Universidade Estadual Paulista Jlio de Mesquita Filho

Faculdade de Engenharia- Campus Bauru

Departamento de Engenharia Eltrica

Utilizao de materiais piezoeltricos para

sensoriamento e captao de energia cintica corporal
em aplicaes voltadas sade

Aluno: Vinicius Alexandre Carraschi

RA: 1010166

Disciplina: Converso de Energia e Transformadores

Professor: Renato C. Creppe

Bauru
Junho/2016

SUMRIO

1 Introduo ......................................................................................................................................... 1
2 O Efeito Piezoeltrico ....................................................................................................................... 3
3 Fabricao de Materiais piezoeltricos ............................................................................................. 7
3.1 Cermicas Piezoeltricos ............................................................................................................ 7
3.2 Filmes Polimricos Piezoeltricos............................................................................................ 12
3.3 Compsitos Piezoeltricos ....................................................................................................... 15
3.3.1 Compsito de Fibra Ativa .................................................................................................. 16
3.3.2 Compsito de Macro Fibra ................................................................................................ 17
4 Utilizao de Materiais Piezoeltricos em Sensores Corporais ...................................................... 19
4.1 Deteco de Atividade Muscular ............................................................................................. 19
4.2 Mensurao de Batimentos Cardacos e Presso Arterial ........................................................ 21
5 Utilizao de elementos piezoeltricos para gerao de energia .................................................... 22
5.1 Captao de Energia das Articulaes ..................................................................................... 24
6 Concluso ........................................................................................................................................ 26
Referncias ......................................................................................................................................... 27

1
1 INTRODUO

H vrias dcadas a engenharia, computao e outras cincias no biolgicas vm

contribuindo para aplicaes voltadas sade. Ano aps anos vemos novos equipamentos mdicos
sendo criados e aperfeioados. Desde o mais simples aparelho de eletrocardiograma at o mais
sofisticado sistema de diagnstico computadorizado por imagem so exemplos dessa contribuio.
Os avanos na rea so contnuos e a perspectiva de que continuem assim, contudo, todos esses
avanos ainda no so suficientes.
Um trabalho feito por Misha Pavel e al, intitulado The Role of Technology and Engineering
Models in Transforming Healthcare, publicado na sexta edio da IEEE Reviews in Biomedical
Engineering do ano de 2013 expe um cenrio preocupante: o crescimento populacional, aliado ao
envelhecimento da populao, juntamente com o panorama do crescimento dos gastos com sade nas
ltimas dcadas projeta que, caso medidas no sejam tomadas, no ser financeiramente vivel
atender a demanda por servios de sade nas prximas dcadas. Este estudo traz alguns grficos que
so aqui transcritos para exemplificarem este contexto.
A Figura 1 mostra que a taxa de dependncia, ou seja, os nmeros da populao
economicamente inativa (aposentados ou pessoas muito jovens para trabalhar) dividido pelo nmero
de pessoas que compe a fora de trabalho, ir aumentar muito nos prximos 15 anos.

Figura 1. Taxa de dependncia entre 1950 e 2050 [1].

Do mesmo modo, os gastos com sade nos pases desenvolvidos vm aumentando de maneira
praticamente contnua desde 1980. A porcentagem de gastos com sade em relao ao Produto
Interno Bruto PIB tambm vem aumentando. Na imagem da Figura 2, GPD se refere a Gross
Domestic Product.

Figura 2. Evoluo dos gastos com sade entre 1980 e 2007 nos Estados Unidos e outros pases industrializados [1].

Este trabalho tambm prev que uma mudana no paradigma dos cuidados com a sade
necessria. Ao invs de agir de maneira curativa, diagnosticando a doena quando ela j est instalada
e, assim, prescrevendo um tratamento, o foco deve estar na preveno, com monitoramento contnuo
de cada indivduo, detectando cada pequeno indicativo de irregularidade em seus parmetros
corporais, possibilitando, assim, agir antes que a doena se instale, o que torna o tratamento mais
rpido e barato. Para isso, sugerido o modelo apresentado na Figura 3, sendo que os campos de
pesquisa marcados em vermelho, so aqueles onde a engenharia eltrica se faz mais necessria.
Para que esse monitoramento contnuo seja realizado com sucesso, necessrio que diversos
tipos de sensores sejam instalados no ambiente ou mesmo no corpo de cada indivduo. Entretanto, o
monitoramento contnuo de parmetros corporais fazendo uso de sensores representa um desafio,
medida que o equipamento utilizado, ao mesmo tempo que cumpra sua funo de fornecer os dados
com extrema preciso, deve ser desenvolvido de forma que no prejudique o conforto do indivduo e
alm de possuir um excelente gerenciamento de energia, para que possa operar sem interrupes, sob
diversas condies.

Figura 3. Representao de uma amostra das reas-problema nos cuidados com a sade na camada superior e as vrias
solues tecnolgicas para esses problemas na camada inferior, divididas em 4 grandes reas de pesquisa [1].

Materiais piezoeltricos so extensivamente empregados na fabricao de sensores para

diversos fins e, nos ltimos anos, muitas pesquisas vm sendo feitas a respeito da utilizao destes
sensores para aplicaes biomdicas e tambm para desenvolver geradores que captam a energia
cintica gerada pelo movimento corporal e a convertem em energia eltrica.
Neste trabalho sero apresentados os princpios da piezoeletricidade, com uma breve
explicao sobre a fabricao de alguns tipos de materiais piezoeltricos. Na sequncia, sero
apresentadas algumas formas de utilizao destes materiais em sensores envolvendo aplicaes
biomdicas e captao da energia cintica corporal.

