1.

Supongaunempaquetamientodeesferasslidasenunaredbccdemaneraqueel
tomodelcentrojustotocalostomosdelasesquinasdelcubo,encontrarlafraccin
dellenadodelaceldaunidad.
Solucin:68%

2. A300K,laconstantederedparaelsilicioes5.43.Calcularelnmerodetomosde
silicioporcentmetrocbicoyladensidaddelsilicioatemperaturaambiente.
Solucin:51022at/cm3,2.33g/cm3

3. (a)Culesladistanciaentrelosvecinosmscercanosensilicio?
(b)Encuentreelnmerodetomosporcentmetrocuadradodesilicioenlosplanos
(100),(110)y(111)
Solucin:(a)2.35
(b)6.781014atomos/cm2,9.61014atomos/cm2,7.831014atomos/cm2

4. Encontrarlafraccinmximadelvolumendelaceldaunidadquepuedeserllenadopor
esferasslidasidnticasenlaredcbicasimple,enlacbicacentradaenlascarasyen
lareddiamante.
Solucin:52%,74%,34%

5. Siunplanointerceptaen2( ),3( )y4( )enlostresejescartesianos,donde esla

constantedered,encontrarlosndicesdeMillerdelplano.
Solucin:(643)

6. Mostrarqueparaunaestructurabcclaconstantederedvienedadapor:

4 /3

donde eselradiodelaesferasolidacorrespondientealtomo.
Solucin:diagonaldelcubo 3
2
4

7. (a)CalcularladensidaddelGaAs(laconstantedereddelGaAses5.65,ylospesos
atmicosdelGayAsson69.72y74.92g/mol,respectivamente).(b)Unamuestrade
arseniurodegalioestdopadaconestao.Sielestaodesplazalostomosdegaliode
laredcristalina:seformandonantesoaceptores?,porqu?,elsemiconductor
resultanteestiponotipop?
Solucin:(a)5.33g/cm3,(b)donantes,debidoalelectrnextradevalencia,tipoN

8. LadependenciadelgapconlatemperaturaenelSiyGaAssepuedeexpresarcomo
0
1.17 ,
4.73 10 / y
/
,donde 0
636 paraelSilicio;mientrasque 0
1.519 ,
5.405 10 / y
204 paraelGaAs.EncontrarlasanchurasdegapdelSiyGaAsa100Ky600K.
Solucin:Silicio: 100
1.16 , 600
1.03
1.50 , 600
1.28
GaAs: 100

9. Deducirlaecuacin
.(Sugerencia:enlabandadevalencia,la

probabilidaddeocupacindeunestadoporunhuecoes1 ( )).

10. Atemperaturaambiente(300K)ladensidadefectivadeestadosenlabandade
valenciaesde2.661019cm3paraelsilicioy71018cm3paraelarseniurodegalio.
Encontrarlasmasasefectivascorrespondientesparaloshuecos.Compararestasmasas
conlamasadelelectrnlibre.
Solucin:Silicio,
9.46 10
1.04
GaAs,
3.88 10
0.43

11. Determinarlaenergacinticadeloselectronesenlabandadeconduccindeun
semiconductortiponnodegeneradoa300K.
Solucin:

12. Unaobleadesiliciosedopacon1017tomosdeboro/cm3.Encontrarlas
concentracionesdeportadoresyelniveldeFermia200K.
Solucin:
10
,
3.4 10
,
0.086

13. UnamuestradesilicioaT=300Kcontieneunaconcentracindeimpurezasaceptoras
NA=1016cm3.Determinarlaconcentracindetomosdeimpurezasdonantesquedebe
seraadidodemodoquelamuestraresultetiponyelniveldeFermiquede0.20eV
pordebajodelbordedelabandadeconduccin.
Solucin:
2.26 10

14. SielniveldeFermienunamuestradesilicioesuniformeyest0.2eVpordebajodela
bandadeconduccin,calcular:(a)ladensidaddeelectronesyhuecos,y(b)la
concentracindedopaje.Supngasequelabandaprohibidadelsilicioes1.12eV,la
temperaturaes300Kyladensidadefectivadeestadosenlabandadeconduccines
2.861019cm3.
Solucin:(a)
1.27 10
,
7.3 10
,(b)
1.27 10

