Localization Parameter for the

Prediction
of Interface Structures and Reactions
INTERFACE REACTIONS cannot be understood and
modeled without knowing the structure of interfaces.
However, there are an
infinite number of possible interface structures,
depending on the interface crystallography and
physical parameters. Furthermore, interfaces may
undergo phase transformations when the
crystallographic parameters, temperature, pressure,
or chemical composition are changed.
The computation effort can be drastically reduced by
focusing it on specific questions that result from the
physical model.
The structure of interfaces can be described as being
built of nanosized clusters of atoms interacting across
the interface with each other.
These clusters, or close-packed groups, interact with
each other by means of elastic fields.
However, if the interatomic interactions are relatively
weak compared to the elastic interactions, the
aforementioned model is not valid any more. Thus,
the basic questions that must
be answered to understand the interface structure
are whether the energy of an interface can be
minimized by formation of low-energy
atomic clusters at the expense of elastic energy,
what the structure is of such clusters, and whether a
change of parameters leads to a
change of structure. Transitions can occur between
the aforementioned structures depending on
independent variables such as the orientation
relationships, temperature, pressure, and
chemical composition.
A parameter called the localization parameter (p) was
introduced that enables a simple method of
predicting which structure is actually present under
given conditions.
Internal interfaces form part of the microstructure of
almost every natural or artificially produced material.
An intercrystalline interface
separates two crystals of different phases, while
grain boundaries separate crystals of the same phase
but with different spatial orientation.
The arrangement of atoms in the interface is neither
that of the crystal nor of a liquid (Ref 1). Depending
on the mutual orientation
relationship of the crystals and such parameters as
pressure, temperature, and chemical composition,
there are an infinite number of interface structures.
The energy structure and kinetics
(Ref 2) as well as crucial properties of materials and
devices, such as the mechanical strength, hardness,
brittleness and ductility, corrosion and wetting
behavior, transparency and optical properties,
electrical resistivity, magnetic properties, reactivity,
and so on, are determined by the properties of the
interfaces (Ref 3, 4). The structure of interfaces plays
an especially crucial
role in nanotechnology, because in nanostructures a
large fraction of atoms is situated at the interfaces
(Ref 5). In microsystems technology, interfaces
determine the service life and performance of
devices (Ref 6).

El parmetro de localizacin para la Prediccin

Las reacciones de las estructuras y de interfaz

REACCIONES interfaz no puede entendido y

modelado sin conocer la estructura de
interfaces. Sin embargo, hay una nmero infinito
de posibles estructuras de interfaz, dependiendo
de la cristalografa de interfaz y parmetros
fsicos. Adems, las interfaces pueden sufrir
transformaciones de fase cuando las parmetros
cristalogrficos, temperatura, presin, o la
composicin qumica se cambian. El esfuerzo de
clculo puede ser drsticamente reducida,
centrndose en temas especficos que el
resultado de la modelo fsico. La estructura de
las interfaces se puede describir como en
construccin de clusters nanomtricas de
tomos interactuar a travs de la interfaz entre
s. Estas agrupaciones o grupos de paquetes
cercanos, interactuar uno con el otro por medio
de campos elsticas. Sin embargo, si las
interacciones interatmicas son relativamente
dbil en comparacin con las interacciones
elsticas, el modelo antes mencionado no es
vlida nunca ms. Por lo tanto, las preguntas
bsicas que debe ser contestadas para entender
la estructura de interfaz son si la energa de una
interfaz CAN minimizarse mediante la formacin
de bajo consumo energtico clsteres atmicos
a expensas de la energa elstica, lo que es la
estructura de estas agrupaciones, y si un cambio
de parmetros conduce a una cambio de
estructura. Las transiciones pueden ocurrir entre
las estructuras antes mencionadas dependiendo
en las variables independientes tales como la
orientacin relaciones, temperatura, presin, y
composicin qumica. Un parmetro llamado el
parmetro de localizacin (P) se introdujo que
permite un sencillo mtodo de predecir qu
estructura es en realidad presentar en unas
condiciones dadas. Interfaces internas forman
parte de la microestructura de casi todos natural
o artificialmente material producido. Una interfaz
intercristalina separa dos cristales de distintas
fases, mientras los lmites de grano de los
cristales separados de la misma fase pero con
diferente orientacin espacial. La disposicin de
los tomos en la interfaz es ni la del cristal, ni de
un lquido (Ref 1). Dependiendo de la orientacin
mutua relacin de los cristales y tales
parmetros como la presin, la temperatura y la
composicin qumica, hay un nmero infinito de
interfaz estructuras. La estructura de la energa
y la cintica (Ref 2), as como propiedades
cruciales de materiales y dispositivos, tales

Atomistic modeling is a powerful tool for

understanding the structure of defects in a crystalline
lattice. However, there is an infinite range of possible
interface structures, and therefore, it is important to
focus modeling efforts on specific interfaces;
otherwise, the task of understanding the interface
structure via modeling is almost impossible to be
realized. A physical approximate model guides the
direction of the modeling efforts and explains the
structure
of interfaces. With the help of such a model, the
properties of all interfaces situated in the space of
coordinates between some special interfaces can be
estimated.
This article summarizes a physical model of the
interface structure described in detail in Ref 2 and
shows how this model may help to
optimize atomistic modeling studies.

Interface Structure
their interactions (Ref 2). What a structure element is
depends on what kind of interactions are important in
a given process. When the interaction is between
individual atoms, the structure elements are atoms.
When the interaction is between groups of atoms, the
interactions are long-range fields, for example,
elastic fields.
Interatomic interactions can be precisely calculated
using various modeling techniques.
In some cases, however, an approximate estimation
can be made, starting from such data as cohesion
energy, vaporization energy
(showing the energy needed to break interatomic
bonds in a material composed of one type of atoms),
and free energy to form the given chemical
compound. Furthermore, the chemical composition of
the atmosphere around the material may influence
the structure of the interface by changing the
thermodynamic equilibrium and the strength of the
interatomic bonds (Ref 2). The structure of the
interfaces may also depend on the size of the
crystals. In epitaxy or during the growth of
precipitates, for instance, it depends on the amount
of elastic energy the crystals can store (Ref 2).

The Orientation Relationship

The orientation relationship (OR) defines the mutual
crystallographic position of the adjacent crystals.
More about interface crystallography can be found in
the book by Randle (Ref 7).
To describe the OR of two crystals, there is a need for
nine equilibrium and three nonequilibrium
parameters (Ref 2). Imagine that two crystals are
allowed to interpenetrate, forming a bicrystal lattice.
Two parameters determine the orientation of the
rotation axis, one determines the rotation around this
axis (misorientation),
and three determine the rigid body translation of one
crystal relative to the other. This makes six
parameters. Now, cut the system with a
plane, and allow only atoms of one phase on each
side of the plane. The orientation of the interface
plane is defined by two parameters and its position
by one parameter. At this point, nine parameters

como la resistencia mecnica, dureza, fragilidad

y la ductilidad, la corrosin y el comportamiento
de humectacin, la transparencia y la ptica
propiedades, resistividad elctrica, propiedades
magnticas, reactividad, etc., estn
determinados por las propiedades de las
interfaces (Ref 3, 4). la estructura de las
interfaces juega un especialmente crucial papel
en la nanotecnologa, ya que en nanoestructuras
una gran fraccin de tomos est situado en las
interfaces (Ref 5). En la tecnologa de
microsistemas, interfaces de determinar la vida
til y rendimiento de los dispositivos (Ref 6).
modelizacin atomstica es una poderosa
herramienta para la comprensin de la
estructura de defectos en un cristalino enrejado.
Sin embargo, hay un infinito gama de posibles
estructuras de interfaz, y por lo tanto, es
importante centrar los esfuerzos de modelado
en interfaces especficas; de otro modo, la tarea
de la comprensin de la estructura de interfaz a
travs de la modelizacin es casi imposible de
realizar. Un fsico modelo aproximado gua la
direccin de los esfuerzos de modelado y explica
la estructura de interfaces. Con la ayuda de un
modelo de este tipo, las propiedades de todas
las interfaces situadas en el espacio de
coordenadas entre algunos especial interfaces
pueden ser estimados. Este artculo resume un
modelo fsico de la estructura de la interfaz se
describe en detalle en Ref 2 y muestra cmo
este modelo puede ayudar a optimizar los
estudios de modelizacin atomizados.
Estructura de interfaz
sus interacciones (Ref 2). Lo que es un elemento
de la estructura es depende de qu tipo de
interacciones son importantes en un proceso
dado. Cuando la interaccin est entre los
tomos individuales, la estructura elementos son
tomos. Cuando la interaccin es entre grupos
de tomos, las interacciones son campos de
largo alcance, por ejemplo, campos elsticas.
interacciones interatmicas pueden calcularse
con precisin utilizando diversas tcnicas de
modelado. En algunos casos, sin embargo, una
estimacin aproximada se pueden hacer, a partir
de dichos datos como la energa de cohesin, la
energa de vaporizacin (Mostrando la energa
necesaria para romper interatmica bonos en un
material compuesto por una tipo de tomos), y
la energa libre para formar el determinado
compuesto qumico. Adems, el composicin

