ISET Nabeul

ECUE n 1 : Electronique Gnrale

Chapitre 5

Polarisation dun Transistor

Nombre dheures/chapitre : 4h
Cours intgr
Systme dvaluation : Continu

OBJECTIFS DE LENSEIGNEMENT :
- Connatre les composants lmentaires de llectronique et leurs applications dans les
fonctions de base
- Prendre en compte les limitations et des caractristiques d'un composant rel,
- Savoir exploiter un document constructeur.

CONTENU THEORIQUE :
Dans ce chapitre en reprend les actes dun transistor bipolaire tout en cherchons les modes
dexploitation de ses caractristiques tout en cherchons lextraction de maximum de puissance
avec une bonne qualit de signal et ce ci avec le bon choix du point de fonctionnement.
Dans ce chapitre aussi en cherche tout en tudiant statiquement, les effets inconvnients et
avantageux le bon choix de la mthode de polarisation dun transistor bipolaire qui nous garantie
un fonctionnement normale et thermiquement stable.

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Chapitre 5

Polarisation dun Transistor

1. Introduction :
La polarisation a pour rle de placer le point de fonctionnement du transistor dans la zone
linaire de ses caractristiques. Pour cela on applique sur les trois lectrodes du transistor des
potentiels continues de valeurs convenables.

Figure V-1
Le point de fonctionnement est fix par les valeurs de IB et VBE (caractristiques d'entre) et les
valeurs de IC et VCE (caractristiques de sortie)

1.1. Point de fonctionnement :

A partir du rseau de caractristique, on peut dterminer le point de fonctionnement. La
connaissance du point de repos l'entre N, permet de dduire, via la caractristique de transfert
en courant IC = f (IB), la valeur du courant de sortie et donc le point de repos en sortie M

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1.1.1. Maille d'entre : dtermination du point N :

La loi des mailles 1'entre donne : EB=RB IB +VBE . Le point N est dfinit par l' intersection
de la caractristique d'entre du transistor VBE =f(IB) et de la droite d'quation VBE = EB -RB IB
appele droite d'attaque statique.

1.1.2. Maille de sortie : dtermination du point M :

La connaissance du point (VBE ,,IB) permet la dtermination du courant ICo. L'quation de la
droite de charge statique est dfinie, partir de la maille de sortie, par :VCE=EC -RC IC .
L'intersection de cette droite avec la caractristique de sortie du transistor (correspondant au
courant IB0 d'entre) dfinit le point de repos en sortie M caractrise par IC0 et VCE0.

Figure V-2

2. Ralisations pratiques de la polarisation :

Le montage de la figure V-1 est fonctionnel, mais il ncessite deux sources de tension. En
pratique, les montages utilisent une seule source de tension continue.

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2.1. Polarisation par rsistance de base :

Soit le montage de la figure V-3 :

Figure V-3
La loi des mailles l'entre permet d'crire : E = RB I B + VBE avec VBE 0, 7V

IB =

E VBE
E

RB
RB

Pour la maille de sortie, on peut crire : E=RC IC +VCE. Donc :VCE =E - RC IC avec I C = I B
Ce montage est sensible la drive thermique. Ce type de polarisation ne doit jamais tre
employ pour un transistor utilise en amplificateur (il est tolrable en commutation).

2.2. Polarisation par raction d'metteur :

Soit le montage de la figure V-4 ci-dessous :

Figure V-4

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La rsistance RE permet de compenser les variations de . En effet, Si croit, IC et donc IE

augmente. Le potentiel de 1'emetteur VE =RE IE croit ainsi que le potentiel de base (puisque VBE =

0,7V) ce qui diminue ainsi le courant de base puisque I B =

E VB
; donc le courant IC. diminue.
RB

2.3. Polarisation par raction de collecteur :

Soit le montage de la figure V-5 ci-dessous :

Figure V-5

On a : VCE = E RC I C et : VCE = RB I B . Si croit, IC augmente, donc VCE diminue ainsi que la

diffrence de potentiel aux bornes de RB. Le courant IB diminue et contrebalance laccroissement
du gain.

2.4. Polarisation par pont de base et rsistance d'metteur :

Soit le montage de la figure V-6 ci-dessous :

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C
Vcc

B
E

M
Figure V-6
Pour rendre indpendant le courant collecteur des variations du gain, on utilise un diviseur de
tension nomme pont de base .
On suppose que le courant de base est ngligeable par rapport au courant qui circule dans les
rsistances du pont de base.