2 O EFEITO PIEZOELTRICO

O efeito piezoeltrico a gerao de carga por um material cristalino quando este submetido
a estresse. O efeito existe em cristais naturais, como quartzo (frmula qumica SiO2), cermicas
sintticas artificialmente polarizadas e alguns polmeros, como fluoreto de polivinilideno. dito que
materiais piezoeltricos possuem propriedades ferroeltricas. O nome foi dado por uma analogia feita
com as propriedades ferromagnticas. A palavra piezo vem dor grego piezen, que significa
pressionar. Os irmos Curie descobriram o efeito piezoeltrico do quartzo em 1880, mas bem pouco
uso prtico foi feito dele at 1917, quando outro francs, Professor Paul Langevin usou cortes de

4
quartzo parar gerar e detectar ondas de som dentro da gua. Seu trabalho levou ao desenvolvimento
do sonar.

Figura 4. Efeito piezoeltrico em um cristal de quartzo [2].

Um modelo explanatrio, ainda que simplificado, foi proposto em 1927 por A. Meissner. Um
cristal de quartzo modelado como uma estrutura helicoidal (como visto na Figura 4.a) com um
tomo de silcio, Si e dois de oxignio, O2, se alternando ao redor da hlice. Um cristal de quartzo
pode ser cortado ao longo de seus eixos x, y ou z; assim, a Figura 4.a uma viso ao longo do eixo z.
Em uma clula composta por um nico cristal, h trs tomos de silcio e seis de oxignio. Os tomos
de oxignio so aglomerados em pares. Cada tomo de silcio carrega quatro cargas positivas e um
par de oxignios carrega quatro cargas negativas (duas por tomo). Portanto, uma clula de quartzo
eletricamente neutra sob condies de repouso, isto , quando nenhum estresse mecnico aplicado
sobre o material. Quando uma fora externa Fx, aplicada ao longo do eixo x, o lattice (arranjo dos
tomos) hexagonal se deforma. A Figura 4.b mostra a fora de compresso que muda os tomos em
um cristal de tal maneira que uma carga positiva surge no lado do tomo de silcio e uma carga
negativa aparece no lado do par de tomos de oxignio. Portanto, o cristal desenvolve uma carga
eltrica ao longo do eixo y. Se o cristal esticado ao longo do eixo x, como mostra a Figura 4.c, uma
carga de polaridade oposta formada ao longo do eixo y, que o resultado de uma deformao
diferente. Esse modelo simples ilustra que um material cristalino pode desenvolver carga eltrica em
sua superfcie em resposta a deformao mecnica.
Para coletar a carga eltrica, eletrodos condutores devem ser colocados no cristal, em lados
opostos do corte (Figura 5). Como resultado, um sensor piezoeltrico se torna um capacitor cujo
material dieltrico o cristal piezoeltrico. O dieltrico funciona como um gerador de carga,
resultando em uma tenso V atravs do capacitor. Apesar da carga em um dieltrico cristalino ser
formada no local onde exercida a fora, os eletrodos de metal equalizam as cargas ao longo da
superfcie, tornando o capacitor no seletivamente sensvel. Contudo, se os eletrodos possuem um

5
formato complexo, com captao independente das cargas geradas, possvel detectar a exata
localizao da fora aplicada, medindo a resposta de um dado eletrodo selecionado.

Figura 5. O sensor piezoeltrico formado aplicando eletrodos a um material cristalino polarizado [2].

O efeito piezoeltrico um fenmeno fsico reversvel. Isso significa que aplicar tenso
atravs do cristal, resulta em deformao mecnica. Colocando mais que um par eletrodos em um
cristal, possvel utilizar um par de eletrodos para aplicar tenso ao cristal e outro par de eletrodos
para coletar a carga resultante da deformao ocorrida. Esse mtodo muito utilizado em vrios
transdutores piezoeltricos.
A magnitude do efeito piezoeltrico em uma forma simplificada, pode ser apresentado pelo
vetor de polarizao.

P = Pxx + Pyy + Pzz,

(1)

onde x, y e z se referem ao sistema ortogonal convencional, relacionado com os eixos do cristal. Em

termos de estresse axial, , podemos escrever:
Pxx = d11xx + d12yy + d13zz
Pyy = d21xx + d22yy + d23zz

(2)

Pzz = d31xx + d32yy + d33zz

onde as constantes dmn so os coeficientes piezoeltricos ao longo do eixo ortogonal do corte do

6
cristal. Esses coeficientes podem variar de acordo com a posio do corte do material. As dimenses
desses coeficientes so C/N (coulomb/newton), isso , unidade de carga por unidade de fora.
Por convenincia de clculo, duas unidades foram introduzidas. A primeira o coeficiente g,
que definido pela diviso dos correspondentes coeficientes dmn pela constante dieltrica absoluta.

(3)

Esse coeficiente representa o gradiente de tenso (campo eltrico) gerado pelo cristal por
unidade de presso aplicada, isto , sua dimenso :

/

Outro coeficiente, designado por h, obtido pela multiplicao dos coeficientes g pelo
correspondente mdulo de Young1 para o eixo correspondente do cristal. A dimenso do coeficiente
h :

/

Cristais piezoeltricos so conversores diretos de energia mecnica em energia eltrica. A
eficincia da converso pode ser determinada pelo denominado coeficiente de acoplamento kmn:
=

(4)

O coeficiente k uma caracterstica importante para aplicaes onde a eficincia energtica

a o item fundamental, como em sensores acsticos e ultrassnicos.
A carga gerada pelo cristal piezoeltrico proporcional a fora aplicada, por exemplo, na
direo x a carga :
= 11

(5)

Mdulo de Young, tambm conhecido como mdulo elstico, um valor associado a uma propriedade mecnica de
materiais elsticos lineares. Isso define a relao entre o estresse (fora por unidade de rea) e tenso (proporcional
deformao) em um material.

7
A partir do momento que um cristal com eletrodos acoplados forma um capacitor, que possui
capacitncia C, a tenso V, que se desenvolve entre os eletrodos pode ser determinada:

11

(6)

Por sua vez, a capacitncia pode ser representada atravs da superfcie a do eletrodo e a
espessura l do cristal:
=

(7)

Ento, a tenso de sada :

11

11

0 a

(8)

O efeito piezoeltrico o primeiro meio de converter deformao mecnica em sinal eltrico

e vice-versa em sensores semicondutores em miniatura. O efeito, entretanto, pode ser usado apenas
para converter mudana de estmulos e no pode ser usado para converso de estado estacionrio ou
sinais com mudana lenta, ou seja, a energia gerada apenas quando h variao na presso aplicada.
Se uma presso constante se faz presente, nem existe qualquer efeito eltrico no piezo.

