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Teil III

1.2.1

n-Dotierung

- Dotierungsatome nehmen normale Gitterplatze ein


f
unftes Elektron, das nicht f
ur Bindung gebraucht, nicht
vollstandig frei
1.1 Idealer Halbleiter, Elektronen und L
ocher - jedoch wenig Energie um diese Elektronen ins Leitungsband
anzuheben
Def. Halbleiter: K
onnen hinsichtlich der elektrischen Leitf
ahigkeit als Nichtleiter oder Leiter betrachtet werden. Leitfahigkeit ist stark von der Temperatur abh
angig, Isolator bei Temperaturnullpunkt (Elektronen gebunden). Bei steigender Temperatur, h
ohere Leitf
ahigkeit. Silizium ist dominantes Basismaterial

Halbleiterphysik S. 6

Eigenleiter: Anzahl Elektronen gleich Anzahl L


ocher
Dichte der freien Elektronen:
(in [cm3 ])
+
nn0 = pn0 + ND

EG ... Bandabstand, Energie um Elektron herauszulosen


n ... Anzahl Elektronen
p ... Anzahl L
ocher

Naherung: pn0 =

n2i
+
ND

ni . . . Eigenleitertragerdichte (s. Tabelle S. 9 im Skript)


pn0 . . . Dichte der Locher verursacht durch Eigenleitung
+
ND
. . . Dichte der ionisierten Donatoratome
n-Dotierung f
uhrt zu einer Erhohung der Ladungstr
agerkonzentration im Leitungsband (Fermi-Niveau)
a) Eigenhalbleiter: bei T=0 K, keine freien Elektronen
b) Eigenhalbleiter: Elektronleitung im Leitungsband und Locher-Leitfahigkeit:
+
= e 0 ND
n
leitung im Valenzband
c) Verunreinigter, dotierter Halbleiter: L
ocherleitung im Valenzband
1.2.2 p-Dotierung
d) Metall: Freie Elektronen im Leitungsband
- ein Elektron in kovalenter Bindung fehlt
e) Isolator: Keine freien Elektronen
- wenig Energie notig damit anderes Elektron diese Loch f
ullt

schwach
gebundenes
Loch
im
Valenzband
Bewegungsgleichung f
ur Elektronen:
m( dv
dt + 0 v) = FA = e0 E
e0
station
ar: v = m
E =E
0
m ... effektive Masse
0 ... Reibungskoeffizient
v ... Driftgeschwindigkeit

FA . . . Aussere
Kraft
e0 . . . Ladung
E . . . Elektrische Feldst
arke
Elektrische Leitf
ahigkeit:
= e0 (n n + p p )
n . . . Konzentration der freien Elektronen
p . . . Konzentration der freien L
ocher
n . . . Beweglichkeit der freien Elektronen
p . . . Beweglichkeit der freien L
ocher

1.2

Dichte freier Locher [cm3 ]:


pp0 = np0 + NA
n2

Naherung: np0 = N i+
A
np0 . . . Dichte der Elektronen verursacht durch Eigenleitung
NA Dichte der ionisierten Akzeptoratome
p-Dotierung f
uhrt zu einer Erhohung der Ladungstr
ager im
Valenzband

Dotierung von Halbleitern S. 9

- Einbau von Fremdatomen


Leitfahigkeit:
Donator: Einbau eines Atom, das ein Elektron mehr als Grund- = e0 NA p
material Si hat, Elektronen sind Majorit
atstr
ager, Material
wird n-leitend

1.3

Akzeptor: Einbau eines Atoms, das ein Elektron weniger hat,


Locher sind Majorit
atstr
ager, Material wird p-leitend

Der pn-Ubergang
S. 12

Im Grenzbereich zwischen zwei unterschiedlich dotierten Bereichen herrscht kein Gleichgewichtszustand zwischen der Bewegungen der Locher und der Elektronen
21

