UNIVERSIDAD NACIONAL DE

INGENIERA

FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y

ELECTRNICA
tema:
AMPPLIFICADORES MULTIETAPA
presentado por:
LPEZ VEGA, ERICSSON
SANCHEZ GARAY, RENZO
CHANDUV VELASQUEZ, JEAN
Docente:
ING. CARLOS MEDINA RAMOS
LIMA-PER
2016

1
1.1

AMPLIFICADOR MULTIETAPA

RESUMEN

Los amplificadores multietapa son

circuitos electrnicos formados por
varios transistores (BJT o FET), que
pueden ser acoplados en forma directa
o mediante capacitores. Las configuraciones clsicas son el par Darlington
(alta impedancia de entrada e incremento de la ganancia de corriente), el
par diferencial (Relacin de rechazo

1.3

FUNDAMENTO TE- riaciones en el proceso de fabricacin

se pueden controlar nicamente dentro

RICO

de un rango especfico de valores. Sin

Se llama amplificador multietapa a los

embargo, todos los dispositivos de un

circuitos o sistemas que tienen mlti-

circuito integrado tienen procesos de

ples transistores (BJT o FET) y ade-

fabricacin virtualmente idnticos. En

ms pueden ser conectadas entre s pa-

consecuencia, dispositivos con par-

ra mejorar sus respuestas tanto en ga-

metros bastante parecidos, si no exac-

nancia, Zin, Zout o ancho de banda.

tamente predecibles, s estn fcilmen-

Las aplicaciones pueden ser tanto de

te disponibles.

DC como de AC.

en modo comn elevada), el amplificador cascode (alta impedancia de

salida).

Todas estas etapas amplifi-

cadoras pueden ser integradas y encapsuladas en un chip semiconductor

llamado Circuito Integrado (CI). En el
CI las polarizacin de las etapas se hace usando fuentes de corriente, debido
a la mayor facilidad de construccin
(a travs de transistores).

En el caso de los amplificadores

1.3.1

Tipos de acoplamiento

que utilizan un solo transistor, es-

El acoplamiento establece la forma en

tos circuitos tienen una ganancia, Zin,

la cual se conectan las distintas etapas

Zout y capacidades de manejo de po-

amplificadoras, dependiendo de la na-

tencia limitados, y no pueden ser uti-

turaleza de la aplicacin y las caracte-

lizados para llenar cualquier necesi-

rsticas de respuesta que se desean.

dad de amplificacin. Afortunadamente, las limitaciones de amplificacin en

una sola etapa se pueden vencer mediante la utilizacin de amplificacin
en varias etapas.

1.2

OBJETIVOS

Los amplificadores multietapa preFigura 1: acoplamiento

sentan un conjunto de conexiones de

Disear, simular, implementar y

transistores que, aunque no son los

analizar la ganancia y respues-

convencionales de emisor comn, co-

ta en frecuencia de un amplifi-

lector comn o base comn, son muy

cador lineal.

importantes ya que se utilizan amplia-

Observar experimentalmente la

Existen distintos tipos de acoplamiento: acoplamiento directo, capacitivo y por transformador.

mente en circuitos tanto discretos co-

1.3.1.1

mo integrados.

Consiste bsicamente en interconec-

amplificacin gradual de un am-

Acoplamiento

directo

La puesta en prctica de estos cir-

tar directamente cada etapa mediante

cuitos requiere de tcnicas de diseo

un cable. Se permite la amplificacin

y de anlisis que van ms all de los

tanto de la componente de seal como

principios de diseo de una sola eta-

de la componente continua del circui-

pa. Las tcnicas de diseo multietapas

to. Se dice que los circuitos de CD se

Observar experimentalmente el

estn orientadas principalmente hacia

acoplan directamente. Presenta buena

efecto de la frecuencia de opera-

circuitos integrados. En un entorno de

respuesta a baja frecuencia. Tpica-

cin en el desempeo de un am-

circuito integrado, los parmetros de

mente se utilizan para interconectar

plificador.

los dispositivos que dependen de va-

etapas de emisor comn con otras de

plificador multietapa, etapa por

etapa, para de esta manera poder
descubrir sus posibles aplicaciones.

seguidor de emisor. Cuando los circui-

lograr incrementos de tensin o de co-

tos se acoplan de esta manera se habla

rriente. Los transformadores permiten

de circuitos en CD y AC.

aislar elctricamente las etapas.

nancias de cada etapa.

