CIRCUITO CON DIODOS: SERIE, PARALELO, MIXTO

DIODOS: COMN, CONVENCIONAL, PN

E.P. Toaquiza.
e-mail: d.edisontoa25@gmail.com
XXXXXXX
e-mail: xxxxxxxxx
Estudiantes de Electrotcnica Automotriz, IV Nivel
Universidad de las Fuerzas Armadas ESPE

RESUMEN: En este trabajo se pretende realizar un resumen

acerca algunos de los tipos de diodos existentes, en cuanto a
sus caractersticas, su principio de funcionamiento, sus modos
de conexin ms comunes y las aplicaciones de los diodos
ms usados en electrnica como el caso de los diodos
Varicap, Zener, LED, el Diodo Schottky, diodo Tunel, los
fotodiodos etc.
El
diodo
semiconductor
est
constituido
fundamentalmente por una unin P-N, aadindole un terminal
de conexin a cada uno de los contactos metlicos de sus
extremos y una cpsula que aloja todo el conjunto, dejando al
exterior los terminales que corresponden al nodo (zona P) y
al ctodo (Zona N).
El diodo deja circular corriente a travs suyo cuando se
conecta el polo positivo de la batera al nodo, y el negativo al
ctodo, y se opone al paso de la misma si se realiza la
conexin opuesta. Esta interesante propiedad puede utilizarse
para realizar la conversin de corriente alterna en continua, a
este procedimiento se le denomina rectificacin.
ABSTRACT: In this paper we intend to make a summary about
some of the types of diodes that exist, in terms of their
characteristics, their operating principle, their most common
connection modes and the applications of the most used
diodes in electronics, such as Varicap diodes, Zener, LED,
Schottky diode, Tunnel diode, photodiodes etc.
The semiconductor diode consists essentially of a PN
junction, adding a connection terminal to each of the metal
contacts of its ends and a housing that houses the whole
assembly, leaving the terminals corresponding to the anode
(zone P) and to the outside Cathode (Zone N).
The diode circulates current through it when the positive
pole of the battery is connected to the anode, and the negative
to the cathode, and opposes the passage of the same if the
opposite connection is made. This interesting property can be
used to realize the conversion of alternating current in
continuous, to this procedure is called rectification.

ndice de trminos

Este

Configuracin de diodos en serie

trabajo fue apoyado en parte por el Departamento de

Energa y Mecnica de la Universidad de las Fuerzas Armadas
Espe Extensin Latacunga bajo el auspicio del docente de
Electrotcnica Automotriz.
XXXXXXXXX, E.P. Toaquiza, estudiantes de la Universidad
de las Fuerzas Armadas ESPE Extensin Latacunga,
Latacunga, E 593 ECUADOR (email:d.edisontoa25@gmail.com).

Configuracin de diodos en paralelo

Configuracin de diodos en serie/paralelo
Diodos comn, convencional, PN

Index terms

Serial diode configuration

Parallel diode configuration
Serial / parallel diode configuration
Common, conventional, PN diodes