15. Unamuestradesiliciosedopacon1016cm3deBoroy81016cm3deArsnico.
DeterminarelniveldeFermia300Ksuponiendoquetodoslostomosdedopante
9.65 10
y
/2.
estntotalmenteionizados.Usar
Solucin:
0.15 ,
0.41

16. UnSitipopestdopadoconNAaceptorescuyonivelenergticoestcercadelborde
delabandadevalencia.Unciertotipodeimpurezadonantecuyoniveldeenergase
encuentraenelnivelintrnsecoseaadealsemiconductorparaobteneruna
compensacinperfecta.SisuponemosqueseaplicalaestadsticadeFermi,culesla
concentracinnecesariadeimpurezasdonantes?Adems,despusdeaadirla
impurezadonante,culeselnmerototaldeimpurezasionizadassilamuestraest
perfectamentecompensada?
2 ,(b)
/2 2
Solucin:(a)

17. CalcularelniveldeFermiensiliciodopadocon1015,1017y1019tomos/cm3defsforo
atemperaturaambiente,enelsupuestodeionizacincompleta.Apartirdelnivelde
Fermicalculado,comprobarsilahiptesisdelaionizacincompletasejustificapara
cadadopaje.Supongaquelosdonadoresionizadosvienendadospor

Solucin:

1
10
10
10

,
,
,

0.999
0.979
0.320

10
10
10

18. Paraunamuestradesiliciodetiponcon1016cm3deimpurezasdonantesdefsforoy
unnivelenergticocorrespondientealasimpurezasdonantesdeED=0.045eV,
encontrarlarelacinentreladensidaddedonantesneutrosyladensidaddedonantes
ionizadosa77K,dondeelniveldeFermiest0.0459pordebajodelbordedelabanda
deconduccin.Laexpresinparalosdonantesionizadossedaenelproblemaanterior
Solucin:
0.87

19. Encuentrelaresistividadatemperaturaambientedeunsiliciotipondopadocon

fsforoa1016tomos/cm3(
1300

,
Solucin:
,
1300
0.48

20. Supongamosqueenunsemiconductordetipona300Klaconcentracindeelectrones
varalinealmentedesde11018cm3a71017enunadistanciade0,1cm.Calcularla
densidaddecorrientededifusin,sielcoeficientededifusindeelectroneses
/ .
22.5
10.8 /

Solucin: ,

21. Enunsemiconductordetiponhomogneoseinyectanportadoresminoritarios
(huecos)enunpunto.Uncampoelctricode50V/cmseaplicaatravsdelamuestra,
yelcampomueveestosportadoresminoritariosunadistanciade1cmen100s.
Encuentrelavelocidaddearrastreyladifusividaddelosportadoresminoritarios.La
temperaturaes300K.
10 /
5.18
/
Solucin:

22. UnamuestradeSicon
10
seiluminacreando10 pareselectrn
hueco/
cadamicrosegundo.Si
2 ,encontrarlavariacinenla
concentracindeminoritarios.

Solucin:
2 10

23. EncontrarlasresistividadesdelSiintrnsecoyGaAsintrnsecoa300K.
Solucin:(a)
3.3 10 c ,(b)
2.9 10 c

24. Lamovilidaddeloselectronesenunsemiconductora300Kes1000cm2/Vs.Silamasa
efectivadeloselectroneses0.269.11031kg,calcularelcaminolibremedio,la
constantededifusinylavelocidadtrmica.
,

0.148 ,
2.29 10
33.9 ,
25.9
Solucin:

25. Lossiguientesdatosestndisponiblesparaunsemiconductorintrnseco:ni=2.25106
cm3,T=300K,NC=4.71017cm3,NV=71018cm3,mn=6.41032kg.Determinar:(a)La
masaefectivadeloshuecosenlabandadevalencia,(b)Elanchodelabandaprohibida
delsemiconductor,(c)elniveldeFermienrelacinalabandadeconduccineneV,(d)
lavelocidadtrmicadeloshuecos.
3.9 10 ,(b)
1.42 ,(c)
0.67 ,
Solucin:(a)
(d)

1.8

10

1independiente
delaconcentracindeimpurezas,encontrarelmximoderesistividad
en
trminosdelaresistividadintrnseca ylarelacindemovilidades.