III


Ungest
orter pn-Ubergang

1.3.1

1.3.2

pn-Ubergang
bei Beanspruchung in Sperr-rtg

- Diffusion tritt auf


- freie Elektronen bewegen sich von n- zu p-Bereich
- L
ocher bewegen sich von p- zu n- Bereich
Neutralisierung
- Driftbewegung entgegen Diffusionsrichtung
Raumladungszone:
- auf beiden Seiten verbleiben ionisierte Dotierungsatome
- Grenzen: xn und xp
Diffusionsgleichungen:
in,DIf f = e0 Dn dn
dx
dp
ip,DIf f = e0 Dp dx
Diffusionskonstanten:
Dn = n kT
e0
Dp = p kT
e0

nur freie ps und ns

- zusatzliche Feldstarke mit gleicher Richtung wie Feldst


arke
durch Diffusion
- Raumladungszone dehnt sich aus, da beide Seiten zur
uckgedrangt
Lawinendurchbruch:
- wenn HL sperrt, plotzlich zuviele Ladungstrager und leitet
- steiler Stromanstieg durch Diode ab negativem Spannungswert UBR
- pn-Schicht bricht durch
- Erhohung der Sperrspannung bis kritische Feldst
arke
- durch Stossionisation wird zusatzliches Elektron-Loch frei
- beliebiger Strom erreicht
- gen
ugend grosse Raumladungszone notig Effekt h
aufig in

pin-Uberg
angen
- kann Schutz f
ur Diode sein!
1.3.3

dE(x)
dx

E(x) =

(x)


(x)
 dx

= xp e0 N
E
A

dV (x)
dx

= E(x)

V (x) =

III

pn-Ubergang
bei Beanspruchung in Durchflussrichtung S. 16

E(x)dx

1


- zusatzliche Feldstarke EB entgegen Feldstarke durch Diffusion


- Verringerung der gesamten elektrischen Feldstarke
- Raumladungszone verkleinert

- bei zunehmenden UB wird pn-Ubergang


leitend

22

Leistungshalbleiter S. 18

2.1.1

Diodenkennlinie S. 20

2.1.2

Leistungsdiode S. 21

Suche nach idealem Schalter, einfach ansteuerbar, verlustarm


und abschaltbar
2.0.4
-

Unipolare Halbleiter

verf
ugen nur u
atstr
ager
ber Majorit
keine Ladungsspeichereffekte (da keine Minorit
atstrager)
schalten schnell
sehr geringe Ansteuerleistung
eher hohe Durchlasswiderst
ande

- Schottky-Diode
- MOSFET
2.0.5
-

- schwach dotierte Mittelzone pin-Ubergang


- ohne Mittelzone wird schon bei relativ kleinen Spannungen
die Durchbruchfeldstarke erreicht
- Ausbreitung der Raumladungszone (depletion layer)

- pin-Ubergang
i . . . intrinsisch
- Mittelgebiet n , mehrere Grossenordungen tiefer dotiert wie
n+ Gebiet
- hohere Sperrspannungen
- hohe Strome

Bipolare Halbleiter

haben Majorit
atstr
ager UND Minorit
atstr
ager
Dioden
Thyristoren
IGCTs
IGBTs

IGBT:
- Insulated Gate Bipolar Transistor
- sehr feine Struktur
- ab 10kW

2.1.3

Eindimensionale Poisson Gleichung:

dE
d2 V
dx2 = dx = 

e0
dE

dx =  =  N

IGCT:
- Integrated Gate Commutated Thyristor
- beschaltungslos, robust
- ab 500 kW bis zu 100 MW
- grobe Struktur (i.Vgl. zu IGBT)

Si = 1.04 1012 F/cm und e0 = 1.6 1019 C


Maximale RSperrspannung:

UR,max = 0 v E(x)dx
Die maximal beherrschenbare Sperrspannung entspricht der
Flache, welche der Verlauf der Feldstarke E(x) aufspannt.

Thyristor:
- im obersten Leistungsbereich, Hochspannung
- zuverlassig
- sehr tiefe Verluste

2.1

pin-Ubergang
bei Beanspruchung in Sperr-Rtg

Diode

Ein- und Aus-Zustand durch das elektrische Umfeld bestimmt


A) Schnelle Dioden:
- schnelles und weiches Schalten
- kleine gespeicherte Ladung
- hohe di/dt Werte beim Ausschalten erlaubt
- bis zu 6000 V dynamischer Sperrspannung
B) Netzkommutierte Gleichrichterdioden:
C) Schottky-Diode
Nachfolgend werden nur schnelle Dioden betrachtet
Fall c): Punch-Through, wenn Raumladungszone bis in n+ Schicht geht, wirkt wie Stoppschicht f
ur das E-Feld
Verwendung d
unnerer HL, weniger Verlust, h
ohere Sperrspannungen
Ziel: Punch-Through ausnutzen, mogl. konst. E-Verlauf in n

