Chapitre 1 :

Introduction aux semiconducteurs

I.

Gnralits sur les matriaux :

Tout matriau est constitu datomes. Ces

atomes contribuent aux proprits lectriques dun
matriau, incluant son habilet conduire le
courant lectrique. Afin de discuter de ses
proprits lectriques, un atome peut tre
reprsent par la couche de valence et un cur
constitu de toutes les couches intrieures et du
noyau. Le carbone par exemple est utilis dans
plusieurs modles de rsistances lectriques.
Notez que latome de carbone possde quatre
lectrons sur la couche de valence et deux
lectrons sur la couche intrieure (K). Le noyau est
constitu de six protons et de six neutrons, +6
indiquant la charge positive des six protons. Le
cur possde une charge nette de +4 (+6 pour le
noyau et 2 pour les deux lectrons de la couche
intrieure).

Certains matriaux sont conus pour conduire le

courant lectrique, dautre pour le bloquer.
Certaines substances ont la proprit de ne pas
laisser passer quun faible courant dans des
conditions bien spciales.
Par leurs proprits lectriques, les matriaux
peuvent tre classs en trois groupes: les isolants,
les conducteurs et les semi-conducteurs.
1.Les isolants :
Un isolant est un matriau qui ne conduit pas le
courant lectrique sous des conditions normales.
La plupart des bons isolants sont des matriaux
composs de plusieurs lments, contrairement
aux conducteurs. Les lectrons de valence sont
solidement rattachs aux atomes, laissant trs peu
dlectrons libres de se dplacer dans un isolant.
2.Conducteurs :
Un conducteur est un matriau qui conduit
aisment le courant lectrique. Les meilleurs
conducteurs sont des matriaux constitus dun
seul lment comme le cuivre, largent, lor et
laluminium, ces lments tant caractriss par
des atomes ayant un seul lectron de valence
faiblement li latome. Ces lectrons de valence

peu retenus peuvent facilement se dtacher de

leur atome respectif et devenir des lectrons libres.
Par consquent, un matriau conducteur possde
beaucoup dlectrons libres qui, lorsquils se
dplacent tous dans la mme direction,
engendrent le courant.
3.Semi-conducteurs :
Par son habilit conduire le courant, un semiconducteur est un matriau se situant entre le
conducteur et lisolant. Un semi-conducteur ltat
pur (intrinsque) nest pas un bon conducteur ni un
bon isolant. Les lments uniques les plus utiliss
pour les semi-conducteurs sont le silicium et le
germanium. Des lments composs tels
larsniure de gallium sont aussi couramment
utiliss pour les semi-conducteurs. Les semiconducteurs lment unique se caractrisent par
des atomes quatre lectrons de valence.

II.

Les semi-conducteurs :

1.Description :
Le comportement lectrique des semiconducteurs est gnralement modlis l'aide de
la thorie des bandes d'nergie. Selon celle-ci, un
matriau semi-conducteur possde une bande
interdite suffisamment petite pour que des
lectrons de la bande de valence puissent
facilement rejoindre la bande de conduction. Si un
potentiel lectrique est appliqu ses bornes, un
faible courant lectrique apparat, provoqu la
fois par le dplacement des lectrons et par celui

des trous qu'ils laissent dans la bande de

valence.
La conductivit lectrique des semi-conducteurs
peut tre contrle par dopage, en introduisant
une petite quantit d'impurets dans le matriau
afin de produire un excs d'lectrons ou un dficit.
Des semi-conducteurs dops diffremment
peuvent tre mis en contact afin de crer des
jonctions, permettant de contrler la direction et la
quantit de courant qui traverse l'ensemble. Cette
proprit est la base du fonctionnement des
composants de l'lectronique moderne : diodes,
transistors, etc.
Le silicium est le matriau semi-conducteur le
plus utilis commercialement, du fait de ses
bonnes proprits, et de son abondance naturelle
mme s'il existe galement des dizaines d'autres
semi-conducteurs utiliss, comme le germanium,
l'arsniure de gallium ou le carbure de silicium.
2.Principe de structure des bandes
dnergie :
Le comportement des semi-conducteurs, comme
celui des mtaux et des isolants est dcrit par la
thorie des bandes. Ce modle stipule qu'un
lectron dans un solide ne peut prendre que des
valeurs d'nergie comprises dans certains
intervalles que l'on nomme bandes , plus
spcifiquement bandes permises, lesquelles sont
spares par d'autres bandes appeles bandes
d'nergie interdites

