 4

2.4

Anwendungen ..................................................35

0.2

Differentialgleichung und bertragungsfunktion 4

2.5

Simulation ........................................................35

0.3

Nherungen ...................................................... 5

0.4

Bodediagramm .................................................. 6

0.5

Komplexe Spannungsteiler ............................... 7

1
1.1

1.2

1.3
1.4

Kapazitt spezieller Anordnungen ...................36


Spulen und Transformatoren .............................37

3.1

Physikalische Grundlagen................................37

Widerstnde .......................................................... 8

3.1.1

Induktion .................................................37

Physikalische Grundlagen ................................. 8

3.1.2

Magnetischer Kreis .................................38


Scherung ................................................39
Transformator .........................................40

1.1.1

Energiezustnde ...................................... 8

3.1.3

1.1.2

Elektronen und Lcher in Halbleitern ....... 9

3.1.4

1.1.3

Dotierung von Halbleitern ...................... 10

3.2

Elektrischer Strom ........................................... 11

Frequenzabhngigkeit......................................42
3.2.1

Ersatzschaltbild ......................................42

3.2.2

Gte........................................................42

1.2.1

Teilchenstrme ...................................... 11

1.2.2

Driftstrom und elektrischer Widerstand .. 11

1.2.3

Driftstrom im Halbleiter .......................... 12

3.3.1

SMD-Spulen ...........................................43

1.2.4

Thermisches Rauschen ......................... 13

3.3.2

Kerntypen ...............................................43

1.2.5

Stromrauschen ...................................... 14

3.4

Anwendungen ..................................................44

Herstellungstoleranz: Normreihen ................... 15

3.5

Simulation ........................................................45

Temperatureinfluss.......................................... 16

3.6

Induktivitt spezieller Anordnungen .................46

3.3

Technologie .....................................................43

Lineare Netzwerke ...............................................47

1.4.1

Widerstandsnderung ............................ 16

1.4.2

Eigenerwrmung bei Gleichstrom .......... 17

4.1

Problemstellungen ...........................................47

1.4.3

Lastminderungskurve (derating) ............ 18

4.2

Zweitore ...........................................................48

Temperaturnderungen ......................... 18

4.3

Zweitor-Matrizen ..............................................49

Frequenzeinfluss ............................................. 19

4.4

Umrechnung von Zweitormatrizen ...................50

1.4.4
1.5

2.6
3

1.5.1

Parasitre Elemente .............................. 19

4.5

Passive Zweitore ..............................................51

1.5.2

Skineffekt ............................................... 20

4.6

Kettenschaltung ...............................................52

1.6

Gesamttoleranz ............................................... 21

4.7

Simulation ........................................................53

1.7

Technologie ..................................................... 21

5.1

Generation und Rekombination .......................54

1.7.2

Massewiderstnde ................................. 22

5.2

Fermi-Verteilung ..............................................55

1.7.3

Drahtwiderstnde................................... 22

5.3

Ladungstrgerdichten ......................................56

1.7.4

Kenngren ........................................... 23

5.4

Diffusionsstrom ................................................58

1.7.5

Bauformen ............................................. 23

Kondensatoren.................................................... 24
2.1

2.2

2.3

Halbleiter ..............................................................54

Schichtwiderstnde ................................ 21

1.7.1

Dioden ..................................................................60
6.1

Physikalische Grundlagen ............................... 24


2.1.1

Elektrische Polarisation ......................... 24

2.1.2

Strom im Kondensator ........................... 25

Frequenzeinfluss ............................................. 26

6.2

Abrupter pn-bergang .....................................60


6.1.1

Thermodynamisches Gleichgewicht .......60

6.1.2

Spannung in Sperrrichtung .....................62

6.1.3

Spannung in Flussrichtung .....................63

Grosignal-Beschreibung ................................65

2.2.1

Parasitre Elemente .............................. 26

6.2.1

Statische Diodenkennlinie ......................65

2.2.2

Gte ....................................................... 27

6.2.2

Arbeitspunkt ...........................................66

2.2.3

Impulsbelastbarkeit ................................ 28

6.2.3

Lineare Nherung (Knickkennlinie).........67

2.2.4

Nachlade-Effekt ..................................... 28

6.2.4

Durchbruchmechanismen.......................68

Technologie ..................................................... 29

6.2.4.1

Thermischer Durchbruch ..... 68

2.3.1

Keramische Kondensatoren................... 29

6.2.4.2

Zener-Effekt ......................... 68

2.3.2

Folienkondensatoren ............................. 30

6.2.4.3

Lawinen-Durchbruch ........... 69

2.3.3

Elektrolytkondensatoren (Elko) .............. 31

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

Elektronische Bauelemente
Durchbruch-Kennlinie .......... 69

7.12

Nichtlinearitt .................................................104

Kleinsignal-Verhalten ...................................... 70

7.13

Rauschen .......................................................105

7.14

Simulationsmodell ..........................................106

6.2.4.4
6.3

6.3.1

Sperrschichtkapazitt ............................ 70

6.3.2

Diffusionskapazitt................................. 71

6.3.3

Feldeffekt-Transistoren (FET)...........................107
8.1

Kleinsignal-Ersatzschaltbild ................... 72

MOS-FET .......................................................107

6.4

Kennzeichnung von Dioden ............................ 73

8.1.1

Inversionskanal.....................................107

6.5

Temperaturverhalten ....................................... 74

8.1.2

Kanalstrom ...........................................108

Temperaturabhngigkeit der Kennlinie .. 74

8.1.3

Substratsteuerung ................................110

6.5.2

Erwrmung bei konstanter Leistung ...... 74

8.1.4

Abweichungen von idealer Kennlinie ....111

6.5.3

Erwrmung bei gepulster Leistung ........ 75

8.1.5

Verarmung und Anreicherung ..............112

6.5.1

6.6

Schaltbetrieb ................................................... 76

8.2

Sperrschicht-FET ...........................................113

6.7

Spezielle Dioden ............................................. 77

8.3

Arbeitspunkteinstellung ..................................115

8.4

Temperatureinfluss ........................................116

6.7.1

LED ........................................................ 77

6.7.2

Fotodiode ............................................... 78

6.7.3

Schottky-Diode ...................................... 79

6.8

Anwendungen ................................................. 80

8.4.1

Kennlinie...............................................116

8.4.2

Wrmeableitung ...................................116

8.5

Kleinsignalmodell ...........................................117

6.8.1

Gleichrichter........................................... 80

8.6

Nichtlinearitt .................................................119

6.8.2

Begrenzung von Spannungsspitzen ...... 81

8.7

Rauschen .......................................................120

6.8.3

Begrenzung einer Eingangsspannung ... 81

8.8

Simulation ......................................................121

6.8.4

Spannungsstabilisierung ........................ 81

8.8.1

6.8.5

Abstimmung von Schwingkreisen .......... 82

8.8.2

6.9

Simulationsmodell der Diode ........................... 83

6.10

Nichtlinearitt................................................... 84

MOSFET ..............................................121
JFET .....................................................121

Transistoranwendungen ...................................122
9.1

Leistungsverstrker........................................122

Rauschen ........................................................ 85

9.1.1

Emitterschaltung mit RE (BJT) ..............122

Bipolar-Transistoren (BJT) ................................ 86

9.1.2

Emitterschaltung ohne RE (BJT) ...........124

Verstrkerbetrieb ............................................. 86

9.1.3

Frequenzabhngigkeit ..........................126

7.2

Sttigungsbetrieb ............................................ 89

9.1.4

Source-Schaltung (FET) .......................128

7.3

Inversbetrieb ................................................... 89

7.4

Kennlinien ....................................................... 90

6.11
7
7.1

7.4.1

9.2

Eingangskennlinie.................................. 90

Stromverstrker .............................................129
9.2.1

Kollektorschaltung (BJT) ......................129

9.2.2

Drain-Schaltung (FET)..........................130

Ausgangskennlinienfeld ......................... 91

9.3

7.5

Kennzeichnung von BJT ................................. 92

9.4

Vergleich der Grundschaltungen ....................131

7.6

Arbeitspunkteinstellung ................................... 93

9.5

BJT-Schalter ..................................................132

7.4.2

Basisschaltung (BJT) .....................................131

Ausgangskreis ....................................... 93

9.5.1

Arbeitsbereiche.....................................132

7.6.2

Basis-Spannungsteiler ........................... 95

9.5.2

Schaltzeiten ..........................................133

7.6.3

Basis-Vorwiderstand .............................. 96

9.5.3

Verlustleistung ......................................134

9.5.4

Schalterarten ........................................135

7.6.1

7.7

Grosignalmodell ............................................ 97

7.8

Kleinsignalmodell ............................................ 98

9.6

FET-Schalter ..................................................136

7.8.1

ESB fr niedrige Frequenzen................. 98

9.6.1

Schaltverhalten .....................................136

7.8.2

ESB fr hhere Frequenzen .................. 99

9.6.2

CMOS-Inverter .....................................136

7.9

PNP-Transistor .............................................. 101

9.7

Zweitor-Matrizen ............................................137

7.10

Grenzfrequenzen........................................... 102

9.7.1

7.11

Temperaturverhalten ..................................... 103

9.7.2

7.11.1

Kennlinien ............................................ 103

7.11.2

Leistung ............................................... 104

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

9.8

Transistor-Parameter............................137
Kombination von Zweitoren ..................138

Vergleich BJT mit FET ...................................140

Elektronische Bauelemente

0 Grundlagen
0.1 Ideale Netzwerkelemente
Widerstand
u(t)

Kondensator
u(t)

i(t)

i(t)

Induktivitt (Spule)
u(t)

Element

i(t)

SinusWechselgren

Impedanz
/

1/

Ohmsches
Gesetz

0.2 Differentialgleichung und bertragungsfunktion


Jedes System kann durch Differentialgleichungen beschrieben werden:
R

Masche:

ia = 0

ue
i

ua

(+ Anfangsbedingung

Fr komplexe Schwingungen

bertragungsfunktion:

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

'(
')

*# ! +

V3.3

!"#$

vereinfacht sich

0 gegeben)

%&
%"

,
4

Elektronische Bauelemente

0.3 Nherungen
Vernachlssigen:

Gro Klein Gro


1
- 0,0001
1

Achtung:

Subtrahiert man zwei fast gleich groe Zahlen, bleibt nur ein
kleiner Rest, der nicht vorher vernachlssigt werden darf.
(1 0,0001) 1 = -0,0001
(1 0,0001) 1 1 1 = 0

Beispiele fr kleine x:
1

- . 1 ,

*102

Beispiele fr groe x:
1

- . - ,

*102

. 2 ,
. 0 ,

genau
richtig aber zu ungenau

. , - 0

-4

-5 . -0

. 1 , - 0

-4

-5 . -5

0#2

0#2

Anwendung: bertragungsfunktion RC-Glied


,

wenn

1 dann ist ,

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

. 6
1/
*

*#

V3.3

1 ;<

(Grenzfrequenz)

Elektronische Bauelemente

0.4 Bodediagramm
Betrag und Phase der bertragungsfunktion in Abhngigkeit von der Frequenz;
der Betrag wird meist in dB angegeben (10 lg|,| 20 lg|,|):
Beispiel fr

0,1

0 dB

-20 dB

0,01 -40 dB
0,01

0,1

10 RC 100

0,1

10 RC 100

*# ! +

Daraus lsst sich fr


eine Sinusschwingung
am Eingang ablesen,
welche Amplitude und
Phasenverschiebung
am Ausgang auftritt.

-45

-90
0,01

Beispiel: R = 2 k, C = 1 F, f = 160 Hz RC =

|H| =

, B(H) =

t/ms

0
1

10

6,25

-1

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

Elektronische Bauelemente

0.5 Komplexe Spannungsteiler

RC-Hochpass

,
CD

1
2E

CD

F
1F
1

2E

|H|

0,1

0,1

0,01
0,1
90

,
1

f/fg 10

1
CD

1
1
2E

0,01
0,1
90

-90

-90

Serienschwingkreis
Hochpass

RC-Tiefpass

|H|

Serienschwingkreis
Tiefpass

|H|

0,1

0,1

f/fg 10 ,

CD

-90

-180

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

0,01
0,1
0

-90

1F
2E

f/fg 10

f/fg 10

|H|

0,01
0,1
0

-180

V3.3

Elektronische Bauelemente

1 Widerstnde
1.1 Physikalische Grundlagen
1.1.1 Energiezustnde
Leitungsbnder: ermglichen freie
Bewegung der Elektronen im Kristall
(mssen nicht besetzt sein)

Valenzband: hchstes, fr T0
vollstndig besetztes Band (kann auch
Leitungsband sein)
Si

Si

Si

W
Leitungsband

Wechsel zwischen Bndern durch


Ste oder Fotonen

Nichtleiter:
Wg

Bandlcke Wg 1 eV sehr gro

auch fr groes T (fast) keine freien


Valenz- Ladungstrger
band
x

W
Leitungsband

Halbleiter:
-

Bandlcke Wg kann durch Energiezufuhr


berwunden werden

Wg

Valenzband
fr steigendes T mehr freie Ladungstrger
x

Leiter:

Leitungsband

Valenzband und Leitungsband berlappen sich

Valenzband
auch bei T0 freie Ladungstrger
x

Materialdaten:
Wg [eV]

Si
1,1

Ge
0,67

GaAs
1,4

InSb
0,18

GaP
2,3

1eV = 1,610-19 J: Energie der Ladung e, die mit 1 V beschleunigt wird


Fotonenenergie: Rot 1,8 eV; Grn 2,4 eV; Violett 3 eV
Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

Elektronische Bauelemente
1.1.2 Elektronen und Lcher in Halbleitern
Leitungsband

Leitungsband

+
+

Valenzband

Valenzband

neu erzeugtes Leitungselektron


hinterlsst Fehlstelle (e+) im
Valenzband

Spannung: nicht nur Leitungselektron


bewegt sich, auch Valenzelektronen
rcken jeweils zum Nachbarn
Loch (e+) wandert zum Minuspol

in undotierten Halbleitern gibt es genauso viele Lcher wie Elektronen:


GH

IH

GJ

ni: Eigenleitungs-Trgerdichte
n0: Elektronendichte
p0: Lcherdichte

Materialdaten: Eigenleitungs-Trgerdichte, Atomdichte


Halbleiter

Si

Ge

GaAs

InSb

ni (T = 300 K) [cm-3]

1,51010

2,51013

1,8106

1016

Atomdichte [cm-3]

5,01022

4,41022

2,21022

1,51022

8 !

GaP

2,51022

ni steigt mit der Temperatur (mehr thermische Energie mehr e-/e+-Paare)

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

Elektronische Bauelemente
1.1.3 Dotierung von Halbleitern
Donatoren (n-Dotierungsdichte ND): 5 Valenzelektronen; z.B. Arsen (As)
Strendes e- wird leicht zum Leitungselektron. Atomrumpf ist einfach positiv
geladen (kein Loch! Wird nicht von Nachbar-Valenzelektronen ausgeglichen)

Si

Si

Si

Si

Si

Si

As+

Si

e-

Si

As

Si

Si

bei Raumtemperatur fast alle Dotieratome ionisiert


GH IH

GJ0 gilt auch in dotierten Halbleitern

GH . LM
(unabhngig von T)
IH . GJ0 /LM

Akteptoren (p-Dotierungsdichte NA): 3 Valenzelektronen; z.B. Bor (B)


Ein e- fehlt im Gitter und wird aus der Umgebung geraubt dort entsteht ein
Loch e+. Der Atomrumpf wird einfach negativ. Das ist kein Leitungselektron!

Si

Si

Si

Si

Si

Si

B-

Si

e+

Si

Si

p0 NA (unabhngig von T)

Dotierungsdichten [in cm-3]:

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

Si

GH . GJ0 /LN
1013 (schwach) 1016 (mittel) 1019 (stark)

V3.3

10

Elektronische Bauelemente

1.2 Elektrischer Strom


1.2.1 Teilchenstrme
Jedes bewegte elektrisch geladene Teilchen erzeugt einen Strom. Man definiert
die Stromdichte j [A/m] als bewegte Ladungsdichte:
OP

F G PQ

; : Ladungsdichte [As/m]
n: Elektronendichte [1/m]
p: Lcherdichte
[1/m]

I PR

Strom stellt einen geschlossenen


Kreis dar. Bewegt sich ein Elektron in
einem Leiter (Kristall) mit Querschnitt
A, dann erzeugen sich ndernde
elektrische Felder an jeder Stelle des
Leiters denselben Strom I = jA.

In
+
Ip

1.2.2 Driftstrom und elektrischer Widerstand


Spannung U an einem (Halb-)Leiter mit Lnge d und Querschnitt A
elektrisches Feld E = U/d beschleunigt Elektronen, aber
Ste bremsen konstante mittlere Geschwindigkeit P ~ V
P%WJX"

FYQ V

n: Beweglichkeit der Elektronen

In Kupfer ist n = 44 cm/Vs. Fr bliche Spannungen ergibt sich fr vdrift die


Grenordnung von einigen mm/s.
Aus vdrift ergibt sich die Driftstromdichte
%WJX"

G YQ V ;
Z[\[]
^_*/`

und daraus der Strom

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

%WJX"

V3.3

b .
'

: spez. Leitfhigkeit
: spez. Widerstand

11

Elektronische Bauelemente
O

Der Widerstand des Metalls ist U/I und damit


Materialdaten:

Werkstoff
Aluminium
Eisen
Gold
Grafit (Kohle)

[ mm/m] Werkstoff

0,027
0,089
0,020
8,000

G YQ b

[ mm/m]

Konstantan
0,500
Kupfer
0,016
Zinn (Ltzinn) 0,104

1.2.3 Driftstrom im Halbleiter


Im Feld driften Elektronen und Lcher.
MWJX"

Daraus ergibt sich die Driftstromdichte


mit

eG Q

I R g :

MWJX"

G YQ V

cV

G Q

Elektrischer Widerstand eines Quaders


mit Querschnitt A und Lnge d:
: Beweglichkeit der Ladungstrger
Si
Ge
n [cm/Vs]
1350
3900
p [cm/Vs]
480
1900

GaAs
8500
450

Ladungstrger in Halbleitern
sind beweglicher
schneller als in Metallen

I R

I YR V

b

InSb
80000
1250

1

c b
GaP
300
150

T = 300 K

v [cm/s]
GaAs (e-)
10

vmax 107 cm/s ab E 104 V/cm


fr beliebige Ladungstrger!
So starke Felder treten aber
nur an pn-bergngen auf.

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

6
10
Ge (e-)
Ge (e+)
5
10
2
10
V3.3

Si (e+)
Si (e-)
10

10

E
[V/cm]
12

Elektronische Bauelemente
1.2.4 Thermisches Rauschen
Freie Elektronen haben in jeder Raumrichtung im Mittel die thermische Energie
j 0
1
P"i
kl
; k = 1,3810-23 J/K: Boltzmann-Konstante
2
2
Infolgedessen bewegen sie sich mit der mittleren Geschwindigkeit
h"i

P"i

mkl/j 107 cm/s

; me: Elektronenmasse im Kristall


me = 0,2 1,1 m0 ; m0 = 9,110-31 kg

Elektronen erleiden stndig Ste an Kristallfehlern und untereinander. Dabei tauschen sie Energie und Impuls aus, so dass
eine statistische Verteilung von Geschwindigkeiten vorliegt.
Ohne uere Einflsse ist der Mittelwert gleich Null.