3 FABRICAO DE MATERIAIS PIEZOELTRICOS

3.1 Cermicas Piezoeltricos

A fabricao de sensores piezoeltricos cermicos comea com xidos metlicos de alta

pureza (xido de chumbo, xido de zircnio, xido de titnio, etc.) na forma de ps finos de vrias
cores. Os ps so modos at atingirem at uma granulometria especfica e misturados em propores
qumicas corretas. Em um processo chamado calcinao, as misturas so ento expostas a uma
elevada temperatura, permitindo que os ingredientes reajam para formar um p cujo cada gro tem a
composio qumica prxima composio desejada para o composto final. Neste estgio, contudo,
o gro no possui, ainda, a estrutura cristalina desejada.
O prximo passo misturar o p calcinado com aglutinantes orgnicos slidos e/ou lquidos,
destinados a queimar durante o cozimento do material e mecanicamente transformar a mistura em um

8
bolo, que se aproxima bastante do formato final do elemento a ser produzido. Para formar bolos
nos formatos desejados, alguns mtodos podem ser utilizados. Entre eles, esto presso (utilizando
pistes hidrulicos), moldagem (depositar o lquido viscoso em moldes e esperar secar), extruso
(pressionar a mistura atravs de uma matriz, fieira ou entre um par de rolos para formar folhas finas)
e moldagem em fita (puxar o lquido viscoso em cima de uma correia movendo-se suavemente).
Depois que os bolos foram formados, eles so colocados em um forno e expostos a um perfil
de temperatura cuidadosamente controlada. Aps queimar os aglutinadores orgnicos, o material
diminui cerca de 15%. Os bolos so aquecidos at adquirirem brilho vermelho e mantidos nesse
estgio por algum tempo, o que chamado de tempo de imerso, ao longo do qual acontecem as
reaes qumicas finais. A estrutura cristalina formada quando o material resfriado. Dependendo
do material, o processo de cozimento pode durar at 24 horas. Quando o material est frio, eletrodos
de contato so aplicados em sua superfcie. Isso pode ser feito de diversas maneiras. Os mais comuns
so pulverizao catdica (exposio a vapor de metal em vcuo parcial), prata aquecida (um
silkscreen de mistura prata-vidro2 com recozimento) e galvanizao no eltrica (deposio qumica
em um banho especial).
Cristalites (clulas de cristal) do material podem ser consideradas dipolos eltricos. Em alguns
materiais, como quartzo, estas clulas so naturalmente orientadas ao longo dos eixos do cristal,
assim, conferindo ao material sensibilidade a perturbao. Em outros materiais, os dipolos so
orientados aleatoriamente, havendo necessidade de polarizao do material para que este adquira
propriedades piezoeltricas. Algumas tcnicas de polarizao podem ser utilizadas para conferir
propriedades piezoeltricas a um material. O mais popular processo de polarizao a polarizao
trmica, descrita nos passos a seguir:
1. Um material cristalino (cermico ou filme polimrico) que possui dipolos aleatoriamente
orientados (Figura 6.a) aquecido a uma temperatura levemente abaixo da temperatura de
Curie3. Em alguns casos (para filmes PVDF, que sero citados mais adiante), o material
submetido estresse. Uma alta temperatura resulta em forte agitao dos dipolos e permite
orient-los mais facilmente na direo desejada.
2. O material colocado em um forte campo eltrico E (Figura 6.b), onde os dipolos se
alinham com as linhas de campo. O alinhamento no total. Muitos dipolos desviam da
direo do campo, contudo, estatisticamente a predominncia da orientao dos dipolos
mantida.
3. O material resfriado enquanto o campo eltrico ao longo de sua espessura mantido.

Adesivos contendo 80 a 85% do peso em flocos de prata, dispersos em um vidro de borato de chumbo
A temperatura de Curie a temperatura no qual o magnetismo permanente de um material se torna induzido. o
ponto crtico onde o momento magntico intrnseco do material muda de direo.
3

9
4. O campo eltrico removido e o processo de polarizao completado. Enquanto o
material polarizado se mantiver abaixo da temperatura de Curie, sua polarizao ser
permanente. Os dipolos permanecem congelados na direo dada a eles pelo campo
eltrico aplicado alta temperatura (Figura 6.c).

Figura 6. Polarizao trmica de um material piezoeltrico [2].

Outro mtodo, chamado de descarga de polarizao corona, tambm utilizado para produzir
polmeros piezoeltricos (que sero abordados a seguir). O filme submetido a uma descarga de
corona por um eletrodo a alguns milhes de volts por centmetro de espessura do filme por 40 a 50
segundos. Polarizao corona simples de ser realizada e pode ser facilmente aplicada antes que a
dano eltrico ocorra, tornando o processo til, temperatura ambiente.
Depois da polarizao, o cristal permanece permanentemente polarizado, entretanto, ele fica
eletricamente carregado por um perodo relativamente curto. H quantidade suficiente de portadores
livres que se movem em configurao de campo eltrico dentro do material e h muitos ons
carregados no ar ao redor. Os portadores carregados se movem na direo dos dipolos polarizados e
neutralizam suas cargas (Figura 6.c). Consequentemente, aps um tempo, o material piezoeltrico
polarizado se torna eletricamente descarregado, pelo tempo que permanecer em estado de equilbrio.
Quando um estresse aplicado ou o ar se movimenta perto de sua superfcie o estado balanceado
perturbado e o material piezoeltrico desenvolve uma carga eltrica. Se o estresse for mantido por
um instante, as cargas sero novamente neutralizadas por disperso interna. Assim, o elemento
piezoeltrico responde apenas a um estresse varivel ao invs de um responder a um estado continuo
deste. Em outras palavras, um elemento piezoeltrico um dispositivo de corrente alternada, ao invs
de corrente contnua.
Sensibilidades piezoeltricas direcionais (coeficientes d) so dependentes da temperatura.
Para alguns materiais (quartzo), a sensibilidade cai com um declive de -0,016% / C. Para outros
(cermicas e filmes PVDF), temperaturas abaixo de 40C pode faz-la cair e a temperaturas mais
altas, ela aumenta proporcionalmente a temperatura. Atualmente, os materiais mais populares para
fabricao de sensores piezoeltricos so cermicos. A primeira das cermicas ferroeltricas foi o