define the interface. Now, allow the system to relax

to minimum energy.
The spacing of the two crystals (in other terms, the
interface thickness) and their mutual position (shift
parallel to the interface) will adjust to a minimum
energy value. At first glance, the structure of the
interface is now determined as a function of the
aforementioned nine crystallographic parameters.
However, some external stress may shift the
interface out of such a local energy minimum: stressinduced change of thickness and shift parallel to the
interface induced by interaction of the interface with
dislocations
(Ref 810), vacancies, segregated atoms, external or
internal stresses, or high curvature (Ref 11). These
conditions can be locally
described by three parameters, which are the three
principal stresses acting on a small segment of an
interface, for example, the local distance between
the two crystals and the local torsion or stretching
(Ref 2). Thus, interfaces in a state of nonequilibrium
are characterized by 12 parameters.
When the crystallographic parameters are varied, the
interface may display a sharp or shallow energy
minimum. One may imagine a ninedimensional
surface with energy valleys and energy minima or
maxima. The set of crystallographic parameters of
interfaces situated in the energy minima are called
low-energy ORs (LEORs). The interfaces are called
low-energy interfaces or special interfaces.
Coincidence boundaries are those where the bicrystal
lattice is
periodic, with a relatively short period. The number of
atoms in a periodic cell of such a bicrystal lattice are
designated S. For instance, a coincidence boundary
S5 means that for each atom in
coincidence in the two lattices, there are atoms in
each lattice that are not coincident. Much research
was focused on symmetric grain boundaries, where
the interface is a mirror plane, or on tilt grain
boundaries, where the rotation axis is perpendicular
to the plane. Less attention was given to interfaces
parallel to index planes in at least one crystal,
although, as shownsubsequently, they are candidates
to correspond to LEORs as well as the symmetric and
periodic ones.
In real experiments or in atomistic modeling, one
parameter is usually varied, and it is assumed the
others take values of minimum
energy by a relaxation process. In most cases, the
variable is the misorientation angle or the inclination
of the interface plane.

Model-Informed Atomistic
Modeling of Interface Structures
modeling of interfaces is based on the analysis by
Ashby (Ref 12) of the role of modeling and empiricism
in reaching engineering solutions.
A purely empirically based approach, as well as a
purely atomistic modeling-based approach, lead to
having too many parameters to be considered, for
instance, the results of the calculations of atomic
positions, or too many experimental variables.
Performing atomistic modeling is very similar to an
experiment and needs interpretation in terms of a

qumica de la atmsfera alrededor el material

puede influir en la estructura de la interfaz
cambiando el equilibrio termodinmico y la
fuerza de la interatmica bonos (Ref 2). La
estructura de las interfaces Tambin puede
depender del tamao de los cristales. En
epitaxia o durante el crecimiento de
precipitados, por ejemplo, depende de la
cantidad de elstico la energa de los cristales
pueden almacenar (Ref 2).
La relacin de orientacin
La relacin de orientacin (OR) define el
cristalogrfica posicin mutua de la adyacente
cristales. Ms informacin acerca de la
cristalografa de interfaz se pueden encontrar en
el libro de Randle (Ref 7). Para describir la OR de
dos cristales, existe una la necesidad de
equilibrio de nueve y tres de no equilibrio
parmetros (Ref 2). Imagnese que los dos
cristales se permite que se interpenetran,
formando una celosa bicrystal. Dos parmetros
determinan la la orientacin del eje de rotacin,
se determina la rotacin alrededor de este eje
(misorientation), y tres determinar la traduccin
cuerpo rgido de un cristal con respecto al otro.
Esto hace seis parmetros. Ahora, corte el
sistema con una avin, y permitir que slo los
tomos de una fase de cada lado del plano. La
orientacin de la avin interfaz est definida por
dos parmetros y su posicin por un parmetro.
En este punto, nueve parmetros definen la
interfaz. Ahora, permitir que el sistema para
relajarse a la energa mnima. La separacin de
los dos cristales (en otros trminos, el espesor
de interfaz) y su posicin mutua
(Desplazamiento paralelo a la interfaz) se
ajustar a un valor mnimo de energa. A primera
vista, la estructura de la interfaz se determina
ahora como una funcin de la mencionada
nueve cristalogrfica parmetros. Sin embargo,
algunos externos estrs puede cambiar la
interfaz de tal mnimo local de energa: el
cambio inducido por el estrs de espesor y
desplazamiento paralelo a la interfaz inducida
por la interaccin de la interfaz con
dislocaciones (Ref 8-10), vacantes, segregada
tomos, tensiones internas o externas, o de alta
curvatura (Ref 11). Estas condiciones pueden ser
localmente descrito por tres parmetros, que
son la tres tensiones principales que actan
sobre un pequeo segmento de una interfaz, por
ejemplo, la distancia local, entre los dos cristales

physical model equally well as any experiment. A

physical model is useful if it produces an analytical
expression describing important properties of the
system as a function of independent variables.
Atomistic modeling may help to calculate some
parameters that can only be estimated using a
physical model. Combining both saves computational
time, experiment costs, and permits one to foresee
results for interfaces that have not been modeled.
The
a im of this article is to provide for a physical model
that may permit interpolating the results of atomistic
modeling to predict the properties of interfaces.

Nanosized Structural Elements of the

Interface
individually or as groups of atoms. In the latter case,
interactions bonding an atom within the group must
be stronger than those between the whole group.
Structural elements or units (SUs) are atoms or
groups of atoms. Information is sought about their
internal structure, their relative position in space, and
the interactions between them. For this assumption
to be valid, the SUs cannot be a topological
construction, where only mutual positions of atoms
count but not their distances. The atoms being part
of the SUs should preserve their relative positions to
each other regardless of the OR of the interface in
which the SU is embedded. If interactions between
individual atoms across groups are equally as strong
as within the group, the group reduces to a single
atom, and the idea of structure groups becomes
irrelevant for the interface structure. The original
concept of SUs proposed by Bishop and Chalmers
(Ref 13, 14) agrees well with this assumption, since
their proposed SUs are built from close-packed
groups of atoms in the size range of a nanometer.
Several computer modeling studies and transmission
microscopy observations (Ref 1318) have led to the
conclusion that, in many cases, the interface
structure can indeed be described in terms of SUs
(Fig. 1). It was shown that low-energy grain
boundaries are built from SUs of only one type, and
grain boundaries of higher energy are built from a
mixture of different SUs.
Because the two crystals must be strained to
permit SUs to be built at their interface, there are
dislocations between different kinds of SUs. Thus, the
interface energy is lowered at the price of building
elastic strain fields. Of course, if the atoms within the
SUs are moved out of their positions, the localized
strain field is relaxed due to interactions, and the SU
model
of the structure is invalid.
The dislocations separating the low-energy sectors of
interfaces are called structural dislocations.
For interface boundaries they are also called misfit
dislocations; for grain boundaries, they are called
displacement shift complete
(DSC) dislocations. Figure 2 schematically illustrates
a DSC dislocation for the S5 coincidence grain
boundary.