Mit der Bewegung verbunden ist Strom, der im Mittel ebenfalls


Null ergibt, aber zeitlich statistische Schwankungen zeigt: Rausch-Wechselstrom.
Der Effektivwert dieses Rauschstroms ist
"i
XX

"i
XX

n4kl

"i QqJr
XX

R: Widerstandswert
m4kl

f: Bandbreite der Schaltung;


begrenzt z.B. durch
Tiefpassfilter (RC-Glied)

Das thermische Rauschen ist unabhngig vom (Drift-)Strom, der durch den
Widerstand fliet.
Zerlegt man die gesamte Rauschleistung in einzelne Frequenzen (FourierAnalyse), dann sind die Amplituden bei allen Frequenzen etwa gleich gro.
Jede Schaltung hat aber nur eine begrenzte Bandbreite (unerwnschte RCGlieder):
Filterwirkung
der Schaltung

Fourier{Pnoise}
R

f
f = fg

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

CD

0s +
13

Elektronische Bauelemente
1.2.5 Stromrauschen
Der Widerstandswert R(t) = R0 + Rstat(t) ist nicht konstant, sondern schwankt
zufllige. Die Gre der Schwankungen hngt von der Herstellungstechnologie
und Qualitt ab.
Die Widerstandsschwankungen fhren zu Rauschstrmen i1/f und Rauschspannungen u1/f nur dann, wenn durch den Widerstand ein Strom I fliet bzw. die
Spannung U = RI anliegt ( Stromrauschen):

*/X

*/X

r" "

*/X

r" "

r" "

Datenblatt-Angabe meist
&t/u
als
in V/V
'
(statt R/R)

Zerlegt man das Stromrauschen in einzelne Frequenzen (Fourier-Transformation),


dann nehmen die Amplituden mit steigender Frequenz ab. Das Stromrauschen
von Widerstnden gehrt damit zur Familie des 1/f-Rauschens.
Spektrum von unoise oder inoise
Stromrauschen
(1/f-Rauschen)
berwiegt

Ab ca. 20 kHz ist Stromrauschen vernachlssigbar


und wird vom thermischen
Rauschen berdeckt.

thermisches Rauschen
berwiegt

Es ist vor allem bei AudioAnwendungen strend.


f
20 kHz

Die Leistungen des thermischen Rauschens und des Stromrauschens addieren


sich. Wegen P ~ U und P ~ I gilt
Ersatzschaltbild:

D r
QqJr

D r
QqJr

0
"iwxyz)

0
"i_QqJr

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

0
*/X ;

ges

unoise

0
*/X

rauschender
Widerstand

V3.3

R
rauschfrei

14

Elektronische Bauelemente

1.3 Herstellungstoleranz: Normreihen


Die Industrie fertigt Bauelemente in abgestuften Nennwerten. DIN 41426
und DIN IEC62 definieren Normreihen, bei denen das Verhltnis zweier
benachbarter Nennwerte stets gleich ist. Reale Bauelemente haben nicht
den exakten Nennwert, sondern liegen in einem Toleranzband.
Eine Normreihe E{k} liefert fr jede Zehnerpotenz k verschiedene Werte, die sich
nach der Formel
|

k {3, 6, 12, 24, 48, 96, 192}

e 10g
}

berechnen und ungefhr die Toleranz .

i = 0, 1, k-1
*H 1 *
0

besitzen (so kommt es zu

fast keinen berschneidungen). Die genauen Werte sind


E6

E12

(20 %) (10 %)

1,0

1,0

E24

E48

E96

(5 %)

(2 %)

(1%)

1,0

1,00

1,00
1,02
1,05
1,07
1,10
1,13
1,15
1,18
1,21
1,24
1,27
1,30
1,33
1,37
1,40
1,43
1,47
1,50
1,54
1,58
1,62
1,65
1,69
1,74
1,78
1,82
1,87
1,91
1,96
2,00
2,05
2,10

1,05
1,1

1,10
1,15

1,2

1,2

1,21
1,27

1,3

1,33
1,40

1,5

1,5

1,5

1,47
1,54

1,6

1,62
1,69

1,8

1,8

1,78
1,87

2,0

1,96
2,05

E6

E12

(20 %) (10 %)

2,2

2,2

E24

E48

E96

(5 %)

(2 %)

(1%)

2,2

2,15

2,15
2,21
2,26
2,32
2,37
2,43
2,49
2,55
2,61
2,67
2,74
2,80
2,87
2,94
3,01
3,09
3,16
3,24
3,32
3,40
3,48
3,57
3,65
3,74
3,83
3,92
4,02
4,12
4,22
4,32
4,42
4,53

2,26
2,4

2,37
2,49
2,61

2,7

2,7

2,74
2,87

3,0

3,01
3,16

3,3

3,3

3,3

3,32
3,48

3,9

3,6

3,65

3,9

3,83
4,02

4,3

4,22
4,42

E6

E12

(20 %) (10 %)

4,7

4,7

E24

E48

E96

(5 %)

(2 %)

(1%)

4,7

4,64

4,64
4,75
4,87
4,99
5,11
5,23
5,36
5,49
5,62
5,76
5,90
6,04
6,19
6,34
6,49
6,65
6,81
6,98
7,15
7,32
7,50
7,68
7,87
8,06
8,25
8,45
8,66
8,87
9,09
9,31
9,53
9,76

4,87
5,1

5,11
5,36

5,6

5,6

5,62
5,90

6,2

6,19
6,49

6,8

6,8

6,8

6,81
7,15

7,5

7,50
7,87

8,2

8,2

8,25
8,66

9,1

9,09
9,53

Bei den Reihen E6 bis E24 werden die Werte durch 3 Farbringe oder Zahlen
angegeben. Die beiden ersten stehen fr gltige Ziffern, die letzte Zahl fr eine
Zehnerpotenz (z.B. 102 = 10102 = 1 k).
Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

15

Elektronische Bauelemente

1.4 Temperatureinfluss
1.4.1 Widerstandsnderung
*

Qw # R

hngt wesentlich davon ab, wie gro die Dichten n und p der

freien Ladungstrger und deren Beweglichkeiten sind.


sinkt mit steigender Temperatur (mehr Ste, weniger Beweglichkeit).
Bei Metallen ndert sich die Elektronendichte mit der Temperatur kaum, bei
Halbleitern steigt sie exponentiell an (s. Kap. Dioden).
Bei Metallen steigt deshalb der Widerstand mit der Temperatur an, bei undotierten
Halbleitern wird er i.A. kleiner.

Innerhalb begrenzter Temperaturbereiche 0 T kann man die nderung


linear nhern und einen Temperaturkoeffizienten definieren (auch TCR =
temperature coefficient of resistance):
l

/

l

H e1

F H g

Bei industriell gefertigten Widerstnden gilt der Nennwiderstand R0 meist bei


0 25 C. Da klein ist, wird es oft in ppm/K angegeben (= 10-6 /K).
Materialdaten:
Werkstoff
[ppm/K]
Aluminium
4300
Eisen
6500
Gold
4000
Grafit (Kohle)
-200 Grafit hat Halbleitereigenschaften!
Konstantan
10
Kupfer
4300
Silizium
-75 000
Zinn (Ltzinn)
4600

Die Geometrienderung (d, A) muss ebenfalls bercksichtigt werden! Sie liegt


aber meist im Bereich weniger ppm/K und ist zu vernachlssigen.

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

16

Elektronische Bauelemente
Im Widerstand wird die elektrische Leistung

/
umgesetzt.
Dabei fhren Ste der Elektronen mit dem Kristallgitter zur Erwrmung auf die
Temperatur T = Tamb + T (ambient = Umgebung).
1.4.2 Eigenerwrmung bei Gleichstrom

T ergibt sich aus dem thermischen Widerstand l/


Datenblatt), auch Wrmebergangswiderstand:
l

"i

"i

[K/W] (Angabe im

Der Widerstand gibt Pel als Wrmeleistung Pamb


an die Umgebung ab, wenn T konstant ist muss
Pel = Pamb gelten.

Pel = U I

Pamb = Pel
In Datenblttern ist die maximal erlaubte Temperatur Tmax spezifiziert.

Analogie: Wrmeleitung funktioniert wie Stromfluss in elektrischen Schaltungen


Wrmeausbreitung

elektrische Analogie

Leistung

Strom

Temperatur
Tamb

Spannung
Masse

Wrmequelle
(Verlustleistung)

Stromquelle

Wrmebergang

Widerstand

T
Pel
Rth
Tamb

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V3.3

17

Elektronische Bauelemente
1.4.3 Lastminderungskurve (derating)
In Datenblttern ist die maximale Verlustleistung (Nennleistung) Pmax bzw. Pnenn
spezifiziert. Hufig geht man von Tamb = Tnenn = 70 C aus.
Die Nennleistung erwrmt das Bauelement auf die maximale Temperatur Tmax:
l

Bei Umgebungstemperaturen
Tamb > 70 C muss die maximale
Leistung Pmax reduziert werden,
damit Tmax nie berschritten wird
Lastminderungskurve:

lQ

QQ

"i

Pnenn

QQ

Pmax

Tamb
Tnenn

Tmax

1.4.4 Temperaturnderungen
Elektrische Leistung ist oft gepulst. Die Bauteil-Temperatur folgt verzgert. Die
Temperaturnderung hngt von der Wrmeausbreitungs-Zeitkonstanten ab:
Tper
P
t

P
T

t
T
t

Fr groe kann man


fr kleine gilt

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

lQ

lQ

QQ
QQ

V3.3

"i
"i

l
l

2
2

lR
lR

fordern

( Q

( Q

QQ ),
QQ ).

18

Elektronische Bauelemente

1.5 Frequenzeinfluss
1.5.1 Parasitre Elemente
Zuleitungen und stromfhrende Widerstandsschichten besitzen eine Induktivitt,
zwischen verschiedenen Bestandteilen des Widerstands entsteht eine kapazitive
Kopplung. Einen realen Widerstand kann man deshalb mit einem Ersatzschaltbild
(ESB) aus idealen Elementen annhern:
C

Der komplexe Widerstand ist


1

R
L
Fr groe Widerstnde kann L/R vernachlssigt werden, es wirkt vor allem die
kapazitive Kopplung. Bei kleinen Widerstnden wirkt die Induktivitt wesentlich
strker und RC kann vernachlssigt werden:
R gro:

R klein:

Impedanzverlauf von SMD-Widerstnden;


C 10 40 fF, L fH nH

Quelle:
Vishay

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

19

Elektronische Bauelemente
1.5.2 Skineffekt
Wechselstrom bewirkt im Inneren von Leitern durch Induktion einen entgegen
gerichteten Strom Stromdichte nimmt nach innen ab, Wechselstrom fliet vor
allem nahe der Oberflche.
Die mittlere Eindringtiefe ist

2O
Y

O: spez. Widerstand [j],


H W
(magnetische Permeabilitt)
H 4E 101 /bj
W . 1 (Metalle auer Fe, Ni, Cr)

Schichtleiter

Draht

Dadurch reduziert sich der


effektiv genutzte Querschnitt und
der Widerstand steigt.

Die untere Grenzfrequenz fr den


Skineffekt ergibt sich aus
Abmessung D 2 zu
CrJQ

4O
EY0

fskin
D (Kupfer)

50 Hz
19 mm

1 kHz
4,2 mm

1 MHz
130 m

1 GHz
4 m

Runder Draht zeigt schon bei niedrigen Frequenzen Skineffekt,


dnne Schichten ( 4 m) erst im GHz-Bereich.
Nherungsweise gilt folgende Tabelle fr den Widerstand R(f):
Frequenz
C
0

CrJQ

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

CrJQ

0,02

V3.3

4
C

CrJQ

4
1
4

CrJQ

25

1
C
n
2 CrJQ

25

CrJQ

1
C
n
2 CrJQ

20

Elektronische Bauelemente

1.6 Gesamttoleranz
Der relative Fehler = R/R setzt sich aus den einzelnen relativen Fehlern
zusammen. Die gesamte Ungenauigkeit des Widerstands besteht aus
D

XW

Fertigungstoleranz

Temperaturfehler

Frequenzfehler
(Skineffekt, parasitr)

Die genauen Werte mit Vorzeichen sind meist nicht bekannt.


D r 2

Der maximale Fehler ergibt sich zu


ist aber sehr unwahrscheinlich.
Der mittlere Fehler ist

| |

| |

|XW | ,

0
0
0 XW
v

1.7 Technologie
1.7.1 Schichtwiderstnde
Schichtwiderstnde bestehen aus einer Widerstandsschicht auf einem
keramischen Trger. Kohleschichten oder Metallschichten werden im
Dnnschichtverfahren hergestellt (Dicke 10 nm 40 m), Metallglasuren
(CERMET = ceramic metal) als Dickschicht (20 30 m).
Abgleich auf den passenden Wert erfolgt meist durch Lasertrimmen, also
Wegbrennen einzelner Formen (dadurch hohe Genauigkeit).
Schichtwiderstnde lassen sich gut miniaturisieren und sind fr Hochfrequenz
geeignet; sie sind am weitesten verbreitet.
Schutzlack

Widerstandsschicht
(Dnnschicht)

Kontaktierung
Keramiktrger

Quelle: Vishay

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

Mander-Trimmung
V3.3

21

Elektronische Bauelemente
1.7.2 Massewiderstnde
Sie bestehen aus einem massiven Verbundwerkstoff (carbon composition).
Dadurch sind sie stark belastbar. Da sie nicht getrimmt werden, haben sie eine
hohe Fertigungstoleranz (10 % oder 20 %)

Quelle: Vishay

Massewiderstnde sind meist bedrahtet (kein SMD). Sie sind teurer in der
Herstellung als Schichtwiderstnde.

1.7.3 Drahtwiderstnde
Auf eine Keramikrhre wird Widerstandsdraht gewickelt, bis der gewnschte Wert
erreicht ist. Drahtwiderstnde vertragen Oberflchentemperaturen bis 450 C .
Durch die Wicklung haben sie groe parasitre Kapazitten und Induktivitten
und sind nicht fr hohe Frequenzen geeignet. Sie werden meist in der
Energietechnik verwendet.

Anschlussdraht

Schutzlack

Quelle: Vishay

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Widerstandsdraht
auf Keramiktrger

V3.3

22

Elektronische Bauelemente
1.7.4 Kenngren

Quelle: Vishay

1.7.5 Bauformen
axial bedrahtet (leaded):
Gehusebezeichnung DDLL
DD: Durchmesser in mm
LL: Lnge in mm

SMD chip:
Gehusebezeichnung LLBB
LL: Lnge in 1/100 inch (0,254 mm)
BB: Breite in 1/100 inch
Hhe immer 0,51 mm (= 0,02 inch)
momentan kleinste Bauform: 01005
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V3.3

23

Elektronische Bauelemente

2 Kondensatoren
2.1 Physikalische Grundlagen
2.1.1 Elektrische Polarisation
Der Kondensator besteht aus zwei Metallflchen A in geringem Abstand d,
zwischen denen ein isolierender Bereich liegt, das Dielektrikum. Legt man eine
Spannung U an, entsteht zwischen den Flchen ein elektrisches Feld E = U/d,
und es werden Ladungen Q = EA gespeichert (+Q auf der einen Flche, -Q auf
der anderen).
Man definiert die Kapazitt als

Die Kapazitt ist hoch, wenn viel Ladung mit wenig Aufwand (Spannung)
gespeichert werden kann.
In Materie knnen durch das Feld elektrische Dipole entstehen oder vorhandene,
aber zufllig gerichtete Dipole sich parallel ausrichten (Polarisation). Durch diese
Dipole kann die gleiche Ladungsmenge mit weniger Spannung als im Vakuum
gehalten werden. Es erhht sich praktisch die Dielektrizittskonstante = 0r
(0 = 8,85 pF/m; Vakuum: r = 1, Materie: r 15 000).

Das Umorientieren der Dipole kostet mechanische Arbeit, ist also mit Verlusten
verbunden.
Bei zu hoher Spannung kommt es zu einem Durchschlag (Funkenentladung). Die
Durchschlagspannung hngt vom Dielektrikum und dem Abstand d ab.
Material:
r

Luft
1

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

Kunststoff
2,5

V3.3

Platine
3,6

Wasser
82

24

Elektronische Bauelemente

I ist ein geschlossener Kreis, aber


durch das Dielektrikum flieen
keine Ladungen. Hier wird der
Strom durch die nderung des
elektrischen Felds fortgesetzt.

Verndert man die Spannung am


Kondensator, dann ndert sich die
Ladung auf den Platten. Damit ist
ein Strom
/
durch die
Zuleitungen verbunden.

++
+
-+
+++
+

2.1.2 Strom im Kondensator

Zwischen Feld und Plattenladung besteht der Zusammenhang

Hier wurde /
der Frequenz ab.

Vb

bV

0 angenommen; tatschlich hngt auch von U und von

Der Strom zwischen den Kondensatorplatten, der nur auf Feldnderungen basiert,
heit Verschiebungsstrom, im Gegensatz zum Teilchenstrom durch die
Zuleitungen.
Das Dielektrikum ist zwar ein Nichtleiter, besitzt aber immer eine geringe Leitfhigkeit. Deshalb bewegen sich einige Elektronen durch das Dielektrikum und
bewirken einen kleinen Teilchenstrom parallel zum Verschiebungsstrom.
Aus

folgt auch der bekannte Zusammenhang

%
%"

%'
%"

Datenbltter geben meistens die maximalen Werte fr Strom (Inenn, Irated) und
Spannung (Unenn, Urated)an

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

25

Elektronische Bauelemente

2.2 Frequenzeinfluss
2.2.1 Parasitre Elemente
Der reale Kondensator besitzt im Kern eine ideale Kapazitt. Die geringe
Leitfhigkeit des Dielektrikums beschreibt man durch einen parallelen
Isolationswiderstand Ris (M G). Ris wird nur fr die Selbstentladung des
Kondensators ber Stunden, Tage oder Wochen bercksichtigt.
Beim Umpolarisieren des Dielektrikums bei Wechselspannung entstehen
Verluste, die man mit einem ohmschen Widerstand beschreiben kann, der vom
Verschiebungsstrom durchflossen wird. Der Widerstand wird mit ESR (effective
serial resistance) bezeichnet und hngt von der Frequenz ab.
Ris

ESR

Gesamtimpedanz (ohne Ris):

Zuleitungen und die gefaltete


Anordnung der Metallflchen
bewirken eine Induktivitt und
die Erhhung des ESR.

!+

Durch die Induktivitt kommt es zur Serienresonanz bei der Frequenz


CW

2E

Der komplexe Widerstand des Kondensators besteht dann nur noch aus ESR.

ideales C
ideales L

Oberhalb von fres


verhlt sich der
Kondensator wie
eine Spule mit
Induktivitt L!

