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Electrnica Analgica
xxxxxxxxxxxxx, Grupo (H2).
Actividad: Informe de Laboratorio, Transistores; Practicas 2 - 3,
Prof. xxxxxxxxxxxx 1 de Marzo de 2013.

ResumenEl propsito de este documento es plantear una

breve descripcin de la teora y funcionamiento de los transistores,
se hace un breve informe de las prcticas desarroladas en el
laboratorio, En algunos casos se hace la descripcin del circuito
motado, se hacen algunas modificaciones y se indica que efecto
tienen los de dems componentes y las posibles utilidades de cada
uno de estos.

I.

INTRODUCCIN

En este documento se plantea una breve descripcin de la

teora y funcionamiento de los transistores.
En las prcticas del laboratorio se ha puesto a prueba lo ya
conocido en la asignatura terica viendo de forma
experimentales distintas configuraciones en el trabajo con
transistores. En el presente documento, la polarizacin de
estos para usarlos en zona activa con las configuraciones ms
comunes para amplificacin.

Como podemos ver el simple hecho de pasar del tubo de vaco

al transistor supone un gran paso en cuanto a reduccin de
tamao y consumo y aumento de fiabilidad.
Es necesario destacar que el desarrollo del transistor se apoya
en mltiples disciplinas cientficas que abarcan la qumica, la
fsica y la ingeniera de materiales entre otras.
II. TEORA GENERAL DEL TRANSISTOR

Un transistor bipolar est formado por dos uniones pn en

contraposicin. Fsicamente, el transistor est consitutdo por
tres regiones semiconductoras denominadas emisor, base y
colector. Existen 2 tipos de transistores bipolares, los
denominados NPN y PNP:

Sera imposible entender la evolucin de la electrnica digital

en general, y de la informctica en particular sin una buena
comprensin de lo que es, y lo que ha aportado el transistor a
estas ciencias. El transistor vino a reemplazar a un dispositivo
denominado tubo de vaco (los tubos de vaco an se emplean
en electrnica de potencia, cuando son necesaras
elevadsimas ganancias, por ejemplo en amplificadores para
trasmisin va satlite) con las siguientes ventajas:
Su consumo de corriente es mucho menor con lo que tambin
es menor su produccin de calor.
Su tamao es tambin mucho menor. Un transistor puede tener
el tamao de una lenteja mientras que un tubo de vaco tiene
un tamao mayor que el de un cartucho de escopeta de caza.
Esto permite una drstica reduccin de tamao.
Mientras que las tensiones de alimentacin de los tubos
estaban alrededor de los 300 voltios las de los transistores
vienen a ser de 10 voltios con lo que los dems elementos de
circuito tambin pueden ser de menor tamao al tener que
disipar mucho menos calor y soportar tensiones mucho
menores.

El transistor es un elemento constituido fundamentalmente por

silicio o germanio. Su vida media es prcticamente ilimitada y
en cualquier caso muy superior a la del tubo de vaco.

La base de un transistor se encuentra limitada por las dos

uniones PN, por lo cual, debe de comportarse como un diodo
con el emisor, igualmente que con el colector. Sabiendo esto,
es fcil comprobar el estado de un transistor y saber cual es la
base, el colector y el emisor.
A partir de este punto nos centramos en el estudio de los
transistores bipolares NPN, siendo el comportamiento de los
transistores PNP totalmente anlgolo.

2
El emisor en un transistor NPN es la zona semiconductora ms
fuertemente dopada con donadores de electrones, siendo su
ancho intermedio entre el de la base y el colector. Su funcin
es la de emitir electrones a la base. La base es la zona ms
estrecha y se encuentra dbilmente dopada con aceptores de
electrones. El colector es la zona ms ancha, y se encuentra
dopado con donadores de electrones en cantidad intermedia
entre el emisor y la base.
Para saber si un transistor es PNP o NPN y cuales son sus
patillas de Base, Colector y Emisor, actuaremos de la siguiente
forma, usaremos un medidor de resistencia, colocaresmos la
sonda roja en una de las patillas y la negra en otra, si la
resistencia es grande, puede que estemos midiendo entre
Colector-Emisor o que estemos midiendo BaseEmisor/Colector en Polarizacin Inversa, ahora bien, si la
resistencia es pequea, estamos midiendo seguro entre BaseColector o Base-Emisor en polarizacin directa, con lo que ya
sabemos que una de las dos patillas es la base. Cambiamos
una de las sondas a la otra patilla, si la resistencia es grande, la
patilla que ahora no est siendo medida es la base, si la
resistencia es baja, sabemos que la patilla con la que hemos
realizado las dos mediciones es la base y mirando el color de
la sonda sabremos si es P N, con lo que ya sabemos si el
transistor es PNP o NPN.
Para diferenciar el Colector del Emisor, el procedimiento es el
siguiente, medimos resistencia entre la base, ya diferenciada, y
las otras ds patillas, el resistencia Base-Colector es siempre
menor que la resistencia Base-Emisor.
Resitencia:
Colector-Emisor
Base-Colector
Baja
(P.D.)
Base-Emisor
Baja
(P.D.)
Base-Colector < Base Emisor

Alta
Alta

Alta
(P.I.)
(P.I.)