I. INTRODUCCIN
Un diodo (del griego "dos caminos") es un dispositivo
semiconductor que permite el paso de la corriente elctrica en
una nica direccin con caractersticas similares a un
interruptor. De forma simplificada, la curva caracterstica de un
diodo (I V) consta de dos regiones: por debajo de cierta
diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto
(no conduce), y por encima de ella como un corto circuito con
muy pequea resistencia elctrica.
Debido a este comportamiento, se les suele denominar
rectificadores, ya que son dispositivos capaces de convertir
una corriente alterna en corriente continua. Su principio de
funcionamiento est basado en los experimentos de Lee De
Forest.
Los primeros diodos eran vlvulas grandes en chips o
tubos de vaco, tambin llamadas vlvulas Termoinicas
constituidas por dos electrodos rodeados de vaco en un tubo
de cristal, con un aspecto similar al de las lmparas
incandescentes. El invento fue realizado en 1904 por John
Ambrose Fleming, de la empresa Marconi, basndose en
observaciones realizadas por Thomas Alva Edison.- Al igual
que las lmparas incandescentes, los tubos de vaco tienen un
filamento (el ctodo) a travs del que circula la corriente,
calentndolo por efecto Joule.
El filamento est tratado con xido de bario, de modo que
al calentarse emite electrones al vaco circundante; electrones
que son conducidos electrostticamente hacia una placa
caracterstica corvada por un muelle doble cargada
positivamente (el nodo), producindose as la
conduccin. Evidentemente, si el ctodo no se calienta,
no podr ceder electrones.
Por esa razn los circuitos que utilizaban vlvulas de
vaco requeran un tiempo para que las vlvulas se calentaran
antes de poder funcionar y las vlvulas se quemaban con
mucha facilidad.
En efecto. si se aplica a este diodo una tensin alterna,
nicamente se producir circulacin de corriente en las
ocasiones en que el nodo sea ms positivo que el ctodo, es
decir, en las alternancias positivas, quedando bloqueado en
las ascendencias negativas, lo que impide el paso de la

corriente por ser en estas ocasiones el nodo ms negativo

que el ctodo.
La corriente resultante ser pulsante, ya que slo
circular en determinados momentos, pero mediante los
dispositivos y circuitos adecuados situados a continuacin
puede ser convertida en una corriente continua constante, que
es el que se emplea actualmente casi en exclusiva; presenta
sobre el de vaco algunas ventajas fundamentales: - Es de
tamao mucho ms reducido, lo que contribuye a la
miniaturizacin de los circuitos.

Figura 1. Esquema del Diodo. Fuente: Extrada del internet por

Toaquiza Ediosn, 06/11/2016.

II. MTODOS
A. MTODO EXPERIMENTAL
El tipo de investigacin realizada es de tipo experimental
que est integrada por un conjunto de actividades metdicas
y tcnicas que
se
realizan
para
recabar
la informacin y datos necesarios sobre el tema y el problema
a resolver.

Figura 2. Esquema del Diodo. Fuente: BOYLESTAD, ROBERT

L. NASHELSKY LOUIS Electrnica Terica de Circuitos y
Dispositivos Elctricos. PEARSON EDUCACIN, Mxico,
2009 por Toaquiza Ediosn, 06/11/2016.

III. DESARROLLO
A. CONFIGURACIN DE DIODOS EN SERIE
En general, la resistencia en directa del diodo es tan
pequea comparada con los dems elementos de la red, que
puede ser omitida.
sta es una aproximacin vlida en la mayora de las
aplicaciones
que
emplean
diodos.
Si
se
utiliza este hecho se obtendrn equivalentes aproximados del
diodo de silicio y el diodo ideal. Para la regin de conduccin
la
nica
diferencia
entre
el
diodo
de
silicio y el diodo ideal es el desplazamiento vertical de las
caractersticas,
el
cual
se
toma
en
cuenta en el modelo equivalente con la inclusin de una fuente
de
cd
de
0.7
V
que
se
opone
a
la
direccin de la corriente en directa que circula a travs del
dispositivo.
Con
voltajes
menores
que 0.7 V para un diodo de silicio y de 0 V para un diodo ideal,
la resistencia es tan alta comparada con otros elementos de la
red que su equivalente es el circuito abierto.
Figura 2. Esquema del Diodo. Fuente: BOYLESTAD, ROBERT
L.
y
NASHELSKY,
LOUIS
Electrnica:
Teora
de
Circuitos
y
Dispositivos
Electrnicos
PEARSON EDUCACIN, Mxico, 2009 por Toaquiza Ediosn,
06/11/2016.
En general, un diodo est encendido si la corriente
establecida
por
las
fuentes
aplicadas
es tal que su direccin concuerda con la de la flecha del
smbolo
del
diodo
y
VD
0.7
V
para silicio; VD 0.3 V para germanio, y VD 1.2 V para
arseniuro de galio.