ESR

Quelle: Epcos

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

26

Elektronische Bauelemente
2.2.2 Gte
Fr Wechselstrom unterhalb der Resonanzfrequenz mssen nur C und ESR
bercksichtigt werden. Man definiert die Gte Q (quality) des Kondensators als

1/
V

I rated

ESR
U rated

Der Kondensator ist also gut, wenn der (gewnschte) Blindwiderstand


|-1/C| wesentlich grer als der (unerwnschte) Verlustwiderstand ESR ist. Die
Gte ist frequenzabhngig!

ESR

Hufig wird statt der Gte auch ein


Verlustwinkel (dissipation factor)
tan angegeben. Er entstammt dem
Zeigerdiagramm fr den komplexen
Widerstand und ist
tan

V
1/

Verlustleistung:

0
W " %

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

-1
C

0
W " %

t
#

V3.3

0
W " %

0
W " %

*/

!+

*#-

27

Elektronische Bauelemente
Wegen
/ fhren schnelle nderungen der Spannung u(t) zu einem
hohen Kondensatorstrom, der entsprechend Wrme verbreitet (im Modell
Wirkleistung in ESR). Im Datenblatt wird daher eine obere Grenze fr du/dt bzw.
direkt fr Wechselstrme (ripple current, pulse load) spezifiziert.
2.2.3 Impulsbelastbarkeit

Probleme bereiten z.B.


Kurzschluss-Entladung (ber Schraubendreher!)
Ein- und Ausschalten
Schwingungen hoher Frequenz, insb. Rechteck-Wechselspannung
Spannungsspitzen von Induktivitten (Motoren).

2.2.4 Nachlade-Effekt
Nicht nur die Metallflchen, auch das Dielektrikum kann Ladungen speichern, die
es nur langsam wieder abgibt (dielektrische Absorption).
Nach einem Kurzschluss (U = 0) sind
innerhalb einiger Sekunden vom
Dielektrikum her wieder einige
Ladungen vorhanden und es ist U > 0
(Nachlade-Effekt).

U, Q
Kurzschluss

Nachladeeffekt
t

Bei Folienkondensatoren ist die Nachlade-Spannung kleiner 1 % der


ursprnglichen Gleichspannung,
bei Keramikkondensatoren in der Grenordnung 1 %,
bei Aluminium-Elkos 10-15%.
C

Ersatzschaltbild
des Nachladeeffekts:

CDA
RDA
Nachladeeffekt

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

28

Elektronische Bauelemente

2.3 Technologie
Industriell gefertigte Kondensatoren sollen ein mglichst geringes Volumen bei
einer gegebenen Kapazitt C = A/d besitzen. Dazu kann man und die Flche
A erhhen und die Dicke d reduzieren.
Siehe Rahmenspezifikation DIN EN 60384.

2.3.1 Keramische Kondensatoren


Nutzen als Dielektrikum eine Keramik mit hohem bis sehr hohem .
Schichtdicken ab 1 m.
miniaturisierbar (SMD), billig
Einteilung in Klassen:

Bereich
r

Temperaturabhngigkeit
Frequenzabhngigkeit
Spannungsabhngigkeit

Toleranz
Werte
Anwendungen

Klasse 1
6 200
typ. 20 40
klein (typ. 30 ppm/K)
linear
keine
keine
1 % (E96/E24)
20 % (E6)
bis 100 nF
Schwingkreise,
Filter

Klasse 2
200 14000
gro,
nichtlinear
ja
ja
-20 % / +50 %,
-20 % / +80% (E3, E6)
bis 33 F
Kopplung,
HF-Kurzschluss

Keramisches Dielektrikum

MLCC (multi-layer
ceramic capacitor):

Kontaktierung

Bauform fr SMD chip


am weitesten verbreitet

Metallisierung

Energietechnik:

Keramik fast beliebig formbar,


hohe Durchschlagspannung erreichbar ( 100 kV)
Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

29

Elektronische Bauelemente
2.3.2 Folienkondensatoren
Dielektrikum besteht aus Kunststofffolie oder Papier
Aufbau aus zwei metallisierten oder mit Metallfolien belegten Kunststofffolien,
seltener Papierfolien
Schichtdicken ab 1 m
r gering ( 3) und leicht frequenzabhngig
Nennkapazitt gemessen bei 1 kHz
groes Volumen (kein SMD)
durchschlagsfest und hohe Impulsstrme mglich
Selbstheilung bei lokalen Durchschlgen:
Metall verdampft, Folie quillt auf Kurzschluss beseitigt sich von selbst
sehr geringer ESR
Isolationswiderstand Ris hher als bei Keramikkondensatoren
geeignet fr die Energietechnik

Quelle: Wikipedia/Kondensator(Elektrotechnik)

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

30

Elektronische Bauelemente
2.3.3 Elektrolytkondensatoren (Elko)
Oxidschicht
(Dielektrikum)

Dielektrikum entsteht als dnne Oxidschicht auf


rauer Metalloberflche (Aluminium oder Tantal)
durch elektro-chemische Reaktion
Oxidschicht sehr dnn (ab 10 nm) und
raue Oberflche gro

Elektrolyt
(sehr guter
Leiter)
+

hohe Kapazitt pro Volumen


Wegen der rauen Oberflche ergibt sich eine
hohe Toleranz (typisch 20 %)!

Metallplatten

! Bei falscher Polung bildet die zweite Elektrode


ebenfalls eine Oxidschicht; dabei entstehen Hitze und
Gas, die den Elko zerstren (und nicht nur ihn )

Polung: oxidierte Metallschicht an +,


Elektrolyt und reine Metallschicht an -

Kurzzeitige Umpolung (Wechselspannung; < 1 Sekunde) schadet nicht.

bipolare Elkos: Zweite Elektrode ist bereits oxidiert.


Dadurch entstehen 2 Kondensatoren in Reihe, die
Kapazitt halbiert sich!

Aufbau: durch Wicklung hohe parasitre Induktivitt


niedrige Resonanzfrequenz (typ. 100 kHz 1 MHz)

Die Oxidschicht baut sich bei Lagerung ohne Spannung teilweise ab. Im Betrieb
unter Spannung wird die Schicht wiederhergestellt, es fliet deshalb zeitweise ein
Strom (leakage current, A mA).
Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

31

Elektronische Bauelemente
Al

Aluminium-Elkos:
meist mit flssigem Elektrolyt
sehr billig, daher am weitesten verbreitet
Lebensdauer ist begrenzt, da das Elektrolyt
mit der Zeit verdunstet.
Angabe im Datenblatt: Brauchbarkeitsdauer
(load life)

Al2O3

Papier getrnkt
mit Elektrolyt

wegen eingeschrnkter Sicherheit (Brauchbarkeit): KEIN Einsatz in


sicherheitsrelevanten Produkten (Militr, Weltraum)

Quelle: wikipedia/Kondensator(Elektrotechnik)

Tantal-Elkos:
meist mit festem Elektrolyt (Braunstein = MnO2
oder Polymer), daher keine Einschrnkung der
Brauchbarkeit
teurer als Al-Elkos, aber Einsatz in
sicherheitsrelevanten Produkten erlaubt

Quelle: wikipedia

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

32

Elektronische Bauelemente
2.3.4 Doppelschicht-Kondensatoren
auch EDLC = electrochemical double layer caps, supercaps, ultracaps, goldcaps
Zwischen einem (Metall-)Leiter und
einer leitenden Flssigkeit (Elektrolyt)
fliet bei kleinen Spannungen kein
Strom, sondern es bilden sich an der
Grenzflche Ladungstrgerschichten.
Der Abstand dieser Schichten betrgt
nur eine Molekldicke (< 1nm).
Dadurch entsteht eine enorm groe
Kapazitt.

Quelle: Wikipedia/Elektrochemische Doppelschicht

Vorteile:
hohe Kapazittsdichte einige 1000 F bei blicher Baugre
kleiner ESR geringe Erwrmung
hohe Lade- und Entladestrme mglich

Nachteile:
geringe Nennspannung (wenige V)
hohe Selbstentladung (relativ kleines Ris)

Anwendung:
Energiespeicher, Batterieersatz

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

33

Elektronische Bauelemente
2.3.5 Einsatzbereiche

Eigenschaft

Keramik-K.

Klasse 1:

Folien-K.
6200

Elko
3

Klasse 2: 20014000
Schichtdicke

8,4
28

1 m

1 m

0,01 m

ja

selten

ja

gut bis sehr gut

sehr gut

gut

0,1 pF F

pF F

0,1 F F

bei Klasse 1 sehr gut

gut

mig

mittel

klein

mittel

SMD
durchschlagsfest
impulsstromfest
Wertebereich
Toleranzen

Al:
Ta:

ESR

Quelle: Wikipedia/Kondensator(Elektrotechnik)

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

34

Elektronische Bauelemente

2.4 Anwendungen
Wechselstrom-Kopplung/
Trennen von Gleich- und
Wechselspannung:

subern von Versorgungsspannungen/ Kurzschluss von


Wechselspannungen:

CK

VCC
+

u~(t)
u~(t)

IC

U0

U0

Energiespeicher: Ersatz von Batterien/Akkus;


Vorteil: hohe Strme mglich; Nachteil: U ~ Ladung sinkt schnell
Filter und Oszillatoren

Gleichrichter siehe Dioden!

2.5 Simulation
In LTspice existieren die Elemente CAP
und POLCAP. Sie unterscheiden sich nur im
Aussehen im Schematic Capture; in der
Netzliste erscheinen identisch als C.
Neben der Kapazitt kann man auch die
Werte der parasitren Elemente eingeben:

Fr nichtlineare Kondensatoren gibt man


als Wert eine Formel fr die Ladung in
Abhngigkeit von der Spannung (als
Variable x) an.
Die Kapazitt ergibt sich dann als

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

35

Elektronische Bauelemente

2.6 Kapazitt spezieller Anordnungen


Leiterbahn gegen Masseflche:

/ H W

Platine
( r)

Leiterbahn

l
h
Masseflche
Leiterbahn

Platine
( r)

Zwei Leiterbahnen:

/ . 0,75 H W

freie Leitung gegen Erde:


2E H W
/
4
ln

l
d
h

Koaxial-Kabel:

2E H W

ln

Doppelleitung (geschirmt):
E H W
/
2 0 F 0
ln
0 0

Doppelleitung (ungeschirmt, D):


E H W
/
2
ln

D
a

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

36

Elektronische Bauelemente

3 Spulen und Transformatoren


3.1 Physikalische Grundlagen
3.1.1 Induktion
Jeder Strom (Teilchen- und Verschiebungsstrom) erzeugt ein Magnetfeld H und
eine magnetische Flussdichte B = H um sich herum. Die Permeabilitt ist
materialabhngig: H W , H 4E 101 /bj; r = 1 150 000
,

/
,

L /
,
b: mgn. Fluss
I

Weglnge l m

B
S N
S N

S N

S N
S N

B, H

Ui

Wickelt man den Leiter um einen Kern mit hohem


r, dann werden die magnetischen Felder fast nur
im Kern gefhrt.

ndert sich die magnetische Flussdichte dB/dt, dann wird im Leiter die Spannung
L

induziert (A: Querschnittsflche des Kerns). Mit


b
L

L b

%
%"

%
%"

%"

folgt

AL: Induktivittsfaktor; nur


abhngig von Kernmaterial
und geometrie;
auch: magnetischer Leitwert Gm

Auch im Inneren des Kerns werden Spannungen induziert. Wenn das Kernmaterial elektrisch leitet, entstehen Wirbelstrme (eddy current); der Kern
erwrmt sich (Verluste).
Um das zu verhindern, gibt es verschiedene Techniken (s. unten).

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V3.3

37

Elektronische Bauelemente
3.1.2 Magnetischer Kreis
Um komplexere magnetische Anordnungen zu verstehen, kann man eine
Analogie zu elektrischen Netzwerken verwenden:

magnetischer Kreis

elektrische Analogie

NI

Quelle U
Strom I

BA (mgn. Fluss)

Widerstand

1/

I2
Rm1

I1
U1

N2
N1

Rm2
Rm3

In diesem Modell fehlt die Induktionsspannung


beeinflusst!

Der magnetische Widerstand

U2

JQ%

FLb, die den Strom I

ergibt sich als Quotient der

magnetischen Spannung NI und des magnetisches Flusses = BA. Es gilt:

Fr eine Spule L ist

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V3.3

L/ .

1
b

38

Elektronische Bauelemente
3.1.3 Scherung
Der Zusammenhang zwischen H (als Folge eines Stroms I) und B (als Ursache
der Induktionsspannung) ist i.A. nichtlinear, so dass (und damit L) nicht
konstant ist. Ein sinusfrmiger Strom hat dann eine nicht-sinusfrmige Induktionsspannung zur Folge. Auerdem ist temperaturabhngig.
BS B
BR

BS B
Neukurve
HC

BR
HC

hartmagnetisches Material
(Dauermagnet, Speicher)

weichmagnetisches Material
(Spulen, Transformatoren)

Hufig fgt man einen Luftspalt in den magnetischen Kreis ein, der wie ein
magnetischer Serienwiderstand wirkt:
I

Rm

RS

D r

D r

D r

H W b

XX

H b

H XX b

H b

r wird auf eff verkleinert,


aber dafr sind Nichtlinearitt
und Temperaturabhngigkeit
ebenfalls deutlich reduziert.

Die Luftspalt-Technik wird auch Scherung genannt, weil die H-B-Kennlinie


geschert aussieht.

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V3.3

39

Elektronische Bauelemente
3.1.4 Transformator
B1

I1

B2

I2

U1

U2
L1

L2

T-Ersatzschaltbild:
I1

R1

M-Ersatzschaltbild:

L1

L2

R2

I2

R1

I1

L1h

R2

I2

I
U1

N1
N2

U2

RFe
0

U1

L1
*

U2

L2

Das T-Ersatzschaltbild entsteht, wenn man den Strom I2 durch die Spule L2
ersetzt gegen einen zustzlichen Stromanteil durch L1. Das Magnetfeld im Kern
muss dabei gleich bleiben. Durch L1h (beschreibt den Kern) fliet dann der
theoretische Strom
*
0 /.
Gestrichene Gren:

Streuung

Kopplungsfaktor k
Gegeninduktivitt
Hauptinduktivitt

^0
^*

*i

^0 , 0

c*

* , ^0
*i ,

*^

c0

m 1 F c* 1 F c0
km

^0

0 , 0
*i

cJ 1

Kerne sind meist symmetrisch aufgebaut AL-primr = AL-sekundr


Induktivitten

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

L*0 b ,
V3.3

L00 b

t
-

t--

40

Elektronische Bauelemente
Nherungen:
keine Streuung (k = 1; L1h = L1)
keine ohmschen Verluste (R1 = 0, R2 = 0)
und sekundrseitig
Leerlauf (I2 = 0, Last
I1

d.h.

U2

ZL
=ZL
(gro)

I2

I
U1

L1h

Kurzschluss (U2 = 0, Last


I1

I2
I

U1

U2

L1h

0 d.h.

ZL
=ZL
(klein)

*i )

tatschlich

0
0

't

'-

(I gro evtl. Scherung ntig)

*i )

. F *

tatschlich

fr

0^

F
F

0 : 0

't

hier ist I 0 Scherung nicht ntig. Dieser Fall heit idealer bertrager.
Energiebertragung:

Magnetfeld im Kern sehr klein


( *i gro . 0 0 F *

H-B-Kennlinie linear auch ohne Luftspalt

Trafos arbeiten mit Induktion dB/dt 0.


Dass das Magnetfeld bei Energiebertragung
selber klein ist, strt nicht, solange |dB/dt|
gro ist.

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V3.3

41

Elektronische Bauelemente

3.2 Frequenzabhngigkeit

ESR

3.2.1 Ersatzschaltbild
Auch Induktivitten haben parasitre Elemente:

RCu

RK

Die Wicklung aus (Kupfer-)Draht besitzt einen


ohmschen Widerstand RCu (Datenblatt: DC
resistance), auf den auerdem der Skineffekt
wirken kann. Den Skineffekt kann man
reduzieren, indem man statt eines massiven
Drahtes ein Geflecht aus isolierten, dnneren
Drhten (HF-Litze) verwendet.

Cp

Verluste des Kerns (Ummagnetisierung,


Wirbelstrme) beschreibt der Widerstand RK.
Die einzelnen Wicklungen stren sich
gegenseitig durch elektrische Felder, d.h. sie
besitzen eine Kapazitt Cp.
Spulen haben wie Kondensatoren eine
Resonanzfrequenz, oberhalb derer sie sich
wie Kapazitten Cp verhalten.
CW

2Em

3.2.2 Gte
Bei Induktivitten definiert man eine Gte als

+&

ESR

Alternativ gibt es den Verlustwinkel tan = 1/Q, der dem Zeigerdiagramm


entstammt.

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

42

Elektronische Bauelemente

3.3 Technologie
3.3.1 SMD-Spulen
Kernmaterial
Gte
Resonanzfrequenz
Werte

Keramik, Ferrit
20
GHz (nH) MHz (H)
1 nH 10 mH

3.3.2 Kerntypen
Um Wirbelstrme zu verhindern gibt es verschiedene Techniken/Werkstoffe:
mehrlagige (laminierte) Bleche
(Dynamoblech = Fe-Si-Legierung)
untereinander durch Oxidschichten
isoliert

Ferrite (Metalloxide): nichtleitend

Um bestehende Signal- oder Versorgungsleitungen von HFStrungen zu befreien, verwendet man Dmpfungsperlen,
durch die die Leitung gefdelt wird.

Spartransformator:

L2 ist ein Teil von L1

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I1
U1

I2
U2

V3.3

43

Elektronische Bauelemente

3.4 Anwendungen
Drossel (choke) (zum Subern von Gleichspannung):

VCC
GND

Balun:
balanced
(symm. Ausgang)

unbalanced
(geerdeter Eingang)
balun

out+

in

out-

GND

Filter: geringe Toleranz und hohe Resonanzfrequenz erwnscht

Trafo, z.B. fr Hochspannungsleitung:


Lastwiderstnde wirken auf der Primrseite um den Faktor verndert
RQ

=N1/N2
N1

RL

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N2

RL

V3.3

44

Elektronische Bauelemente

3.5 Simulation
Das Bauteil IND stellt in LTspice Induktivitten dar; in der Netzliste heit es L.

Fr IND kann man zustzlich


zur Induktivitt L auch die
parasitren Elemente
angeben:

Um nichtlineare Spulen darzustellen, modelliert man die H-B-Kennlinie und gibt


dazu die geometrischen Eigenschaften des Kern an:
Koerzitivkraft
Remanenz
Sttigungs-Flussdichte
Querschnitt
Feldlinienlnge
Luftspaltlnge
Windungszahl

HC
BR
BS
A
LM
LG
N

A/m
T
T
m
m
m
---

Eine induktive Kopplung zwischen Spulen ( Transformator) erreicht man mit


dem Element K. Es ist eine
reine Textanweisung, kein
Symbol, und arbeitet nur mit
linearen Spulen:

Nichtlineare Transformatoren stellt man z.B. durch das T-Ersatzschaltbild dar; den
nachgeschalteten idealen bertrager modelliert man mit gesteuerten Quellen.

