Prctica 7: Caractersticas y Polarizacin de Transistor BJT
Objetivo: Estudiar propiedades y curvas caractersticas de transistor BJT. Referencias: 1. Notas y enlaces en pgina del curso (http://mate.uprh.edu/~iramos/fisi3143.html). 2. Boylestad and Nashelsky, Electronic Devices and Circuit Theory, Prentice Hall, 7th Ed., Cap. 3. Preguntas de repaso: 1. Explique las caractersticas del transistor de unin bipolar (BJT) y las diferencias entre los BJT tipo NPN y tipo PNP. 2. Qu caractersticas tiene el BJT con polarizacin Emisor Comn?
1. Transistor de Unin Bipolar (BJT)
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres terminales donde la seal de uno de los terminales controla las otras dos. Los transistores se utilizan para amplificacin, regulacin de potencia y como interruptores. El transistor de unin bipolar (BJT) est formado por la unin de dos semiconductores tipo n y uno tipo p, o dos tipo p y uno tipo n. Se conoce como transistor bipolar ya que la corriente es producida tanto por electrones como por huecos. La figura 1 muestra la construccin de un BJT tipo npn (dos semiconductores tipo n separados por un semiconductor tipo p) y su correspondiente smbolo esquemtico. Los terminales del transistor se identifican como Colector (C), Emisor (E) y Base (B). La figura 2 muestra un BJT tipo pnp.
Figura 1. BJT tipo npn
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FISI 3143: Laboratorio de Electrnica I
Departamento de Fsica y Electrnica Universidad de Puerto Rico en Humacao 2014-2015
Figura 3. Foto de BJT con
terminarles.
Figura 4. Terminales BJT vistos
desde parte inferior.
La figuras 3 y 4 muestran un ejemplo y un esquemtico de la parte inferior de un BJT que
nos permite identificar sus terminales (Colector, Base y Emisor), respectivamente. Note que los terminales son los mismos para NPN y PNP. Como los transistores BJT pueden representarse internalmente como la unin de dos diodos (ver figura 5), el DMM puede utilizarse para revisar cada diodo como aprendimos en las prcticas anteriores. Prctica 1: Verificar funcionamiento del BJT 1. Seleccione un par transistores BJT NPN y PNP. Note que la codificacin comienza con 2N. Los transistores ms utilizados en el laboratorio son el 2N3904 y 2N3906. Anote su cdigo e identifique sus terminales. 2. Verifique que funcionan correctamente utilizando la tcnica que utilizamos para los diodos. Coloque las puntas de prueba del DMM entre los terminales: BE, EB, BC y CB. Explique sus resultados. 3. Seleccione un transistor NPN que funcionen correctamente para la prxima prctica (2N3904 o similar).
Figura 5. Representacin de transistors
BJT como uniones de dos diodos: a) NPN y b) PNP.
2. Curvas Caractersticas de BJT
La operacin del transistor se obtiene polarizando las uniones pn o np. La figura 6 muestra un circuito polarizado en configuracin Emisor Comn. Las curvas caractersticas de la entrada del Emisor Comn son las curvas de IB versus VBE para distintos valores de VCE. Como usted puede deducir del circuito, estas curvas se comportan como las curvas caractersticas de un diodo. La figura 7 muestra las curvas caractersticas de la salida del emisor comn con sus correspondientes zonas de FISI3143-2014-I. Ramos
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operacin (Amplificacin o Activa, Saturacin o Cut-Off). Aplicando las leyes de Kirchhoff
al circuito obtenemos:
I E =I C + I B V CE =V CC RC I C V BE =V BBR B I B Para polarizacin dc la relacin entre IC e IB est dada por el parmetro donde:
I C . tambin se conoce como la ganancia dc porque es la razn entre la ganancia
IB
en la salida del circuito (C) y la entrada (B).
Prctica 2: Parmetros del BJT
1. Construya el circuito en la figura 7 utilizando el transistor NPN de la Prctica 1, RB = 100k y RC= 1k. Anote los valores medidos de sus resistores y utilcelos para sus cmputos. Utilice un voltaje VCC=7.5 V y ajuste el valor de VBB para que IB sea igual a 10 A. 2. Mida los voltajes VCE y VBE en el circuito. Utilice los valores medidos para calcular el valor de . Compare con el valor en la hoja de datos de su transistor. No rompa el circuito porque lo utilizar en la prxima prctica.
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Prctica 3: Curvas Caractersticas del Transistor
1. Mantenga el voltaje VBB que utiliz en la Prctica 2. Calcule el voltaje VCC inicial utilizando los valores obtenidos en la Prctica 2 y la ecuacin VCC= RCIB. Ajuste la fuente VCC al valor calculado. Mida VCE y calcule IC. 2. Aumente VCC en pasos de 0.1 V, y repita la medida y cmputo de IC. Cundo IC se haga constante, contine aumentando VCC en pasos de 1 V hasta alcanzar 15 V. Trace la curva de IC versus VCE. 3. Duplique el valor de VBB y repita el procedimiento anterior. 4. Compare sus resultados con los de la figura 7.