Theories to Predict Low-Energy

Orientation Relationships

y lo local torsin o estiramiento (Ref 2). De este

modo, las interfaces en un estado de no
equilibrio se caracterizan por 12 parmetros.
Cuando los parmetros cristalogrficos son
variada, la interfaz puede mostrar un fuerte o
muy dbil mnimo de energa. Uno puede
imaginar un ninedimensional superficie con
valles de energa y los mnimos o mximos de
energa. El conjunto de cristalogrfica
parmetros de las interfaces situadas en el las
mnimas de energa se llaman RUP de bajo
consumo (LEORs). Las interfaces son llamados
de bajo consumo interfaces o interfaces
especiales. Coincidencia lmites son aquellos en
los que la red es bicrystal peridica, con un
periodo de tiempo relativamente corto. El
nmero de los tomos en una clula peridica de
un bicrystal tales celosa se designan S. Por
ejemplo, una coincidencia lmite S5 significa que
para cada tomo en coincidencia en las dos
redes, hay tomos en cada celosa que no son
coincidentes. mucha investigacin se centr en
los lmites de grano simtricas, donde la interfaz
es un plano de simetra, o en la inclinacin
lmites de grano, en el que el eje de rotacin es
perpendicular al plano. se presta menos
atencin a las interfaces en paralelo a los planos
de ndice en al menos un cristal, aunque, como
shownsubsequently, se son candidatos para
corresponder con LEORs as como los simtricas
y peridicas. En experimentos reales o en el
modelado atomista, un parmetro suele ser
variada, y es asumi las otras toman valores de
mnimo energa por un proceso de relajacin. En
la mayora de los casos, la variable es el ngulo
misorientation o la inclinacin del plano de
interfaz.
Modelo-Informado Atomista Modelado de
estructuras interfaciales
modelado de las interfaces se basa en el anlisis
por Ashby (Ref 12) de la funcin de modelado y
el empirismo en alcanzar soluciones de
ingeniera. Un enfoque puramente emprico,
como as como el modelado basado puramenteatomista enfoque, llevar a tener demasiados
parmetros a considerar, por ejemplo, los
resultados de los clculos de posiciones
atmicas, o demasiado muchas variables
experimentales. Realizacin atomista modelado
es muy similar a un experimento y necesita
interpretacin en trminos de un examen fsico
modelo igualmente bien como cualquier

It was soon realized that short-period interfaces with

a large fraction of atoms belonging to vaguely
defined good matching areas may
display a relatively low energy (Ref 1, 19).
The good matching areas are, in fact, regions of
locally dense atomic packing. It was also soon
realized that besides local atomic matching, low
energy is connected with an average dense packing
of atoms found in interfaces parallel to low-index
crystallographic planes.
Figuras
Wolf (Ref 20, 21), Paidar (Ref 22), Lojkowski et al. (Ref
14), and Fecht (Ref 23) have shown that special
interfaces are parallel to the dense lattice planes in
both crystals. For instance, Fecht (Ref 23) has shown
that the pressure required to separate two crystals is:

where l is the characteristic screening length, and d*

is the interplanar spacing in dimensionless units.
Because the strain to separate the two crystals
increases when their distance decreases, the energy
of such interfaces is also lower than for other
interfaces. Close-packed interfaces with low
interplanar spacing also have the lowest vibrational
entropy, and thus, they are connected with energy
minima at temperatures close to the melting point.
Figure 3, from Paidars work (Ref 22), shows the
hierarchy of grain boundaries in a face-centered
cubic (fcc) material as sources of structural units to
grain boundaries. Only symmetrical interfaces are
considered, and their symmetry planes are marked in
the diagram. The plane indices shown in Fig. 3 define
special interfaces as follows: The rotation axis is
<110>, and the plane (xyz) is the interface plane for
a symmetric tilt boundary. Grain boundaries situated
between two grain boundaries with index planes
listed in the figure will borrow SUs from these grain
boundaries. Crystalline planes with low
crystallographic indices ({111}, {110}, and {100} in
the fcc structure) have the densest packing and thus
correspond to the lowest energy minima.
The temperature effect on the interface structure is
now considered. It is known that with increasing
temperature, the number of LEORs that are a source
of SUs decrease (Ref 2), because the energy of
thermal vibrations becomes comparable to the
energy bonding the atoms to their SU, and with
increasing temperature, the grainboundary structure
becomes gradually disordered.
This process can be described as delocalization of the
cores that separate the SUs. When the cores merge
and the interfacial bonding is comparable to the
strength of bonds inside the crystals, the interface
will assume a disordered, amorphous-like structure.
At temperatures close to the melting point, only the
(111) and (010) planes are sources of SUs, and these
are the close-packed atomic units described in the SU
model by Bishop and Chalmers (Ref 14).
The earlier consideration concerned the tilt of grain
boundaries. When two crystals are twisted relative to
each other, the favored twist angle is where the

experimento. Un fsico modelo es til si se

produce una analtica expresin que describe
propiedades importantes de el sistema como
una funcin de variables independientes.
modelizacin atomstica puede ayudar a calcular
algunos parmetros que slo pueden ser
estimada mediante un modelo fsico.
Combinatorio tanto ahorra tiempo de clculo,
experimento los costos y los permisos que
permitan determinar que uno de los resultados
interfaces que no han sido modelados. la
objetivo de este artculo es proporcionar para un
examen fsico modelo que puede permitir la
interpolacin de los resultados de modelado
atomizada para predecir las propiedades de
interfaces.
Elementos Estructurales nanomtricas de la
Interfaz
individualmente o como grupos de tomos. En
este ltimo caso, interacciones de unin de un
tomo dentro del grupo debe ser ms fuerte que
los que entre el conjunto grupo. Los elementos
estructurales o unidades (SUS) son tomos o
grupos de tomos. Se solicita informacin sobre
su estructura interna, su posicin relativa en el
espacio, y las interacciones entre ellos. Por esta
suposicin sea vlida, las SU no puede ser una
construccin topolgica, donde slo las
posiciones mutuas de los tomos, pero no
cuentan sus distancias. Los tomos de ser parte
de la SU debe conservar sus posiciones relativas
a entre s, independientemente de la O de la
interfaz en el que la UB est incrustado. Si las
interacciones entre los tomos individuales en
todos los grupos son igualmente tan fuerte como
en el grupo, el grupo de se reduce a un solo
tomo, y la idea de la estructura grupos se
vuelve irrelevante para la interfaz estructura. El
concepto original de las SU propuesto por el
obispo y Chalmers (Ref 13, 14) est de acuerdo
bien con esta hiptesis, ya que su propuesta SUs
estn construidos a partir de grupos de paquetes
cercanos tomos en el rango de tamao de un
nanmetro. Varios estudios de modelado por
ordenador y observaciones de microscopa de
transmisin (Ref 13-18), han llevado a la
conclusin de que, en muchas casos, la
estructura de interfaz puede ser de hecho
descrito en trminos de unidades de abonado
(Fig. 1). Era muestran que los lmites de grano
de baja energa son construido a partir de
unidades de abonado de un solo tipo, y grano
lmites de energa ms alta se construyen a

dense atomic rows in one crystal are parallel to

valleys between the atomic rows in the other crystal
(Ref 14, 24), so that the two crystals can mutually
lock (Fig. 4). The energy minima when the twist angle
is varied are of less depth than in the case of tilt.
When factors that increase the density of atomic
packing in the interface act simultaneously, as shown
in Fig. 5 (Ref 2), the energy
at the interface is minimized. These factors are:
_ A, good local bonding (short distance
between the good matching areas)
_ B, parallelism of dense atomic planes on the
two sides of the interface
_ C, parallelism of the dense atomic rows

Use of the Localization

Parameter for Prediction
of Interface Structures
The previous considerations concerned an interface
between two phases, where the variables were the
temperature and misorientation between the
crystals. It was noted that a change of temperature
may lead to a change of interfacial bonding strength,
leading to a transformation in their structure.
However, a similar effect can be caused by a change
in thermodynamic conditions. The bonding strength
across the interface also depends on the kind of
bonded materials. Furthermore, an important role
may be played by the thickness of the crystals, since
the elastic energy depends on the thickness.
Therefore, there is need for a theory permitting the
prediction of the interface structure between two
different crystalline phases. The presence of
interfacial dislocations is an indication that the SUs
model well describes the interface structure.
For such interfaces, one may expect high adhesion
between the two crystals and the presence of sharp
energy minima for LEORs (Ref 2).
The principal question is: Under what conditions is
this model of the interface structure applicable at all?
On one hand, there can be interfaces where adhesion
is low, and their energy is not significantly lowered
for the special LEORs; SUs do not form, and the
atoms do not shift much from their position in each
crystal. On the other hand, there can be interfaces
with intermediate structures between these two, or
amorphous interfaces.
So, a basic question is whether energy optimization
will lead to a coherent interface at the expense of
elastic energy or whether it
will lead to the formation of a fully incoherent
interface. From an engineering point of view, the
question is: Is it possible to predict which of the
aforementioned structures will form in a
real material?
It was recently shown that it can be predicted which
interface forms by using one single parameter, called
the localization parameter
(p), expressed as:
p Gi=G (Eq 2)
where Gi is the interface shear modulus, and G
is the shear modulus of the less stiff of the two
crystals. The notion of interface shear modulus
is explained in detail in Ref 2.
Figure 6 (Ref 2) shows how the p-value