23

III

2.1.4

Randabschluss S. 23

2.1.7

- lokale Feld
uberh
ohungen vermeiden
- bei IGBTs: Feldringe im Randbereich

Ausschaltverhalten der Diode (Reverse-Recovery


Effekt) S. 25

- kritisch
- Abschalten mit eingepragter Stromrampe diF /dt
- Ladungstrager aus Mittelgebiet ausraumen:
1) Diodenstrom linear abbauen
2) negativer Diodenstrom, wirkt ladungsmindernd
3) Raumladungszone bildet sich, Diode kann Spannung aufnehmen
4) maximaler R
uckstrom
5) R
uckstrom fallt weiter, nahert sich 0

2.1.5

pin-Ubergang
bei Beanspruchung in Durchlassrichtung S. 24

- Mittelzone wird von Ladungstr


ager der angrenzenden Gebiete u
berschwemmt
- Ladungstr
agerdichte n(x) und p(x) >> Dotierungsdichte
N
- Mittelzone verh
alt sich wie nicht dotiertes (intrinsisches) Silizium
- Spannung: VF = VF 0 + rF iF
2.1.6

Uberspannung:
F
uF = L idt
Hard recovery / Snapp off:
wenn bei Phase 5 (beim Abbau des R
uckstromes) keine La
dungstrager mehr in der Mittelzone sind Uberspannung

Defekt der Diode


gute Diode hat da noch Ladungstrager (auch bei kleinem
Strom)

Einschaltverhalten der Diode (Forward-RecoveryEffekt)

- nicht kritisch
- beim Einschalten zuerst Mittelgebiet mit Ladungstragern
von den R
andern u
berschwemmen
- deshalb anf
anglich erh
ohter Spannungsabfall (forward recovery)
- Spannungsabfall in Funktion von diF /dt
- tritt nur bei sehr schnellen Schaltvorg
angen auf

kritisch:
- tiefe Temperaturen
- hohe di/dt
- grosse Streuinduktivitaten in Kommutierungspfade
- bei max. auftretender Spannung

III

24

2.2

Thyristor S. 28

2.3
-

IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor) S. 29

Thyristor der auch ausgeschaltet werden kann


hohe Robustheit
Anwendung bei Mittelspannung
IGCT betrachtet als optimal angesteuerter GTO
harte Ansteuerung moglich (hohe di/dt)

Zwei-Transitor Ersatzschaltbild des Thyristors gilt auch f


ur
und
I
=
I
+
I
den IGCT: 1 = IIC1
E1
C1
G1
E1

kann mit Stromimpuls eingeschalten/gez


undet werden
Zustand bleibt bis Spannung negativ
Einschalten: mit positiven Stromimpuls
Ausschalten: analog Ausschalten Leistungsdiode

2 = IIC2
und IE2 = IC2 + IG2
E2
IK = IA + IG
2.3.1

Aufbau des IGCTs S. 30

di/dt begrenzen, damit nicht u


berhitzt
Schonzeit beim Ausschalten
dv/dt der wiederkehrenden Spannung begrenzen
RC-Beschaltungsnetzwerk pro Thyristor

Ausschaltvorgang:

25

III

2.3.2

2.3.4

Ansteuerung des GCTs S. 32

- tiefe Gatekreisimpedanz
- durch niederimpedante MOSFET als Schalter
- durch niederimpedante Kondensatoren als Spannungsquellen

- Einschalten mit hohem Gatestrom und hoher Gatestromsteilheit moglich


- T2 reagiert sehr rasch (direkt angesteuert)
- T1 reagiert verzogert (indirekt angesteuert)
- ahnliches Verhalten wie ein rasch und homogen einschaltender Hochleistungstransistor
2.3.5

Einschalten eines IGCTs

Ausschalten des IGCTs S. 34

Speisungsteil
optische Ansteuerung (Lichleiter)
Einschaltkreis von +20V
Haltestromerzeugung f
ur den Durchlasszustand
Ausschaltkreis mit -20V
Nachz
undeinheit (Retriggering)

2.3.3

Durchlasszustand des IGCTs S. 33

tiefere Verluste, da beidseitige Ladungstr


agerinjektion in die
Basisgebiete n1 und p2 (schneller)