Deux bandes d'nergie permises jouent un rle

particulier:
la dernire bande compltement remplie,
appele bande de valence
la bande d'nergie permise suivante appele
bande de conduction
La bande de valence est riche en lectrons mais
ne participe pas aux phnomnes de conduction
(pour les lectrons). La bande de conduction, quant
elle, est soit vide (comme aux tempratures
proches du zro absolu dans un semi-conducteur)
soit semi-remplie (comme dans le cas des mtaux)

d'lectrons. Cependant c'est elle qui permet aux

lectrons de circuler dans le solide.
Dans les conducteurs (mtaux), la bande de
conduction et la bande de valence se chevauchent.
Les lectrons peuvent donc passer directement de
la bande de valence la bande de conduction et
circuler dans tout le solide.
Dans un semi-conducteur, comme dans un
isolant, ces deux bandes sont spares par une
bande interdite, appele couramment par son
quivalent anglais plus court gap . L'unique
diffrence entre un semi-conducteur et un isolant
est la largeur de cette bande interdite, largeur qui
donne chacun ses proprits respectives.
Dans un isolant cette valeur est si grande (aux
alentours de 6 eV pour le diamant par exemple)
que les lectrons ne peuvent passer de la bande
valence la bande de conduction: les lectrons ne
circulent pas dans le solide.
Dans les semi-conducteurs cette valeur est plus
petite (1,12 eV pour le silicium, 0,66 eV pour le
germanium, 2,26 eV pour le phosphure de gallium).
Si on apporte cette nergie (ou plus) aux lectrons,
par exemple en chauffant le matriau, ou en lui
appliquant un champ lectromagntique, ou
encore dans certains cas en l'illuminant, les
lectrons sont alors capables de passer de la
bande de valence la bande de conduction, et de
circuler dans le matriau.

3.Semi-conducteur intrinsque et
extrinsque :
a) Semi-conducteur intrinsque :
Un semi-conducteur est dit intrinsque lorsqu'il
est pur : il ne comporte aucune impuret et son
comportement lectrique ne dpend que de la
structure du matriau. Ce comportement
correspond un semi-conducteur parfait, c'est-dire sans dfaut structurel ou impuret chimique.
Un semi-conducteur rel n'est jamais parfaitement
intrinsque mais peut parfois en tre proche
comme le silicium monocristallin pur.
Dans un semi-conducteur intrinsque, les
porteurs de charge ne sont crs que par des
dfauts cristallins et par excitation thermique. Le
nombre d'lectrons dans la bande de conduction
est gal au nombre de trous dans la bande de
valence.
Ces semi-conducteurs ne conduisent pas, ou trs
peu, le courant, except si on les porte haute
temprature.

b) Semi-conducteur extrinsque :
Un semi-conducteur extrinsque est un semiconducteur intrinsque dop par des impurets
spcifiques lui confrant des proprits lectriques
adaptes aux applications lectroniques (diodes,
transistors, etc...) et optolectroniques (metteurs
et rcepteurs de lumire, etc...).
Il est connu que les semi-conducteurs sont
extrmement sensibles aux impurets et quune
propret presque absolue est ncessaire pour la
ralisation des dispositifs semi-conducteurs. En
effet, en introduisant des impurets dans un cristal
semi-conducteur, on va trs rapidement modifier le
nombre de porteurs de charges si limpuret
introduite a un nombre diffrent dlectrons sur les
couches externes.
Dans le cas du silicium qui est un lment
ttravalent (4 lectrons/atome) on ralise le
dopage avec soit des impurets pentavalentes (5
lectrons) telle que le phosphore ou trivalentes (3
lectrons) tel que le bore.

III.

Dopage :

Il est connu que les semi-conducteurs sont

extrmement sensibles aux impurets et quune
propret presque absolue est ncessaire pour la
ralisation des dispositifs semi-conducteurs. En
effet, en introduisant des impurets dans un cristal
semi-conducteur, on va trs rapidement modifier le
nombre de porteurs de charges si limpuret
introduite a un nombre diffrent dlectrons sur les
couches externes. Dans le cas du silicium qui est
un lment ttravalent (4 lectrons/atome) on
ralise le dopage avec soit des impurets
pentavalentes (5 lectrons) telle que le phosphore
ou trivalentes (3 lectrons) tel que le bore.
1.Dopage N:
Le dopage de type N consiste augmenter la
densit en lectrons dans le semi-conducteur. Pour