I B << I P
Dans ces conditions, le pont diviseur maintient constant le potentiel VB de la base (par rapport
la masse) puisque : VBM = RI I P

VBM = VBE + RE I E
VBE 0, 7V

IE =
Comme I B << I C , on a :

VEM VBM 0, 7 RI I P 0, 7
=
=
RE
RE
RE
IC I E

La valeur de IC est indpendante du gain. En imposant le potentiel de base, on impose le

potentiel de l'metteur donc le courant d'metteur et donc le courant de collecteur. L'quation de
la droite de charge est donne par la maille de sortie, soit

VCE = E ( RC + RE ) I C

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Remarque : En remplaant R1 et R2 par le gnrateur de Thvenin, on tire :

Figure V-7

ETh =

R1
R1 + R2

RTh =

R1 R2
R1 + R2

Soit: VBM = ETh RTh I B

6. Application :
Exercice 1 :
Une mesure sur un transistor bipolaire NPN, faite avec le circuit de la figure au dessous a
donn les rsultats suivants :

a/ pour Vcc = 3 V et IB = 12 A => IC = 2 mA et VBE = 0.675 V

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Dans quel mode de fonctionnement se trouvait le transistor ?

Dterminer les paramtres IS et de ce transistor.
Quel courant de base faudrait-il imposer pour avoir un courant de collecteur de 10 mA ?
Quelle serait alors la tension base-metteur ? Dans ces conditions quelle est la variation relative
du courant de collecteur si la source de courant de base varie de 2% ?

b/ Avec le mme transistor quau point a) mis dans le circuit de mesure ci-dessous, quelle
tension base-metteur faut-il imposer pour avoir le mme courant de collecteur de 10 mA ? Quel
est le courant de base correspondant ?

Dans ces conditions quelle est la variation relative du courant de collecteur si la source de
tension VBE varie de 2% ?

Corrig :
a) Vcc = VCE = 3 V et VBE =Uj = 0.7 V
VCB = VCE - VBE =2.3 V > 0 => mode normal

I C = .I B =

=>

IC
= 167
IB

=> IS= 10.6 fA

pour avoir IC = 10 mA, il faut imposer I B =

IC

ce qui donne la valeur exacte VBE = U T = ln

IC
= 0.717 V
IS

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= 60 A

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Comme IC = IB, si IB varie de 2%, IC varie de 2%.

b) Pour avoir IC = 10 mA, il faut imposer : VBE = U T = ln

vaut : I B =

IC

IC
= 0.717 V et le courant de base
IS

= 60 A

Si VBE varie de 2%, IC varie de 5.78 mA 17.43 mA, soit de -42% +74% !
Le transistor est donc beaucoup plus sensible des variations de la tension VBE qu des
variations du courant IB, ce qui est gnant pour faire des mesures statiques, mais devient
intressant pour faire un amplificateur.

Exercice 2 :
Soit le montage suivant :

UB0 = 2.9 V

Uj =0.7 V

RC = 4.7 k

RE = 2.2 k , = 200

et Vcc = 15 V

Calculer le point de repos c..d. les courants IB0, IE0 et IC0, ainsi que les tensions UE0 et UC0
lorsque UB = 0.
Quel est le mode de fonctionnement du transistor ?
Dcrivez le fonctionnement du montage

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Corrig :
a) UB = 0 UE0 = UB0 - Uj = 2.2 V
IE0 =

IB0 =

U E0

IE0 = IE0 = 1 mA
= 1 mA IC0 =
1+
Re
IC0

= 5 A UC0 = Vcc - RC IC0 = 10.3 V

UBC0 = UB0 - UC0 = -7.4 V => mode normal

b) gm =

IC0

= 3.85.10-2 A/V gbe =

gm

= 192 A/V

IC=IB=gmUBE

c) UE = RE( IC + IB) = RE(gm + gbe) UBE

UC = -RC IC = -gmRC UBE
UB = UE+ UBE= (RE(gm + gbe)+1) UBE
comme >> 1 on peut admettre que (gm + gbe) gm do :

g m .R E
g .R
U C
U E
et
=
= m C
U B 1 + g m .RE
U B
1 + g m .R E
si de plus gmRE >>1 c.a.d si REIC0 = UE0 >> UT = 26 mV

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alors

R
U C
U E
= 1 et
= C
RE
U B
U B

Application numrique : UE0 = 2.2 V >> 26 mV

=>

U C
U E
= 1 et
= 2.1 , figure ci-dessous :
U B
U B

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