INGENIERIA ELECTRICA

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

CAP IV
DIODOS Y SUS
APLICACIONES

SEGUNDA UNIDAD:

CAP IV: LOS DIODOS Y SUS APLICACIONES

1.
2.
3.
4.
5.
6.

Introduccin
Unin P-N circuito abierto y polarizada
Caractersticas tensin-corriente
Resistencia esttica y dinmica
Modelo de diodo: Ideal y Real
Tipos de diodos: Zener, referencia de tensin,
fotodiodos, diodos emisores de Luz (led)
7. Circuitos de aplicacin: recortador, fijador,
rectificadores, doblador de tensin, filtro con
condensador

3.1 INTRODUCCION
Un diodo (del griego "dos caminos") es un
dispositivo semiconductor que permite el paso de
la corriente elctrica en una nica direccin con
caractersticas similares a un interruptor. De forma
simplificada, la curva caracterstica de un diodo
(I-V) consta de dos regiones: por debajo de cierta
diferencia de potencial, se comporta como un
circuito abierto (no conduce), y por encima de ella
como un corto circuito con muy pequea
resistencia elctrica.

3.1 INTRODUCCION
Los primeros diodos eran vlvulas grandes en chips
o tubos de vaco, tambin llamadas vlvulas
termoinicas constituidas por dos electrodos
rodeados de vaco en un tubo de cristal, con un
aspecto similar al de las lmparas incandescentes.
El invento fue realizado en 1904 por John Ambrose
Fleming, de la empresa Marconi, basndose en
observaciones realizadas por Thomas Alva Edison.Al igual que las lmparas incandescentes, los tubos
de vaco tienen un filamento (el ctodo) a travs
del que circula la corriente, calentndolo por efecto
Joule.

3.1 INTRODUCCION
Los diodos PN, son uniones de dos materiales
semiconductores extrnsecos tipos p y n, por lo que
tambin reciben la denominacin de unin pn.

Se tiene que destacar que ninguno de los dos

cristales por separado tiene carga elctrica, ya que
en cada cristal, el nmero de electrones y protones
es el mismo, de lo que podemos decir que los dos
cristales, tanto el p como el n, son neutros. (Su
carga neta es 0).

3.1 INTRODUCCION
Diodo: Aplicaciones
Corriente alterna
Corriente continua

Rectificador

Diodos

Condensadores

3.1 INTRODUCCION
Diodos especiales: Diodo LED

Se encierran en una cpsula que permita que la radiacin

luminosa en forma de fotones salga al exterior.
La curva caracterstica de un diodo L.E.D. es similar a la de
cualquier diodo, a diferencia de que el voltaje de codo es
mucho mayor, del orden de 1,5 a 2,5 V con corrientes entre
10 y 50 mA

3.2 Unin P-N

Semiconductor extrnseco
Se provoca un exceso de electrones o un exceso de huecos
introduciendo nuevos tomos de otros elementos (dopaje).

Se introducen tomos de
Boro ( B ), Galio ( Ga ) o
Indio ( In ).

En ellos introduzco tomos

de Fsforo ( P ), Arsnico (
As ) o Antimonio ( Sb ).

3.2 Unin P-N

TIPO p

TIPO n
Iones
donadores

Iones
aceptores
Portadores
mayoritarios

Portadores
mayoritarios

Portadores
minoritarios

Portadores
minoritarios

Tipo p

Tipo n

Regin de
agotamiento

3.2 Unin P-N

Sin polarizacin

Polarizacin inversa

Polarizacin directa

3.2 Unin P-N

Diodo
Representacin de componentes elctricos en
diagrama V-I
Caractersticas elctricas de un diodo semiconductor
Caracterstica real
Linealizacin de la caracterstica de un diodo
Interpretacin de los datos de un catlogo
Diodos especiales

Asociacin de diodos
Aplicaciones

3.2 Unin P-N

Diodo

Ctodo
nodo
nodo

Ctodo

CARACTERSTICA DEL DIODO

Idealmente, permite corriente directa (se comporta como un cable) y bloquea o
no permite la corriente inversa (se comporta como un cable roto)
I
+

PRESENTA UN
COMPORTAMIENTO
NO LINEAL !!