26. Paraunsemiconductorconunarelacindemovilidades

Solucin:

ytieneunresistencia .Elmismo
semiconductorsedopaconunacantidaddesconocidadeaceptores

,
obtenindoseunaresistenciade0.5 .Encontrar enfunctionde si

50.
Solucin:
101
100

28. ConsidereunsemiconductordelongitudLyseccintransversalconstanterectangular.
Estenequilibriosinpolarizacin/tensinaplicada,enausenciadecamposmagnticos
externos,ysinningunaradiacinexternaaplicada.Puedehaberunadiferenciade
potencialentrelosdosextremos?Siesas,bajoqucondiciones?
Solucin:S,encasodedopadonouniforme.

29. UnamuestraintrnsecadeSisedopaconimpurezasdonantesdesdeunextremode
exp
(a)Encuentreunaexpresinparaelcampo
en
formaque
equilibrioenelrangoparaelcual
(b)Evaluar
cuando
1
.

27. Unsemiconductorestdopadocon

(uniforme),(b)

Solucin:(a)

259 /

30. UnamuestradeSitipondeespesorLsedopadeformanohomogneaconfsforo,la
/ .Culeslaexpresin
concentracinvienedadapor
paraladiferenciadepotencialentrelosextremoscuandolamuestraestenequilibrio
independientementedelaformaenquelamovilidadyladifusividadvaranconla
posicin?Culeslaexpresinparaelcampoelctricoenequilibrioenfuncindexsi
ladifusividadylamovilidadsonconstantes?
Solucin:(a)

,(b)

31. Calcularlaconcentracindeelectronesyhuecosensiliciotiponbajounailuminacin
10

constantecon

10

10

10
,

10

Solucin:

32. Laconcentracindehuecosenexcesoenunamuestradesiliciotipon(ND=1017cm3)
decrecelinealmentedesde51014cm3enx=0hastaceroenx=2m.Eltiempodevida
delosportadoresminoritariosenlamuestraes104segundos,lamovilidaddelos
huecoses640cm2/Vsylaseccintransversalesuniformedevalor104cm2.Encuentre
(a)elnmerototaldehuecosenexcesoenestamuestra,y(b)Lavelocidadalaquelos
huecosseestnrecombinandoenlamuestra.
5 10 huecos,(b)
5 10 huecos/s
Solucin:(a)

33. Supongamosqueunsemiconductordetiponseiluminademanerauniforme,
produciendounageneracinG.Mostrarqueenrgimenpermanenteelcambioenla

conductividaddelsemiconductorestdadopor

Solucin:Considerarque

34. Lacorrientetotalenunsemiconductoresconstanteysecomponedelacorrientede
arrastredeelectronesylacorrientededifusindehuecos.Laconcentracinde
electronesesconstanteeiguala1016cm3.Laconcentracindehuecosestdada
cm3
0 ,donde
12 .Elcoeficientede
por
10 exp
12
/ ylamovilidaddeloselectroneses
difusindehuecoses
.Ladensidaddecorrientetotales
4.8 /
.Calcular(a)la
1000
densidaddecorrientededifusindehuecosenfuncindex,(b)ladensidadde
corrientedeelectronesenfuncindex,y(c)elcampoelctricoenfuncindex.
/
/
1.6
/
,(b) ,
4.8 1.6
/
,
Solucin:(a) ,
(c)

35. Calcularladensidaddecorrientededifusinquesecrearaenunamuestradesiliciosi
tuvieraunadensidaddeelectronesde1016cm3enx=0,cayendoaceroenx=1m.
Tambin,obtenerelcampoelctricorequeridoparagenerarlamismadensidadde
corrienteenotramuestradesemiconductoruniformementedopadatiponcon
ND=1016cm3.Supongamosquelamovilidaddeloselectronesenelsilicioes1500
cm2/Vsylatemperatura300K.
Solucin:(a) ,
621 /
,(b)
258.75 /