Figura 5: conexin en cascada

1.3.2.2

Conexin

Cascode Una

conexin cascode cuenta con un transistor por encima de (en serie con)
Figura 2: acoplamiento directo

1.3.1.2

Acoplamiento

capacitivo

Permite desacoplar los efectos de po-

otro. La figura muestra una configuFigura 4: acoplamiento por transfor-

racin cascode con una etapa de EC

mador

alimentando a una etapa de BC. Este

arreglo est diseado para proporcio-

larizacin entre las etapas. Permite dar

una mayor libertad al diseo pues la

1.3.2

Conexiones

nar una alta impedancia de entrada

con una baja ganancia de voltaje pa-

polarizacin de una etapa es indepen-

Las configuraciones clsicas son el par

diente de las otras. Se usa cuando slo

Darlington (alta impedancia de entra-

se desea amplificar seal. La presencia

da e incremento de la ganancia de co-

de un capacitor anula las componentes

rriente), el par diferencial (Relacin de

de DC permitiendo slo la amplifica-

rechazo en modo comn elevada), el

cin de seales AC. Con este tipo de

amplificador Cascode (alta impedan-

acople, la respuesta en baja frecuen-

cia de salida) y la conexin en Casca-

cia del amplificador se ve afectada

da. Todas estas etapas amplificadoras

seriamente. Cuando los circuitos se

pueden ser integradas y encapsuladas

acoplan de esta manera se habla de

en un chip semiconductor llamado Cir-

circuitos en AC.

cuito Integrado (CI). En el CI las pola-

ra asegurar que la capacitancia Miller

de entrada sea mnima con la etapa
de BC proporcionando una operacin
adecuada a alta frecuencia.

rizacin de las etapas se hace usando

fuentes de corriente, debido a la mayor facilidad de construccin (a travs
Figura 6: conexin cascode

de transistores).

1.3.2.1
Figura 3: acoplamiento capacitivo

Conexin en Cascada En-

1.3.2.3

Conexin Darlington Una

tre las posibles conexiones mutietapas

conexin muy popular de 2 transisto-

en grandes amplificadores, la conexin

res de unin bipolar para operar como

1.3.1.3

Acoplamiento por transfor-

en cascada es la ms simple. En una

un transistor con superbeta es la co-

mador

Muy popular en el dominio

conexin en cascada la tensin y la co-

nexin Darlington. Corresponde a 2

de las radiofrecuencias. El transforma-

rriente de salida de una etapa son pa-

etapas seguidor emisor. La principal

dor como carga permite aislar seales

sados directamente a la entrada de la

caracterstica de la conexin Darling-

y adems, seleccionando la razn de

siguiente etapa. La ganancia total del

ton es que el transistor compuesto ac-

vueltas en el transformador, se pueden

amplificador es el producto de las ga-

ta como una unidad simple con una

 Tecnologa CMOS (compuertas

ganancia de corriente que es el producto de las ganancias de corriente de los

corte inferior ( fL ) y supe-

lgicas).

rior ( fH ) para una configu-

transistores individuales. La conexin

Darlington de transistores proporciona
un transistor que cuenta con una ganancia de corriente muy elevada, por

Conocidas las frecuencias de

1.6

MATERIALES

racin dada solo hay que ajus-

Los dispositivos a emplear en este la-

tar la frecuencia de la seal

que se va a amplificar a un va-

boratorio son:

lor menor a la frecuencia fL ,

lo general de unos miles.

es decir el transistor opera en

4 Transistores 2N222A.

una zona donde se encuentre li Resistencias:

R1=

10K,

nealidad entre las caracterstiR2=

100K,

R3= 68K, R4= 2.2K, R5=

3.9K,

R6=

3.3K,

R7=

0.1K,

R8=

2.2K,

R9=

68K,
Figura 7: conexin por darlington

R10= 22K,

R11=

3.9K, R12= 1.5K, R13=

3.3K, R14= 0.1K, R15=

1.4

PAR RETROALIMEN-

0.68K, RL= 10K

TADO
Condensadores:

cas de la seal de entrada y salida (Por lo general cuando la

seal de entrada presenta una
pequea amplitud con baja frecuencia, comnmente menores
a 25mV y valores contenidas
en la banda de audio-frecuencia,
100Hz-100kHz, respectivamente). Cuando el transistor se encuentra trabajando en baja fre-

Electrolticos:
C1= 0.22F, C2= 47F,
C3= 0.15F, C4= 0.22F,

cuencia se considerar el modelo de parmetros hbridos para

su funcionamiento.

C5= 47F
Cermicos:

2. Para la primera etapa Q1 Q2

del circuito en estudio, escriba

C6 = 1.8F, C7 = 1.2F
la ecuacin

Figura 8: par retroalimentado

1 protoboard.

1.5

APLICACIONES

Algunas de las aplicaciones de los am-

1 generador de seales.
1 fuente DC regulable.

plificadores multietapa se encuentran

1 multmetro.

en:
Etapas intermedias de un ampli-

tal que

Ic2 = f (ICB2 ,VBE ) y considerando que los BJT son de silicio.

se sabe que:
dIC =

IC
IC
IC
dICBO +
dVBE +
d
ICBO
VBE

dado la condicion que:

IC2 = f (ICB2 ,VBE

ficador de audio.
Amplificadores

1 osciloscopio.

dIc2
dT ,

Cables de conexin.
luego:

operacionales

(etapa diferencial).
Espejos de corriente.