V
-

ANCDOTA
Un smil hidrulico podra ser una vlvula anti-retorno, permite pasar el agua
(corriente) en un nico sentido.

Funcionamiento de una vlvula anti-retorno

h1

h2

Caudal

h1 - h2

Introduccin a la fsica de estado slido: semiconductores

Semiconductor extrnseco : TIPO N
+

+
+

+
+

Electrones libres

+
+

+
+

Impurezas grupo V
300K

tomos de impurezas ionizados

Los portadores de carga en un semiconductor tipo N son

electrones libres

Semiconductor extrnseco : TIPO P

Huecos libres

300K

tomos de impurezas ionizados

Los portadores de carga en un semiconductor tipo P son huecos.

Actan como portadores de carga positiva.

La unin P-N
La unin P-N en equilibrio

Semiconductor tipo P

+
+

+ +

+
+
+

Semiconductor tipo N

+
+

La unin P-N
La unin P-N en equilibrio

Semiconductor tipo P

Zona de transicin

- +

+ +

+
+

+
+

Semiconductor tipo N

Al unir un semiconductor tipo P con uno de tipo N aparece una zona de

carga espacial denominada zona de transicin. Que acta como una
barrera para el paso de los portadores mayoritarios de cada zona.

La unin P-N

La unin P-N polarizada inversamente

- +
-

+ +

+
+
+

+
+
+

+
La zona de transicin se hace ms grande. Con polarizacin inversa no
hay circulacin de corriente.

La unin P-N

La unin P-N polarizada en directa

- +
+

+ +

+
+
+

+
+
+

+
La zona de transicin se hace ms pequea. La corriente comienza a
circular a partir de un cierto umbral de tensin directa.

La unin P-N

La unin P-N polarizada en directa

- +
-

+
+
+

+
+

+
Concentracin de huecos Concentracin de electrones
+
-

+ +

La recombinacin electrn-hueco hace que la concentracin de

electrones en la zona P disminuya al alejarse de la unin.

La unin P-N
Conclusiones:
Aplicando tensin inversa no hay conduccin de corriente
Al aplicar tensin directa en la unin es posible la

circulacin de corriente elctrica

DIODO SEMICONDUCTOR

DIODO REAL
nodo
p

ctodo

i [mA]

Ge

Smbolo

Si
V [Volt.]

-0.25

Silicio
Germanio

VKDTq
I D I S e
1

0.25

0.5

IS = Corriente Saturacin Inversa

K = Cte. Boltzman
VD = Tensin diodo
q = carga del electrn
T = temperatura (K)
ID = Corriente diodo

DIODO REAL (Distintas escalas)

i [mA]

Ge

Ge: mejor en conduccin i [mA]

Si: mejor en bloqueo 30 Ge
Si
Si
V [Volt.]

-0.25

0.25

0.5

0 1

-4

i [A]
V [Volt.]
0
-0.5

-0.5
Ge

V [Volt.]

i [pA]
V [Volt.]
0
Si

-0.8

-10

DIODO: DISTINTAS APROXIMACIONES

I

Solo tensin
de codo
Ge = 0.3
Si = 0.6

Ideal

V
I

I
Tensin de codo y
Resistencia directa
V

Curva real
(simuladores,
anlisis grfico)
V

DIODO: LIMITACIONES

Corriente mxima
I

Tensin inversa
mxima
Ruptura de la Unin
por avalancha

Lmite trmico,
seccin del
conductor

600 V/6000 A

200 V /60 A

1000 V /1 A

DIODO: Parmetros facilitados por fabricantes

id
IOmax

VR =
1000V
IOMAX (AV)=
VF =
1V
IR =
50 nA

VR =
100V
IOMAX (AV)= 150mA
VF =
1V
IR =
25 nA

Tensin inversa mxima

VR
1A
Corriente directa mxima
Cada de Tensin directa
Corriente inversa

Tensin inversa mxima

Corriente directa mxima
Cada de Tensin directa
Corriente inversa

iS

Vd

NOTA:
Se sugiere con un buscador
obtener las hojas de caractersticas
de un diodo (p.e. 1N4007).
Normalmente aparecern varios
fabricantes para el mismo
componente.