Figura 3. Esquema del Diodo. Fuente: BOYLESTAD, ROBERT

L. NASHELSKY LOUIS Electrnica Terica de Circuitos y
Dispositivos Elctricos. PEARSON EDUCACIN, Mxico,
2009 por Toaquiza Ediosn, 06/11/2016.
Los niveles de voltaje y corriente resultantes son stos:

VD = VK
VR = E-VK
ID = IR =

VR
R

EJEMPLO 1. Para la configuracin de diodos en serie

de la figura 2.13, determine VD, VR, e ID.
Solucin: Como el voltaje aplicado establece una corriente en
el
sentido
de
las
manecillas
del
reloj para que coincida con la flecha del smbolo y el diodo
est encendido

Figura 4. Esquema del Diodo. Fuente: BOYLESTAD, ROBERT

L. NASHELSKY LOUIS Electrnica Terica de Circuitos y
Dispositivos Elctricos. PEARSON EDUCACIN, Mxico,
2009 por Toaquiza Ediosn, 06/11/2016.
VD = 0.7 V
VR = E - VD = 8 V - 0.7 V = 7.3 V

ID = IR =

VR 7.3 V
=
=3.32 mA
R 2.4 K

EJEMPLO 2. Para la configuracin de diodos en serie de

la figura 2.16, determine VD, VR e ID.
Solucin: Aun cuando la presin establece una
corriente con la misma direccin de la flecha del smbolo, el
nivel del voltaje aplicado es insuficiente para encender el
diodo. El punto de operacin en la curva de caractersticas se
muestra en la figura 2.17 y establece al circuito abier- to
equivalente como aproximacin apropiada, como se muestra
en la figura 2.18. En consecuencia, los niveles de corriente y
voltaje resultantes son los siguientes:

Circuitos y Dispositivos Elctricos. PEARSON EDUCACIN,

Mxico, 2009 por Toaquiza Ediosn, 06/11/2016.

CONFIGURACIN DE DIODOS EN
PARALELO SERIE / PARALELO
Los mtodos aplicados en la seccin 2.3 se pueden
extender al anlisis de configuraciones en paralelo y en serieparalelo. Para cada rea de aplicacin, simplemente siga la
misma secuencia de pasos aplicados a configuraciones de
diodos en serie.
EJEMPLO
1
Determine
V
o, I1, e para la configuracin de diodos en paralelo de la
figura 2.28.

Figura 5. Esquema del Diodo. Fuente: BOYLESTAD, ROBERT

L. NASHELSKY LOUIS Electrnica Terica de Circuitos y
Dispositivos Elctricos. PEARSON EDUCACIN, Mxico,
2009 por Toaquiza Ediosn, 06/11/2016.
ID = 0 A
VR = IRR = IDR = (0A) 1.2 k = 0 V
VD = E = 0.5 V
Figura 6. E Esquema del Diodo. Fuente: BOYLESTAD,
ROBERT L. NASHELSKY LOUIS Electrnica Terica de

Figura 7. Esquema del Diodo. Fuente: BOYLESTAD, ROBERT

L. NASHELSKY LOUIS Electrnica Terica de Circuitos y
Dispositivos Elctricos. PEARSON EDUCACIN, Mxico,
2009 por Toaquiza Ediosn, 06/11/2016.

Solucin: Para el voltaje aplicado la presin de la fuente

acta para establecer una corriente a
travs de cada diodo en la misma direccin que se indica en la
figura 2.29. Como la direccin de la corriente resultante
coincide con la de la flecha del smbolo de cada diodo y el
voltaje apli- cado es mayor que 0.7 V, ambos diodos estn
encendidos. El voltaje a travs de los elementos en paralelo
siempre es el mismo y
Vo = 0.7 V
La corriente es