IK = IA + IG
- zwingend beim Abschalten des GTOs niederinduktive dv/dt
Beschaltung
- beim IGCT keine dv/dt Begrenzung notig
2.3.6

Beschaltungskreise f
ur einen IGCT-Umrichter

- IGCT braucht kein begrenztes di/dt durch Drossel beim


Einschalten
- IGCT braucht kein begrenztes dv/dt durch Kondensator
beim Ausschalten
- Diode braucht Ausschaltbeschaltung (= di/dt-Begrenzung
durch Drossel LB )

- Diode braucht Uberspannungsnetzwerk


(durch DBI und
CCI )

2.3.7
-

Mitkopplungseffekt zwischen T1 und T2


1 + 2 = 1
bei hohen Str
omen n(x) p(x)
IGCT verlustm
assig dem IGBT u
berlegen

III

R
uckw
arts sperrende IGCTs

- monolithische symmetrische IGCT (Sperrichtung in beide


Richtungen)

26

2.4

IGBT S. 38

2.4.1

- Insulated Gate Bipolar Transistor


- Niederspannungsbereich

Aufbau des IGBTs

- IGBT und Dioden Chips auf isolierendem Keramiksubstrat


(direct cupper bounding)
- oben kontaktieren Aluminiumdrahte (wire bounding)
- Keramiksubstrat hat Kupferbahnen f
ur die Kontaktierung
der Chipunterseite

2.4.2

Ansteuerung des IGBTs S. 41

- potentialgetrennter Speisungsteil
- potentialgetrennte Ansteuerung
- Einschaltkreis mit +15V und Ausschaltkreis mit -8V/-15V
RG on und RG of f f
ur dv/dt Reduktion
optional: CGE f
ur di/dt Reduktion
- Gateschutzbeschaltung

- VCE sat Uberwachung


- soft shutdown Funktion (gesteuert oder geregelt)

Widerstand RW gen
ugend klein
einfache Ansteuerung aufgrund MOS Gatestruktur
Beschaltungslose Designs
tiefere Verluste bei Niederspannung
Integrierte Isolation
2.4.3

Durchlasszustand des IGBTs S. 43

- heute vom Non-Punch-Trough (li) zum Punch-Through (re)


kleinere Chipdicke, kleinere Verluste

27

III

2.4.4

Einschalten des IGBTs S. 44

2.4.5

Ausschalten des IGBTs S. 45

- di/dt der Diode begrenzen, damit sie u


- Gatespannung nach ersten Entladung der Gatekapazit
at auf
berlebt

- hohere Schaltverluste durch langsames Einschalten, da UberMillerspannung

Soft-Punch-Through IGBTs:
- sehr hohe dv/dt Festigkeit
- Spannungsbegrenzung durch Lawineneffekt
- self-clamping (U ), basierend auf Lawinendurchbrucheffekt

flutung nur von einer Seite


- zus
atzlicher Verlust durch den Reverse Recovery Strom der
Diode

2.4.6

Kurzschlussabschaltung S. 46

- IGBT kanns, IGCT nicht! - Strom sattigt statt unedlich


gross zu werden
2.4.7

Technologiekurve S. 47

- unbestrahlt (high carrier life time)


- Elektronenbestrahlung (medium carrier life time)
- Zusatzliche Protonenbestrahlung (low carrier lige time)

III

28

Pulswechselrichter (U-Umrichter) 3.3 Zwei Phasenbausteine fur Speisung einer Phase S. 54


S. 49
3.3.1

3.1

Modulationsverhalten

Unipolares Modulationsverfahren (Bild) ist besser als bipolares (S.S.55), da alle moglichen Ausgangsspannungen genutzt
werden und somit Spannungsspr
unge auf Ud verringert werden. Bei bipolarem sind die Spannungsspr
unge 2Ud von Ud
bis Ud

Per Unit System

Physikalische Gr
ossen: U, I,
Dimension: V, A, V s
Bezogene Gr
ossen: u, i,
Dimension: per Unit
=1
Bezugsgr
ossen:

N = 2 UN
Phasenspannung: U
ef f

Phasenstrom: IN = 2 INef f
elektr. Winkelgeschwindigkeit: N = 2 fN
N /IN
Impedanz: ZN = U

3.2

Ein Phasenbaustein fu
r Speisung einer
Phase S. 52

- Ansteuerung mit Pulsweitenmodulation (PWM)