10
titanato de brio, uma substncia policristalina cuja frmula BaTiO3. A estabilidade da polarizao
permanente se deve fora coercitiva dos dipolos. Em alguns materiais, a polarizao pode diminuir
com o tempo. Para melhorar a estabilidade de um material polarizado, impurezas so introduzidas no
material base com a ideia de que a polarizao pode ser trancada na posio. Apesar da constante
piezoeltrica mudar com a temperatura, uma constante dieltrica, k, exibe dependncia similar.
Assim, de acordo com a equao (8), variaes nestes valores tendem a cancelar uns aos outros. Isso
resulta em uma melhor estabilidade da tenso de sada V, em um amplo espectro de temperaturas.
Os elementos piezoeltricos podem ser usados como cristais nicos ou em uma forma
multicamada onde algumas placas de material so laminadas juntas. Isso deve ser feito com eletrodos
colocados entre elas. A Figura 7 mostra um sensor de fora de camada dupla. Quando uma fora
externa aplicada, a parte superior se expande, enquanto a inferior se comprime. Se essas camadas
forem laminadas corretamente, isso produz um duplo sinal de sada. Sensores duplos podem ter tanto
uma conexo em paralelo (Figura 8.a) quanto em srie (Figura 8.b). O circuito equivalente de um
sensor piezoeltrico uma conexo em paralelo de uma fonte de corrente induzida por estresse (i),
resistncia de fuga (r) e capacitncia (C). Dependendo da conexo das camadas, circuitos
equivalentes para sensores laminados so mostrados nas Figuras 8.b e 8.d. A resistncia de fuga r
bastante elevada (na ordem de 1012 a 1014 ohms), o que significa que o sensor tem uma impedncia
de sada extremamente alta. Isso requer circuitos especiais de interface, como conversores de carga e
de corrente-tenso ou amplificadores de tenso com elevadas impedncias de entrada.

Figura 7. Sensor piezoeltrico de dupla camada [2].

Figura 8. Sensores piezoeltricos laminados em paralelo (a) e em srie (c) e seus correspondentes circuitos
equivalentes (b) e (d) [2].

11
Para a fabricao de sensores, como o silcio no possui propriedade piezoeltricas, tais
propriedades podem ser adicionadas depositando camadas cristalinas de materiais piezoeltricos. Os
trs materiais mais populares so oxido de zinco (ZnO), nitreto de alumnio (AlN) e o assim chamado
sistema de soluo slida de xido de chumbo-zirconita-titnio Pb(Zr,Ti)O3 conhecido como
cermica PZT, basicamente o mesmo material utilizado para fabricao de sensores piezoeltricos
discretos. A conformidade (compliance) dos filmes piezo 10 vezes maior que a dos piezos
cermicos.
O xido de zinco foi o primeiro e mais popular material para desenvolvimento de sensores
acsticos ultrassnicos, dispositivo onda-acstica-de-superfcie (SAW, do ingls surface-acousticwave), microbalanas e assim por diante. Uma de suas vantagens a facilidade de gravao qumica.
Os finos filmes de xido de zinco so usualmente depositados no silcio empregando tecnologia de
pulverizao catdica.
Nitreto de alumnio um excelente material piezoeltrico por conta de sua alta velocidade
acstica e sua resistncia umidade e altas temperaturas. Seu coeficiente piezoeltrico menor do
que o do xido de zinco, mas maior do que outros filmes finos de materiais piezoeltricos, excluindo
as cermicas. A alta velocidade acstica o torna uma escolha atrativa para frequncias da faixa dos
giga-hertz. Usualmente os filmes finos de nitreto de alumnio so fabricados usando tecnologias de
deposio de vapor qumico ou epitaxia por feixe molecular reativo4. Contudo, o inconveniente em
usar esses mtodos de deposio a necessidade de uma alta temperatura de aquecimento do substrato
(acima dos 1300C).
Os filmes finos de PZT possuem coeficiente piezoeltrico maior que xido de zinco ou nitreto
de alumnio. Uma grande variedade de tcnicas de deposio se encontra disponvel para o PZT, entre
as quais esto evaporao por feixe de eltrons, pulverizao por radiofrequncia, deposio por feixe
de ons, crescimento epitaxial por pulverizao de radiofrequncia, ablao por laser5, pulverizao
por magnetron e sol-gel6.
A operao final na preparao de um elemento sensitivo modelagem e finalizao. Isso
inclui corte, usinagem e polimento. Aps o elemento piezoeltrico ter sido preparado, ele instalado
no encapsulamento do sensor, onde seus eletrodos so ligados aos terminais eltricos e outros
componentes eletrnicos.

uma tcnica de crescimento epitaxial de filmes finos de semicondutores e metais em condies de ultra-alto-vcuo (10-11 Torr). Esta tcnica permite baixas velocidades de crescimento, e baixas temperaturas de crescimento.
5
o processo de remoo de material a partir de uma superfcie slida (ou, ocasionalmente, um lquido) por irradiao
com um feixe de laser.
6
Processo Sol-gel ou pectizao refere-se a qualquer rota de sntese de materiais onde num determinado momento ocorre
uma transio do sistema sol (soluo coloidal) para um sistema gel (rede integrada).