I 1=E

VD
R

10 V 0.7 V
=28.18 mA
0.33 k

Solucin: El voltaje aplicado (presin) es tal que enciende

ambos
diodos,
como
lo
indican
las
direcciones de las corrientes resultantes en la red de la figura
2.38.
Observe
el
uso
de
la
notacin
abreviada para diodos encendidos y que la solucin se
obtiene mediante la aplicacin de tcnicas aplicadas a redes
de cd en serie-paralelo. Tenemos

I1 =

I1
28.18 mA
ID1 = ID2 = 2 =
2

Con

EJEMPLO 2 Determine las corrientes I1, I2 e ID2 para la red de

la figura 2.37

( 0.7V )
3.3 k =0,212 mA

Aplicando la ley de voltajes de Kirchhoff alrededor del lazo

indicado en el sentido de las mane- cillas del reloj, se tiene

Considerando diodos de caractersticas similares, tenemos

=14.09 mA

V K2
R1 =

- V2 + E - VK-Vk2=0
V 2 = E Vk =20 v-0,7v-0,7v=18.6v
I 2=

V 2 18.6 v
=
R 2 5.6 k

=3.32 mA

En el nodo inferior a

ID2+I1=I2
ID2 =I2-I1 ; 3.32 mA 0.212mA =3.11mA
B. DIODOS COMN
El diodo semiconductor se forma uniendo los materiales
tipo N y tipo P, los cuales deben estar construidos a partir del
mismo material base, el cual puede ser Ge o Si. En el
momento en que dos materiales son unidos (uno tipo N y el
otro tipo P), los electrones y los huecos que estn en, o cerca
de, la regin de "unin", se combinan y esto da como
resultado una carencia de portadores (tanto como mayoritarios
como minoritarios) en la regin cercana a la unin. Esta regin
de iones negativos y positivos descubiertos recibe el nombre
de Regin de Agotamiento por la ausencia de portadores.

C. DIODOS CONVENCIONAL
Es un dispositivo semiconductor que proporciona
conmutaciones muy rpidas entre los estados de conduccin
directa e inversa (menos de 1ns en dispositivos pequeos de 5
mm de dimetro) y muy bajas tensiones umbral (tambin
conocidas como tensiones de codo, aunque en ingls se
refieren a ella como "knee", es decir, rodilla). La tensin de
codo es la diferencia de potencial mnima necesaria para que
el diodo acte como conductor en lugar de circuito abierto;
esto, dejando de lado la regin Zener, que es cuando existe
una diferencia de potencial lo suficientemente negativa para
que a pesar de estar polarizado en inversa ste opere de
forma similar a como lo hara regularmente.
A frecuencias bajas un diodo normal puede conmutar
fcilmente cuando la polarizacin cambia de directa a inversa,
pero a medida que aumenta la frecuencia el tiempo de
conmutacin puede llegar a ser muy alto, poniendo en peligro
el dispositivo.

Figura 8. Esquema del Diodo. Fuente: BOYLESTAD, ROBERT

L. NASHELSKY LOUIS Electrnica Terica de Circuitos y
Dispositivos Elctricos. PEARSON EDUCACIN, Mxico,
2009 por Toaquiza Ediosn, 06/11/2016.

Caracterstica: La alta velocidad de conmutacin permite

rectificar seales de muy alta frecuencia y eliminar excesos de
corriente en circuitos de alta intensidad.

A diferencia de los diodos convencionales de silicio, que

tienen una tensin umbral valor de la tensin en directa a
partir de la cual el diodo conduce de 0,7 V, los diodos
Schottky tienen una tensin umbral de aproximadamente 0,2 V
a 0,4 V emplendose, por ejemplo, como proteccin de
descarga de clulas solares con bateras de plomo cido.

El mismo razonamiento, aunque con signos opuestos

puede realizarse para la zona N. En consecuencia, a ambos
lados de la unin se va creando una zona de carga, que es
positiva en la zona N y negativa en la zona P (Figura 5).