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

45

Elektronische Bauelemente

3.6 Induktivitt spezieller Anordnungen


dnner Draht, grobe Nherung:

Leiterbahn

Streifenleiter/Leiterbahn:
H
2
/ .
ln

2E

d
Leiterbahn

10 G,/j

l
h
Masseflche

D
d

a
D

Leiterbahn mit Masseflche:


H
4
/ .
ln
2E

Koaxialkabel:
H

/ .
ln
2E

0,25

Doppeldrahtleitung:
H
2
/ . ln
E

0,25

Printspule rechteckig:

/ . 1,17 H L

0,5

2,75

(N = 3)

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V3.3

46

Elektronische Bauelemente

4 Lineare Netzwerke
4.1 Problemstellungen
Belasteter Spannungsteiler:
I1

Z1

U1

I2
0

U2

Z2

t #-

nur dann, wenn I2 = 0.

Was geschieht bei I2 0?

Belastete Quelle mit Innenwiderstand:


UQ

Wie stark belastet eine Schaltung die


Quelle mit Innenwiderstand?

RQ
Schaltung

UE

Welches UE ergibt sich?

Belastbarkeit einer Schaltung:

Schaltung

UA

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Wie unterscheidet sich UA im Leerlauf


von der Belastung mit RL?

RL

V3.3

47

Elektronische Bauelemente

4.2 Zweitore
I1

Schaltungen mit zwei Klemmenpaaren nennt


man Zweitore. Im Inneren knnen sich beliebig
komplizierte lineare Schaltungen aus R, L, C,
Trafos und linearen Verstrkern befinden.

I2

U1

U2

Zweitor
I1

I2

Zur Beschreibung eines Zweitors gengen aber


die externen Gren U1, U2, I1 und I2. Mit ihnen stellt man Gleichungen auf, in
denen je zwei Gren durch die beiden anderen Gren und konstante Faktoren
ausgedrckt werden.
Die Gleichungen entsprechen zwei gesteuerten Quellen mit Innenwiderstnden:
*

*
0

**

*0

0*

**

0*

00

*0
00

y11

U1

y12U2

y21U1

y22

I1

I2

Eingangs- Rckleitwert wirkung

U2

Ver- Ausgangsstrkung leitwert

Die vier Konstanten lassen sich hier durch Kurzschluss am Eingang (U1 = 0) bzw.
Ausgang (U2 = 0) bestimmen. Beispiel Spannungsteiler:
**
0*

* '- _H

1/
0

* '- _H

F1/

U1

Z1

U1

Z1

Leitwertmatrix:

*0

I1

Z2

I2
Z2

1/ *

F1/ *

00

F1/ *

1/ * 0

1/

0 't_H

F1/
0

Z1

U2

Z2

0 't _H

* 0

I1

I2
Z1
Z2

U2

alle yik haben die Einheit eines Leitwerts [S = 1/]


y21 und y12 entsprechen Verstrkungen von gesteuerten Quellen, obwohl die
tatschliche Schaltung keine Quellen besitzt.

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V3.3

48

Elektronische Bauelemente

4.3 Zweitor-Matrizen
Je nachdem, welche Gren durch die anderen ausgedrckt werden, definiert
man weitere Matrix-Darstellungen:
Typ

Gleichungen
*

(Impedanzmatrix)

Y = Z-1

(Leitwertmatrix)

H
(Hybridmatrix)
-1

G= H

(inv. Hybridmatrix)
A
(Kettenmatrix)
-1

B=A

(inv. Kettenmatrix)

**

0*

**

0*

**

0*

**

**

0*

*0

*0

00

00

0*

00

*0

00

*0

z12I2

z21I1

z22

y11

I1

y12U2

y21U1

y22

h11

h12U2

h21I1

h22

I2
U2

U1
g11

I1

I2
U2

U1
I1

I2
U2

U1

*0

00

z11

I1

*0

0*

**

00

Quellendarstellung

g12I2

g21U1

g22 I
2

U2

U1

I1
U1

I2
U2

Jedes Element bedeutet eine bestimmte Eigenschaft, z.B. ist


g21:
z11:
g22:
h21:

Spannungsverstrkung U2/U1 bei Leerlauf am Ausgang(I2 = 0) oder


Eingangswiderstand U1/I1 bei Leerlauf am Ausgang oder
Ausgangswiderstand U2/I2 bei Kurzschluss am Eingang oder
Stromverstrkung I2/I1 bei Kurzschluss am Ausgang

Jede Darstellung erleichtert eine bestimmte Kombination von Zweitoren.

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V3.3

49

Determinante: det

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V3.3

1 00

*0 F1

1 **

0* 1

1 1

** 0*

det

00

F*0

det

*0

F*0
**

Fdet

**

1 det

00 F0*

1
00

det F0*

aus Z

1 F**

*0 det

1 F00

0* F det

1 det

00 F0*

1 1

** 0*

1
00
F
0*
det

aus Y

F00

F1

F**

*0

F*0

det

F*0
**

1 F det ,

0* F00

1
1

*0 F00

*0

F**

det ,

F**

F1

F*0

**

F*0

det ,

00
F
det ,
0*

1 1

** 0*

1 det ,

00 F0*

aus H

00

F1

00

det

F*0
**

*0

F*0

det

1 F det

*0 **

1 1

0* **

1
00

det F0*

1 det

00 F0*

1 1

** 0*

aus G

det b

00

F*0
**

Fdet b

*0

Fdet b

0*

Fdet b

**

1
00

det b F0*

1 0*

** 1

1 *0

00 1

1 00

*0 F1

1 **

0* 1

aus A

00
det F0*

1 F0*

00 det

1 F*0

** F det

1 F**

*0 det

1 F00

0* F det

aus B

F*0

**

F1

F*0

F0*

F00

F1

F**

Elektronische Bauelemente

4.4 Umrechnung von Zweitormatrizen

j** j00 F j*0 j0*

50

Elektronische Bauelemente

4.5 Passive Zweitore


Z1

Z2

Z3
1

Z3

Z1

Y
A

* 4

0 4

-Schaltung

T-Schaltung
Z

Z2

* 0 4

4
*
F4

0 4 1
0 * 0

F4

0 4
4

Beispiel: Bestimmung der G-Matrix eines Querwiderstands


Schaltungstyp:

Z1 = Z2 = 0; Z3 = R
Z-Matrix:
G aus Z:

, det

tt 0*

F*0

det

Die G-Matrix entspricht den Gleichungen

1
*

0
't

1/
1

F1

und

*.

Beispiel: A-Matrix eines RC-Tiefpasses


Schaltungstyp:

A-Matrix:

T
Z1 = R,

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

Z2 = 0,
1

Y3 = jC

V3.3

51

Elektronische Bauelemente

4.6 Kettenschaltung
Die Matrizen A und B eignen sich zur leichten Berechnung von hintereinander
geschalteten Zweitoren (Reihenschaltung oder Kettenschaltung).
Beispiel mit zwei Spannungsteilern (RC-Tiefpass):
I1

I2

U1

I3

U2
A1

bD

U3

b*

b* b0

A2

Spannungsverstrkung bei Leerlauf am Ausgang:


Eingangswiderstand bei Leerlauf am Ausgang:
Ausgangswiderstand bei Kurzschluss am Eingang:

0*

**

00

2
*

tt

tt
-t

|
't _H
'

ttt

Ein Zweitor mit Last ZL am Ausgang sollte in ein erweitertes Zweitor mit Leerlauf
am Ausgang umgerechnet werden, entweder indem ZL als Teil der Schaltung
betrachtet wird oder durch Kettenschaltung des ursprnglichen Zweitors und ZL:
ZL

**

0*

*0
1
00 1/

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

**

0*

t-

--

*0

00

V3.3

52

Elektronische Bauelemente

4.7 Simulation
In SPICE stehen gesteuerte Quellen E, F, G, H zur Verfgung:
spannungsgesteuert

stromgesteuert

Spannungsquelle

Stromquelle

Ein steuernder Strom muss durch eine Spannungsquelle flieen (in den Bildern
oben: V1). Die steuernde Spannung wird direkt auf Eingangspins der Quelle
geschaltet.
Mit BV und BI stehen Quellen zur Verfgung, die Spannung oder Strom gem
einer Formel erzeugen, so dass sich beliebige, nichtlineare Bauelemente
modellieren lassen:

Die Stromquelle BI kann auch einen nichtlinearen Widerstand realisieren, wenn


als steuernde Spannung die eigenen Ausgangspins verwendet werden.

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V3.3

53

Elektronische Bauelemente

5 Halbleiter
5.1 Generation und Rekombination
Durch Gitterschwingungen oder Fotonen kann ein Elektron-Loch-Paar entstehen
(Generation Erhhung von n und p).
Die freien Ladungstrger bewegen sich wegen ihrer kinetischen (Wrme-)Energie

mit der mittleren Geschwindigkeit P"i mkl/j 107 cm/s. Sie erleiden Ste
( Energieverlust) an Kristallfehlern, Gitterschwingungen oder anderen freien
Ladungstrgern.

Nach der mittleren Ladungstrger-Lebensdauer (Grenordnung ns)


rekombinieren sie mit anderen Ladungstrgern. Die Rekombination findet im
mittleren Abstand L (Diffusionslnge, Grenordnung 10..50 m) vom Ort der
Generation statt. Die Ladungstrgerdichten n und p verringern sich.
Diffusionslnge Ln
+

Rekombination

Generation

Die Bewegung eines Ladungstrgers an irgendeiner Stelle eines geschlossenen


Leiterkreises stellt einen Strom (durch den gesamten Kreis) dar!
Zufllige Bewegungen fhren zu thermischem Rauschen.
Wenn Generation und Rekombination sich die Waage halten spricht man vom
thermodynamischen Gleichgewicht. Im undotierten Halbleiter ist dann
GH

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IH

GH IH

GJ

V3.3

GJ0

54

Elektronische Bauelemente

5.2 Fermi-Verteilung
Die tatschlichen Geschwindigkeiten (Energien) der Ladungstrger sind
statistisch verteilt (Fermi-Verteilung). Man kann nur Aussagen ber die
Wahrscheinlichkeit machen, dass ein Ladungstrger gerade mindestens die
Energie W besitzt:
I h

Besetzungswahrscheinlichkeit
fr Elektronen der Energie W:

Zimmertemperatur: kT = 0,026 eV
= 4,1610-21 J (= Wrmeenergie)

I h

Besetzungswahrscheinlichkeit
fr Lcher:

1
h F h
exp

kl

1 F I h

h F h
exp

kl
h F h
1 exp

kl

W
T gro

T gro

WF

WF

p - (W)
0,5

p + (W)
0,5

Nherungen:
Leitungsband: W WF kT

I h . exp F

h F h

kl

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V3.3

Valenzband: W WF kT

I h . exp

h F h

kl

55

Elektronische Bauelemente

5.3 Ladungstrgerdichten

x 67%
Mglichkeiten x Wahrscheinlichkeit
freie Pltze

Anzahl
Ladungstrgerzahl

im undotierten Halbleiter (Achtung: p(W) nicht mastblich):

W
n0 = ni

p - (W)

WL

WL

WG/2
WM

WF
WG/2

WV

WF
p + (W)

WV
p0 = ni
0,5

Ladungstrgerdichte

Wo liegt WF der Fermi-Verteilung? Wegen n0 = p0 = ni muss WF in der Mitte der


Bandlcke liegen (h . h
h h /2. (Gilt nicht exakt, weil Anzahl der
Pltze im Valenz- und Leitungsband nicht genau gleich sind)
Die meisten Ladungstrger befinden sich an einer Bandkante:
Elektronen verlieren meist Energie (fallen tiefer)
Leitungselektronen finden sich zumeist an der unteren Leitungsbandkante
Lcher finden sich zumeist an der oberen Valenzbandkante

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V3.3

56

Elektronische Bauelemente
n-Dotierung (Donatorendichte ND): WF verschiebt sich um WF
n0 steigt um Faktor exp(WF/kT)
p0 fllt um Faktor exp(WF/kT)

p(WD) 0 alle Dotieratome ionisiert

weiterhin gilt GH IH

GQH . LM GJ
IQH . GJ0 /LM GJ

p - (W)
WL
WD

GJ0

n0

(Majorittstrger)

WL
WF

WM

WF

WF
p + (W)

WV

(Minorittstrger)

WV
p0

GQH

GJ exp

0,5

LM h

p-Dotierung (Akzeptorendichte NA):


p (WA) 0 alle Dotieratome ionisiert

Ladungstrgerdichte

kl ln
Q

h F kl ln
Q

IRH . LN GJ

GRH . GJ0 /LN GJ

W
n0

WL

(Minorittstrger)

WL
p - (W)

WM
WA
WV

WF

WF

WF

WV
p + (W)
0,5

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

p0

(Majorittstrger)
Ladungstrgerdichte

57

Elektronische Bauelemente

5.4 Diffusionsstrom

N=

Wegen zuflliger Bewegung


(thermische Energie):
Ausgleich zwischen hoher
und niedriger Teilchendichte
Stromdichte

MJXX ~ F 2

x
MJXX,Q

Diffusionsstrom fr Elektronen:

MJXX,Q

Als Teilchenstrom gilt auch:

Zusammen ergibt sich die Differentialgleichung


Q

mit der Lsung

G -

G
-

PMJXX,Q G

G* exp F

n(x)

F Q F

F G PMJXX,Q

G
PZ\]
MJXX,Q w

mit G* G -

G
-

Werden Elektronen bei x = 0 eingespeist


(konstante Dichte n1) dann nimmt die
Trgerdichte n durch Diffusion und
Rekombination mit dem Abstand x
exponentiell ab.

n1

x
Ln
MJXX,Q

proportional zu n(x) und nimmt


auch exponentiell ab. Strom ist
aber in einem geschlossenen
Kreis immer konstant. Der
fehlende Stromanteil besteht hier
aus Lchern, die bei jeder
Rekombination nachrcken
mssen.

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

Der Diffusionsstrom ist dann


Fb PMJXX,Q G -

MJXX,Q

Iges = const
Idiff

Irekomb

V3.3

58

Elektronische Bauelemente
zur Diffusionsgeschwindigkeit:
Wegen Rekombination diffundieren Ladungstrger nicht unbeschrnkt,
sondern im Mittel nur whrend der Minorittstrger-Lebensdauer n bzw. p
und fr die durchschnittliche Diffusionslnge Ln bzw. Lp (Grenordnung
m).
Die mittlere Diffusionsgeschwindigkeit der Elektronen ist
PMJXX,Q

vDiff 105 cm/s liegt deutlich unter vsat 107 cm/s, weil Diffusion keine
gerichtete Bewegung ist.
Fr die Diffusionskonstanten gilt (ohne Beweis):
Q

0
Q

P%JXX

kl

YQ

Ohne Nachschub wren die Ladungstrger in kurzer Zeit gleichmig ber


das Volumen verteilt. Der Diffusionsstrom wre dann Null (
weiterhin thermische Bewegung vorherrscht (Rauschen).

0), auch wenn

Bei konstantem Nachschub ( n(x=0) = n1 = const ) stellt sich rumlich die


exponentielle Verteilung G G* exp F-/ Q ein. Im Mittel erreichen die
Elektronen dann tatschlich die Entfernung Ln von der Einspeisestelle, wie
oben angenommen.

Fr einen Lcher-Diffusionsstrom und nachrckende Elektronen gelten


entsprechende Formeln.

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

59

Elektronische Bauelemente

6 Dioden
6.1 Abrupter pn-bergang
6.1.1 Thermodynamisches Gleichgewicht
Annhern eines p-dotierten an einen n-dotierten Kristall:

Diffusion

WL

n
WL
WFn

WFp
WV

WV
Diffusion

+ +

n
-

Raumladungszone
(RLZ)

Diffusion von Majorittstrgern ins gegenberliegende Gebiet

Kontaktstelle:

+ +

E-Feld vom n-Gebiet ins p-Gebiet


behindert Majorittstrgerdiffusion,
beschleunigt Minorittstrger
(Driftstrom)
thermisches Gleichgewicht wenn
Diffusion und Drift sich ausgleichen

E-Feld bewirkt Spannung und Energiedifferenz ber der RLZ


Bandabsenkung

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

dort Rekombination
Zone ohne freie Ladungstrger
(Raumladungszone = RLZ)

V3.3

60

Elektronische Bauelemente
pn-bergang im thermodynamischen Gleichgewicht:
Leitungsband
-

Diffusion

Drift

- - - - - - - - - - - -

WF
Valenzband

+ + + + + + + +
+ + + +

Drift

+ +

Diffusion

Fermi-Niveau WF ist berall gleich: nur wenige Majorittstrger knnen ber die
RLZ diffundieren, genau so viele Minorittstrger driften zurck.
Bandabsenkung zwischen p- und n-Gebiet:
h hR F hQ hR F hQ hR F hQ
n-Gebiet:
p-Gebiet:

GQH
GRH

GQH

GRH

exp

GJ exp

1w

GJ exp

LM
Qy-

h F hQ F eh F hR g
exp

kl

kl

Diffusionsspannung: h
%JXX

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

LM LN
h
GJ0

%JXX

LM LN

ln
GJ0

V3.3

LM

LN
GJ0

LM LN
kl ln 0
GJ

kl/
Temperaturspannung
300 K: UT = 26 mV

61

Elektronische Bauelemente
6.1.2 Spannung in Sperrrichtung

n
-

- +
-

U sperr
+

RLZ wird breiter


E-Feld wird strker
Bandabsenkung um eUsperr grer
Majorittstrger knnen nicht mehr
ber RLZ diffundieren

+ +

+ +

Leitungsband
-

Drift

- - - - -

WF

e. U sperr

+ + + + + + + +

Valenzband + + + +

- - - - - - - -

+ +

Drift

Minorittstrger driften vom E-Feld


gezogen durch die RLZ
an den Rndern sind die
Minorittstrgerdichten 0

np0
RLZ

p(x)

nachrckende e+ aus n-Gebiet:


kleiner Sperrstrom
r

%JXX,Q

%JXX,R

b GJ0

Ln

x-

Nachschub durch Diffusion aus den pund n-Gebieten Diffusionsstrom


nachrckende e- aus p-Gebiet:

pn0

n(x)

Q
Q LN

Mw
w

GRH

IQH

Lp

b
b

Mw
w

Qy-

Qy-

L
R
M

Is hngt (nherungsweise) nicht von der Sperrspannung ab!


Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

62

Elektronische Bauelemente
6.1.3 Spannung in Flussrichtung
RLZ wird dnner
E-Feld wird schwcher
Bandabsenkung um eUF kleiner

UF

n
-

wegen Fermi-Verteilung knnen


exponentiell mehr Majorittstrger
ber die RLZ diffundieren; dort
erhhen sie die Dichte der

+ +

+ +

+ +

+ +

Minorittstrger (Faktor exp


'
'

Leitungsband

Diffusion

- -

Drift

- - - - - - - - - - -

e.UF

WF

+ + + + + + + +

Valenzband + + + +

Drift
+

+ +
+

Diffusion

Minorittstrgerdichten am Rand der RLZ:


GR
IQ

GRH exp
IQH exp

/kl

/kl

n(x)

Die berschuss-Ladungstrger
diffundieren tiefer in die n- und pGebiete und rekombinieren

RLZ

np0

Diffusionsstrom

xProf. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

p(x)

V3.3

Ln

Lp

pn0
x

63

Elektronische Bauelemente
Lcher:

I -

IQH exp

MJXX,R
MJXX,R

Elektronen:

MJXX,Q

'

b R F

Mw
w

Qy-

Qy-

R
2

Qy-

exp
'
'

F b R F I
*

exp
'
'

exp
'
'

Die Diffusionsstrme nehmen exponentiell mit dem Abstand zur RLZ ab, werden
dafr ergnzt durch den zunehmenden Strom nachrckender Majorittstrger.
Der Wert des Diffusionsstroms am Rand der RLZ bleibt so erhalten.