Condiciones de funcionamiento
Las condiciones normales de funcionamiento de un transistor
NPN se dan cuando el diodo B-E se encuentra polarizado en
directa y el diodo B-C se encuentra polarizado en inversa. En
esta situacin gran parte de los electrones que fluyen del
emisor a la base consiguen atravesar sta, debido a su poco
grosor y dbil dopado, y llegar al colector.
El transistor posee tres zonas de funcionamiento:

por la corriente de base. A pequeos aumentos de la

corriente de base corresponden grandes aumentos de
la corriente de colector, de forma casi independiente
de la tension entre emisor y colector. Para trabajar en
esta zona el diodo B-E ha de estar polarizado en
directa, mientra que el diodo B-C, ha de estar
polarizado en inversa.
3. Zona de corte: El hecho de hacer nula la corriente de
base, es equivalente a mantener el circuito base
emisor abierto, en estas circunstancias la corriente de
colector es prcticamente nula y por ello se puede
considerar el transistor en su circuito C-E como un
interruptor abierto.

Los transistores se usan en su zona activa cuando se emplean

como amplificadores de seales. Las zonas de corte y
saturacin son tiles en circutos digitales o sistemas de
control de potencia.
De manera general los transistores cuando se encuentran en
zona activa amplifica la seal que entra por la base.

Parmetros caractersticos del

transistor
Parmetro
El parmetro de un transistor indica la relacin de semejanza
que se produce en la corriente de colector y las variaciones de
las corrientes del emisor.

IC
IE

Parmetro de un transistor

1. Zona de saturacin: El diodo colector est

polarizado directamente y es transistor se comporta
como una pequea resistencia. En esta zona un
aumento adicionar de la corriente de base no provoca
un aumento de la corriente de colector, sta depende
exclusivamente de la tensin entre emisor y colector.
El transistor se asemeja en su circuito emisor-colector
a un interruptor cerrado.
2. Zona activa: En este intervalo el transistor se
comporta como una fuente de corriente, determinada

La circunstancia de que una pequea corriente de base

controle las corrientes de emisor y colector mucho ms
elevadas, indica la capacidad que posee un transistor para
conseguir una ganancia de corriente. As, la ganancia de
corriente de un transistor es la relacin que existe entre la
variacin o incremento de la corriente de colector y la
variacin de la corriente base.

3
La ganancia de corriente de los transistores comerciales vara
bastante de unos a otros. As, nos podemos encontrar
transistores de potencia que poseen una de tan slo 20. Por
otro lado, los transistores de pequea seal pueden llegar a
tener una de 400. Por todo ello, se pueden considerar qe los
valores normales de este parmetro se encuentran entre 50 y
300.
En las tablas de especificaciones tcnicas, que facilitan los
fabricantes de transistores, en vez de utilizarse la para
identificar la ganancia de corriente, se suele utilizar hFE.

corresponden con la tensin y la corriente de entrada, se la

denomina resistencia de entrada, es decir:

R i=

Vi
Ii

III. DESARROLLO DE PRCTICAS DE LABORATORIO

Polarizacin con transistores bipolares

Circuito 1

Datos simulados

IC
IB

Relacin entre los parmetros y

Combinando las expresiones de los parmetros anteriores:

Y teniendo en cuenta la relacin existente entre las diferentes
corrientes que se dan en el transistor,

I E =I C + I B
Se pueden encontrar las expresiones matemticas que
relacionen ambos parmetros, tal como se indica a
continuacin.

+1

Resistencia de entrada
Se podra decir que la resistencia de entrada de un transistor es
la que presenta ste, visto desde los bornes de entrada.
Al observar la caracterstica de transferencia del transistor,
representada en la figura de abajo, se puede ver que la
intensidad de base aumenta con la tensin base-emisor.
Pues bien, a la relacin existente entre las variaciones de
tensin base-emisor y las de la corriente de base, que se

V B =2V
V E =1.37 V
I B=3.03 A
I E =417.4 A

V C =3.053 V
I C =414.3 A

Transistor En zona activa Vc>Vb>Ve

Tambin se tiene que ( V C V E=1.68 V ) >0.2 V
Grafica

4
3.5V

I R 2=I E =
I B=

3.0V

2.5V

1.3
=394 A
3.3 k

IC
1
=390 A
=3.9 A

100

Clculo de errores y posibles causas

Usando el mtodo para hallar el error de manera
convencional.