partir de una mezcla de diferentes unidades de

abonado. Debido a que los dos cristales deben
ser tensas a SU permiso que se construir en su
interfaz, hay son dislocaciones entre los
diferentes tipos de Sus. Por lo tanto, la energa
de interfaz se reduce a el precio de la
construccin de campos de tensiones elsticas.
De Por supuesto, si los tomos dentro de las SU
se mueven fuera de sus posiciones, el campo de
deformacin localizada es relajado debido a las
interacciones, y un modelo de US de la
estructura no es vlido. Las dislocaciones que
separan el bajo consumo de energa sectores de
las interfaces se denominan dislocaciones
estructurales. Para lmites de interfaz son
tambin llamados dislocaciones; de los lmites
de grano, se les llama desplazamiento
desplazamiento completo (DSC) dislocaciones.
Figura 2 esquemticamente ilustra una
dislocacin de DSC para la coincidencia S5 lmite
de grano.
Las teoras de predecir baja energa Las
relaciones de orientacin
Pronto se advirti que las interfaces de periodo
corto con una gran fraccin de tomos
perteneciente que vagamente definido "buenas
zonas coincidentes" pueden mostrar una energa
relativamente baja (Ref 1, 19). Las "buenas
zonas coincidentes" son, de hecho, regiones
empaquetamiento atmico de localmente denso.
Fue tambin pronto se dio cuenta que adems
de coincidencia atmica locales, bajo consumo
de energa se conecta con un promedio
empaquetamiento denso de tomos que se
encuentra en las interfaces paralelo al bajo
ndice de planos cristalogrficos.
Figuras
Wolf (Ref 20, 21), Paidar (Ref 22), Lojkowski et al.
(Ref 14), y Fecht (Ref 23) han demostrado que
las interfaces especiales son paralelas a la densa
planos de la red en ambos cristales. Por ejemplo,
Fecht (Ref 23) ha demostrado que la presin
requerida para separar dos cristales es:

donde l es la longitud de cribado tpico, y d * es

la distancia interplanar en adimensional
unidades. Debido a que la cepa para separar el
dos cristales aumenta cuando su distancia

determines the interface structure. The structure

shown in Fig. 6(a) corresponds to the situation
when Gi << G; stretching the bonds across
the interface does not cost energy, and there is
no gain in building SUs and separating them
at dislocations. Some energy decrease is associated
with the parallelism of atomic rows
and/or planes. Figure 6(b) shows the intermediate
case, where the structure of the interface is
controlled both by the parallelism criterion
and by increasing atomic matching. Figure 6(c)
shows schematically the case when the interface
forms SUs, and dislocations help to minimize
the energy. Figure 6(d) corresponds to
p > 1, that is, where the shear stress in the
interface is higher than in one of the crystals.
In such a case, the misfit dislocations can be
pushed away from the interface into the bulk
material to conserve energy.
The interface shear modulus is defined in the
same way as for the bulk structure: by the
proportionality
coefficient between applied shear
and deformation. A detailed treatment of the
interface shear modulus is given in Ref 2.
The equilibrium width of the structural dislocation
core, sm, is comparable to a dislocation
in the bulk material:

This result is almost identical to the result for

the core width of a dislocation given by the
Perierls model. The only difference is that in
the Perierls model, G = Gi.
In the Perierls model, the crystal is regarded
as a continuum in which the elastic energy is
stored, and its value can be calculated using
the continuous elasticity theory. The equilibrium
core width corresponds to the minimum
of the sum of the elastic energy and stretched
bonds energy:

The dislocation is represented as the infinite

sum of dislocations with infinitely small Burgers
vectors:

The dislocation core width, s, is the diameter of the

circuit enclosing half of the aforementioned
dislocations. The stretched bonds energy in the plane
of slip of the dislocation is calculated using an
analytic expression and is proportional to the bulk
shear modulus:

disminuye, la energa de tales interfaces es

tambin inferior a la de otras interfaces. De
empaquetamiento compacto interfaces con baja
distancia interplanar tambin tienen la entropa
vibracional ms bajo, y por lo tanto, son
conectado con los mnimos de energa a
temperaturas cerca del punto de fusin. Figura
3, a partir de la obra de Paidar (Ref 22),
espectculos la jerarqua de los lmites de grano
en una centrada en las caras el material cbico
(FCC) como fuentes de estructural unidades a
los lmites de grano. Slo simtrica las interfaces
se consideran, y su simetra aviones estn
marcados en el diagrama. El avin ndices
mostrados en la Fig. 3 definir interfaces
especiales de la siguiente manera: El eje de
rotacin es <110>, y la plano (xyz) es el plano
de interfaz para un simtrico lmite de
inclinacin. Los lmites de grano situado entre
dos bordes de grano con planos de ndice
enumerados en la cifra "prstamo" de las SU
partir de estos granos lmites. planos cristalinos
con baja cristalogrfica ndices ({111}, {110} y
{100} en la estructura fcc) tiene el embalaje
ms denso y por lo tanto corresponden a los
mnimos de energa ms bajo. El efecto de la
temperatura sobre la estructura de interfaz
ahora se considera. Se sabe que con aumento
de la temperatura, el nmero de LEORs que son
una fuente de disminucin Sus (Ref 2), porque la
energa de las vibraciones trmicas se vuelve
comparable a la energa de enlace de los tomos
a su SU, y al aumentar la temperatura, la
grainboundary estructura se vuelve
gradualmente desordenada. Este proceso puede
ser descrito como la deslocalizacin de los
ncleos que separan las SU. Cuando los ncleos
se funden y la unin interfacial es comparable a
la fuerza de los enlaces dentro de la cristales, la
interfaz asumirn una desordenada, estructura
amorfa similar. A temperaturas cercanas al
punto de fusin, slo el (111) y (010) aviones
son fuentes de las SU, y estos son los de
empaquetamiento compacto unidades atmicas
descritas en el SU modelo por el obispo y
Chalmers (Ref 14). La consideracin anterior se
refera a la inclinacin del los lmites de grano.
Cuando dos cristales estn trenzados respecto a
la otra, el ngulo de torsin es favorecida donde
las filas densas atmicas en un cristal son
paralela a los valles entre las filas atmicas en el
otro cristal (Ref 14, 24), de modo que los dos
cristales pueden bloquear mutuamente (Fig. 4).
La energa los mnimos cuando se vara el

By simply replacing G with Gi, Eq 3 has been

obtained. The constant a accounts for all the
approximations made. Its exact value can be
calculated only using atomistic modeling.
Equation 3 explains the meaning of the term
localization parameter. For p = 0, the misfit is
delocalized, and there is no atomic matching; for p =
1, the misfit is localized, and the misfit dislocation
core has a width similar to a bulk dislocation. The
previous equation was obtained by analytically
solving simple equations for the energy of the
interface, where the elastic part increases as the core
is more localized, and the contribution made by
broken bonds decreases as the dislocation core is
more localized.
In the case of thin layers or small precipitates, the
elastic energy stored in the material is less than for
large crystals. Therefore, the interface structure for a
thin layer or small precipitate may be coherent, while
for large crystals, it may be amorphous or
semicoherent.
This is because the elastic energy increases with
increasing material thickness, while the broken bond
energy remains constant.

Estimating the Shear Modulus and

Bonding Energy Across the Interface
To apply Eq 3 and predict the interface structure, it is
necessary to know the interface shear modulus. It
was assumed that:

where EAB is the bonding energy across the interface

and O is the atomic volume. The bonding energy
includes a contribution from the ionic or covalent
bonding of atoms across the interface and van der
Waals forces:

where EA and EB are the cohesion energies of

crystals A and B, respectively; DGAB is the chemical
bonding energy between the two crystals, and
EWAALS is the van der Waals bonding energy. In the
case of grain boundaries in metals, it depends weakly
on temperature and is expressed as:

where ECOH is cohesion energy.