Der Gesamtstrom setzt sich zusammen aus:


- Elektronendiffusionsstrom
- Lcherdiffusionsstrom
- auerdem driften weiterhin Minorittstrger ber die RLZ
Is in Sperrrichtung

Gesamtstrom:

MJXX,R

MJXX,Q

b GJ0

ideal:

Mw

exp ' F 1

exp F 1 ;
'
'

'

300

26 j

Wenn Ladungstrger in der RLZ rekombinieren, verringert sich der Strom. Den
Verlust beschreibt der Idealittsfaktor (auch Emissionskoeffizient) N:
r

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

exp

V3.3

F 1

N = 1..2: Idealittsfaktor
Si: N 2
Ge: N 1
LED: N = 27

64

Elektronische Bauelemente

6.2 Grosignal-Beschreibung

Zerlegung von zeitabhngigen Signalen


(Strmen und Spannungen) in

Gleichanteil (=Grosignal) und


Kleinsignal mit Mittelwert 0:
Sinn:

nichtlineare Zusammenhnge
nur frs Grosignal
(konstant; nur einmal zu berechnen)
Kleinsignal wird linear genhert.

6.2.1 Statische Diodenkennlinie


Die Diode enthlt zustzlich zum pn-bergang ohmsche Widerstnde in den pund n-Gebieten (serieller Bahnwiderstand RS, typ. 0,1 3 ).
RS

60

ln

I/mA
Ge

50

Si

Ge: IS = A,
N1

40
30

Si:
20

IS = nA,
N2

10
-30

-20

U/V

-10
0,2 0,4 0,6 0,8
2
4
-I/A

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

65

Elektronische Bauelemente
6.2.2 Arbeitspunkt
Der Arbeitspunkt (AP) ist die Kombination aus Gleichstrom durch und
Gleichspannung an der Diode.
Der Arbeitspunkt wird mit einer Spannungsquelle und einem Widerstand zur
Strombegrenzung eingestellt:
An der Diode gilt:

UR

Am Widerstand ist

U0

exp

F 1

Das sind 2 Gleichungen fr die 2 Unbekannten UAP und IAP.

U0
R

Grafisch kann man dieses Gleichungssystem


lsen, indem man im gleichen Diagramm die
beiden Funktionen fr den Strom I darstellt;
Schnittpunkt ist der AP.
Die zweite (lineare) Gleichung entspricht der
Arbeitsgeraden.

IAP
U
UAP U0

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

66

Elektronische Bauelemente
6.2.3 Lineare Nherung (Knickkennlinie)
Lineare Nherung fr I IS:
Entspricht einem Widerstand rD
in Reihe zu einer Spannungsquelle US

US

rD

Ersatzparameter aus Diodenkennlinie:


60

I/mA

Tangente im Arbeitspunkt (AP)

50

Steigung /
1/M
(differentieller Leitwert)

40
30

Schnittpunkt auf U-Achse: US


(Schwellenspannung)

20
10
U/V
0

US

Bestimmung aus der Diodengleichung:


1

M,J%
(mit Bahnwiderstand:

M,W

Praktischer Nutzen:

'

exp
)

FL

1
L

Vereinfachte Schaltungsberechnung
Grundlage fr Kleinsignalersatzschaltbild

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

67

Elektronische Bauelemente
6.2.4 Durchbruchmechanismen
Bei hohen elektrischen Feldstrken knnen auch in Sperrpolung groe Strme
flieen. Nur beim thermischen Durchbruch wird der Halbleiter zerstrt.

6.2.4.1Thermischer Durchbruch

Der Sperrstrom r ~GJ0 steigt mit der Temperatur. Falls der Sperrstrom selbst die
Temperatur des pn-bergangs erhht, verstrkt sich die Erwrmung bis zur
Selbstzerstrung.
Der thermische Durchbruch tritt i.a. nur auf bei
Halbleitern mit geringem Bandabstand hohem Sperrstrom (z.B. Ge)
hohen Umgebungstemperaturen

6.2.4.2Zener-Effekt
Bei hoher Sperrspannung existieren fr Valenzelektronen des p-Gebietes freie
Pltze im n-Gebiet auf dem gleichen Energieniveau. In hoch dotierten Dioden wird
die RLZ so schmal, dass Elektronen hindurch tunneln knnen.
Leitungsband

Valenzband

p-Gebiet

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

n-Gebiet

V3.3

68

Elektronische Bauelemente
6.2.4.3Lawinen-Durchbruch
In normal dotierten Halbleitern
knnen schnelle Ladungstrger
durch Ste die Generation von
weiteren Elektron/Loch-Paaren
bewirken. Wenn diese durch das
hohe elektrische Feld ebenfalls
stark beschleunigt werden, tritt
eine ganze Lawine von
Ladungstrgern auf.

p-Gebiet

RLZ

n-Gebiet

6.2.4.4Durchbruch-Kennlinie
berschreitet die Sperrspannung den Wert UBR, dann gilt fr den Strom
F

' #'
'

mit
U < 0:
UBR :
IBR :
NBR :

Diodenspannung (nur pn-bergang)


Durchbruch-Kniespannung
Durchbruch-Kniestrom
Durchbruch-Idealittsfaktor

Allerdings dominiert auch hier bei greren Strmen der Bahnwiderstand RS, so
dass man den Kennlinienverlauf durch eine Knickkennlinie nhern kann:
-UBR

I/mA

U/V
-IBR

~ 1/RS

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V3.3

69

Elektronische Bauelemente

6.3 Kleinsignal-Verhalten
6.3.1 Sperrschichtkapazitt
Breite der RLZ hngt von der
angelegten Spannung U ab:
(Flussrichtung U > 0,
Sperrrichtung U < 0)

F g
e MJXX

1
1
LN LM

dRLZ verteilt sich aufs

p- und n-Gebiet:

Die RLZ wirkt wie ein Kondensator:


p-Gebiet

n-Gebiet

Q- = NA.dp

H W

fr abrupten
pn-bergang

Sperrschichtkapazitt

Q + = N D .d n

CS

Mit steigender Sperrspannung


wird cs kleiner:

U
UDiff

allgemein gilt:
r ~ e

%JXX

F g

mit m: Gradationsexponent (auch Kapazittskoeffizient)

Gradationsexponenten verschiedener Dotierungsprofile:


NA

NA

NA

x
ND

abrupt
m = 0,5

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x
ND

linear

V3.3

x
ND

hyperabrupt
(Kapazittsdiode)
m = 0,20,3
70

Elektronische Bauelemente
6.3.2 Diffusionskapazitt
In Flussrichtung sind die neutralen Bereiche von Minorittstrgern
berschwemmt, mit UF erhhen sich auch die Ladungsdichten:
n(x)

Annahme: ND NA n p

p(x)

GRH exp

G -

RLZ

np0

pn0
x

-x

bG - -

b GRH exp

b GRH exp

exp F

exp F

Daraus kann man eine differentielle Kapazitt ableiten, die Diffusionskapazitt:


M

1
L

Sie kann auch durch den Strom ausgedrckt werden:


.

MJXX,Q

bG -

0 PQ

1
L

b GRH exp
Q M

Q
Q

Dabei wurden der differentielle Leitwert gD und die Minorittstrger-Lebensdauer


n eingesetzt.
Beim Abschalten der ueren Spannung U mssen die Ladungen, die in cD
gespeichert sind, abgebaut werden (s. Schaltverhalten).

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

71

Elektronische Bauelemente
6.3.3 Kleinsignal-Ersatzschaltbild
Bei der Betrachtung von kleinen nderungen um den AP herum kann man ein
linearisiertes Schaltbild erstellen, in dem nur noch die Wechselgren kleiner
Amplitude vorkommen.
Nichtlineare Parameter wie differentieller Widerstand oder Diffusionskapazitt sind
(einmal) fr den AP zu berechnen.
Auerdem kann man Konstant-Spannungsquellen durch Kurzschlsse und
Konstant-Stromquellen durch Unterbrechungen ersetzen:
U = const.
u = 0

U+u

I+i

I = const.
i = 0

Fr die Diode ergibt sich als Ersatzschaltbild


(ESB) der differentielle Widerstand rD parallel
zu den Kapazitten cS und cD, dazu kommt
der serielle Bahnwiderstand RS (m ):

RS

rD

Sperrrichtung: rD sehr gro und cD cS;


Flussrichtung: rD klein
und cD cS.

cS
cD

AP

U +u

AP

I +i

RS

cS

AP

R I +R i
U0+u0

rD

R i

cD

u0

Fr kleine Frequenzen ( r M M ) knnen die Kapazitten vernachlssigt


werden und von der Diode bleibt nur rD (und evtl. RS) brig.

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

72

Elektronische Bauelemente

6.4 Kennzeichnung von Dioden


n

Schaltzeichen:
K
Kathode

Typenbezeichnung:

A: Germanium
B: Silizium
C: GaAs

A
Anode

XXX 123

A:
B:
P:
Q:
Y:
Z:

Signaldiode
Kapazittsdiode
Fotohalbleiter
LED
Leistungsdiode
Zener-Diode

Typenbezeichnung USA: 1N 1234

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

z.B. BAS 16

V3.3

z.B. 1N 4002

73

Elektronische Bauelemente

6.5 Temperaturverhalten
6.5.1 Temperaturabhngigkeit der Kennlinie
Kennliniengleichung:
,l

l exp F 1
'
'

0
~ GJ ~l

exp F

U0
R

T0+T

T0

Ein eingestellter Arbeitspunkt verschiebt


sich deshalb auch, er muss aber weiterhin
auf der Arbeitsgeraden liegen.

IAP
U

UAP U0
UR

I
U0

6.5.2 Erwrmung bei konstanter Leistung


In der Diode, genauer am pn-bergang, wird elektrische Leistung P = UI
umgewandelt in Wrme. Die Wrme verteilt sich von der Sperrschicht zum
Gehuse, auf einen evtl. vorhandenen Khlkrper und die Umgebung
(Platine/Luft).
Die Sperrschicht heizt sich deshalb am strksten auf, das Gehuse und
Khlkrper deutlich weniger und die Umgebung (im Idealfall) gar nicht.
Umgebung
(ambient)

Tjunction

Tcase

Tsink

Tambient

Khlkrper
(heat sink)

Gehuse
(case)

Rth,JC

Rth,CS

Rth,SA

Sperrschicht
(junction)
Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

74

Elektronische Bauelemente
6.5.3 Erwrmung bei gepulster Leistung
Wechselt die Verlustleistung, dann folgt die Temperatur verzgert. Bei schnellem
Wechsel stellt sich ein fast konstanter Mittelwert ein.
Die Temperatur ist nherungsweise konstant l . "i nur dann, wenn die
Zeitkonstante th grer als die Periodendauer der Wechselleistung ist.

Andernfalls erreicht die Temperatur zeitweise hhere Werte l 2


was bereits zur Zerstrung des Halbleiters fhren kann! (Wichtig bei
Gleichrichterdioden)

"i ,

Datenblattangaben:
Duty-Cycle

)yw

) yx )

max. Gleichstrom IFDC


max. Impuls-Amplitude IFmax

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

75

Elektronische Bauelemente

6.6 Schaltbetrieb
Beim Betrieb in Flussrichtung finden sich an den Rndern der RLZ berschssige
Ladungen (Minorittstrger; siehe Diffusionskapazitt).
Wird die Spannung an der Diode umgepolt (Ausschaltvorgang; A), werden diese
Ladungen vom elektrischen Feld ber die RLZ gezogen und erzeugen einen
groen Strom IRmax in Sperrrichtung. Fr die Dauer tS ist dieser Strom konstant
und sinkt dann ab (auf 10 % nach tfr). Wenn die Ladungen abgebaut sind,
reduziert sich der Strom auf den sehr kleinen Sperrstrom IS.
Beim Einschalten (B) wird die Sperrschichtkapazitt vergrert, deshalb fliet
zunchst ein hherer Strom als aus der Kennlinie zu erwarten wre.
Die Reverse-Recovery-Zeit tRR ist die Dauer, in der der Ausschaltstrom auf 10 %
gesunken ist:

XW

UF

U0
UR
A
IF

i
ts tfr

I Rmax
r

tff
t

tRR=tS+tfr

In grober Nherung gilt:

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

76

Elektronische Bauelemente

6.7 Spezielle Dioden


6.7.1 LED
Fast alle Ladungstrger befinden sich an einer Bandkante (minimale Energie). Bei
Rekombination wird deshalb ziemlich genau die Energie WG (Bandabstand) frei.

Alle Ladungstrger haben einen bestimmten Impuls p = mev. Bei direkten


Halbleitern haben e- und e+ den gleichen Impuls, bei indirekten sind sie
verschieden. Nur bei direkten Halbleitern kann eine Rekombination ein Foton
erzeugen, bei indirekten werden Energie und Impuls ans Kristallgitter abgegeben
(Fotonen haben keinen Impuls).
W

W
Ge

Si
GaN

GaAs

Impuls

Farbe
Infrarot
Rot-Orange-Gelb
Grn
Blau-UV

Impuls

Material
AlGaAs
GaAsP
GaP
InGaN

Impuls

Impuls

Spannung bei
I 20 mA
2V
1,6 2 V
2,5 V
3,5 V

Linse
LED-Kristall
Anode
(lang)

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V3.3

Kathode
(kurz)

77

Elektronische Bauelemente
6.7.2 Fotodiode
Aufbau:
hf >> Wg
Kontakt
(Anode)

hf > Wg

p
(RLZ)

die Ladungstrger werden durch das


Feld der RLZ auseinandergezogen
Fotostrom

+
n

Fotonen mit hf Wg erzeugen ein


Elektron-Loch-Paar (Generation)

indirekte Halbleiter (Si, Ge): Fotonen


mit hf = Wg generieren kein e-/e+-Paar
(fehlender Impuls), erst fr hf > Wg
gibt es direkte bergnge

Kontakt (Kathode)

ID

UD

-U0

EV=0
EV1
EV2

Solarzelle
Fotodiode

EV3
-U0/R

Fotodiode: Betrieb in Sperrrichtung

Solarzelle: Betrieb als Quelle

ID<0

ID<0

UD<0
UD>0
U0

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V3.3

78

Elektronische Bauelemente
6.7.3 Schottky-Diode
Elektronen sind in vielen Metallen fester gebunden als in Halbleitern FermiEnergie von Metallen ist meist kleiner als von Halbleitern, v.a. n-dotierten:
Metall

n-Halbleiter
Diffusion

WFme

Metall

n-Halbleiter

WFn
p - (W)

WF
p - (W)
x

Beim Metall-Halbleiter-Kontakt wechseln daher e- vom Halbleiter ins Metall


RLZ (im Halbleiter) und Bandverbiegung wie bei pn-Diode
Gleiche Fermienergie WFn = WFme = WF
Spannungs-Strom-Charakteristik wie bei der Diode:
Spannung in Flussrichtung: WFn > WFme Elektronen diffundieren vom
Halbleiter ins Metall groer Strom
Spannung in Sperrrichtung: WFn < WFme Diffusion stoppt kleiner
Reststrom (e- aus Metall, die Lcher auffllen)
Unterschiede zur pn-Diode:

Symbol:

Flussstrom wird nicht von Minorittstrgern gebildet


keine Diffusionsladung / Diffusionskapazitt (nur Sperrschichtkapazitt)
hohe Grenzfrequenz (10 100 GHz)
Schwellenspannung der Schottky-Diode: US 0,3 V
hherer Sperrstrom bei Schottky-Dioden

Bei sehr hoher Dotierung wird die RLZ so schmal, dass auch in Sperrrichtung efast ungehindert flieen knnen (Tunnel-Effekt). Dann entsteht ein einfacher
ohmscher Kontakt, keine Schottky-Diode.

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V3.3

79

Elektronische Bauelemente

6.8 Anwendungen
6.8.1 Gleichrichter

U, URL

Einweggleichrichter:
t

RL
U

U, URL

Spitzengleichrichter:

RL
U

IDiode
t

Brckengleichrichter:
~
U, UA

U
UA
~

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

80

Elektronische Bauelemente
6.8.2 Begrenzung von Spannungsspitzen
ffnet
bei t1

Beim Ausschalten induktiver Lasten (Spulen)


entstehen hohe Spannungen entsprechend

IL

R
RF

, z. B. 1

Gefahr von berschlgen!

UL

Durch eine parallelgeschaltete Diode (Freilaufdiode) kann der Spulenstrom sich


langsam abbauen, so dass UL deutlich reduziert wird.

6.8.3 Begrenzung einer Eingangsspannung


Schutz eines IC-Eingangs:

U0
IC

UE

Begrenzung von UE auf

(US: Schwellenspannung der Diode)

6.8.4 Spannungsstabilisierung
I

In Zener-Dioden (Z-Dioden) nutzt man den


Zenereffekt oder den Lawineneffekt, um die
Spannung an einer Stelle des Netzwerks auf
genau die Durchbruchspannung UZ einzustellen.

UZ = 3 V .. 75 V
UZ

Z-Dioden werden also immer im Sperrbereich


betrieben.
RV
U
UZ

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RL

V3.3

81

Elektronische Bauelemente
6.8.5 Abstimmung von Schwingkreisen
Die Sperrschichtkapazitt cS hngt von der Sperrspannung ab. Schwingkreise
kann man durch eine konstante Steuerspannung auf eine bestimmte Frequenz
einstellen.
Ust

LK

CK

cS

CrR

WW

2Em

Ua

ua

In Kapazittsdioden (Varicap) verwendet man hyperabrupte Dotierungsprofile,


um eine gewnschte Spannungs-Kapazitts-Charakteristik zu erhalten.

r"

r"

MJXX

UDiff: Diffusionsspannung
m:

Gradationsexponent; m = 0,2 .. 0,5

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V3.3

82

Elektronische Bauelemente

6.9 Simulationsmodell der Diode


Jede Diode verfgt in SPICE ber eine Modellbeschreibung der Form
.model mydiode d( param1=wert1

param2=wert2 )

Eine Auswahl verfgbarer Parameter findet sich in der folgenden Tabelle:

Parameter
(Skript)

SPICE

Bezeichnung

IS

Sperrsttigungsstrom

Idealittsfaktor

BV

Durchbruchspannung

IBV

MJXX

Werte fr
BAS16
2,8

nA

1,87
50

Durchbruchstrom (bei UBr)

100

RS

Bahnwiderstand

1,35

CJO

Sperrschichtkapazitt

0,6

pF

VJ

Diffusionsspannung

0,2

Gradationsexponent

0,1

TT

1,5

ns

hD

Minorittstrger-Lebensdauer
(Transitzeit)

EG

Bandabstand

1,16

eV

Das vollstndige SPICE-Diodenmodell beschreibt noch eine Vielzahl weiterer


Effekte:

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V3.3

83

Elektronische Bauelemente

6.10 Nichtlinearitt
Der Diodenstrom hngt nichtlinear von der Diodenspannung ab; das fhrt dazu,
dass Signale verzerrt werden.
U0 : Einstellung des Arbeitspunkts
cos 2EC*

u(t)
I
R

U0+u(t)

: ideale Sinusform

Wechselanteile von Diodenstrom und


Spannung am Lastwiderstand sind aber
nicht ideal sinusfrmig.