DIODO: Parmetros facilitados por fabricantes

Tiempo de recuperacin inversa

iS

UE

UE

Baja frecuencia
Alta frecuencia

iS

trr =

tiempo de recuperacin inversa

A alta frecuencia se aprecia un intervalo en el cual el diodo conduce

corriente inversa.

DIODOS ESPECIALES

Diodo Zener (Zener diode)

Tensin
Zener
(VZ)

La ruptura no es destructiva.
(Ruptura Zener).
En la zona Zener se comporta como
una fuente de tensin (Tensin
Zener).

Necesitamos, un lmite de corriente

inversa.

Lmite mximo
Normalmente, lmite
de potencia mxima

Podemos aadir al modelo lineal la

resistencia Zener.
Aplicaciones en pequeas fuentes
de tensin y referencias.

DIODOS ESPECIALES

Diodo LED (LED diode)

Diodo emisor de Luz = Light Emitter Diode

El semiconductor es un compuesto III-V (p.e. Ga As). Con la unin PN

polarizada directamente emiten fotones (luz) de una cierta longitud de
onda. (p.e. Luz roja)

DIODOS ESPECIALES

Fotodiodos (Photodiode)

i
V

iopt

Los diodos basados en compuestos III-V, presentan

una corriente de fugas proporcional a la luz
incidente (siendo sensibles a una determinada
longitud de onda).
Estos fotodiodos se usan en el tercer cuadrante.
Siendo su aplicaciones principales:
Sensores de luz (fotmetros)
Comunicaciones
COMENTARIO
Los diodos normales presentan variaciones en la
corriente de fugas proporcionales a la Temperatura y
pueden ser usados como sensores trmicos

i
El modelo puede ser una fuente
de corriente dependiente de la
luz o de la temperatura segn
el caso

I = f(T)

T1
T2>T1

DIODOS ESPECIALES

Clulas solares (Solar Cell)

Cuando incide luz en una unin PN, la

caracterstica del diodo se desplaza hacia
el 4 cuadrante.
En este caso, el dispositivo puede usarse
como generador.

VCA

V
Zona
uso

iCC
Paneles de clulas
solares

DIODOS ESPECIALES

Diodo Schottky (Schottky diode)

Unin Metal-semiconductor N. Producindose el llamado
efecto schottky.
La zona N debe estar poco dopada.
Dispositivos muy rpidos (capacidades asociadas muy bajas).
Corriente de fugas significativamente mayor.
Menores tensiones de ruptura.
Cadas directas mas bajas (tensin de codo 0.2 V).
Aplicaciones en Electrnica Digital y en Electrnica de
Potencia

El efecto Schottky fue

predicho tericamente en
1938 por Walter H. Schottky

ASOCIACIN DE DIODOS

Puente rectificador
Monofsico

Diodo de alta tensin

(Diodos en serie)

Trifsico

DISPLAY
-

APLICACIONES DE DIODOS

Detectores reflexin de objeto

Detectores de barrera

APLICACIONES DE DIODOS

Sensores de luz: Fotmetros

Sensor de lluvia en vehculos
Detectores de humo
Turbidmetros
Sensor de Color
LED

Fotodetector
Objetivo

LED azul
LED

LED verde
LED rojo

Fotodiodo

COMENTARIOS SOBRE CIRCUITOS

Los diodos (y el resto de dispositivos electrnicos) son dispositivos
no lineales.
Cuidado, no se puede aplicar el principio de superposicin!

EJEMPLO TPICO:

VE

VS

RECTIFICADOR

VE

VMAX
R

VE
t

VMAX

VS

ID

VD

RECTA DE CARGA Y PUNTO DE FUNCIONAMIENTO

CIRCUITO
LINEAL

ID
RTH

VTH

+
VD

Caracterstica
del diodo

VTH
RTH
ID

Caracterstica del
circuito lineal
(RECTA DE CARGA)

PUNTO DE
FUNCIONAMIENTO
VD

VTH

Modelado de diodos
ID

Modelo Ideal:

VD

Modelo Simplificado:

ID

VT
VT

VD

Modelo de segmentos lneales:

VT

ID

rav

rav
VT

Ejemplos

VD

330
Si

10V

Si

-Determine el estado del diodo

ID1, ID2, IR, V0.
Ge

-Determine los parmetros restantes de la red.

Si

Ge
5.6k

12V

2.2K

Si 12V

R3

VR.