The previous equations give a fairly good
approximation for the localization parameter, and
they enable the structure of interfaces to be
predicted (Tables 1, 2). However, in some cases, it is
not possible to predict which atom of one crystal
forms a bond with which atom of another crystal.
Furthermore, in ionic crystals, Madelung forces
contribute to the bonding, which are not tabulated for

ngulo de giro es de menos profundidad que en

el caso de la inclinacin. Cuando los factores que
aumentan la densidad de empaquetamiento
atmico en el acto de interfaz al mismo tiempo,
como se muestra en la Fig. 5 (Ref 2), la energa
en la interfaz se reduce al mnimo. Estos factores
son: ? A, una buena unin local (distancia corta
entre las buenas zonas coincidentes) ? B, el
paralelismo de los planos atmicos densas en la
dos lados de la interfaz ? C, el paralelismo de las
filas atmicas densos

Uso de la localizacin
Parmetro de prediccin
De Estructuras Interfaciales
Las consideraciones anteriores se referan
Interfaz entre dos fases, donde las variables
Fueron la temperatura y la desorientacin
Entre los cristales. Se seal que un Cambio de
temperatura puede dar lugar a un cambio De la
fuerza de unin interfacial, lo que
Transformacin en su estructura. Sin embargo,
un Efecto similar puede ser causado por un
Condiciones termodinmicas. la vinculacin
Fuerza a travs de la interfaz tambin depende
El tipo de materiales unidos. Adems, un Papel
importante puede ser jugado por el grosor De los
cristales, ya que la energa elstica
Depende del grosor. Por lo tanto, hay Necesidad
de una teora que permita la prediccin de La
estructura de la interfaz entre dos
Fases cristalinas. La presencia de Dislocaciones
es un indicio de que las SU El modelo describe
bien la estructura de la interfaz.
Para tales interfaces, se puede esperar una alta
adhesin
Entre los dos cristales y la presencia De mnimos
de energa aguda para LEORs (Ref 2).
La pregunta principal es: En qu condiciones Es
este modelo de la estructura de interfaz
Aplicable en absoluto? Por un lado, puede haber
interfaces donde La adhesin es baja, y su
energa no es significativamente Bajado para los
LEORs especiales; SUs
No forma, y los tomos no cambian mucho de
Su posicin en cada cristal. Por otra parte,
Puede haber interfaces con estructuras
intermedias
Entre estas dos, o interfaces amorfas.
Por lo tanto, una pregunta bsica es si la energa
Optimizacin conducir a una interfaz coherente
A expensas de la energa elstica o si
Conducir a la formacin de un sistema

interface atoms (Ref 25). Hence, it is important to

carry out calculations assuming different kinds of
atoms in front of each other in an interface structure
and to understand whether the proper value of the
interaction energy was taken into account in Eq 2.
Figure 7 shows how atomistic modeling can provide
for proper application of the aforementioned model.
An interface between two materials is shown: a
chemical compound A-B and a chemical compound CD. Atomistic modeling may help to determine what
kind of chemical bonding is present and controls the
adhesion of the crystals: A-C or A-D or B-C or B-D,
and what is the interface shear modulus? With these
data, it is possible to calculate the localization
parameter, p. The figure also illustrates the concept
of interface shear modulus, Gi.

Prediction of Interface Structure in

Various Systems and Their
Transformations
Table 1 lists the type of interface structure that can
be expected, based on the aforementioned simplified
calculations of the p-parameter.
It follows that the previous phase transformations in
the interface structure (Fig. 8) will occur when
moving in the space of coordinates of the
crystallographic parameters, varying the misfit,
temperature, pressure, and size of the crystal.
Table 2 shows the expected range of angles for the
validity of the SU model, depending on the
localization parameter, p.
Figure 9 shows the phase diagram for various phases
of an interface as a function of the misfit and
thickness of the crystals.
Some maps showing the relaxation structures of
interfaces depending on the degree of misfit and the
adjoining metals are also given in the book by Howe
based on the papers of Stoop and van der Merve (Ref
26) and Kato (Ref 27).
Therefore, changes of structure may occur because
of:
_ A change of bonding energy, which is a function of
temperature and pressure or concentration of
segregating atoms
_ A change of thickness of the adjoining crystals
_ A change of the misorientation of the crystals
However, the borders of the areas separating the
various structures can hardly be estimated based
only on the previous simplified calculations.
The greatest challenge for analytical calculations is to
estimate the bonding energy, EAB, also including the
temperature effects.
Knowledge of the effect of interatomic spacing
change on the energy of the broken bond is required.
Similarly, the contribution of van der Waals forces is
difficult to estimate, because they strongly depend
on the crystal separation or separation of the
interatomic rows. With an accurate value for the pparameter, it may be possible to draw a precise
phase diagram for the interface structure.
Nanoscale Effects. With the recent advent of
nanotechnology, the importance of interfaces for the
performance of materials and devices is crucial (Ref
28, 29), because for nanometric dimensions of the
crystals, the atoms situated at interfaces form a large

totalmente incoherente
interfaz. Desde el punto de vista de la ingeniera,
La pregunta es: Es posible predecir qu
De las estructuras antes mencionadas se
formarn en una
Material real Recientemente se ha demostrado
que se puede predecir Que se forma mediante el
uso de una sola , Denominado parmetro de
localizacin (P), expresada como:
P Gi = G (Eq 2)
Donde Gi es el mdulo de corte de interfaz y G
Es el mdulo de cizalladura del menos rgido de
los dos
Cristales La nocin de mdulo de corte de
interfaz
Se explica en detalle en la Ref. 2.
La Figura 6 (Ref 2) muestra cmo el valor de p
Determina la estructura de la interfaz. La
estructura Mostrado en la Fig. 6 (a) corresponde
a la situacin Cuando Gi << G; Estirando los
lazos a travs de La interfaz no cuesta la
energa, y no hay No hay ganancia en la
construccin de SU y separarlos En las
dislocaciones. Una disminucin de energa est
asociada Con el paralelismo de filas atmicas Y /
o planos. La figura 6 (b) muestra el intermedio
Caso, donde la estructura de la interfaz es
Controlada tanto por el criterio de paralelismo
Y aumentando la correspondencia atmica. La
figura 6 (c)
Muestra esquemticamente el caso cuando la
interfaz
SUs, y las dislocaciones ayudan a minimizar
la energa. La figura 6 (d) corresponde a
P> 1, es decir, donde el esfuerzo cortante en la
Es ms alta que en uno de los cristales.
En tal caso, las dislocaciones desajustadas
pueden ser
Alejado de la interfaz en el volumen Material
para conservar la energa.
El mdulo de corte de interfaz se define en el
Mismo modo que para la estructura a granel: por
la proporcionalidad
Coeficiente entre el cizallamiento aplicado Y
deformacin. Un tratamiento detallado del El
mdulo de cizallamiento de interfaz se da en la
Ref. 2.
La anchura de equilibrio de la dislocacin
estructural
Ncleo, sm, es comparable a una dislocacin En
el material a granel:

fraction of all the atoms in the material. It is therefore

most important to consider how the effects of
nanostructuring lead to a necessary modification of
the localization parameter model of interfaces and
include in the modeling efforts the effects of strong
curvature, triple junctions, and small sizes of crystals.

Implications of Changes in Interface

Structure for Interface Reactions
Because the interface structure is a function of the
previously explained crystallographic parameters,
strength of interfacial bonding, and stiffness of the
crystals, the mechanism of interfacial reactions is a
function of these parameters as well. Some examples
of the application of the a forementioned theory of
interface structure are presented to predict interface
reaction mechanisms.
Growth of One Crystal at the Expense of Another. Two
cases of interfaces between two crystalsa
disordered interface and an ordered interface built
from low-energy SUs separated by dislocationsare
considered. In the case of a low-energy interface
composed of one kind of SU, the reaction kinetics will
be negligible, because there are no channels for
transfer of atoms across the interface, except
thermally activated vacancies. In the case of an
interface built up from low-energy SUs separated by
dislocations, the reaction kinetics will depend on the
kinetics of glide and climb of the interfacial
dislocations.
Figure 10 provides an example of a reaction driven by
the movement of interface dislocations (Ref 30, 31).
The high-resolution electron microscopy image shows
misfit dislocations that accommodate the difference
of the lattice constants of the two phases. This
interface has a different structure for two different
thicknesses of the growing spinel and different
growth rates. In Fig. 10(a), the Burgers vectors of the
misfit dislocations are parallel to the interface. The
MgO layer grows slowly by a parabolic law, while the
misfit dislocations climb. On the other hand, in Fig.
10(b), the Burgers vectors of the misfit dislocations
are inclined to the interface plane.
The MgO film grows by a combination of dislocation
glide and climb, so that the rate of the film growth
increases in a linear fashion. Hence, the dislocation
structure of the interface is different for the two
growth regimes. For the interfaces studied, misfit
dislocation cores are the place where the actual
reaction takes place that leads to new phase growth.
It follows that for an interface composed of lowenergy regions and structural dislocations, the
kinetics of the reaction depend on the kind of
dislocations present.
In the case of a disordered interface, one crystal will
grow at the expense of the other along the whole
interface, taking advantage of enhanced diffusion
coefficients for mass transfer along and
perpendicular to the interface.
Grabski and Korski (Ref 8) proposed to regard
interface kinetics as controlled by the number of
channels that atoms can cross and the frequency of
jumps. It is clear that for a disordered interface,
anyplace can be such a channel for material transfer,
while for interfaces built of SUs, such channels are
most likely situated between the SUs, and their