Das fhrt im Fourier-Spektrum zu Oberwellen:


FFT(URL)
V(U0)

V(URL)

2.0V

1.0V

f
0V
0s

1.0ms

2.0ms

3.0ms

f1

2f1 3f1

Gewnscht/ideal ist nur die Grundschwingung.

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V3.3

84

Elektronische Bauelemente

6.11 Rauschen
Die Diode erzeugt zwei Arten von Rauschen (noise):
Thermisches Rauschen in den neutralen Zonen (Bahnwiderstand)
Q

m4kl

Stromrauschen (auch Schrotrauschen) im pn-

I(t)

bergang (wegen statistischer Schwankungen


der Ladungstrgerzahl, die die RLZ berquert)
Q

m2 C

In beiden Fllen ist f die Bandbreite, die die Schaltung bertrgt.


Die Bandbreite wird begrenzt durch Filter oder die Grenzfrequenz
des Bauelements (parasitre Elemente):
C CD 1/ 2E M M
Das Kleinsignal-ESB kann man mit den
Rauschquellen ergnzen:

Un

RS

In
rD

cS
cD

Das Rauschen kann man beschreiben durch das Verhltnis einer gewnschten
Signalleistung zur Rauschleistung (SNR = signal-to-noise ratio)
L

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10 lg

V3.3

rJDQ

W &r i Q

85

Elektronische Bauelemente

7 Bipolar-Transistoren (BJT)
(BJT = bipolar junction transistor)

7.1 Verstrkerbetrieb
Emitter

Basis

Kollektor

Emitter

Basis

Kollektor

UBE

UCB
+

UEB

UBC

Bnderschema des npn-Transistors:


E
B

W
Diffusion
Drift

e.UBE
WF

e.UCB
Diffusion
x

RLZ (BE)

Lcher:

RLZ (BC)

diffundieren von der Basis in den Emitter


normaler Lcherstrom der BE-Diode

Elektronen: knnen massiv vom Emitter in die Basis diffundieren


werden von der BC-RLZ abgesaugt
groer Strom (deutlich grer als normaler Diodenstrom)
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V3.3

86

Elektronische Bauelemente
Minorittstrgerdichten im npn-Transistor:
E (n+)

B (p)

RLZ

C (n)

RLZ

pE(x),
nB(x),
pC(x)

B0

E0

Lp

dB

Emitter
thermodyn.
Gleichgewicht
Rand BE-RLZ

Rand BC-RLZ

Gradient

e-:

e+:

pC0

%JXX,Q

%JXX,R

IH

I -

IH exp

I -

b Q

. b Q

b R

Basis

GJ0

LM,

Qy-

Qy-

Qy-

,
,

GH exp
G -

GH exp

G -

G *

exp

exp

exp

'

'

1'
'

exp

'

exp

'

R
LN, LM,
R Q
V3.3

'

'

'

I+H exp
I+ -

'

I+ -

.0

0 F G -

F exp

GJ0
LM,+

I+H

'

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Kollektor

GJ0
LN,

GH

Lp

'

.0

.0

%JXX,Q

%JXX,R

87

Elektronische Bauelemente
Stromverstrkung B:

E (n+)

B (p)

C (n)

IE

IC
IB

UBE

UCB
+

ideal:

real:

GJ0
b Q
exp
LN,
.
GJ0
b R
exp
LM,

%JXX,Q

%JXX,R

exp

'

exp

Q LM,
R LN,

'

'

'

B unabhngig von UCB, weil exp F + / . 0


Steuerung von IC nur durch IB bzw. durch UBE
UCB ndert Breite der BC-RLZ, ndert also auch dB
ndert damit auch B (Basisweiten-Modulation)
dB(0)

BCRLZ

% H

*#

(UAF: Early-Spannung)

dB(UCB)

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V3.3

Q LM, R

0
R
N,

Z[[[[[\[[[[[]
: qQr" Q"

88

Elektronische Bauelemente

7.2 Sttigungsbetrieb
Wenn sowohl die BE-Diode als auch die BC-Diode leitet (UCB < 0), werden
Minorittstrger aus der Basis nicht mehr abgesaugt. Die Basis ist gesttigt mit
Minorittstrgern ( Sttigungsbetrieb). Die Trgerdichte in der Basis verluft
dann flacher:
UBE>0
UCB<0
E

GH exp

nB(x)

BCRLZ

GH exp

B0

dB

Damit sinkt auch der Elektronenstrom Idiff,n, fr UCB = -UBE wird Idiff,n = 0.
%JXX.Q

exp

F exp F

7.3 Inversbetrieb
Wegen des symmetrischen Aufbaus verstrkt der BJT auch, wenn die BC-Diode
leitet und die BE-Diode sperrt (UCB < 0, UBE 0). Der Strom IC ist dann negativ
(fliet aus dem Kollektor heraus), IB bleibt positiv (fliet weiterhin in die Basis
hinein, dann aber Richtung Kollektor: IBC).
Wegen ND,C ND,E ist die Rckwrts-Stromverstrkung
wesentlich geringer als B.
Emitter

Basis

Kollektor

UEB

allerdings

Mw ,

M , %

UBC

+
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V3.3

89

Elektronische Bauelemente

7.4 Kennlinien
Eingang

Den Transistor kann man als


(nichtlineares) Zweitor ansehen.
Meist liegt der Emitter gemeinsam
an Eingang und Ausgang.
Beachte:

Ausgang

7.4.1 Eingangskennlinie
Der Zusammenhang zwischen UBE und IB ist annhernd unabhngig von UCB und
damit auch unabhngig von UCE = UCB + UBE, der Ausgang hat fast keine
Rckwirkung auf den Eingang.
Der Basisstrom besteht hauptschlich aus dem Lcher-Diffusionsstrom Idiff,p und
wie bei allen Dioden dem kleinen Sttigungs-Driftstrom IBS. Es ergibt sich die
bliche Diodengleichung, wobei meist der Idealittsfaktor N 1 ist, weil die Basis
zu kurz fr Rekombinationen ist:

%JXX,R F

exp

IB

Die Kennlinie zeigt die fr Dioden


typische starke Temperaturabhngigkeit.

F 1

mit

NM Qy-

T0+T
T0

UBE

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V3.3

90

Elektronische Bauelemente
7.4.2 Ausgangskennlinienfeld
In jeder Betriebsart gilt:
%JXX,Q

+ exp

F exp

Fr die Kennlinie ist es blich, mit der Spannung UCE = UCB+UBE zu arbeiten:
+

+ exp

1 F exp

Bercksichtigt man noch, dass im Verstrkerbetrieb (UCE > UBE)


+

H 1

'

'

+ ,

gilt, ergibt sich insgesamt

H 1

80

'

'

1 F exp

1'
'

IC [mA]

T = const.

Sttigungsgrenze

125 A

60

Sttigungsbetrieb

100 A

Verstrkerbetrieb
40

75 A

IB

50 A
20
25 A
0
0

IB<0

UCE [V]

Inversbetrieb
IC

Wegen der Basisweitenmodulation sind die


Kennlinien geneigt. Sie schneiden sich bei UAF.
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V3.3

-UAF

UCE

91

Elektronische Bauelemente

7.5 Kennzeichnung von BJT


C

B
npn

Schaltbild:

E
pnp

(Pfeil in Richtung pn-bergang)

Bauformen:
Kleinsignal-Transistoren

Leistungstransistoren

Typenbezeichnung:
XXX 123 X

(BJT + FET)

A: Germanium
B: Silizium
C: GaAs

C:
D:
F:
L:
P:
S:
U:

Kleinsignal
Leistung
Hochfrequenz
HF + Leistung
Fototransistor
Schalten
Schalten + Leistung

Typenbezeichnung USA:

2 N XXXX

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V3.3

z.B. BC 550C

nur einige:
A: B 200
B: B 300
C: B 500

92

Elektronische Bauelemente

7.6 Arbeitspunkteinstellung
7.6.1 Ausgangskreis
Am BJT sind innerhalb gewisser Grenzen beliebige Spannungen UCE und
Strme IC mglich. Durch die Vorgabe eines Basisstroms wird die Auswahl auf
eine einzelne Kennlinie des Ausgangskennlinienfelds beschrnkt.
Durch die uere Beschaltung ergibt sich dann ein eindeutiger Arbeitspunkt (AP).

Ausgangsmasche:

RC
IC
IB

+ U0

N
+

UCE
-

N
+

N
+

N
+

RE

IC
U0
RC+RE

IB

AP

IC

UCE
AP

UCE

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V3.3

U0

93

Elektronische Bauelemente
Die Wahl der mglichen AP wird eingeschrnkt durch:
1.
2.

2
+

2
+

3.

(bei berschreiten berlastung der Kontaktierung oder Elektromigration)


(Lawinendurchbruch der BC-Diode oder dB 0)
+

+ 2

(bei berschreiten Zerstrung durch Hitze)

4. Zweiter Durchbruch (lokale berhitzung)

Das Gebiet, das brig bleibt, heit safe operating area (SOAR):
IC
1
3

SOAR

2
UCE

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V3.3

94

Elektronische Bauelemente
7.6.2 Basis-Spannungsteiler
Der fr den AP bentigte Basisstrom IB kann mit dem Spannungsteiler R1/R2
erzeugt werden. Vorgehensweise (gegeben + , , N , +N ; . + ):
N

1. aus

R2

IC

IR1

IB

IR2

UBE

UR2

+ U0

0 ;

N
+

3. sinnvolle Wahl von


z.B. 0 10 N

RE IC

4. obere Eingangsmasche:
*

RE

. 0,75 V

2. untere Eingangsmasche:

RC

R1

(Eingangskennlinie); oder grob

0/

*/

N
,

Nachteil Basis-Spannungsteiler:
relativ hoher Strom IR2 belastet die Quelle
2 Widerstnde bentigt

Vorteil:
geringe Abhngigkeit von Transistorkennwerten
(gnstig bei Serienproduktion oder Ersatz durch anderen BJT)

Achtung: Die Spannungsteilerformel gilt NICHT,


0

t# -

, wegen der Stromentnahme von

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V3.3

N
.

95

Elektronische Bauelemente
7.6.3 Basis-Vorwiderstand
Der Basisstrom IB kann auch mit einem einzigen Widerstand RB eingestellt werden
N
aus Eingangskennlinie):
(mit
Eingangsmasche:
H

RC

RB

IC

IB
UBE

+ U0

RE

RE IC

N
+

N
+

Nachteil Basis-Vorwiderstand:

N
~ 1/ ;

nderung des Basisstroms durch Temperatur verschiebt AP,

hngt stark vom Transistor ab (ungnstig fr Massenproduktion)

Vorteil:
nur ein Widerstand

geringere Belastung der Quelle (RB R1 + R2 bei Spannungsteiler)

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V3.3

96

Elektronische Bauelemente

7.7 Grosignalmodell
Der Transistorstrom IC lsst sich zerlegen in zwei Diodenstrme:
+

+ exp

F exp

exp

F1 F

exp

F1

Im Verstrkerbetrieb ist + (IB in Richtung Emitter), im Inversbetrieb gilt


F + (IB in Richtung Kollektor). Man kann alle Betriebsflle vereinen zu
+

Durch Vergleich mit der obigen Formel erhlt man ein Modell mit zwei Dioden und
einer gesteuerten Transfer-Stromquelle IT (Gummel-Poon-Modell), wie es auch
PSPICE verwendet:

n
E

IT = B IBE - BR IBC

RES

IBE

RCS

IBC
RBS

Im Modell sind auch die Bahnwiderstnde zu erkennen. Achtung: die beiden


Dioden sind nicht identisch!
Das Grosignalmodell wird verwendet, um den Arbeitspunkt (Gleichstrme und
Gleichspannungen) zu bestimmen. Die eigentlichen Signale sind reine
Wechselgren und werden im Kleinsignalmodell bercksichtigt.

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

97

Elektronische Bauelemente

7.8 Kleinsignalmodell
7.8.1 ESB fr niedrige Frequenzen
Das Kleinsignalmodell stellt eine linearisierte Beschreibung dar, die in der
Umgebung des Arbeitspunktes (Verstrkerbetrieb!) gltig ist. Je grer die
Amplitude der Wechselsignale, umso grer wird der entstehende Fehler.
Eingang, BE-Diode:

Diodengleichung:

exp

'

'

IB

F 1

AP

Die Kennlinie wird im AP linearisiert:

IB

UBE

AP

UBE

Ausgang, Stromquelle:

Der Transferstrom . +
wird vom Basisstrom gesteuert. iT wird
deshalb als Stromquelle modelliert.

IC
AP
iC

uCE

iT ist nicht ideal, sondern hngt


schwach von UCE ab. Die
-UAF
Abhngigkeit kann man mit
einem Innenwiderstand modellieren.

N
+

N
+

iB

Ersatzschaltbild:

mit

UCE

'

uBE

'

gBE

iT

gCE

(bertragungssteilheit, formal
ein Leitwert)

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V3.3

98

Elektronische Bauelemente
7.8.2 ESB fr hhere Frequenzen
Diffusionskapazitt der Basis:
In der Basis finden sich berschuss-Minorittstrger (Elektronen bei npn), die bei
einer Spannungsnderung uBE auf- oder abgebaut werden mssen:

b
*

GH exp

'

'

BCRLZ

Mit dem Kollektorstrom


+

b Q GH exp

'

'

Qn

kann man auch schreiben


Q

*
0

Mw

B0

dB

B ist die Basis-Transitzeit.

Wie bei der Diode definieren wir eine (differentielle) Diffusionskapazitt

1 0

2 Q

N
+

Sperrschichtkapazitt:

1 0


2 Q

Die RLZ der BC-Diode bildet eine Sperrschichtkapazitt +

H W

Es gilt + (vgl. Dioden, Diffusionskapazitt Sperrschichtkapazitt)

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V3.3

99

Elektronische Bauelemente
Daraus kann man nun das Ersatzschaltbild nach Giacoletto zusammenbauen:
RBS
B

iB

cBC

RCS
C

uBE

gBE

cBE

iT

gCE

RES
E

Symbol

Element
iT

gBE

Formel

gesteuerte
Stromquelle

Eingangsleitwert

gCE

Quellenleitwert

cBE
cBC

Diffusionskapazitt
Sperrschichtkap.

RBS
RCS
RES

Bahnwiderstnde

Kommentar

.
N
+

1
.

N
+

N
+

meist
vernachlssigbar
nur bei hohen
Frequenzen
meist
vernachlssigbar

Der Transferstrom iT wird nur von dem Teil des Basisstroms gesteuert, der durch
gBE fliet. Der Rest des Basisstroms baut die berschuss-Minorittstrger auf und
ab (Laden/Entladen der Diffusionskapazitt cBE und Sperrschichtkapazitt cBC).
Die Wechselstromverstrkung ist daher frequenzabhngig:

Die bertragungssteilheit
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&

(formal ein Leitwert) ist frequenzunabhngig.

V3.3

100

Elektronische Bauelemente

7.9 PNP-Transistor
UEB

Transferstrom besteht aus Lchern

IE

im Vergleich zu NPN sind alle


Spannungen und Strme invertiert

wegen p < n sind pnp-Transistoren


langsamer und verstrken weniger als
npn-Transistoren mit gleichen
technologischen Parametern
(Dotierung, Gre etc.).

IB
C

Grosignalmodell:

IT = B IBE - BR IBC

IC

Kleinsignalmodell:

UEC

C
gBE

uEB
IBE

IBC

iB
B

Sie werden deshalb nur zum Schalten oder in


Komplementr-Verstrkern (pnp + npnTransistorpaar) eingesetzt.

Iout

Inpn
t

npn
UCE

+UB
UE

gCE

iT

2UB

Ipnp

Iout , Uout
t

-UB
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V3.3

101

Elektronische Bauelemente

7.10 Grenzfrequenzen
Basierend auf der Wechselstromverstrkung

definiert man zwei Grenzfrequenzen des BJT:


||
B
B/ 2

(Mastab
doppeltlog.)

C : | |

C : | |

(ab hier macht sich die Frequenzabhngigkeit bemerkbar)

2EC

fT

1 C

2E

(ab hier verstrkt der BJT gar nicht mehr; Transitfrequenz)

| |.

2EC

1 C

2E

1
2E

Die Ursache der Transitfrequenz ist also die Basis-Transitzeit B


(Zeitspanne, in der die Elektronen die Basis durchqueren).

Schaltungen mit Gegenkopplung besitzen noch mehr


Grenzfrequenzen; siehe Emitterschaltung!

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

102

Elektronische Bauelemente

7.11 Temperaturverhalten
7.11.1

Kennlinien

Sowohl der Basisstrom IB als auch der Kollektorstrom IC sind proportional zum
Quadrat der temperaturabhngigen Eigenleitungsdichte ni (vgl. Diode).
Wie sich bei einer Temperaturnderung der Arbeitspunkt verschiebt, hngt von
der ueren Beschaltung ab:
IB
1. Aus der Eingangskennlinie mit
Arbeitsgerade kann man die
N
nderung von
bzw. N ablesen.
UBE

2. Mit dem neuen N sucht man nun im


Ausgangskennlinienfeld die passende
Kennlinie + , + .
3. Wiederum mit Hilfe einer Arbeitsgeraden
N
und +N .
findet man die neuen Werte von +

IC

UCE

Ist ein Emitterwiderstand RE vorhanden, dann ist die Eingangs-Arbeitsgerade von


N
+ abhngig. In diesem Fall kann man nur iterativ zu einer Lsung kommen,
indem man die Schritte 1.-3. mehrfach wiederholt, um zu besseren Ergebnissen
zu kommen.

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V3.3

103

Elektronische Bauelemente
7.11.2

Leistung

Im Transistor wird Leistung umgesetzt in Wrme. Anders als bei der Diode ist hier
aber zwischen Gleich- und Wechselleistung zu unterscheiden:

N
N
Die Gleichleistung ergibt sich zu _
+ + . Strom und Spannung haben
gleiche Orientierung, deshalb wird Leistung verbraucht und erwrmt den BJT.

Die Wechselleistung ~
+ 0 wird abgegeben (an den Lastwiderstand)
und verringert deshalb die Gesamtleistung D r _ ~ .
IC>0

uCE<0

UCE>0
iT>0

Die Erwrmung wird wieder ber den thermischen Widerstand bestimmt:


l

"i

Die Erwrmung T ist nur dann konstant, wenn die Wechselsignale schneller sind
als die Wrmezeitkonstante
"i "i .