ce faire, on inclut un certain nombre d'atomes

riches en lectrons dans le semi-conducteur.
Par exemple, dans le cas du silicium (Si), les
atomes de Si ont quatre lectrons de valence,
chacun tant li un atome O voisin par une
liaison covalente formant un ttradre. Pour doper
le silicium en N, on inclut un atome ayant cinq
lectrons de valence, comme ceux de la colonne V
(VA) de la table priodique : le phosphore (P),
l'arsenic (As) ou l'antimoine (Sb)
Cet atome incorpor dans le rseau cristallin
prsentera quatre liaisons covalentes et un
lectron libre. Ce cinquime lectron, qui n'est pas
un lectron de liaison, n'est que faiblement li
l'atome et peut tre facilement excit vers la
bande de conduction. Aux tempratures ordinaires,
quasiment tous ces lectrons le sont. Comme
l'excitation de ces lectrons ne conduit pas la
formation de trous dans ce genre de matriau, le
nombre d'lectrons dpasse de loin le nombre de
trous. Les lectrons sont des porteurs majoritaires
et les trous des porteurs minoritaires. Et parce que
les atomes cinq lectrons ont un lectron
supplmentaire donner , ils sont appels
atomes donneurs.

2.Dopage P:

Le dopage de type P consiste augmenter la

densit en trous dans le semi-conducteur. Pour le
faire, on inclut un certain nombre d'atomes
pauvres en lectrons dans le semi-conducteur afin
de crer un excs de trous. Dans l'exemple du
silicium, on inclura un atome trivalent (colonne III
du tableau priodique), gnralement un atome de
bore. Cet atome n'ayant que trois lectrons de
valence, il ne peut crer que trois liaisons
covalentes avec ses quatre voisins crant ainsi un
trou dans la structure, trou qui pourra tre rempli
par un lectron donn par un atome de silicium
voisin, dplaant ainsi le trou. Quand le dopage est
suffisant, le nombre de trous dpasse de loin le
nombre d'lectrons. Les trous sont alors des
porteurs majoritaires et les lectrons des porteurs
minoritaires.

IV.

Jonction PN :

1.Gnralits:
En physique des semi-conducteurs, une jonction
PN dsigne une zone du cristal o le dopage varie
brusquement, passant d'un dopage p un dopage
n.
La physique des jonctions PN a de grandes utilits
pratiques dans la cration de dispositifs semiconducteurs. La diode redresseuse de courant ainsi
que la plupart des autres types de diodes
contiennent ainsi une jonction p-n. Les cellules
photovoltaques sont galement constitues d'une

jonction p-n de grande surface dans laquelle les

paires lectron-trou cres par la lumire sont
spares par le champ lectrique de la jonction.
Enfin, un type de transistor, le transistor bipolaire,
est ralis en mettant deux jonctions p-n en sens
inverse transistor PNP ou NPN.

2.Description:
On dispose de deux lectrons mobiles trous
mobiles barreaux semi-conducteurs. Le premier de
type N est juxtapos au second de type P. Cest
la frontire des deux matriaux que lon met en
place une jonction.

Dans chaque rgion, on recense diffrents porteurs

:
la rgion N contient des ions positifs (cations)
fixes et des lectrons mobiles qui constituent
lessentiel des porteurs. On dit alors quils sont
majoritaires.
La rgion P contient des ions ngatifs (anions)
fixes et des trous mobiles (Figure ?). La quantit de
charges reste globalement la mme : Chaque
rgion est lectriquement neutre.
3.Etude a lquilibre:
1. Processus de diffusion :
Les porteurs mobiles ont tendance occuper tout
lespace disponible. Ils se rpandent donc par
diffusion dans la rgion oppose. Ces porteurs se
recombinent avec ceux de signe oppos.

Initialement neutre, la rgion libre prend la

charge des ions fixes dont le signe est contraire
celui des porteurs (Figure 8).
2. Stabilisation de la diffusion :
La recombinaison des porteurs libres laisse alors
apparatre deux rgions charges de signes
contraires : des cations du ct N, des anions du
ct P. Cette rgion est appele zone de charge
despace (ZCE).
Du fait du dsquilibre de charges, un champ
lectrique E apparat dans la ZCE. Il cre un
mouvement de charges oppos au mouvement de
diffusion. A lquilibre la jonction est le sige de
deux courants gaux et opposs :
un courant de diffusion Id concernant de chaque
ct les porteurs majoritaires.
un courant de conduction (ou de saturation) Is
concernant les porteurs minoritaires attirs par le
champ E.