INFORME PREVIO
1. Detallar las condiciones para los

dIC2
dIC2 dICBO dIC2 dVBE
=
+
dT
dICBO dT
dVBE dT
de Q2 sabemos que:

que un bjt y/o fet puede operar

Amplificadores sintonizados.

en baja frecuencia.

Par de retroalimentacion.

IC2 = ( + 1)ICBO + IB
derivando respecto a IC2

Uno de los objetivos en el dise1 = ( +1)

ICBO
IB2
ICBO o, es1 lograr
+ la mxima estabili+
S=
=
IC2
IC2
IC2 dad1posible
IB2de un sistema o red.

Seal de prueba 1kHz

10mv, resistencia 10k

IC2

Como en el siguiente experiS=

IC2
1+
i
h
=
ICBO
7 +R8
1 + RBR+R
+R
7
8
(1)

En la malla que pasa por la base

y el emisor de Q2 tenemos que:

mento trabajaremos con BJT, la

iguales a 1mA

corriente que circula por el colector es sensible a los siguien-

Frecuencia

de

corte

fi=100Hz y fs=5kHz

tes parmetros:
: Se incrementa con el
aumento de la temperatura

VB = IB2 RB +(IC2 +IB2 )(R7 +R8 )

Corrientes ICQ mayores o

Ganancia a frecuencias
medias 350

| V BE | Disminuye cerca
de 7.5 mV por cada incre-

Derivando respecto a IC2 y des-

mento de la temperatura en

pejando se tendr:

un grado Celsius C

5. Simular el circuito y graficar los

principales parmetros del amplificador.

ICO (corriente de saturaS0 =

IC2

=
VBE RB + (R7 + R8 )(1 + )
(2)

Donde S y S representan los

factores de estabilidad de IC2

cin inversa): se duplica

en su valor por cada incremento de 10 C en la temperatura.

respecto a los parmetros ICBO y

Cualquiera de estos factores

VBE respectivamente.

puede ocasionar que el punto de

Finalmente tendremos el ndice

operacin se desve del punto

de variacin de IC2 con respecto

de operacin determinado. Ha-

a T:

ciendo as al sistema demasiado

Figura 9: ARGOS1.CIR

inestable e intil para utilizarlo,

dI

dIC2
1+
CBO
h
i
=
+
1 + R7 +R8 dT
dT
RB +R7 +R8


RB + (R7 + RB )(1 + )

dVBE
dT

de esta manera se busca la manera de disear el sistema independiente de cualquiera de estos

DIAGRAMAS DE BODE DEL

AMPLIFICADOR
ARGOS1.CIR

parmetros para que la ganancia

no se vea afectada.
4. Disee un circuito amplificador
ARGOS 1 bajo las siguientes
premisas

3. Fundamente las razones por los

que se disea la ganancia y otros
parmetros de un amplificador
independiente del hfe , hie , etc.,
del BJT por ejemplo.

Fuente de operacin DC
12v
Elementos
2N2222A
4

activos
Figura 10: diagrama de Amplitud

Figura 11: diagrama de Fase

Figura 14: V8-V10

Figura 18:

V3
V12

Amplitud

Respuesta del amplificador

ARGOS1.CIR a una onda de
prueba de 1Khz

Figura 15: V5-V3

V3
V12

Figura 19:

fase

6. Presente los diagramas de bode

obtenidos de la simulacin.

Figura 12: Vin

Figura 20:
Figura 16:

V13
V12

V14
V3

Amplitud

Amplitud

Figura 13: Respuesta transitoria

Diagramas que prueban que los

transistores Q3 y Q4 operan en
Regimen Lineal

Figura 17:

V13
V12

Fase

Figura 21:

V14
V3

Fase

Figura 22:

V4
V12

Figura 23:

Amplitud

V4
V12

Figura 26:

V9
V8

Fase

V8
V4

Figura 25:

V9
V8

Fase

V16
V12

Figura 31:

Figura 28:

V16
V8

V16
V8

Fase

Amplitud

Fase

Amplitud

V8
V4

Figura 29:

Figura 30:

Figura 27:

Figura 24:

Amplitud

Amplitud

V16
V12

Fase

ndice
1

AMPLIFICADOR MULTIETAPA

1.1

RESUMEN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.2

OBJETIVOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.3

FUNDAMENTO TERICO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.3.1

Tipos de acoplamiento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.3.1.1

Acoplamiento directo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.3.1.2

Acoplamiento capacitivo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.3.1.3

Acoplamiento por transformador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Conexiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.3.2.1

Conexin en Cascada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.3.2.2

Conexin Cascode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.3.2.3

Conexin Darlington . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.4

PAR RETROALIMENTADO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.5

APLICACIONES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.6

MATERIALES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.3.2