7.12 Nichtlinearitt
Wie die Diode ist der BJT ein nichtlineares Bauelement; grere Auslenkungen
aus dem Arbeitspunkt fhren zu Verzerrungen.
Das gilt vor allem bei Spannungssteuerung durch uBE.
Die Steuerung durch eingeprgtes iB hingegen ist fast linear!
IC

IC

UBE

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

IB

V3.3

104

Elektronische Bauelemente

7.13 Rauschen
Auch beim BJT zeigen die ohmschen Bahnwiderstnde thermisches Rauschen,
und an den beiden pn-bergngen entsteht Schrotrauschen (Stromrauschen).
Das Rauschen der Bahnwiderstnde kann meist vernachlssigt werden, evtl. mit
Ausnahme von RBS, weil die Rauschspannung verstrkt wird.
Es ergibt sich damit ein erweitertes Kleinsignal-ESB:
Un

RBS

cBC

B
gBE

IBE,n

cBE

iT

gCE

ICE,n

m4kl

v2

,Q

+,Q

v2

N
+

Auch hier wird die Bandbreite f begrenzt entweder durch uere Beschaltung
(Filter) oder durch parasitre Elemente, d.h. die Grenzfrequenz f des BJT.

Zur Beschreibung des Rauschens in Zweitoren dient die Rauschzahl F (in dB).
Sie beschreibt, um wie viele dB sich das SNR am Ausgang verschlechtert:
L

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JQD QD

V3.3

F L

N&rD QD

105

Elektronische Bauelemente

7.14 Simulationsmodell
SPICE verwendet ein erweitertes
Gummel-Poon-Modell zur Beschreibung von BJT. Es enthlt auch
die Wechselsignal-Komponenten,
z.B. Sperrschichtkapazitt, BasisTransitzeit ( Diffusionskapazitt)
sowie Rauschquellen.

Eine Auswahl der verfgbaren


Parameter findet sich in der
folgenden Tabelle:
Parameter
(Skript)

SPICE

ICS

IS

B
BR
UAF
RBS
cBC
B
WG

BF
BR
VAF
RB
CJC
TF
EG

Bezeichnung

Werte fr
BC550C

Sperrstrom der TransferStromquelle IT


Stromverstrkung
Rckwrts-Stromverstrkung
Early-Spannung
Basis-Bahnwiderstand
Sperrschichtkapazitt BC-Diode
Basis-Transitzeit
Bandabstand

7,05 fA
493
2,9
23,9
10
5,5
420
1,11

pF
ps
eV

Mit den Anweisungen


.model mybjt npn(param=wert )

oder

.model mybjt pnp(param=wert )


kann man SPICE diese und weitere Parameter mitteilen.

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V3.3

106

Elektronische Bauelemente

8 Feldeffekt-Transistoren (FET)
8.1 MOS-FET
8.1.1 Inversionskanal
Beispiel n-Kanal-MOSFET: Auf p-dotiertem Substrat befinden sich zwei n-Zonen:
Source und Drain. Dazwischen liegt isoliert die Gate-Elektrode. Durch eine
positive Spannung UGS > Uth > 0 (Uth: Einsatzspannung) werden Leitungselektronen aus dem p-Gebiet bis zur Isolationsschicht angezogen und bilden
dort einen n-leitenden Kanal im p-Gebiet (Inversionskanal).
Gate (G)

UGS > Uth > 0

SiO2

Drain
(D)

Source
(S)

Inversionskanal

L
W

Substrat = Bulk (B)

Zwischen p- und n-Gebieten bildet sich eine Raumladungszone (RLZ) aus.


Die SiO2-Isolationsschicht stellt zusammen mit der Gate-Elektrode und dem
Inversionskanal einen Kondensator dar mit einer Kapazitt
H J

J -

Die im Kanal gespeicherte Ladungsmenge ist

"i

Uth ist die Einsatzspannung (threshold), die ntig ist, damit sich ein Kanal bildet.
Uth hngt von der p-Dotierung und Randeffekten der SiO2-Schicht ab.
Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

107

Elektronische Bauelemente
8.1.2 Kanalstrom
Eine Spannung UDS zwischen Drain und Source setzt Qch in Bewegung mit der
/P ist diese
Geschwindigkeit P Q M / . Nach der mittleren Zeit i
Ladungsmenge quer durch den Kanal gewandert und stellt damit einen
|!" |

Kanalstrom

#!"

dar. Qch wird von der Quelle UGS laufend ersetzt.

UGS > Uth > 0

Die Spannung zwischen Gate


und Kanal hat nur an der
Source-Seite den Wert UGS.

UDS

Sie verringert sich zur DrainSeite hin, wo nur noch


UGS UDS wirkt. Damit
befinden sich dort auch
weniger Ladungen im Kanal
als auf der Source-Seite.

D
+

RLZ
L

Die Kanalladung ergibt sich


aus dem Durchschnitt der
Spannungen

Damit knnen Kanalladung und Kanalstrom angegeben werden:

0/

e F

"i g

"i

F
M

"i

"i


ID ist eine Funktion von UDS, deshalb nennt man diesen Arbeitsbereich
Widerstandsbereich. Der Kanalwiderstand wird von UGS gesteuert und ist fr
kleines UDS ungefhr
i

M
M

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

1
F
V3.3

"i

wenn

"i

108

Elektronische Bauelemente
UGS > Uth > 0 U >U -U
DS
GS th
S

D
+

UDS
UDSP=UGS-Uth

RLZ

Kanalabschnrung
v = vsat

ID ist an jeder Stelle des Kanals gleich


gro, wird aber zur Drain-Seite von
weniger Elektronen getragen
(geringere Kanaldicke), die sich zum
Ausgleich schneller bewegen mssen.
Die obere Grenze der Geschwindigkeit
ist Pr " . 10 j/, bei der die
Kanaldicke fast 0 ist (Abschnrung,
pinch-off). Das ist bei
M

"i

der Fall. (UDSP: Abschnrspannung).


Fr UDS > UDSP verschiebt sich der Abschnrpunkt um L L in den Kanal
hinein.
Am nicht abgeschnrten Bereich der Lnge
Spannung M
F "i an. Hier gilt:
1
i,W r" F
2

F .

W r"

Die Laufzeit der e in diesem Bereich ist

i,W r"

W r"

Q V

liegt die

daraus folgt der Strom


M

i,W r"
i,W r"

0
M

"i

ID ist vllig unabhngig von UDS. Der FET arbeitet in diesem Bereich
(Sttigungsbereich) als Stromquelle, die nur von UGS gesteuert wird. Im
Gegensatz zum BJT fliet kein Steuerstrom.
Im abgeschnrten Bereich wird der Kanal nicht mehr durch die Gatespannung
aufrechterhalten, sondern wird erzwungen durch den Strom, der im nicht
abgeschnrten Kanalteil entsteht und weiterflieen muss. Es liegt die Spannung
UDS-UDSP an, die aber nichts bewirkt, da sich die e bereits mit vsat bewegen.

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V3.3

109

Elektronische Bauelemente
Ideale Kennlinie:
Widerstandsbereich
w +%&

Sttigungsbereich
w +%&

M
F
0

'&
0

"i

"i

UGS

ID

Sttigungsbereich

ID

25

Sttigung:
UDS > UGS-Uth

20

UDS

Widerstands
bereich
25

ID

20

15

15

10

10

UGS

Uth
0

UGS

UDS

Im Widerstandsbereich hat jeder ID-Kennlinienast unterschiedliche Steigung!

8.1.3 Substratsteuerung
Das Substrat (bulk, body) kann ber einen eigenen Anschluss (B) verfgen. Durch
eine Sperrspannung UBS zwischen Bulk und Source (beim n-Kanal MOSFET mit
p-Substrat negativ) wird die RLZ erweitert und der Kanal damit verkleinert.
Effektiv ndert sich die Einsatzspannung Uth um ein
wobei eine transistorabhngige Konstante ist.

"i ~m

F ,

Wo dieser Effekt nicht gezielt genutzt wird, ist das Substrat mit Source
kurzgeschlossen (UBS = 0).

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

110

Elektronische Bauelemente
8.1.4 Abweichungen von idealer Kennlinie
Kanallngenmodulation (vgl. Basisweitenmodulation beim BJT)
Durch die Spannung UDS > UDSP (Sttigung) verschiebt sich der Abschnrpunkt in
den Kanal um die kleine Lnge L, deren Wert von UDS abhngt.
Wegen

M ~1/

F ndert sich also ID auch im Sttigungsbereich mit UDS.

Nherungsweise kann man im Sttigungsbereich annehmen


M

Der Kanallngen-Modulationsparameter (Einheit 1/V) spielt


die gleiche Rolle wie beim BJT
die Early-Spannung ( 1/UAF).
Die Kennlinien sind im
Sttigungsbereich leicht geneigt;
alle verlngerten Kennlinien
treffen sich bei M F1/,.

"i

'

( )*+
ID

-1/

UDS

Kurzkanal (L unter 1 m):


UDS fhrt zu hoher Feldstrke E = UDS/L, so dass sich auch im nicht
abgeschnrten Kanalteil die e mit Pr " . 10 j/ bewegen.
die Kanallaufzeit

/Pr

"

ist konstant Sttigungsstrom ist


F i
i

"i

und hngt nicht mehr quadratisch, sondern nur noch linear von (UGS-Uth) ab.

Drain-Reststrom
Auch fr UGS = 0 bewirkt eine Kanalspannung UDS einen sehr kleinen Reststrom
IDSS (Datenblatt: cutoff current), nmlich den Sperrstrom der Substrat-Drain-Diode
(n-Kanal) bzw. Substrat-Source-Diode (p-Kanal).
Wichtig fr Schalteranwendungen!

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

111

Elektronische Bauelemente
8.1.5 Verarmung und Anreicherung
Durch positiveres UGS wird der n-Kanal erweitert (Anreicherungsbetrieb,
enhancement); ein p-Kanal wird durch negativeres UGS erweitert.
Da bei UGS = 0 kein Kanal vorhanden ist, ist dieser MOSFET selbstsperrend.
D
B

n-Kanal
selbstsperrend
(Anreicherungstyp,
enhancement)

S
UGS

ID

ID

Uth

UGS
Uth

p-Kanal
selbstsperrend
(Anreicherungstyp,
enhancement)

D
B

UDS

ID
UGS

UDS

UGS
0

ID

Indem der Bereich des Kanals (schwach) dotiert wird, kann die Einsatzspannung
Uth eingestellt werden.
Bei n-Dotierung (auf p-Substrat) kann bereits bei UGS 0 ein n-Kanal vorliegen,
der mit negativem UGS kleiner wird. In diesem Fall liegt ein selbstleitender
MOSFET vor, der im Verarmungsbetrieb (depletion) arbeitet. Entsprechend fr
n-Substrat (p-Kanal).
Der Drain-Reststrom ist
D
B

0 0

D
B

p-Kanal
selbstleitend
(Verarmungstyp,
depletion)

0 Uth

ID

UDS
UGS

UGS

IDSS

IDSS
UGS

UDS

UGS
0

n-Kanal
selbstleitend
(Verarmungstyp,
depletion)

ID

Uth

ID

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

ID

112

Elektronische Bauelemente

8.2 Sperrschicht-FET
JFET = Junction FET:

UGS < 0

Drain

Source

Gate
+

RLZ
RLZ

Gate und Kanal sind nur


durch zwei RLZ getrennt.
Die Breite des Kanals kann
durch eine Sperrspannung
UGS < 0 verkleinert werden.

Kanal

UGS < 0

UDS > 0

Drain

Source

Gate
+

RLZ
n
RLZ
p

UGS < 0

UDS > UDSP

Drain

Source

Gate
+

n
p

Abschnrung

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

Mit der Spannung UDS fliet


ein Kanalstrom ID. Der
Kanal schnrt sich zur
Drain-Seite ein, weil dort
die grere Sperrspannung
UGS-UDS herrscht. Die
Elektronen dort flieen
schneller.

Fr UDS > UGS-Uth = UDSP


(Abschnrspannung) hat
der Kanal an der Drainseite nur noch minimale
Dicke.
Die Elektronen bewegen
sich mit Pr " 10 j/
und ID bleibt annhernd
konstant.

113

Elektronische Bauelemente
Auch beim JFET unterscheidet man den Widerstandsbereich (UDS < UDSP), in
dem ID = f(UDS) ist und der Kanalwiderstand von UGS gesteuert wird, und dem
Sttigungsbereich, wo ID konstant ist (von UGS gesteuerte Stromquelle).

Die Kennliniengleichungen sind:


Widerstandsbereich:

Sttigungsbereich:

F * m

1F

/ "i

%JXX

* m

%JXX

, IDSS ist wieder ID(UGS = 0)

Da zwischen Gate und Kanal immer eine RLZ liegen muss, arbeitet der JFET
nur im Verarmungsbetrieb. Es fliet ein sehr geringer Gatestrom, der Sperrstrom
der Gate-Kanal-Diode (pn-bergang).
D

D
n-Kanal JFET

p-Kanal JFET

IDSS
Uth

ID

UGS
UDS

UGS
0

ID

ID

Uth

UDS
UGS
UGS

IDSS

ID

JFET werden heute seltener verwendet, da die MOSFET-Technologie sehr


ausgereift ist. Ein Vorteil des JFET bei hheren Frequenzen ist die kleine GateKapazitt (die RLZ-Dicke ist grer als die Oxiddicke des MOSFET).

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

114

Elektronische Bauelemente

8.3 Arbeitspunkteinstellung
Die Spannung am Gate wird mit einem Spannungsteiler eingestellt. Da kein GateStrom fliet, wird der Spannungsteiler nicht belastet (anders als beim BJT).
U0
RD
IDRS

ID

R1

ID
U0
RS+RD

UDS
UR2

IDRS

UGS
R2

1. whle

AP

IDAP

RS
N N
M , M und

UDS
UAP
DS

U0

RS (U0 gegeben).

2. aus Eingangskennlinie folgt

3. aus Maschengleichung:

folgt

t# -

whle R1 oder R2 frei (Grenordnung M) und berechne anderen Widerstand


4. aus Maschengleichung:

folgt RD

Bei selbstleitenden Typen, auch JFET, gengt ein einzelner Widerstand vom Gate
nach Masse, um
F M zu bewirken.

ID

RD

U0

0V
UGS<0
R2

RS

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

115

Elektronische Bauelemente

8.4 Temperatureinfluss
8.4.1 Kennlinie
temperaturabhngige Parameter:

+%&
0

"i

Beweglichkeit n der Ladungstrger im Kanal ( fr T, damit auch ID)


Einsatzspannung Uth (|Uth| fr T, damit ID)

bei groem UGS dominiert n


(Strom ID sinkt mit T),

ID

ID

fr ein bestimmtes UGS ist ID vllig


unabhngig von der Temperatur,
Uth

UDS bei UGS Uth dominiert Uth-Effekt


(Strom ID steigt mit T).

UGS

8.4.2 Wrmeableitung
Da die Temperatur im Kanal einen bestimmten Wert nicht berschreiten darf, ist
die maximale Verlustleistung begrenzt, abhngig von der Wrmeableitung ber
den thermischen Widerstand Rth.
Im Datenblatt finden sich Angaben zur Lastminderung (derating) und zu gepulster
Leistung (vgl. Diode und BJT).

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V3.3

116

Elektronische Bauelemente

8.5 Kleinsignalmodell
Fr niedrige Frequenzen stellt der FET nur eine gesteuerte Stromquelle dar,
wobei das Gate vollkommen isoliert ist. Der Strom ergibt linearisiert

'%&

Wegen der Kanallngenmodulation ist die Stromquelle nicht ideal, sondern


hat einen Innenleitwert gDS.

cGD

RGG

RDD
iT

G
uGS

cGS

cDS

Fr hhere Frequenzen mssen


die parasitren Kapazitten
bercksichtigt werden.

gDS

RSS
S

Die Bahnwiderstnde RGG, RDD und RSS werden selten bentigt.

M .

'&

liest man als Steigung

der ID(UDS)-Kennlinie im

'%&

ist die Steigung der

ID(UGS)-Kennlinie im

Arbeitspunkt ab

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

Arbeitspunkt

V3.3

117

Elektronische Bauelemente
Im Datenblatt sind die Kapazitten hufig nach der Zweitor-Leitwert-Darstellung
angegeben:
Zweitorleitwerte: -

i
u

G
S

./0

D
S

G
S

i
u

D
S

Jrr

Jrr F Wrr

qrr

qrr F Wrr

Wrr

i
u

G
S

ESB

D
S

Wrr

Bei welcher Frequenz sich die Kapazitten bemerkbar machen, hngt von der
ueren Beschaltung ab.
Bei einer Eingangsspannungsquelle mit Innenwiderstand entsteht uGS durch
komplexe Spannungsteilung. Bei einem hohen Innenwiderstand macht sich
cGS (und evtl. cGD und cDS) bereits bei niedrigen Frequenzen bemerkbar.
RQ

iG

cGD

uQ

iT
uGS

cGS

cDS

gDS
S

1/ Jrr
1/ Jrr

Jrr

Da das Gate isoliert ist, fliet kein Gleichstrom hinein. Wechselstrom iG kann aber
ber cGS und cGD flieen,
Jrr
. Fr Wechselstrme kann man wie beim
BJT eine Stromverstrkung angeben:

Jrr

Bei der Transitfrequenz fT ist || = 1, daraus folgt


C
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V3.3

Jrr

2EJrr

118

Elektronische Bauelemente
Bei der Messung der Zweitor-Leitwerte (Kapazitten) darf der Kurzschluss nur fr
den Wechselanteil und nicht den Arbeitspunkt gelten, deshalb ein groer
Kondensator zwischen D und S!
U0

uDS=0
RQ
uQ

UDS>0
Arbeitspunkt!

8.6 Nichtlinearitt
Die Verzerrungen bei Spannungssteuerung sind beim FET geringer, weil der
Zusammenhang zwischen ID und UGS quadratisch ist, beim BJT zwischen IC und
UBE exponentiell.
Die Exponentialfunktion hat viele Oberwellen, so entstehen beim BJT mehr
strende Frequenzanteile.

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V3.3

119

Elektronische Bauelemente

8.7 Rauschen
Rauschquellen sind:
thermisches Rauschen des Kanals:
n4kl

M,Q

2
C
3

Der Leitwert des Kanals geht nur zu 2/3 ein!

Bahnwiderstnde, von denen evtl. RGG relevant ist (Verstrkung)


m4kl

1/f-Rauschen des Kanals (vernachlssigbar ber 1 kHz)


cGD

G
RGG

D
iT

Un
cGS

IDS,n

cDS

gDS
S

f ist wieder die Bandbreite der Schaltung (bis zu einer 3dB-Grenzfrequenz) oder
die Bandbreite des Transistors.

Auch beim FET ist im Datenblatt meist eine Rauschzahl F (dB) angegeben.