Este resultado es casi idntico al resultado de

La anchura del ncleo de una dislocacin dada
por el
Modelo de Perierls. La nica diferencia es que en
El modelo de Perierls, G = Gi.
En el modelo de Perierls, el cristal se considera
Como un continuo en el que la energa elstica
es
Almacenado, y su valor puede calcularse
utilizando
La teora continua de la elasticidad. El equilibrio
El ancho del ncleo corresponde al mnimo
De la suma de la energa elstica y estirada
Energa de los enlaces:

La dislocacin se representa como el infinito

Suma de dislocaciones con hamburguesas
infinitamente pequeas
vectores:

La anchura del ncleo de dislocacin, s, es el

dimetro
Del circuito que encierra la mitad de los
Dislocaciones. La energa de los enlaces
estirados En el plano de deslizamiento de la
dislocacin se calcula Utilizando una expresin
analtica y es proporcional Al mdulo de corte a
granel:

Simplemente reemplazando G con Gi, la Eq 3

tiene
Obtenido. La constante una cuenta para todos
Las aproximaciones hechas. Su valor exacto
puede
Se puede calcular utilizando el modelado
atomstico.
La ecuacin 3 explica el significado del trmino
Parmetro de localizacin. Para p = 0, el
desajuste es
Deslocalizada, y no hay ninguna coincidencia
atmica;
Para p = 1, el inadaptado est localizado, y el
desajustado
Ncleo de dislocacin tiene una anchura similar

number depends on their spacing.

Surface Reactions in Thin Films. When a thin film
grows on the surface of a large crystal, the first
atomic layer must be fully coherent with the
substrate, because the thin layer cannot sustain any
stress. However, there will be a critical thickness
when the elastic energy stored in the layer is already
sufficient to drive one of two possible
transformations:
_ Growth in the form of islands separated by valleys,
so that elastic energy is minimized
_ Transformation into semicoherent and subsequently
noncoherent interfaces
These stages are shown in Fig. 11 (Ref 2).
Hence, the same interface may grow by different
mechanisms, depending on the thickness of the
growing layer.
The transition from coherent to semicoherent
interface takes place when the grain-boundary
structure with dislocations has less energy than the
strained coherent structure (Ref 2):

where EY is Youngs modulus, and G is shear

modulus. It is clearly seen that h decreases as the pvalue decreases, and c is the misfit
between the lattices of the two crystals. One of the
definitions of the misfit is as follows:

a
dislocacin. La ecuacin anterior fue
Obtenido mediante la resolucin analtica de
ecuaciones simples
Para la energa de la interfaz, donde
La parte elstica aumenta cuando el ncleo es
ms
Localizada, y la contribucin hecha por los
Disminuye como el ncleo de dislocacin es ms
Localizada.
En el caso de capas delgadas o precipitados
pequeos,
La energa elstica almacenada en el material
Es menor que para los cristales grandes. Por lo
tanto, la
Estructura de interfaz para una capa delgada o
un pequeo precipitado
Puede ser coherente, mientras que para cristales
grandes,
Puede ser amorfa o semicoherente.
Esto se debe a que la energa elstica aumenta
Con un grosor de material cada vez mayor,
La energa de enlace roto permanece constante.

Estimacin del mdulo de cizallamiento y

Vinculacin de energa a travs de la interfaz
Para aplicar la Eq 3 y predecir la estructura
de la interfaz,
Es necesario conocer el corte de interfaz
mdulo. Se supone que:
where aa and ab are both lattice constants, D is
jaa _ abj, and ao is the average lattice constant.
However, if the dislocations have wide cores, they
will overlap, and the semicoherent interface will
transform into a noncoherent. The condition for a
semicoherent interface is (Ref 2):

where aa and ab are the lattice constants of the

two phases. However, for delocalized MDs
cores, this is a direct coherent-to-noncoherent
transition instead of a coherent-to-semicoherent
transition.

Eq 10 gives the
value h _ 50 b, that is, approximately 50
atomic layers, which is a reasonable value.
Figure 9 (Ref 2) shows a phase diagram illustrating
the regions of stability of each of the
aforementioned structures. The plane abcd is a
plane of constant misfit. For low-p-values, the

Donde EAB es la energa de unin a travs

de la
Y O es el volumen atmico. los
Energa de enlace incluye una contribucin
El enlace inico o covalente de los tomos a
travs
La interfaz y las fuerzas de van der Waals:

Donde EA y EB son las energas de cohesin

de
Cristales A y B, respectivamente; DGAB es el
Qumica de unin de energa entre los dos
cristales,

path (1) => (3) is the direct transformation

from a coherent to a noncoherent interface. At
high-p-values, the sequence is (1) coherent =>
(2) semicoherent =>(3) noncoherent

Some maps of interface relaxation structures

that depend on misfit and adjoining metals are
also given in the book by Howe based on the
papers of Stoop and van der Merve (Ref 26)
as well as Kato (Ref 27).
Surface Reactions with Nanoparticles. For
nanosized particles on which a layer should grow due
to interaction with the gas phase, similar to the
manner for large crystals, SUs built from dense
atomic blocks play a crucial role in determining the
process kinetics. As particles become smaller, they
have a large number of atoms located at the edges
and corners. The fraction of corners increases
approximately d_3 as the diameter of the particle
shrinks, while the total number of surface atoms
changes only slightly when the particle size
decreases from 10 to 2 nm. The number of corners
and edges determines the rate of reactions
between the particles and surrounding atmosphere,
including catalytic reactions (Ref 32).
An example of ledges on the surface of nanoparticles
for the case of a Raney (sponge) nickel catalyst with
a crystallite size of a few nanometers and a large
number of corner and edge
atoms is shown in Fig. 12. Thus, in the case of
surfaces, similar SUs control interface kinetics, while
in the case of interfaces, it is segments of closepacked planes and their ledges.
Bonding or Debonding Two Crystals. The crucial
parameter for bonding or debonding
two crystals is the work of adhesion:

where gA and gB are the surface energies of

crystals A and B, respectively; gI is the interface
surface energy; and gadh is the work of
adhesion or adhesion energy. Figure 13 illustrates
the concept of the work of adhesion.
The work per unit surface to separate two crystals
along the interface is the work of adhesion.
Since the value of the localization parameter, p,
depends on intercrystalline bonding energy, it
depends on the adhesion energy as well. Actually,
bonding energy and adhesion are equivalent
(Fig. 13 a, b). Figure 13 illustrates
qualitatively the various factors that may influence
adhesion. Figures 13(c) and (d) show that
saturation of the broken bonds by impurities
from the gas atmosphere or atoms segregated
to the interface may eliminate adhesion.
In other words, the presence of such impurities
or atoms added on purpose may completely
change the bonding energy and interface structure.
In real systems, that may be a kinetically
controlled process. Figure 13(e) shows schematically
how surface reconstruction may lead to a decrease of
adhesion energy, since the broken bond energy
would be partially relaxed by surface reconstruction.
Figure 13(f) shows that high misfit leads to low

Y EWAALS es la unin de van der Waals

energa. En el caso de los lmites de grano
en metales,
Depende dbilmente de la temperatura y es
expresado como:

Donde ECOH es energa de cohesin.

