SESIN 07:

I.

EL TRANSITOR BIPOLAR POLARIZACIONES

PARTE 1

OBJETIVO:

Estudiar en forma experimental el transistor bipolar (BJT), las diferentes

polarizaciones, configuracnes y limitaciones

II.

MARCO TEORICO

Un transistor de unin es un componente semiconductor que puede estar

constituido por cristales de Germanio o de Silicio. Tienen 3 capas de dopados,
2 uniones (J1 J2) y tres terminales cuya agrupacin de lugar a 2 tipos de
transistores segn la disposicin de las capas.
Transistor bipolar, de unin o BJT es lo mismo.

Si el transistor tiene la capa N en el medo es un transistor tipo PNP.

Si el transistor tiene la capa P en el medo es un transistor tipo NPN.
Los terminales son: E=Emisor, B=Base, C=Colector.
Existen tres zonas de funcionamiento: Zona en corte, Zona de saturacin y
Zona activa o de trabajo.

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0

1. Zona activa.
El transistor solo amplifica en esta zona, y se comporta como una fuente de
corriente constante controlada por la intensidad de base (ganancia por
corriente). Este parmetro suele proporcionar el fabricante un mximo y un
mnimo para una corriente de colector dada (Ic).
Para que un transistor funcione en la zona activa, se debe de polarizar la
unin J1 directamente y la unin J2 inversamente
2. Zona de corte.
En esta zona el transistor es utilizado en la conmutacin (potencia, circuitos
digitales, etc.), y lo podemos considerar como un cortocircuito entre el
colector y el emisor.
Un transistor funciona al corte cuando la unin J 1 se polariza inversamente
(o no se polariza) y la J2 se polariza inversamente.
La corriente del emisor es casi nula. Tiene valores en microamperios.
3. Zona de saturacin.
El transistor es utilizado para aplicaciones en la conmutacin (potencia,
circuitos digitales, etc.), y lo podemos considerar las corrientes que lo
atraviesan prcticamente nulas (y en especial IC).
Para colocar un transistor en saturacin, debemos polarizar ambas uniones
directamente.
En la zona activa los transistores funcionan como amplificadores. En la
zona de corte equivalen a un interruptor abierto y el la zona de saturacin a
un interruptor cerrado.
4. Activa inversa.
Esta zona se puede considerar como carente de inters.
El transistor PNP es complemento del NPN de forma que todos los voltajes
y corrientes son opuestos a los del transistor NPN.

ELEMENTOS A UTILIZAR:

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*Osciloscopio

*Fuente DC

*Multmetro digital

*Placa de Montaje
BOARD

*Resistencias

* 2 Diodos zener

III.

CUESTIONARIO
1. Explicar el funcionamiento del transistor bipolar y
sus curvas de funcionamiento.
El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales gracias al cual es
posible controlar un gran potencia a partir de una pequea. En la figura se
puede ver un ejemplo cualitativo del funcionamiento del mismo. Entre los
terminales de colector (C) y emisor (E) se aplica la potencia a regular, y en el
terminal de base (B) se aplica la seal de control gracias a la que controlamos
la potencia. Con pequeas variaciones de corriente a travs del terminal de
base, se consiguen grandes variaciones a travs de los terminales de colector
y emisor. Si se coloca una resistencia se puede convertir esta variacin de
corriente en variaciones de tensin segn sea necesario.

CURVAS CARACTERISTICAS
Al ser el transistor bipolar un dispositivo triterminal son necesarios seis
parmetros para determinar el estado elctrico del mismo: tres tensiones y

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tres corrientes. Aplicando las leyes bsicas de resolucin de circuitos pueden

presentarse dos ecuaciones:

Por ello, los parmetros independientes se reducen a cuatro. En un circuito

determinado y bajo la accin de unas excitaciones concretas, existirn unos
valores de estos cuatro parmetros que caracterizan por completo el estado
del transistor. Dicho cuarteto se denomina punto de operacin (Q).
Las curvas caractersticas ms empleadas en la prctica son las que
relacionan VBE con IBy VCE con IC e IB. Con frecuencia, estas curvas son
facilitadas por los fabricantes.
Caractersticas VBE-IB
Mediante esta curva podemos determinar los efectos que producen las
variaciones de la tensin de polarizacin VBE sobre la corriente de base IB.
Estas grficas reciben el nombre de curvas caractersticas de transferencia.
Las curvas que se obtienen son muy similares a la de un diodo cuando se
polariza directamente.
Estas tensiones permanecen prcticamente constantes, por lo que sern de
gran ayuda para localizar averas en circuitos con transistores.