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3.2 Filmes Polimricos Piezoeltricos

Em 1969, H. Kawai descobriu uma forte piezoeletricidade no fluoreto de polivinilideno

(PVDF) e, em 1975, a empresa japonesa Pioneer, Ltda. desenvolveu o primeiro produto comercial
com PVDF funcionando como alto-falantes e fones de ouvido piezoeltrico. PVDF um polmero
semicristalino com um grau de cristalinidade de aproximadamente 50%. Como outros polmeros
semicristralinos, o PVDF consiste em uma estrutura lamelar misturada com regies amorfas. Sua
estrutura qumica contm a unidade de repetio do etileno fluorado duplamente CF2-CH2.

O peso molecular do PVDF cerca de 105, o que corresponde a cerca de 2000 estruturas de
repetio. O filme bastante transparente no espectro de luz visvel e prximo da regio de
infravermelho (comprimento de onda entre 0.7 e 5 mcrones) e absorve a luz na regio do
infravermelho distante (entre 25 e 350 mcrones) do espectro eletromagntico. O polmero derrete a
cerca de 170C. Sua densidade cerca de 1780 kg/m. O PVDF um material mecanicamente durvel
e flexvel. Em aplicaes piezoeltricas, ele geralmente se deforma, uniaxialmente ou biaxialmente,
cerca de muitas vezes seu comprimento. Suas constantes elsticas (como modulo de Young)
dependem de sua taxa de deformao. Assim, se o filme de PVDF for deformado a cerca de 140C
taxa de 4:1, o valor do mdulo 2.1 GPa, enquanto que, para uma taxa de deformao de 6.8:1, ele
de 4.1 GPa. A resistividade do filme tambm depende da razo de estiramento. Por exemplo, com
estiramento baixo, ele cerca de 6,3x1015 ohm.cm, enquanto que para uma razo de estiramento de
7:1 ele 2x1016 ohm.cm.
O fluoreto de polivinilideno no tem um coeficiente piezoeltrico maior, nem to alto quanto
o de outros materiais comumente usados, como BaTiO3 ou PZT. Contudo, ele tem uma qualidade
nica de no se despolarizar quando submetido a campos eltricos alternados de alta intensidade. Isso
significa que mesmo o coeficiente d31 do PVDF ser cerca de 10% do PZT, o campo mximo permitido
100 vezes maior para o PVDF. O filme mostra boa estabilidade: quando armazenado 60C, ele
perde sua sensibilidade em cerca de 1-2% ao longo de 6 meses.
Caractersticas comparativas de vrios materiais piezoeltricos so mostrados na tabela a
seguir. Outra vantagem do filme piezoeltrico sobre piezos cermicos sua baixa impedncia

13
acstica, que prxima da gua, tecido humano e outros materiais orgnicos. Por exemplo, a
impedncia acstica dos filmes piezoeltricos apenas 2,6 vezes a da gua, enquanto que o piezo
cermico tipicamente 11 vezes maior. Uma impedncia prxima permite transduo mais eficiente
de sinais acsticos em gua e tecido.
Algumas das propriedades nicas dos filmes piezoeltricos, so:
Amplo faixa de frequncia: 0,001 Hz at 10. Hz.
Vasta gama dinmica: 10-8 - 106 psi ou torr at Mbar.
Baixa impedncia acstica: prxima da gua, tecido humano e sistemas adesivos.
Alta conformidade elstica.
Alta tenso de sada: 10 vezes maior que as cermicas piezoeltricas para a mesma fora
aplicada.
Alta fora dieltrica: resistncia a fortes campos (75 V/m), onde muitos piezos
cermicos despolarizam.
Alta resistncia mecnica e ao impacto: 109 1010 Mdulo de onda P7.
Alta estabilidade: resistncia umidade (absoro de umidade menor que 0,02%),
maioria dos produtos qumicos, oxidantes e intensa radiao ultravioleta e nuclear.
Pode ser fabricado em diversos formatos.
Pode ser colado com adesivos comerciais.
Novos co-polmeros de PVDF, desenvolvidos nos ltimos anos, tem expandido a aplicao
de sensores de polmeros piezoeltricos. Esses co-polmeros permitem uso a temperaturas mais altas
(135C) e oferecem novos formatos de sensores desejados, como cilindros e semiesferas. Espessura
extremamente baixas so possveis com co-polmeros que no podem ser facilmente obtidos com
PVDF. Esses incluem revestimentos ultrafinos (200 angstrons) que permitem novos aplicaes
sensores-no-silcio (embarcados) e cilindros com espessura de parede em excesso de 1200 m para
sonar. Cabos piezo tambm so produzidos usando co-polmeros.
Ao contrrio dos transdutores piezocermicos, transdutores de filmes piezo oferecem uma
ampla faixa dinmica e tambm so de banda larga, essas caractersticas de banda larga (prximos a
2 GHz) e Q baixo so parcialmente atribudos maciez do polmero. Como transmissor de udio, um
elemento de filme piezo curvado preso em cada extremidade, vibra no modo comprimento (d31). A
configurao d31 tambm usada para aplicaes de ultrassom areo at frequncias de cerca de 50
kHz. Quando usado como transmissor ultrassnico (geralmente > 500 kHz), o filme piezo
normalmente operado no modo espessura (d33). Mxima transmisso ocorre na ressonncia da
espessura. A ressonncia bsica de meia-onda de um filme piezo de 28 m cerca de 40 MHz. O
7

Em elasticidade linear, O mdulo de onda P, tambm conhecido como mdulo longitudinal ou modulo de compresso,
um dos mdulos elsticos usados para descrever materiais isotrpicos homogneos.

14
valor da ressonncia depende da espessura do filme. Elas vo de poucos mega-hertz para filmes
grossos at mais de 100 MHz para filmes finos (m).