VR, IR

3.3K
Si

Si
5.6k

12V

Si
20V

R3

VD1 , VD2, ID, VR.

5.6K

Si

Determine VD,, VR, ID.

Ambos casos

IR1, IR2,

4.7K
2.2K
10V

+
V0

E=8V, 0.5

5V

R3=2.2k, 1.2k
VD, ID, V0.

Si

Con fuentes de cd.

-Sustituya el equivalente adecuado

Anlisis de circuitos con diodos

V0
-

APLICACIONES
Rectificadores: Su principal uso es en sistemas electrnicos encargados
de realizar una conversin de potencia de AC, en potencia de dC.

DE MEDIA ONDA:

20V

0V

D2
1

2
-20V

V1

V1(V2)
20V

1k
0V

SEL>>
-20V
0s

1ms

2ms

3ms

4ms

5ms

6ms

7ms

8ms

9ms

10ms

8ms

9ms

10ms

V(D1:2)
Time
20V

1
0V

120

1k
-20V
V1(V2)
20V

0V

SEL>>
-20V
0s

1ms

2ms

3ms

4ms

5ms

V(R1:1)
Time

6ms

7ms

DE ONDA COMPLETA:

11

22

1k

CON TRANSFORMADORES:
Si
1

T1

5
6

Si

RECORTADORES:
Tienen la capacidad de recortar una porcin de la seal de entrada sin
distorisionar la parte restante de la forma de onda alterna.
SERIE:
D2
5V
1k

1k

4V

SUJETADORES O CAMBIADORES DE NIVEL:

C1

C1

V1
5V

DETECTORES DE SEAL:

2 Vout

Vin

C1
1

El diodo Zener
El smbolo y el comportamiento de un diodo Zener son los
que se muestran en el siguiente esquema:
+

+
Vz

encendido

Vz

V
apagado(Vz > V > 0V)

El diodo estar encendido cuando est polarizado

inversamente a un diodo normal, y cuando el voltaje sea
superior a Vz. Para que esto suceda, es necesario que la
corriente est en la zona indicada a continuacin:

El diodo Zener
La siguiente representa la curva caracterstica de un diodo
Zener:
Zona de trabajo
del diodo Zener

Zona de ruptura
del diodo Zener

Vz

ID
VD

Izmn

Izmx

El diodo Zener
El diodo Zener se utiliza para mantener un voltaje de
referencia constante, mientras que la corriente que circula a
travs suyo est comprendida entre Izmn e Izmx.
El valor de RS para que el regulador
trabaje adecuadamente (sin carga)
ser:

RS

Ve

Iz

Vz

MNIMO

MXIMO

RSmx

Ve Vz

I Z mn

RSmn

donde RSmn RS RSmx.

Ve Vz

I Z mx

El diodo Zener
La situacin ms comn es que el circuito opere con carga, tal
como se muestra a continuacin:

RS
+

Ve

I
Iz

IC

RC Vz

Las condiciones de carga

pueden variar. El diodo
Zener debe mantener sus
condiciones de regulacin,
independiente de la carga.

Reguladores de voltaje:
El objetivo de este circuito es mantener un voltaje de salida constante sobre un
rango de resistencia de carga. El resistor en serie con la fuente se selecciona
para que una cada de voltaje apropiada aparezca cuando la resistencia de
carga est en su valor mnimo. El diodo debe ser capaz de disipar una gran
cantidad de potencia cuando la resistencia de carga est en su valor mximo.
1k
Vi

+
Vz
- Pzm

1k

1.- Determinar el estado del diodo zener

mediante la eliminacin de la red y
calculando el voltaje atravs del circuito
abierto resultante.

V = VL=RLVi/R + RL

VL=Vz

Iz= IR + IL

Pz= Vz IL

2.- sustituir el circuito equivalente adecuado y resolverlo para las

incongnitas deseadas.
Vz

Vz

Vz

Reguladores de voltaje:

R
Vi

+
Vz
- Pzm

RL

R=1k

VZ=10V

Vi=16V.

PZM= 30mW

RL=1.2k
=3k

Compuertas lgicas:
In1

D1

In1

In2

In1

In2

V0

Vo.
In2

D2

1k

0
In1

D1

In2

D2

Vo.

1k
5V

V0