La funcin que liga VBE con IB es la caracterstica de un diodo, y puede

aplicarse dado que la unin base - emisor, es una pn normal, igual que la de
diodo, y al polarizarla, seguir el mismo comportamiento que aquel.
La curva representada en la figura sigue la expresin:

Caractersticas VCE-IC
Estas caractersticas tambin son conocidas como familia de colector, ya que
son las correspondientes a la tensin e intensidad del colector. En la siguiente
figura, se muestran una familia de curvas de colector para diferentes valores
constantes de la corriente base.

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Idealmente, en la Regin Activa, la corriente de colector depende

exclusivamente de la de base, a travs de la relacin I C=+IB. Por lo tanto, en
el plano VCE-IC la representacin estar formada por rectas horizontales
(independientes de VCE) para los diversos valores de IB (en este caso se ha
representado el ejemplo para =100).
Evidentemente, no se dibujan ms que unos valores de IB para no emborronar
el grfico. Para IB=0, la corriente de colector tambin debe ser nula. La regin
de corte est representada por el eje de abscisas. Por contra, para V CE=0 el
transistor entra en saturacin, luego esta regin queda representada por el
eje de ordenadas.
Hasta aqu se presenta la caracterstica ideal, pero como era de esperar, la
realidad es un poco ms compleja, y las curvas quedarn como representa la
siguiente figura:
Las diferencias son claras:

En la Regin Activa la corriente del colector no es totalmente independiente de

la tensin colector-emisor. Para valores altos de la corriente cobra importancia
la resistencia interna del transistor.

La regin de saturacin no aparece bruscamente para V CE=0, sino que hay una
transicin gradual. Tpicamente se suele considerar una tensin de saturacin
comprendida entre 0.1V y 0.3V.
Estas curvas representan, en cierto modo, la forma de funcionamiento del
transistor. Se puede comprobar que, para una tensin constante de colectoremisor, si se producen pequeas variaciones de la corriente de base (del
orden de A) esto origina unas variaciones en la corriente de colector mucho
ms elevadas (del orden de mA), de lo cual se deduce la capacidad del
transistor para amplificar corrientes.

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Observa que, en la mayor parte de las curvas, la tensin VCE afecta muy poco
a la corriente de colector IC. Si se aumenta VCE demasiado (por encima de
VCEO), la unin del colector entra en la regin de ruptura y ste puede llegar a
destruirse. Sin embargo, si la tensin V CE es muy pequea (por debajo de los
0.7V), la corriente de colector ser muy dbil, obtenindose una ganancia de
corriente muy baja. En conclusin, para conseguir que el transistor trabaje
como amplificador de corriente, la tensin de polarizacin inversa V CE debe
mantenerse por encima de 0.7V y por debajo de la tensin de ruptura.

2. Explicar el funcionamiento de la polarizacin de

base.
Para resolver este circuito, utilizamos las dos mallas de circulacin
de corriente, la del circuito de base y del colector:

En la malla de colector, se aprecia la dependencia del valor de la

resistencia de la del transistor. Esto nos podr provocar cierta
inestabilidad en la polarizacin. Por este motivo, esta polarizacin se
utiliza ampliamente como interruptor. No debera utilizarse en ningn
momento como amplificador de tensin.
La recta de carga
Los lmites de la recta de carga nos definirn una pareja de valores
VCE-IC que fijar los posibles puntos que podr ocupar el punto de
funcionamiento del transistor.
Si retomamos la ecuacin de la malla del colector de esta
polarizacin, nos queda:

Para obtener uno de los extremos de la recta de carga, anulamos la

corriente de colector. Entonces se dice que el transistor estar
trabajando en corte.

Si anulamos ahora la tensin VCE obtendremos el otro extremo de

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la recta de carga. En estas circunstancias, el transistor estar

trabajando en saturacin.

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3. Explicar el funcionamiento de la polarizacin de

emisor.
Esta polarizacin tiene una mayor estabilidad de funcionamiento que la
polarizacin de base y de colector, gracias al efecto de la realimentacin
negativa y a la independencia de las mallas de base y colector. Si la
ganancia de corriente del transistor aumentase, debido a un cambio de
temperatura o sustitucin del transistor por otro de mayor; las corrientes
de colector y emisor aumentarn tambin. Esto generar un aumento de la
cada de tensin en RE. Al estar la tensin de base fijada, de forma
independiente, por R1 y R2 provocar una disminucin del valor de VBE.
Es decir, tender a llevar el transistor ms hacia el corte que hacia
saturacin.