Modulationsindex: ma =

mA
U
CR
U

Frequenzmodulationsverh
altnis: mf =

fCR
f1

3.3.2

Zwischenstromkreisberechnung S. 57

P
uAB= 2 U1 sin(1 t) + h 2 Uh sin(h1 t + h )
i = 2 I1 sin(1 t )

Amplitude der Grundwelle der Ausgangsspannung:


A0 )1 = ma Ud solange ma 6 1
(U
2
mA
CR

quasi verlustfrei:
Ud id = uAB i = U1 I1 [cos cos(21 t)]+hohere Frequenzanteile

. . . Referenzsignal
. . . Tr
agersignal

29

III

3.3.3

Ausgangsstromberechnung S. 58

3.4

Last:
- elektrisches Netz
- elektrische Maschine

Drei Phasenbausteine fu
r die Speisung
von drei Phasen S. 59

Die Ausgangsspannung und der Ausgangsstrom bestehen jeweils aus einer Grundwellenkomponente und einer Rippelbzw. harmonischen Komponente (Oberschwingungen):
u(t) = u1 (t) + uv (t)
i(t) = i1 (t) + iv (t)

3.4.1

Betrieb bei Grundfrequenztaktung

Zeigergleichung f
ur die Grundwelle:
UAB = E0 + j1 L I1

GleichungRf
ur die Oberschwingungen:
t
iv (t) = L1 0 uv (t)dt + I0

uR0 , uS0 , uT 0 . . . drei Phasenspannungen mit Gleichspannungsmittelpunkt 0 als Bezugspotential


Common Mode Spannung tritt zwischen freiem Laststernpunkt M und Gleichspannungsmittelpunkt 0 auf.
uCM (t) = uM 0 (t) = 31 (uR0 + uS0 + uT 0 )

III

30

3.4.3

Ubermodulation
S. 63

Theoretisch 15.5% Ubermodulation


in linearem Bereich m
oglich
bei dreiphasigen Pulsumrichtern, wo sich der Sternpunkt der
Last frei bewegen kann.

Ubermodulationssignal
wird zu den drei Referenzspannungen
dazu addiert, z.B. Addition einer 3.Harmonischen mit dreifach Taktung (0.15 sin(3t))

bei
bei
bei
bei
bei

R1 = ma Ud
U
1
2
ULL1 = 32 ma U2d

positiver Stromhalbwelle: Laststrom durch S1 und D2


negativer Stromhalbwelle: Laststrom durch S2 und D1
Leistungsfaktor 1: S1 und S2 belastet
Leistungsfaktor -1: D1 und D2 belastet
Leistungsfaktor 0: alle Halbleiter stromm
assig gleich

3.4.4

Umrichterverriegelungszeit

Nach Ausschalten eindes Phasenbausteines, nachster erst mit


gewisser Verzogerung einschalten, damit kein Kurzschluss

Spitzenwert der Phasenspannung:


R0 = 2 Ud
U
1

3.4.5 Zwischenstromkreisberechnung
Amplitude
der Grundwelle
der verketteten Ausgangsspannung:

Leistungsbilanz unter Vernachlassigung der OberschwingunULL1 = 32 4 V2d = 6 Ud


gen:
Ud id = uR01 iR1 + uS01 iS1 + uT 01 iT 1 = 3 U1 I1 cos 1
Oberschwingungen
der Ausgangsspannung:

U 1
ULLv = LL
= 6 Uvd mit v = 6n 1
v
Zwischenkreis verursacht DC-Komponente:
3.4.2

Betrieb mit Pulsbreitenmodulation S. 63

Mit Pulsweitenmodulation(PWM) kann Amplitude der Ausgangsspannung (hochdynamisch) ver


andert werden
Regular Sampling: Winkelfehler der Abtastung wird kompensiert (Vordrehung)
Double Edge Sampling: Oberschwingungen werden direkt eliminiert

idDC =

3U1 I1
Ud

3.4.6

Ausgangsstromberechung S. 66

uR (t) = uR0 (t) uCM (t) = 31 (2 uR0 (t) uS0 (t) uT 0 (t))
kann auch direkt in Raumzeigernotation berechnet werden,
wo Common Mode Anteil (=Nullsystem) automatisch wegf
allt

3.4.7

31

cos 1

Verluste in Halbleitern S. 67

III