D. DIODOS PN
Supongamos que se dispone de un monocristal de silicio
puro, dividido en dos zonas con una frontera ntida, definida
por un plano. Una zona se dopa con impurezas de tipo P y la
otra de tipo N (Figura 4). La zona P tiene un exceso de
huecos, y se obtiene introduciendo tomos del grupo III en la
red cristalina (por ejemplo, boro). La zona N dispone de
electrones en exceso, procedentes de tomos del grupo V
(fsforo). En ambos casos se tienen tambin portadores de
signo contrario, aunque en una concentracin varios rdenes
de magnitud inferior (portadores minoritarios).

Figura 10: Impurificacin del silicio para la obtencin de diodos

PN: Fuente: Electrnica Prctica Paso , 06/11/2016.

IV. RECONOCIMIENTOS
El presente trabajo en su versin original est
orientado a servir como gua para los futuros estudios
acerca de las aplicaciones con el uso de diodos en
circuitos en el campo automotriz por parte de, F. D.
Vargas , E.P. Toaquiza.
I

REFERENCIAS

[1] BOYLESTAD, ROBERT L. y NASHELSKY,

LOUIS Electrnica: Teora de Circuitos
Figura 9: Impurificacin del silicio para la obtencin de diodos
PN: Fuente: Electrnica Prctica Paso , 06/11/2016.
En cada zona la carga total es neutra: por cada electrn
hay un ion positivo, y por cada hueco un ion negativo, es decir,
no existen distribuciones de carga neta, ni campos elctricos
internos. En el momento mismo de crear dos zonas de
diferente concentracin de portadores, entra en juego el
mecanismo de la difusin. Como se recordar, este fenmeno
tiende a llevar partculas de donde hay ms a donde hay
menos. El efecto es que los electrones y los huecos cercanos
a la unin de las dos zonas la cruzan y se instalan en la zona
contraria, es decir:

Electrones de la zona N pasan a la zona P.

Huecos de la zona P pasan a la zona N.

y Dispositivos Electrnicos
PEARSON EDUCACIN, Mxico, 2009
[2]Jos Eirez, F. R. (2013). Diseo de una Fuente de
Alto Voltaje. RIELAC, 23,24.
[3]Siavichay, F. (22 de 08 de 2016). Monografas.com.
Obtenido
de
Monografas.com:
http://www.monografias.com/trabajos93/ensayode-transformadores-trifasicos/ensayo-detransformadores-trifasicos.shtml#tapsa
[4]Jammes Nilson, S. R. (2005). Circuitos Elctricos.
Madrid: Pearson Educacin.

Este movimiento de portadores de carga tiene un doble

efecto. Centrmonos en la regin de la zona P cercana a la
unin:
1.

El electrn que pasa la unin se recombina con un

hueco. Aparece una carga negativa, ya que antes de que
llegara el electrn la carga total era nula.

2.

Al pasar el hueco de la zona P a la zona N, provoca

un defecto de carga positiva en la zona P, con lo que tambin
aparece una carga negativa.

VI. BIOGRAFIAS
Edison Paul Toaquiza Casa, naci en
Latacunga, el 25 de Abril de 1996.
Sus Padres Francisca Casa Almachi
y Luis Alfonso Toaquiza Guaita.
Vivi su niez y su adolescencia en
la ciudad de Latacunga en la
provincia de Cotopaxi. Estudi en la
escuela Santa Marianita de Jesus en
la ciudad deLatacunga. Se gradu del
Colegio Tcnico Ramn Barba Naranjo, bachiller

Automotriz, actualmente se encuentra cursando la

carrera de Ingeniera Automotriz en la Universidad de
las Fuerzas Armadas ESPE Extensin Latacunga.
Actualmente vive en la Ciudad de Latacunga provincia
de Cotopaxi, cursando el cuarto nivel de su Carrera,
esperando culminar sus estudios y ejercer su profesin.
Nota del Editor: XXXXXXXX, E.P. Toaquiza
estudiantes de la Universidad de las Fuerzas Armadas
ESPE Extensin Latacunga (Agosto 22, 2016).