Smbolo
T
d31
d33
g31
g33
k31
kt
C
Y
V0
P

/0
m
e
R
R
tan e

Parmetro
Espessura
Constante de tenso
piezo
Constante de perturbao
piezo
Fator de acoplamento
eletromecnico
Capacitncia
Mdulo de Young
Velocidade Extenso:
do som
Espessura:
Coeficiente piroeltrico
Permissividade
Permissividade relativa
Densidade de massa
Resistividade
volumtrica
Resistividade
de
metalizao de superfcie
Tangente de perda

PVDF
9, 28, 52, 110
23
-33
216
-330
12%
14%
380 para 28 m
2-4
1,5
2,2
30
106-113
12-13
1,78

Co-polmero
< 1 at 1200
11
-38
162
-542
20%
25-29%
380 para 100 m
3-5
2,3
2,4
40
65-75
7-8
1.82

> 1013

>1014

Ohm metros

< 3,0
0,1
0,02

< 3,0
0,1
0,015

Fora de Rendimento

45-55

20-30

Faixa de temperatura
Absoro de gua

-40 at 80... 100

< 0,02

-40 at 115...145
< 0,02

750 (30)

750 (30)

2000 (80)

2000 (80)

Ohms/quadrado p/ NiAl
Ohms/quadrado p/ Ag Ink
@ 1 KHz
6
10 N/m (eixo de
estiramento)
C
% H20
V/mil (V/m), DC,
@ 25C
V/mil (V/m), DC,
@ 25C

Tenso mx. de operao

Tenso de ruptura

Unidades
m (micron, 10-6)
10-12 m/m ou C/m
V/m
N/m
10- m/m ou C/m
V/m
N/m

pF/cm @ 1KHz
109 N/m
103 m/s
10-6 C/m K
10-12 F/m
10 kg/m

Tabela 1. Propriedades tpicas dos Filmes Piezoeltricos [2].

Quando extrusado em filmes finos, polmeros piezoeltricos podem ser diretamente anexados
uma estrutura sem perturbar seu movimento mecnico. Filmes piezo so recomendados para
aplicaes de medio de tenso que requerem uma largura de banda muito ampla e alta sensibilidade.
Como atuador, a baixa impedncia acstica do polmero permite eficiente transmisso de uma banda
larga de energia no ar e outros gases.
Filmes piezo tem algumas limitaes para certas aplicaes. Ele um transmissor
eletromecnico relativamente fraco, quando comparado com as cermicas, particularmente na
ressonncia e em aplicaes de baixa frequncia. O filme de co-polmero tem temperaturas mximas
de operao/armazenamento maiores que 135C, enquanto que PVDF no recomendado para uso
ou armazenamento acima dos 100C. Tambm, se os eletrodos no filme esto expostos, o sensor pode
ser sensvel a radiao eletromagntica. Boas tcnicas de blindagem encontram-se disponveis para
alta interferncia eletromagntica ou de radiofrequncia.

15
3.3 Compsitos Piezoeltricos

Juntamente com os esforos para melhorar as propriedades piezocermicas atravs do

convencional controle de composio, uma nova abordagem do arranjo estrutural foi desenvolvida.
Piezocompsitos, compostos de piezocermicas e polmeros, so materiais promissores, por conta de
suas excelentes propriedades adaptativas. Newnham introduziu o conceito de conectividade por
descrever o nmero de dimenses com a qual cada fase entrava em contato com si mesma. De acordo
com a conectividade de cada fase, as geometrias para compsitos de duas fases podem ser
classificadas em 10 estruturas: 0-0, 0-1, 0-2, 0-3, 1-1, 1-2, 1-3, 2-2, 2-3, e 3-3. No caso dos
piezocompsitos, o primeiro nmero na notao denota a conectividade fsica da fase ativa e o
segundo nmero se refere conectividade fsica da fase passiva. Um esquemtico destas diferentes
conectividades mostrado na Figura 9.

Figura 9. Conectividade das fases constituintes em compsitos piezoeltricos de cermica-polmero [3].

Compsitos com conectividade 1-3 so os mais estudados e utilizados entre todos os outros.
Esse compsito consiste de hastes individuais de piezocermica ou fibras alinhadas em uma direo
paralela direo de polarizao e cercada por uma matriz de polmero. Piezocompsitos 1-3
possuem muitas vantagens sobre as piezocermicas monolticas, incluindo alto fator de acoplamento,
baixa impedncia acstica, flexibilidade mecnica e ampla largura de banda. Essas caractersticas
tornam os piezocompsitos 1-3 os melhores candidatos para transdutores ultrassnicos. Alm disso,
muitas tentativas tm sido feitas para desenvolver novas configuraes e tcnicas de processamento
para piezocompsitos e suas aplicaes. Dois compsitos 1-3 com novos arranjos de eletrodos e

16
piezofibras esto despertando interesse devido a suas excelentes propriedades de deteco (atuando
como sensor) e atuao. So eles os Compsito de Fibra Ativa e os Compsito de Macro Fibra.

3.3.1 Compsito de Fibra Ativa

Compsito de Fibra Ativa (do ingls, Active Fiber Composite AFC) foi desenvolvido pelo
laboratrio de Estruturas e Materiais Ativos do Massachusetts Institute of Technology MIT. Ele
consiste de uma monocamada de fibras piezocermicas unidirecionais, continuas e alinhadas,
embutidas em uma matriz polimrica para proporcionar uma atuao no plano, como pode ser
observado na Figura 10. Fibras piezocermicas ainda mantm muito da capacidade de atuao da
estrutura cermica, e tem mais fora do que a forma monoltica por conta do reduzido volume de
falhas (fendas). Fibras piezocermicas incorporadas em matriz de polmeros podem ser mais finas,
ficando, assim, menos rgida flexo do que uma pastilha monoltica.

Figura 10. Estrutura esquemtica (a) e seo transversal (b) de um compsito de fibra ativa [3].

Apesar da maior resistncia, fibras piezocermicas tendem a quebrar mesmo quando

submetidas tenso mecnica relativamente baixa, devido a sua natureza quebradia. A matriz de
polmeros pode proporcionar um caminho eficiente para a distribuio de carga entre fibras, transferir
o estresse ao redor de uma fibra quebrada quando ocorre algum dano e prevenir a quebra de uma fibra
de se propagar para as adjacentes. Tudo isso permite ao compsito de fibra ativa resistir a maiores
tenses mecnicas do que fibras individuais e prevenir dano macroscpico. O AFC, portanto, exibe
confiabilidade e propriedades estruturais melhoradas, especialmente em termos de danos
macroscpicos e catastrficos resultantes de quebras a tenses mecnicas muito baixas, como ocorre
com as pastilhas piezoeltricas convencionais. Portanto, a matriz de polmeros confere ao AFC
natureza flexvel, que permite ser mais facilmente incorporada ou afixada em estruturas curvas.
Fibras piezocermicas incorporadas na matriz so imprensadas entre duas camadas de filme
de poliamida que possui uma distribuio de eletrodos condutores impressa em sua superfcie interna.