Las ecuaciones anteriores dan una buena
Aproximacin para el parmetro de
localizacin, Y permiten la estructura de
interfaces para (Tablas 1, 2). Sin embargo,
en algunos Casos, no es posible predecir qu
tomo
De un cristal forma un enlace con cuyo
tomo
De otro cristal. Adems, en cristales inicos,
Las fuerzas de Madelung contribuyen a la
unin,
Que no se tabulan para la interfaz
tomos (Ref 25). Por lo tanto, es importante
llevar
Que suponen diferentes tipos de
tomos uno frente al otro en una interfaz
Estructura y para comprender si la
Valor de la energa de interaccin fue
Cuenta en la ecuacin 2.
La figura 7 muestra cmo el modelado
atomstico puede
Una correcta aplicacin de las disposiciones
modelo. Interfaz entre dos materiales Se
muestra: un compuesto qumico A-B y un
compuesto Compuesto qumico C-D.
Modelado atmico Puede ayudar a
determinar qu tipo de Est presente y
controla la adhesin de Los cristales: A-C o
A-D o B-C o B-D, y Cul es el mdulo de
corte de interfaz? Con estos
Datos, es posible calcular la localizacin
Parmetro, p. La figura tambin ilustra la
Concepto de mdulo de corte de interfaz, Gi.
Prediccin de la estructura de la interfaz
En varios sistemas y su
Transformaciones
La Tabla 1 enumera el tipo de estructura de
interfaz que
Se puede esperar, en base a lo anterior

adhesion as well. The aforementioned two types of

reconstruction make it difficult to predict the
interface energy
based solely on the theoretical interaction energy
between the atoms, as, for instance, in the Binder et
al. (Ref 33), Miedema and
den Broeder (Ref 34), Becker (Ref 35), or McDonnaldEberhard (Ref 36) models.
In summary, the interface structure depends on
factors completely independent of the
crystallographic parameters, such as the presence of
small quantities of foreign atoms or the possibility of
surface reconstruction. Therefore, before any
structural calculations are performed, the
assessment of the interfacial bonding energy is of
primary concern. This may impose a considerable
challenge for atomistic modeling of the interface
structure and reactions.
Conclusiones
The kinetics of interface reactions depend on their
structure, whether it is disordered and noncoherent,
semicoherent, or with structural dislocations, or
coherent/low energy composed of one kind of SUs.
This, in turn, depends on the thermodynamic
conditions, misfit of the crystals, size of the crystals,
nature of the intercystalline bonding, and nine
crystallographic parameters that determine the
mutual orientation of the crystals, without taking into
account nonequilibrium structures. Phase transitions
can occur between the various structures, depending
on the variable parameters such as the orientation
relationship, temperature, pressure, chemistry, and
so on.
The physical model of the interfaces presented here
may save computation time by:
_ Indicating which interfaces play a crucial role in

determining the structure of all other interfaces

_ Asking crucial questions that advance
understanding of the structure of interfaces and
frequently cannot be answered withoutmodeling.
The interface structures can be described as being
built of nanosized clusters of atoms interacting with
each other by means of elastic fields, or as dense
atomic planes and rows interacting with each other
by means of van der Waals forces and elastic fields,
or as individual atoms interacting to locally form lowenergy structures. The challenge is to develop phase
diagrams for the interfacial structure based on
precise calculations of the localization parameter, p.
For that purpose, the interface shear modulus must
be calculated. This, in turn, requires knowledge of the
nature of interfacial bonding, particularly the
Coulombic contribution, the covalent contribution,
and the contribution of van der Waals forces.
Knowledge of which atoms interact across the
interface is also required. The localization parameter,
p, can enable the prediction of the type of structure
that is actually present in particular conditions

Clculos simplificados del parmetro p.

Se deduce que las transformaciones de fase
anteriores
En la estructura de interfaz (figura 8)
Ocurren al moverse en el espacio de
coordenadas
De los parmetros cristalogrficos, variando
la
Inadaptacin, temperatura, presin y
tamao de la
cristal.
La Tabla 2 muestra el rango esperado de
ngulos
Para la validez del modelo SU, dependiendo
En el parmetro de localizacin, p.
La Figura 9 muestra el diagrama de fases
para
Fases de una interfaz en funcin de la
Y grosor de los cristales.
Algunos mapas que muestran las
estructuras de relajacin
De interfaces dependiendo del grado de
desajuste
Y los metales colindantes tambin se dan en
la
Libro de Howe basado en los papeles de
Stoop
Y van der Merve (Ref. 26) y Kato (Ref. 27).
Por lo tanto, pueden producirse cambios de
estructura
porque:
? Un cambio de la energa de unin, que es
un
Funcin de la temperatura y presin o
concentracin
De los tomos segregantes
? Un cambio de espesor de la cristales
? Un cambio en la desorientacin de la
cristales
Sin embargo, los lmites de las reas que
Difcilmente se pueden estimar las diversas
estructuras Basndose nicamente en los
clculos simplificados anteriores.
El mayor desafo para los clculos analticos
Es estimar la energa de unin, EAB,
incluyendo tambin los efectos de la
temperatura.
Conocimiento del efecto del espaciamiento
interatmico
Cambio en la energa del enlace roto es

necesario. Del mismo modo, la contribucin

de van der
Es difcil estimar las fuerzas de Waals,
porque
Dependen fuertemente de la separacin del
cristal
O separacin de las filas interatmicas. Con
un
Para el parmetro p, puede ser
Posible dibujar un diagrama de fases preciso
para
La estructura de la interfaz.
Efectos a escala nanomtrica. Con el
reciente advenimiento
Nanotecnologa, la importancia de las
interfaces
Para el rendimiento de materiales y
dispositivos es
Crucial (Ref. 28, 29), ya que para las
nanomtricas
Dimensiones de los cristales, los tomos
situados
Forman una gran fraccin de todos los
tomos en el material. Por lo tanto, es
Importante considerar cmo los efectos de
la nanoestructuracin
Llevar a cabo una modificacin
El modelo de parmetros de localizacin de
interfaces
E incluir en los esfuerzos de modelizacin los
efectos
De fuerte curvatura, triple unin y pequea
Tamaos de cristales.
Implicaciones de los cambios en la interfaz
Estructura para Reacciones de Interfase
Debido a que la estructura de interfaz es
una funcin
De los cristalogrficos previamente
explicados
Parmetros, resistencia de unin interfacial,
Y rigidez de los cristales, el mecanismo
De las reacciones interfaciales es una
funcin
Parmetros. Algunos ejemplos de la
Aplicacin de la a mencionada teora de la
Estructura de interfaz se presentan para
predecir
Interfaz mecanismos de reaccin.
Crecimiento de un cristal a expensas de

Otro. Dos casos de interfaces entre dos

Cristales-una interfaz desordenada y una
Interfaz construida a partir de SU de baja
energa separadas
Por dislocaciones. En el caso de
Una interfaz de baja energa compuesta de
un tipo
De SU, la cintica de reaccin ser
insignificante,
Porque no hay canales para la transferencia
de
tomos a travs de la interfaz, excepto
Vacantes activadas. En el caso de una
interfaz
Construido a partir de SU de baja energa
separados por dislocaciones,
La cintica de reaccin depender de
La cintica de deslizamiento y ascenso de la
interfase
Dislocaciones.
La Figura 10 proporciona un ejemplo de una
reaccin
Impulsado por el movimiento de las
dislocaciones de la interfaz
(Ref. 30, 31). El electrn de alta resolucin
La imagen microscpica muestra
dislocaciones desajustadas que Acomodar la
diferencia de las constantes de la red
De las dos fases. Esta interfaz tiene una
Estructura para dos espesores diferentes de
La espinela creciente y diferentes tasas de
crecimiento. En
Higo. 10 (a), los vectores Burgers de
dislocaciones desajustadas
Son paralelos a la interfaz. El MgO
Capa crece lentamente por una ley
parablica,
Las dislocaciones desajustadas suben. Por
otra parte,
En la Fig. 10 (b), los vectores Burgers del
desajuste
Las dislocaciones estn inclinadas al plano
de la interfaz.
La pelcula de MgO crece por una
combinacin de dislocacin
Deslizarse y subir, de modo que la velocidad
El crecimiento de la pelcula aumenta de
manera lineal. Por lo tanto,
La estructura de dislocacin de la interfaz es

diferente
Para los dos regmenes de crecimiento. Para
las interfaces
Estudiados, los ncleos de dislocacin
desajustados
Lugar donde tiene lugar la reaccin real que
Conduce a un nuevo crecimiento de fase. Se
deduce que para
Una interfaz compuesta de regiones de baja
energa
Y las dislocaciones estructurales, la cintica
de la
La reaccin depende del tipo de
dislocaciones
presente.
En el caso de una interfaz desordenada, una
El cristal crecer a expensas del otro
A lo largo de toda la interfaz, aprovechando
Coeficientes de difusin mejorados para la
transferencia de masa
A lo largo y perpendicular a la interfaz.
Grabski y Korski (Ref. 8) propone considerar
Cintica de la interfaz controlada por el
nmero
De canales que los tomos pueden cruzar y
la frecuencia
De saltos. Est claro que para un trastorno
Interfaz, cualquier lugar puede ser un canal
para
Transferencia de material, mientras que para
interfaces
SU, es probable que estos canales estn
situados
Entre las SU, y su nmero depende
En su espaciamiento.
Reacciones superficiales en pelculas
delgadas. Cuando un
La pelcula fina crece en la superficie de un
cristal grande,
La primera capa atmica debe ser
totalmente coherente
Con el sustrato, porque la capa delgada no
puede
Sostener cualquier estrs. Sin embargo,
habr un
Cuando la energa elstica almacenada en
La capa ya es suficiente para conducir uno
de
Dos posibles transformaciones:
? Crecimiento en forma de islas separadas

por
Valles, de manera que la energa elstica se
minimice
? Transformacin en semicerente y
posteriormente
interfaces no coherentes
Estas etapas se muestran en la Fig. 11 (Ref
2).
Por lo tanto, la misma interfaz puede crecer
por diferentes
Mecanismos, dependiendo del espesor
De la capa de crecimiento.
La transicin de la coherente a
semicoherente
Interfaz se produce cuando el lmite de
grano
Estructura con dislocaciones tiene menos
energa
que
La estructura coherente de la deformacin
(Ref 2):