Error=

VlrTerico VlrExperimental
VlrTerico

De esta manera tenemos la siguiente tabla.

2.0V

Variab
le

VB

Terico
Simulado
2.00E+00

Experime
tal
2.00E+0
0

3.05E+00

3.15E+0
0

3.18%

1.37E+00

1.30E+0
0

5.11%

3.03E-06

3.90E-06

4.14E-04

3.90E-04

28.67
%
5.87%

4.17E-04

3.94E-04

5.61%

[V]

1.5V

VC

[V]

VE

[V]

IB [

1.0V

A]

IC [

Error
0.00%

A]

0.5V
0s

0.05us
0.10us
V(Q1:e)
V(Q1:b)
V(Q1:c)

0.15us

Datos experimentales
Se usaron los valores nominales de las resistencias y
los voltajes mostrados en la figura del circuito1.
Para los clculos experimentales asumi un valor de
=100 , tambin.
Las mediciones directas,

V B =2V
V C =3.15 V

V E =1.3 V

Medias estas tensiones hallamos las corrientes del

circuito mediante ley de Ohm, V =IR y las
relaciones citadas en la seccin teria.

I R 1=I C =

5V C 53.15
=
=390 A
4.7 k 4.7 k

I [
0.20us E
A]

0.25us

0.30us

0.35us

0.40us

Se observa que hal un error de casi 29 % en La corriente en la

base, una posible causa seria la propagacin de errores ya que
esta corriente es de magnitud muy pequea, aunque no se
descarta que el origen del error sea en las mediciones hechas
en el laboratorio.
Circuito 2

Datos simulados

V B =0 V
V E =10 V
I B=0.16 pA
I E =53.47 fA

V C =10 V
I C =1.643 p A

Transistor en zona de corte; el transistor

se comporta como circuito abierto, por
esta razn no se ven cadas de tensin en
las resistencias.
Las corrientes medidas en el simulador
son las generadas por las propiedades del
transistor.

0.45us

5
Ver en teora general del transistor los modelos de
comportamieto.
Circuito 3

Datos simulados

Datos experimentales

Para pa parte experimental de este circuito resolveremos las

siguientes ecuaciones de malla o ley de tensiones de Kirchoff.

8.5V

0.7+ I E ( 1 K )+ 10=0
10+ I C ( 2 K ) +V C =0
8.0V

De la primera ecuacin se tiene que

I E=

100.7
=10.7 mA
1 k

De las relaciones entre corrientes, parmetro de los

transistores se tiene:

100
( 100+1
)(10.7 mA )=10.59 mA

I C = I E =

SEL>>
7.5V
V(Q1:e)

V(Q1:b)

V(Q1:c)

7.6V

7.2V

De la segunda ecuacin de malla se tiene que

V C =10I C 1 K=10(10.59 mA ) ( 1k )=31.18 V

Observese que la corriente I C e I E es negativa es
decir que entrara por en emisor lo cual nunca acontecer
porque el transistor NPN se comporta como diodo entre la
base y el colector (nodo y ctodo respectivamente) y
tambin
entre la base y emisor (nodo y ctodo
respectivamente). Por esta razn el transistor no se

6.8V

6.4V

6.0V
0s

0.05us
0.10us
V(Q2:c)
V(Q2:b)
V(Q2:e)

0.15us

0.20us

0.25us

Datos experimentales
Equivalente de thevenin de la forma

Amplificadores.

Calculo de errores y posibles causas

Amplificacon con transistores

bipolares

Datos simulados
Datos experimentales
Calculo de errores y posibles causas

II. CONCLUSIONES GENERALES

Con todo lo dicho hasta aqu ya tenemos una idea general del
funcionamiento de este dispositivo. Ahora hemos de ver para
qu sirve, que es el objetivo de este estudio electrnico. A
continuacin pondremos una lista de funciones de transistores,
y luego veremos una de ellas a fondo, la que se considera de
mayor importancia en este campo.
A continuacin pondremos una lista de funciones de
transistores, y luego veremos una de ellas a fondo, la que se
considera de mayor importancia en este campo.
Funciones o tipos:

Interruptores o rels.

Unipolares (JFET y MOSFET), se utilizan en circuitos

integrados y se presentarn posteriormente.

Darlington
El tipo o funcin del transistor que vamos a destacar (por el
momento) ser como amplificador, hay que aclarar que es eso
de amplificar en electrnica, por lo cual lo definiremos.
Podramos decir que amplificar es incrementar una magnitud,
y que amplificacin es, por lo tanto, el proceso de incrementar
la intensidad de una seal. Un amplificador es un dispositivo
en el que una dbil corriente producida por una fuente provoca
una fuerte corriente en otra fuente.