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

120

Elektronische Bauelemente

8.8 Simulation
8.8.1 MOSFET
LTspice verfgt ber n- und p-Kanal-MOSFET-Elemente mit und ohne
Substratanschluss (NMOS/PMOS bzw. NMOS4/PMOS4).
Jedem Element muss ein Modell zugeordnet werden:
.model myfet nmos()

oder

.model myfet pmos()

Darin knnen mit LEVEL verschiedene Modelle gewhlt werden; es stehen u.a.
folgende Parameter zur Verfgung:
Parameter
(Skript)
RGG
L, W
cGS/W,
cGD/W,
Uth
Q

dSiO2
n

SPICE

Bezeichnung

RG
L, W
CGSO,
CGDO
VTO

Gate-Bahnwiderstand
Kanallnge- und breite

KP

Konstante fr ID

LAMBDA
TOX
UO
PHI

Kanallngen-Modulationsparameter
Gate-Oxiddicke
Beweglichkeit (im Kanal)
Potential fr Substrat-Steuerung

parasitre Kapazitten pro Kanalbreite


Einsatzspannung

Einheit

m
F/m
V
A/V
1/V
m
cm/Vs
V

8.8.2 JFET
Es stehen p- und n-JFET bereit (PJF, NJF). Modellparameter sind u.a.:
Parameter
(Skript)
Uth

cGS, cGD
IS

SPICE
VTO
LAMBDA
CGS,
CGD
IS

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Bezeichnung

Einheit

Einsatzspannung
Kanallngen-Modulationsparameter

V
1/V

parasitre Kapazitten

F/m

Gate-Sperrstrom

V3.3

121

Elektronische Bauelemente

9 Transistoranwendungen
9.1 Leistungsverstrker
9.1.1 Emitterschaltung mit RE (BJT)
Der Emitter ist hier gemeinsamer
Anschlusspunkt fr Eingang und
Ausgang.

R1

Die Kondensatoren sind so gro,


dass sie fr alle betrachteten
Wechselsignale Kurzschlsse
darstellen. Auch die Spannung U0
ist fr Wechselsignale ein
Kurzschluss.

R2

Fr groe B ist

P'

RL

uA
RE

1
&

W # #*
+

R C RL

, so dass

. F

iT

iB

R1||R2

1 . und

RE

B r
BE

Die Ausgangsspannung betrgt

gCE

Im WS-ESB liegen die Widerstnde


R1/R2 sowie RC/RL parallel.

+ U0

uBE

uE

uE

uA

iB

Als Lastwiderstand kann auch RC


dienen, der aber zustzlich zu
Wechselsignalen auch vom APGleichstrom +N durchflossen wird.

Durch RE fliet
so dass

RC

nherungsweise unabhngig vom Transistor wird. Wegen gCE kann die


Spannungsverstrkung aber nicht beliebig gro gemacht werden.

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

122

Elektronische Bauelemente
Fr die Quelle uE stellt der Transistor einen Widerstand

dar; der gesamte Eingangswiderstand betrgt

)z

* 0

* 0

Den Ausgangswiderstand bestimmen wir wie bei einer Ersatzquelle ber


Leerlaufspannung N und Kurzschlussstrom N 0 :

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

123

Elektronische Bauelemente
9.1.2 Emitterschaltung ohne RE (BJT)
Parallel zum Emitterwiderstand befindet
sich ein Kondensator, der alle
betrachteten Wechselsignale ber RE
kurz schliet.

RC

R1

uA

iB
uE

uBE

R2

RE

B
uE

Im WS-ESB liegen die Widerstnde


R1/R2 sowie RC/RL parallel, und der
Emitter liegt direkt auf Masse.

+ U0

RL

gBE

gCE

R1||R2

RC

iT

uA

RL

Vernachlssigt man gCE, dann gilt


fr die Ausgangsspannung
N

WechselstromArbeitsgerade
~ 1/(RC||RL)

IC

+ ||

GleichstromArbeitsgerade
~ 1/(RC+RE)

iT

Im Ausgangskennlinienfeld
entspricht dieser Zusammenhang
der Wechselstrom-Arbeitsgeraden.

uA

UCE

(Die Gleichstrom-Arbeitsgerade gilt nur noch fr langsame nderungen)

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

124

Elektronische Bauelemente
Mit

P'

ergibt sich die Wechselstrom-Verstrkung

+ ||

+ ||

Fr die Quelle uE stellt der Transistor einen Widerstand

dar; der gesamte Eingangswiderstand betrgt

* 0

)z

Der Ausgangswiderstand bestimmt sich wie bei der Emitterschaltung mit


Gegenkopplung und ergibt wieder
N

Im Vergleich zur Emitterschaltung mit Gegenkopplung ergibt sich hier:


eine grere WS-Verstrkung vU
ein kleinerer Eingangswiderstand
der gleiche Ausgangswiderstand

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

125

Elektronische Bauelemente
9.1.3 Frequenzabhngigkeit
U0

In realen Schaltungen ist die

RB

RC

Eingangsspannung uE nicht ideal


CK

(Innenwiderstand RQ) und die


Koppelkapazitten (CK, CE) sind

RQ

endlich.

v3

4
f

f2

f3

f4
CK

Hochpass CK/re:

f < f1:

1/
1/

RQ

uE

rBE

re

Grenzfrequenz
C* . 1/ 2E

RC

uQ ~

RE

RB

uA

f1 < f < f2: gegengekoppelte Emitterschaltung

f3 < f < f4: Emitterschaltung ohne Gegenkopplung

Ab C0 .

0s

CE

Die Spannungsverstrkung
P'
N / ist frequenzabhngig, weil der Innenwiderstand RQ der Quelle mit
CK, CE und den Transistorkapazitten cBE und cBC
Spannungsteiler bildet.

v2

f1

RE

RQ rBE BRE RB;


cBC cBE CK)

vU (doppeltlog.)

uE

uQ ~

(Annahmen:

uA

CK

wird CE immer wirksamer, ab C4 .

Gegenkopplung zu vernachlssigen.

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

P0 . F

P4 . F
*

0s+ /

ist die WS-

126

Elektronische Bauelemente
4 : Die Verstrkung vU sinkt ab f4 f (Transistorgrenzfrequenz). Dafr ist der
Miller-Effekt verantwortlich, der die kleine Kapazitt cBC am Eingang eines
Spannungsverstrkers enorm vergrert erscheinen lsst:
N

C
iE

v
uE

uA

iE
uE

uA

(1-v)C

1FP

Bei einem Spannungsverstrker erscheint eine Querkapazitt um den Faktor


1-v vergrert am Eingang. Da die Emitterschaltung als Spannungsverstrker
arbeitet, wirkt die kleine Sperrschichtkapazitt cBC vergrert.
Am Eingang liegt dann die effektive Kapazitt
uQ ~

RQ
uE

ceff

XX

rBE
RC
uA

RQ und ceff bilden einen


Spannungsteiler (Tiefpass)
mit der Grenzfrequenz
C; .

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

0s 1 )uu

127

Elektronische Bauelemente
9.1.4 Source-Schaltung (FET)
Das quivalent zur Emitterschaltung; fast alle Formeln knnen einfach bertragen
werden ( , / ).
Source ist hier gemeinsamer Anschlusspunkt (Masse) fr Eingangs- und
Ausgangskreis.
U0

RD
R1
uE

R2

G
uE

uA

uGS

RS

cGD

gDS

cGS

R1||R2

RL

iT

RD

uA

RL

M ||

P'

Belastung der Quelle ue mit:


N

Ausgangswiderstand:

)z

M ||

* 0

Frequenzabhngigkeit: Wie bei der Emitter-Schaltung wird durch den MillerEffekt die Wirkung von cGD auf den Eingang um 1vU vergrert. Die
Grenzfrequenz der Verstrkung betrgt (mit Quellen-Innenwiderstand RQ):
C;

2E

e1

untere Grenzfrequenz f1: da der Eingangswiderstand des FET , wirken nur


noch R1/R2:
1
C*
2E * 0
geeignet zur Verstrkung hochohmiger und niederohmiger Spannungen
bertragungssteilheit (transconductance) S beim FET typisch 10 mS
(kleiner als beim BJT)
Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

128

Elektronische Bauelemente

9.2 Stromverstrker
9.2.1 Kollektorschaltung (BJT)
R1

Der Kollektor ist hier gemeinsamer


Anschlusspunkt fr Eingangs- und
Ausgangskreis (Masse); das erkennt
man allerdings erst im WS-ESB:

+ U0

iB
uE

Da der Kollektor an U0 liegt, befindet


er sich wechselspannungsmig auf
Masse.

uA

uBE

R2

RE

RL

gCE

Anders als bei der


Emitterschaltung hat hier uA bzw.
RL direkten Einfluss auf den
Eingangskreis (auf iB):

uE

#* J

rBE
iB

iT

RE

uA

R1||R2

Z[
[\[
[]

RL

Verstrkung, Eingangswiderstand und Ausgangswiderstand sind dann:


P'
D

* 0

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

* 0

V3.3

P'

. 1
1

129

Elektronische Bauelemente
9.2.2 Drain-Schaltung (FET)
Drain ist gemeinsamer Anschluss von Eingangs- und Ausgangskreis
(vgl. Kollektor-Schaltung):
U0

gDS

R1
uE

uA
uE

RS

RL

Belastung der Quelle ue mit:


Ausgangswiderstand:

RS

R1||R2

P'

iT

uA

uGS

R2

G u
GS

)z

RL

* 0

.1

wegen vU 1 gibt es keinen Miller-Effekt, die Grenzfrequenz der Kollektor-/


Drain-Schaltung liegt wesentlich hher als bei der Emitter-/Source-Schaltung
Einsatz als Spannungsfolger = Impedanzwandler (kleines rA)

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

130

Elektronische Bauelemente

9.3 Basisschaltung (BJT)


uA

iE

Im WS-ESB liegt die Basis auf Masse.


Wegen iT -iE ist die Stromverstrkung
etwa 1; die Spannungsverstrkung ist
P'

+
F

F
F

RC

Der Eingangswiderstand ist

uE

RL

R1

U0

R2

gCE
iE
uE

Wegen der hohen Grenzfrequenz (kein


Miller-Effekt) und des geringen Eingangswiderstands wird die Basisschaltung in
Hochfrequenz-Verstrkern eingesetzt (kleine
Antennenwiderstnde).

iT
iB

uA

rBE

RC RL

Eine Gate-Schaltung beim FET gibt es; sie ist aber weniger interessant, weil der
hohe Eingangswiderstand des FET nicht zur Geltung kommt.

9.4 Vergleich der Grundschaltungen


Emitter-/
Sourceschaltung

Kollektor-/ Drainschaltung

Basisschaltung

Spannungsverstrkung

gro

gro

Stromverstrkung

gro

gro

Eingangswiderstand

mittel

sehr gro

sehr klein

Ausgangswiderstand

mittel

sehr klein

mittel

Grenzfrequenz

mittel

hoch

hoch

Spannungsverstrker

Spannungsfolger
(Impedanzwandler)

HF-Verstrker

Einsatz

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

131

Elektronische Bauelemente

9.5 BJT-Schalter
9.5.1 Arbeitsbereiche
UCB=0

IC
U0

RC

IC
R1
Ust

UCB
IB

UCE

UCE
1

0,7 V

AP 1 :

Fr eine Steuerspannung Ust 0 ist IB 0 und damit IC 0:


(IC = IC,rest: Sperrstrom der BC-Diode)
BJT sperrt (Off-Zustand)

AP 2 :

Fr einen bestimmten Wert von IB = IBAP2 ist UCE = UBE UCB = 0


(Sttigung, + r " )
BJT leitet (On-Zustand)

AP 3 :

bei noch hherem IB = IBAP3 wird UCE minimal, UCB < 0 (BC-Diode leitet)
BJT ist bersteuert (On-Zustand)

Der AP3 hat einen kleineren Wrmeverlust PV = UCEIC als AP2!


bersteuerungsfaktor :

Verhltnis der Basisstrme bei


maximaler bersteuerung (AP3) und
an der Sttigungsgrenze (AP2)

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

N4

N0

132

Elektronische Bauelemente
9.5.2 Schaltzeiten
Durch Lade- und Entladevorgnge der Sperrschicht- und Diffusionskapazitt
treten beim Schalten Verzgerungen auf:
Ust

beim bergang zum On-Zustand:


(1)

schneller Anstieg von UBE


(Aufladen von cBE)

(2)

berhhung von IB beim Umladen


der Sperrschichtkapazitten

(3)

UBE
t

danach Anstieg von IC


0

beim bergang zum Off-Zustand:


(4)
(5)

IB

Entladen der Diffusionskapazitt


(negativer IB -IBS)

Basis frei von Ladungen:


IC beginnt zu fallen

tein lsst sich durch bersteuerung

I
90% C

> 1 beschleunigen

dabei wird aber die Basis gesttigt


mit Ladungstrgern

10%
0
td tr

(Diffusionskapazitt)

ts

tein

taus verlngert sich durch

tf
taus

Diffusionsladung
Optimierung der Schaltzeiten durch
Basiskondensator C1 parallel zu R1:

U0

Einstellung AP2 (=1) durch Widerstnde R1, RC

RC

C1

erhhter Basisstrom bei Einschaltflanke (>1)

schnelleres Ausschalten aus AP2 heraus


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V3.3

Ust

R1

UCE
IB
133

Elektronische Bauelemente
9.5.3 Verlustleistung
Im On-Zustand (AP2, AP3) liegt noch eine kleine Spannung UCE am Ausgang an
(Grenordnung 0,1 V), die zusammen mit dem hohen Strom IC eine Verlustleistung erzeugt und den BJT erwrmt:

"i

Im Off-Zustand liegt praktisch die gesamte Betriebsspannung U0 am Ausgang


an und es fliet ein sehr geringer Reststrom IC,rest der Grenordnung nA A
(Sperrstrom der BC-Diode; collector cut-off current). Die entstehende Verlustleistung ist meist zu vernachlssigen.

Beim Umschalten kann der Arbeitspunkt whrend tein und taus den Bereich
maximaler Verlustleistung berschreiten. Die mittlere Verlustleitung bereitet nur
bei hohen Schaltfrequenzen (niedrigen Schaltperioden T) Probleme:

JQ

JQ

&r

&r
l

+W r"

2
+

lqQ

ohmsche Last:

Arbeitsgerade wird linear durchlaufen JQ

induktive Last:

Strom ndert sich nur langsam, Spannung schnell


JQ . 0, &r .

&r .

'

(3
0

(3
0

kapazitive Last: Strom ndert sich schnell, Spannung langsam


JQ .

IC

'

2
, &r
+

IC

.0

IC

Pmax

UCE

ohmsch

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

UCE

induktiv

V3.3

UCE

kapazitiv

134

Elektronische Bauelemente
9.5.4 Schalterarten
Der BJT arbeitet im Schaltbetrieb als umschaltbarer Widerstand
r"

0:

qQ

+ r "
2
+

r"

0:

qXX

+,W r"

der als Teil eines Spannungsteilers eine beliebige (wechselnde)


Eingangsspannung Ue schalten kann. Zwei Anordnungen sind denkbar:
Kurzschlussschalter:
R

Ue
Ust

Ue

Ua
R1

Ua
Ron
Roff

Ust

Serienschalter:
Ron Roff
Ue
Ust

Ua
R1

Ue

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

Ust

V3.3

Ua
R

135

Elektronische Bauelemente

9.6 FET-Schalter
9.6.1 Schaltverhalten

ID

Auch beim FET kommt es


zu Verzgerungen:

Ust

U0

RL

Ust

UGS ist kleiner als Uth


(FET sperrt)
UGS entsteht durch
Laden/Entladen von ciss

0
UGS

UGS > Uth, Source-Schaltung


Miller-Effekt setzt ein
Lade-Zeitkonstante von UGS
vergrert sich

1
2

ID ist maximal, Miller-Effekt endet


UGS nhert sich schnell USt

90%

ID

10%
0
td tr

Vergleich mit BJT-Schalter:


FET arbeitet schneller (cGS < cBE)
FET-Eingang verbraucht keine Leistung

ts

tf

taus

tein

9.6.2 CMOS-Inverter
Digitaler Schalter, bei dem sich ein p-Kanalund ein n-Kanal-MOSFET so ergnzen
(CMOS = complementary MOS), dass weder
bei Ue = 0 noch bei Ue = U0 Strom fliet.
Verlustleistung entsteht nur beim Umladen
der Gate-Kapazitten.

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V3.3

U0

UE

UA

136

Elektronische Bauelemente

9.7 Zweitor-Matrizen
9.7.1 Transistor-Parameter
Aus dem ESB fr niedrige Frequenzen kann man die Parameter der Y- und der HMatrix direkt ablesen. Die brigen Matrizen lassen sich daraus berechnen.
Fr einen BJT ergibt sich

iB

iC
C

*0

, weil

Typ

uBE

uCE
gBE

iT

gCE

0, da es (fast) keine Rckwirkung des Ausgangs auf den Eingang gibt

0*

Gleichungen
*

**

0*

**

0*

**

0*

**

**

0*

0*

*0

*0

00

BJT

00

*0

00

*0

00


F +

*0

00

F
+
+
+
1
F
F
7
6
+
1
F
F

FET

F M

0 0

0
4F
M

4F

M 5

1
F 5

B = A-1 existiert nicht, weil die beiden Gleichungen fr U1 und I1 nicht unabhngig
sind, deshalb kann man nicht eindeutig nach U2 und I2 auflsen

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

137

Elektronische Bauelemente
9.7.2 Kombination von Zweitoren
Die Kombination von Zweitoren, insbesondere die Rckkopplung, lsst sich durch
Matrizen leicht beschreiben:

Reihenschaltung

Parallelschaltung

Beispiel

Gesamtmatrix

Kombination

Reihenparallelschaltung

,*

,0

Parallelreihenschaltung

Kettenschaltung

b* b0
0 *

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

138

Elektronische Bauelemente
Beispiel: Emitterschaltung mit Gegenkopplung ber Emitterwiderstand
R1

RC
uA

+ U0

uE
uE

RL R2

RE


F +

Z-Matrix des BJT:

Z-Matrix von RE:

D r

Gesamt-Z-Matrix:

D r

Gesamt-Y-Matrix:

RC

RE

.
F +
W

RE rCE


F +

+
+

, det
F

+
F

W
W #

RL

0
0

Y-Matrix von R1, R2, RC (-Schaltung mit Y3 = 0):

Schaltung Y-Matrix:

Eingangsleitwert
Ausgangsleitwert

*0+

**

00

Spannungsverstrkung

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

P'

&
&

<

J _H

V3.3

0
*

0*

=-t
=--

139

Elektronische Bauelemente

9.8 Vergleich BJT mit FET


Vorteile des FET:
bei niedrigen Frequenzen stromlose Steuerung
krzere Schaltzeiten, da keine Diffusionskapazitt
geringe Durchgangsverluste bzw. Spannungsabfall als Schalter
hhere Integrationsdichte, niedrigere Maskenzahl geringere Kosten

Nachteile des FET:


kleinere bertragungssteilheit S
kleinere maximale Stromdichte
MOSFET empfindlich gegen statische Aufladung

Die Entscheidung, ob ein BJT oder FET verwendet wird, fllt aber meist durch
Detailvergleich.
Die Bezeichnungen von Transistoren unterscheiden nicht nach FET oder BJT,
sondern nur nach Aufgaben (Schalter, HF, Kleinsignal, ) und so sollte man sich
bei der Auswahl eines Transistortypen an die tatschlichen Anforderungen und an
die Datenbltter halten.

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

V3.3

140