17
A utilizao de eletrodos interdigitados (do ingls, interdigitated electrode IDE) permite tirar
vantagem do efeito piezoeltrico d33 ao longo do comprimento da fibra piezocermica, contra o efeito
d31 convencional, utilizado na maioria das pastilhas piezoeltricas monolticas. Isso permite atuao
anisotrpica e leva a uma performance superior do AFC sobre os atuadores piezoeltricos existentes.
Essas caractersticas estruturais distintas e propriedades piezoeltricas tornam o AFC um componente
interessante para aplicaes inteligentes em diversos campos.
No entanto, ainda existem muitos fatores que podem facilmente influenciar a performance do
compsito de fibra ativa. A dificuldade de manipulao das fibras piezocermicas durante o processo
de montagem uma das maiores desvantagens dessa tecnologia. Fibras piezocermicas com formato
circular, com dimetros de 100-200 m so comumente empregadas na fabricao do compsito de
fibra ativa. O alinhamento das finas fibras para formar a monocamada piezoeltrica tipicamente
executada manualmente, o que frequentemente resulta em fibras quebradas e insatisfatoriamente
alinhadas. O processo de montagem manual com alta preciso no alinhamento das fibras leva,
inevitavelmente, a procedimentos complexos que elevam os custos de fabricao. Ainda, bolhas de
ar so difceis de serem completamente removidas quando aplicado o polmero s fibras, mesmo
depois do processo de vcuo, o que aumenta muito as chances de falha eltrica. Alm disso, estruturas
AFC tem desvantagens que influenciam a performance. Primeiramente, altas tenses de operao so
requeridas para produzir o campo eltrico de conduo, que determinado principalmente pelo
espaamento entre os dedos dos eletrodos interdigitados, tornado o compsito de fibra ativa
impraticveis em algumas situaes. Segundo, a pequena rea de contato entre a seo circular da
fibra e os dedos dos eletrodos uma desvantagem adicional, o que leva a existncia de uma matriz
de baixa permissividade. A matriz entre a linha do eletrodo e a fibra no apenas torna a tenso de
conduo maior, mas tambm acumula muito do campo eltrico de conduo, o que leva a uma fraca
e ineficiente transferncia do campo eltrico dentro das piezofibras, o que resulta em reduzida
eficincia de trabalho do AFC.

3.3.2 Compsito de Macro Fibra

Compsito de Macro Fibra (do ingls, Macro Fiber Composite MFC) foi desenvolvido no
Centro de Pesquisa Langley, da NASA. Os constituintes primrios do compsito de macro fibra so
os mesmos do compsito de fibra ativa, isto , fibras piezocermicas, eletrodos interdigitados e matriz
de polmeros. Desse modo, o MFC retm a maioria das caractersticas do AFC, como alta densidade
de energia de tenso mecnica, atuao direcional, conformabilidade e durabilidade. Entretanto, no
MFC so utilizadas fibras piezocermicas unidirecionais de seo transversal retangular, ao invs de

18
circular, que so incorporadas a uma matriz de polmeros termoendurecvel. Os principais
componentes do MFC e seu arranjo estrutural so mostrados na Figura 11.

Figura 11. Esquemtico (a) e seo transversal tpica (b) de um compsito de macro fibra [3].

As folhas de fibra piezocermicas so produzidas por usinagem de pastilhas piezocermicas

usando o mtodo do corte em cubos. Comparadas a fibras individuais, as folhas podem ser facilmente
manuseadas, permitindo que as fibras piezocermicas sejam precisamente alinhadas durante o
processo de montagem. Produzir e manipular fibras piezocermicas em grupos precisos reduz o custo
de produo de dispositivos MFC. Essa tcnica de fabricao precisa, repetitiva e facilmente
automatizada. A superfcie plana das fibras retangulares permite um contato mximo e direto com os
eletrodos, assim, garantindo uma transferncia mais eficiente do campo eltrico dentro da fibra. Alm
disso, a frao do volume de fibras do MFC pode chegar at a 0,824, enquanto a frao mxima do
AFC menor que 0,785, por conta da restrio imposta pela geometria da fibra. Maiores fraes de
fibra melhoram a performance e aumenta a rigidez e resistncia do MFC. Como resultado, a
performance de atuao do MFC quase uma vez e meia a do AFC. Resultados experimentais
mostraram que depois de 90 milhes de ciclos eltricos, a atuao do MFC ainda superior a muitos
outros atuadores piezocermicos disponveis comercialmente, sejam eles com ou sem eletrodos
interdigitados.
Na Figura 12 possvel observar uma imagem da distribuio do campo eltrico na seo
vertical de um AFC/MFC, com eletrodos interdigitados. Essa imagem foi obtida atravs de simulao
computacional.

Figura 12. Seo vertical de um AFC/MFC com eletrodos interdigitados, ilustrao da distribuio qualitativa
das linhas de campo eltrico [3].

19
4

UTILIZAO

DE

MATERIAIS

PIEZOELTRICOS

EM

SENSORES

CORPORAIS

Como pode ser inferido do contedo apresentado at aqui, fica evidente a aplicao de
materiais piezoeltricos na construo de sensores de naturezas diversas. Entretanto, cada tipo de
aplicao que se utilize de sensores possui suas prprias particularidades e limitaes. Quando se
trata de sensoriamento do corpo humano, a pequena intensidade dos sinais a serem captados e a
dificuldade de acoplamento ideal entre o sensor e o tecido orgnico representam fatores importantes
a serem considerados. A seguir sero mostradas duas aplicaes que utilizam sensores piezoeltricos
para detectar sinais corporais para finalidades distintas.