Las mallas del circuito de base y de colector son las siguientes:

Para calcular ms adecuadamente la malla de base podemos utilizar

el teorema de Thevenin. Tngase en cuenta que para este circuito,
la posible variacin de la corriente de base, que suceder al variar
IC, desestabilizar la rama formada por las resistencias R1 y R2.
Por ello, no podemos calcular de forma independiente el valor de
tensin de la base del transistor como la tensin existente entre la
resistencia R1 y R2. Es ms cmodo, aplicar el teorema de Thevenin
al punto medio de la resistencia R1 y R2. Para ello, sustituiremos la
tensin en la base del transistor por la tensin Thevenin equivalente
y las resistencias de R1 y R2, por su equivalente de resistencia
Thevenin, es decir R1//R2. En estas circunstancias, el circuito
quedara ahora de esta forma

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Los valores de tensin y resistencia Thevenin lo obtendramos de

Quedando ahora la malla del circuito de base de la siguiente forma

Despejando de la malla de colector, nos queda

Para comprobar la afectacin de la corriente de colector por la

ganancia de corriente, operando de forma similar al caso anterior,
nos queda:

Si tomamos para los diseos un valor de RE varias veces superior a

RTh/, el circuito ser poco sensible a los efectos de cambio de .
Tngase en cuenta que (1+)/ 1 para valores de 100.

4. Presentar las mediciones efectuadas en cada circuito

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dibujando en una hoja completa, con el diseo

original.

Vcc
7
9.5
12

Vct
4.3
4.35
4.36

Vet
4.4
4.33
4.34

Vce
2.77
5.2
7.44

Vce
0.03m
0.03m
0.02m

IB
28.18u
28.18u
28,18u

Ic
3.61m
1.32m
2.8m

VRC
4.15
4.33
4.54

Vcc
15
7
10

Ic
8.83m
9.21m
9.66m

Vrs
7.21
2.64
5.61

DC
313.34
326.93
342.78

Ie
4.4
4.33
4.34

5. Dibujar las rectas de carga a partir de las tablas

llenadas, en una sola hoja para poder hacer
comparaciones, una por cada tabla.

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VRB
9.27
9.3
9.24

6. Explicar los puntos Q obtenidos y las variaciones de

las rectas de carga DC.
La figura corresponde a la polarizacin fija, con respecto a las dems figuras
muestra la tendencia de variar su punto de operacin al variar su fuente de
alimentacin es decir es inestable y muy sensible frente a cambios de
temperatura y su voltaje de alimentacin.
La segunda el punto de operacin permanece en estado de saturacin frente
a cambios su alimentacin.

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La tercera figura demuestra la tendencia de mantenerse el punto Q en rango

pequeos de variacin esto es positiva cuando la configuracin trabaja en
presencia de temperaturas cambiantes.

7. Comprobar tericamente la ganancia de la

configuracin del circuito 1 y explicar la ganancia
experimental de la tabla 1.
Anlisis en la malla de base:

Anlisis en la malla de colector:

Vcc
7
9.5
12

Vce
2.857
5.129
7.544

IB
23.5u
26.67u
31.02

VRC
4.09
4.18
4.27

Ic
8.81m
9.3m
9.48m

DC
374.89
348.7
305.61

VRB
9.146
9.146
9.146

8. Comprobar tericamente y explicar la configuracin

del circuito 2, los valores esperados y las
aplicaciones de ella.
Sus ecuaciones son:

Como

y +1 entonces:

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Valores tericos
Vct
4.28
4.09
4.37

Vet
4.195
4.103
4.151

Vce
44.8m
29.8m
57.3m

Ic
3.61m
1.32m
2.8m

Vcc
15
7
10

Vrs
7.21
2.64
5.61

Ie
4.34
4.31
4.32

9. Realizar la simulacin del circuito (multisim) y

presentar los resultados obtenidos, en valores y
grficos.
Simulacion del circuito 1:

VCC
7
9.5
12

VCE
2.838
5.271
7.704

IB
27.978
28.2
28.172

V470
4.162
4.229
4.296

Simulacion del circuito 2:

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IC
9.198
9.486
9.772

dc
340.66
336.38
346.86

V330
9.295
9.295
9.295

VCT (V)

VET (V)

VCE (mV)

IC (mA)

VCC (V)

VRC (V)

IE (mA)

4.288
4.322
6.463

4.256
4.276
4.296

31.485
46.761
58.357

1.357
2.84
4.269

7
10
15

2.712
5.678
8.537

4.256
4.276
4.296

IV.

CONCLUSIONES Y OBSERVACIONES:

Se debe tener cuidado en las conexiones de los instrumentos, sobre

todo en el ampermetro.
Las resistencias a usar deben de ser de o 1 watts por lo menos.
La corriente en la resistencia R es constante.
Aprendimos a hacer una conexin BJT y ubicar bien los terminales
para su correcta medicin.
Las mediciones se deben realizar instantneamente, y no mantener
el circuito alimentado por demasiado tiempo.
V.

BIBLIOGRAFIA:

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http://webs.uvigo.es/mdgomez/DEI/Guias/tema5.pdf
http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_General/curvascaracter
isticas.html
http://ocw.bib.upct.es/pluginfile.php/7885/mod_resource/content/1/Ca
pitulo_5_-_Polarizaciones_en_cc_de_BJTs.pdf

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