Donde EY es el mdulo de Young, y G es shear

mdulo. Se ve claramente que h disminuye como
El valor de p disminuye, yc es el desajuste
Entre las rejillas de los dos cristales. Uno
De las definiciones de inadaptacin es la siguiente:

Donde aa y ab son ambas constantes de retcula, D es

Ja Ab, y ao es la constante de retcula promedio.
Sin embargo, si las dislocaciones tienen ncleos anchos,
Se superponen, y la interfaz semi coherente
Se transformar en un no coherente. La condicin
Para una interfaz semi coherente es (Ref 2):

Donde aa y ab son las constantes de la red de la Dos fases.

Sin embargo, para los MD deslocalizados Ncleos, esto es
una coherencia directa y no coherente Transicin en lugar
de una coherente-a-semi coherente
transicin.

La ecuacin 10 da la

Valor h? 50 b, es decir, aproximadamente 50

Capas atmicas, que es un valor razonable.
La Figura 9 (Ref 2) muestra un diagrama de
fases que ilustra
Las regiones de estabilidad de cada una de las
Estructuras antes mencionadas. El plano abcd es
un Plano de inadaptacin constante. Para los
valores de p bajos, el
Ruta (1) => (3) es la transformacin directa
Desde una interfaz coherente hasta una no
coherente. en
Alto-p-valores, la secuencia es (1) coherente =>
(2) semicoherente => (3) no coherente

Algunos mapas de las estructuras de

relajacin de la interfaz
Que dependen del desajuste y de los
metales contiguos
Tambin en el libro de Howe basado en el
Papeles de Stoop y van der Merve (Ref 26)
As como Kato (Ref. 27).
Reacciones superficiales con nanopartculas.
por
Partculas nanomtricas sobre las que se
debe
Crecimiento debido a la interaccin con la
fase gaseosa,
A la manera de cristales grandes, SUs
construido
De los densos bloques atmicos juegan un
papel crucial
En la determinacin de la cintica del
proceso. Como partculas Se hacen ms
pequeos, tienen un gran nmero de
tomos situados en los bordes y esquinas. el
Fraccin de esquinas aumenta
aproximadamente
D $ $ cuando el dimetro de la partcula se
encoge,
Mientras que el nmero total de tomos de
superficie
Slo cambia ligeramente cuando el tamao
de partcula
Disminuye de 10 a 2 nm. El nmero de
esquinas
Y los bordes determina la velocidad de las
reacciones
Entre las partculas y la atmsfera
circundante,
Incluyendo reacciones catalticas (Ref. 32).

Un ejemplo de repisas en la superficie de

nanopartculas
Para el caso de un niquel Raney (esponja)
Catalizador con un tamao de cristalito de
unos pocos nanmetros Y un gran nmero
de esquinas y bordes
tomos se muestra en la Fig. 12. As, en el
caso de
Superficies, SUs similar control interfaz
cintica,
Mientras que en el caso de interfaces, son
segmentos de
Llenos de lleno de aviones y sus cornisas.
Vinculacin o descolgamiento de dos
cristales. el
Un parmetro crucial para unir o desunir
Dos cristales es el trabajo de adhesin:

Donde gA y gB son las energas superficiales

de
Cristales A y B, respectivamente; GI es la
interfaz
Energa superficial; Y gadh es el trabajo de
Adhesin o energa de adhesin. La figura 13
ilustra
El concepto del trabajo de adhesin.
El trabajo por unidad de superficie para
separar dos cristales
A lo largo de la interfaz es el trabajo de
adhesin.
Dado que el valor del parmetro de
localizacin, p,
Depende de la energa de unin
intercristalina,
Depende tambin de la energa de adhesin.
Actualmente,
La energa de unin y la adhesin son
equivalentes
(Figura 13a, b). La figura 13 ilustra
Cualitativamente los diversos factores que
pueden influir adhesin. Las figuras 13 (c) y
(d) muestran que Saturacin de los enlaces
rotos por impurezas De la atmsfera del gas
o de los tomos segregados A la interfaz
puede eliminar la adhesin.
En otras palabras, la presencia de tales
impurezas
O tomos aadidos a propsito puede

Cambiar la energa de enlace y la estructura

de interfaz.
En los sistemas reales, puede ser una
cintica
Controlado. La figura 13 (e) muestra
esquemticamente
Cmo la reconstruccin de la superficie
puede
Disminucin de la energa de adhesin, ya
que el
La energa de enlace sera parcialmente
relajada por la superficie
reconstruccin. La figura 13 (f) muestra que
El alto desajuste tambin conduce a una
baja adherencia. el
Dos tipos de reconstruccin
Dificultan la prediccin de la energa de la
interfaz
Basado nicamente en la interaccin terica
Energtica entre los tomos, como, por
ejemplo,
El Binder et al. (Ref. 33), Miedema y
Den Broeder (Ref. 34), Becker (Ref. 35), o
McDonnald-Eberhard (Ref. 36).
En resumen, la estructura de la interfaz
depende
Sobre factores completamente
independientes de la
Parmetros, como la presencia de
De pequeas cantidades de tomos
forneos o
Posibilidad de reconstruccin superficial. Por
lo tanto,
Antes de que cualquier clculo estructural
La evaluacin de la relacin interfacial
La energa de enlace es la preocupacin
principal. esto
Puede suponer un desafo considerable para
los
Modelado de la estructura de interfaz y
Reacciones.
Conclusiones
La cintica de las reacciones de la interfaz
depende
Su estructura, ya sea desordenada y no
coherente,
Semicoherentes, o con dislocaciones
estructurales,

O coherente / baja energa compuesta de Un

tipo de SU. Esto, a su vez, depende de la
Condiciones termodinmicas, inadaptacin
de los cristales, Tamao de los cristales,
naturaleza del interci- Y nueve parmetros
cristalogrficos
Que determinan la orientacin recproca de
los cristales,
Sin tener en cuenta el no equilibrio
Estructuras. Las transiciones de fase pueden
ocurrir entre
Las diversas estructuras, dependiendo de la
variable
Parmetros tales como la relacin de
orientacin,
Temperatura, presin, qumica, etc.
El modelo fsico de las interfaces
presentadas
Aqu puede ahorrar tiempo de computacin:
? Indicar qu interfaces juegan un papel
crucial
Determinar la estructura de todos los dems
interfaces
? Hacer preguntas cruciales para avanzar en
la comprensin
De la estructura de las interfaces y
frecuentemente
No se puede responder sin la modificacin.
Las estructuras de interfaz se pueden
describir como
Siendo construido de nanosized clusters de
los tomos que interactan Entre s
mediante elstico
O como planos y filas atmicos densos que
interactan
Entre s por medio de van der Fuerzas de
Waals y campos elsticos, o como individuos
Los tomos que interactan para formar
localmente energa de baja energa
Estructuras. El desafo es desarrollar la fase
Diagramas para la estructura interfacial
basada en
Clculos precisos del parmetro de
localizacin,
pag. Para ello, el corte de interfaz Se debe
calcular el mdulo. Esto a su vez, Requiere
el conocimiento de la naturaleza de la
La vinculacin, particularmente la
contribucin de Coulombic, La contribucin

covalente, y la contribucin
De las fuerzas de van der Waals.
Conocimiento de
Que los tomos interactan a travs de la
interfaz es tambin
necesario. El parmetro de localizacin, p,
puede
Permiten la prediccin del tipo de estructura
Que est realmente presente en condiciones
particulares