36. Unsemiconductortipontieneenvolumenunexcesodehuecosde1012cm3conun
tiempodevidade106s.Lavelocidadderecombinacinsuperficialesde103cm/s.
Supongamosquenohaycampoelctricoaplicadoyconsidrese
10
/ .
Determinarlaconcentracinenrgimenpermanentedelexcesodehuecosenfuncin
deladistanciaalasuperficie.
/
Solucin:
10 1 0.24


31.6

37. Segeneraunexcesodeportadoresenlasuperficie(porejemploenx=0)deuna
muestradeSitipondeespesorW(0,1mm).Nohaycampoelctricoaplicadoylos
portadoresenexcesoseextraenenlasuperficieopuesta(x=W)paramantener
.Sieltiempodevidadeportadoresminoritariosesde50 yla
constantededifusines50
/ ,calcularlafraccindelacorrienteinyectadaque
llegaalasuperficieopuesta
Solucin:98%

)tieneuna
38. SupongamosqueunelectrndeconduccinenSi(
1350
energatrmicakT,relacionadaconsuvelocidadtrmicamediapor
/2.
Esteelectrnsecolocaenuncampoelctricode100 / .Demostrarquela
velocidaddearrastredelelectrnenestecasoespequeaencomparacinconsu
velocidadtrmica.Repetirelclculoparauncampode10 / ,usandoelmismo
valorde .Discutalosefectosrealesdelamovilidadparaestemayorvalordel
campo.
Solucin:(a)
9.5 10 / ,
100 /

1.35 10 /

1.35 10
/ ~ (larelacinlinealyanoesvlida)
(b)
10 /

39. UsandolasvariacionesdelavelocidadconelcampoparaelSiyGaAsquesemuestran
enlasiguientefigura,determinareltiempodetrnsitodeelectronesatravsdeuna
distanciade1 parauncampoelctricode(a)1kV/cmy(b)50kV/cm.
Solucin:(a)77ps(Si),11.5ps(GaAs),(b)10ps(Si),11.7ps(GaAs)

EnGaAshayunatransicinde
electronesdesdeelmnimodelabanda
deconduccin(masaefectivapequea)
almnimodeunabandasatlite(masa
efectivamayor)resultandoenuna
reduccindelamovilidad.

40. Considereunbloquesemiconductorsemiinfinitodesiliciotipo dopadocon

unaconcentracindeaceptores
10
.Seiluminaensutotalidad
.Enlasuperficie
paraobtenerunageneracinuniforme
10
frontalseharealizadouncontactoidealquemantienelaconcentracinde
portadoresdecargaensuvalordeequilibrio.Teniendoencuentaquela
muestraseencuentraencircuitoabierto:
a) Calculelaconcentracindeportadoresminoritarios(electrones).
b) Calculeladensidaddecorrientedeelectrones.
c) Calculelaconcentracindeportadoresmayoritarios(huecos).
d) Calculeladensidaddecorrientedehuecos.
e) Calculeelcampoelctricoenlamuestrayjustifiquequeesdespreciable.
f) Calculeladensidaddecargaenlamuestraycompruebelavalidezdela
hiptesisdecuasineutralidad.
Datos:

300 ,

10

1500
100

500

Solucin:

10

19.7

a)

10

b)

e)
f)

c)
d)

10

0.315

0.263

1.4

10

0.210

10

0.105

10

41. Considereunbloquesemiconductorsemiinfinitodesiliciotipo dopadocon

unaconcentracindeaceptores
10
.Susprimeras40micrasse
.Enla
iluminanparaobtenerunageneracinuniforme
10
superficiefrontalseharealizadouncontactoidealquemantienela
concentracindeportadoresdecargaensuvalordeequilibrio.Teniendoen
cuentaquelamuestraseencuentraencircuitoabierto,calculelaconcentracin
ydensidaddecorrientedeportadoresminoritarios(electrones).
300 ,

Datos:

10

1200

100

40m

10

Solucin:

17.6

2
/

2
/