4.1 Deteco de Atividade Muscular

Mensurao da atividade muscular tem sido amplamente reconhecida como uma aproximao
til para gerar sinais de controle para interfaces humanas. Pesquisas prvias tm proposto vrios
mtodos para essa mensurao e os tem aplicado em prteses, manipuladores controlados por
humanos e assim por diante. Os mtodos tradicionais incluem eletromiografia (EMG),
mecanomiografia (MMG), ultrassonografia e mensuraes com sensores piezoresistivos.
Um novo mtodo utilizando filmes piezoeltricos finos e flexveis foi testado. O sensor de
filme piezoeltrico composto por nitreto de alumnio (AlN) orientado. Ele foi usado para medir
alteraes na seo transversal dos msculos atravs de movimentos da superfcie da pele. Para
investigar a relao entre o movimento muscular e o sinal captado pelo sensor, foi empregada
ultrassonografia, como mtodo confivel para medir de maneira qualitativa o movimento muscular e,
assim, comparar com os dados fornecido pelo sensor piezoeltrico. O sensor foi colocado diretamente
sobre a pele e os sinais por ele fornecido eram medidos ao mesmo tempo em que o msculo era
observado atravs de ultrassonografia.

Figura 13. Posio do sensor e do aparelho de ultrassonografia [4].

20
A camada de nitreto de alumnio foi depositada em um substrato de poliamida, conforme
representao mostrada na Figura 14. Quando uma fora externa aplicada na direo do
comprimento do filme de AlN, uma carga eltrica gerada nos eletrodos. Ento, um amplificador de
carga usado para converter a sada do sensor em sinal de tenso.

Figura 14. Estrutura do sensor flexvel [4].

Para o caso geral, a carga de sada Q pode ser expressa por:

= 31

(9)

onde d31 o coeficiente piezoeltrico de carga, s a distribuio da tenso sobre o sensor E o

mdulo de Young do filme de nitreto de alumnio e S a rea do sensor. O valor de d31 para o sensor
de 0,56 pC/N. Quando a tenso se distribui de maneira uniforme, a equao pode ser derivada:

Q = d31ES

(10)

onde a tenso uniforme. A espessura total do sensor 40 m. Esse sensor tem uma seo
transversal relativamente pequena, ento, at mesmo pequenas foras podem criar perturbaes
relativamente grandes na direo do comprimento. Alm disso, a fina espessura e a flexibilidade
permitem que o sensor se ajuste bem pele.
Os mdulos de Young do sensor e dos tecidos orgnicos so mostrados na Tabela 2. Verificase que o valor do mdulo de Young do sensor muito maior do que o dos tecidos, o que dificulta o
acoplamento mecnico dos materiais e no transmite com preciso as perturbaes do msculo para
o sensor.

21
Material
Sensor de filme de nitreto de alumnio
Pele
Panniculus adiposus8
Msculo

Mdulo de Young (MPa)

3500
0,420
0,182
0,102

Figura 15. Exemplo de resultado experimental da contrao muscular. (Topo) espessura do msculo, (meio) derivada
de primeira ordem T, (base) sinal de sada do sensor [4].

Uma amostra dos resultados do experimento exibida na Figura 15. O sensor conseguiu
detectar alteraes no movimento do msculo, mesmo que sem muita preciso.

Figura 15. Exemplo de resultado experimental da contrao muscular. (Topo) espessura do msculo, (meio) derivada
de primeira ordem T, (base) sinal de sada do sensor [4].

4.2 Mensurao de Batimentos Cardacos e Presso Arterial

A mensurao da taxa de batimentos cardacos e presso arterial essencial para detectar

qualquer anomalia no corao. Portanto, capacidade de monitoramento contnuo e em tempo real
altamente desejvel para desenvolver plataformas confiveis que ajudaro na deteco de possveis
problemas.
Uma folha de sensor piezoeltrico foi colocado na superfcie da regio anterior do trax. Seus
terminais de sada foram conectados a um osciloscpio para medir a tenso de circuito aberto.
Um ciclo de batimento cardaco dividido em cinco partes, indicadas pelas letras (a), (b), (c),
(d) e (e) na Figura 16.1. Atravs de um estudo prvio do comportamento do corao e da anlise da
informao fornecida pelo sensor, foi possvel formular uma equao simples (que no ser abordada

Camada de gordura subcutnea que recobre os msculos.

22
aqui) para clculo do nmero de batimentos cardacos por minuto em funo do sinal de sada do
sensor.
Para determinar nveis altos ou baixos de presso sangunea, foi utilizado o sinal de
perturbao fornecido pelo sensor (Figura 16.1). Este sinal invertido e a soma dos valores de seus
pontos de mximo, dividido pelo nmero de pontos de mximo denota a presso mxima, enquanto
a soma dos valores de seus pontos de mnimo dividido pelo nmero de pontos de mnimo indica a
presso mnima. Os resultados obtidos foram conferidos atravs mtodos convencionais de aferio
da taxa de batimentos cardacos e presso sangunea. Para que este processo se torne eficaz,
necessrio que o conjunto seja calibrado para cada pessoa.

(1)

(2)

Figura 16. Mensurao da tenso de circuito aberto, demonstrando atividade mecnica do corao (a) e extrao da
presso atravs da tenso induzida (b) [5].

5 UTILIZAO DE ELEMENTOS PIEZOELTRICOS PARA GERAO DE

ENERGIA

A miniaturizao e diminuio no consumo de energia, aumentou a popularidade de novos

paradigmas da eletrnica, tais como dispositivos eletrnicos vestveis e implantados, bem como redes
de sensores sem fio. H uma forte exigncia para que essas aplicaes sejam autossuficientes em
energia e dispensem o uso de baterias, por conta dificuldade e altos custos em efetuar a troca de um
grande nmero de baterias. At agora, muitas possveis solues foram apresentadas, como clulas
solares, clulas de micro combustvel, microturbinas geradoras, etc. Entre elas, a captao de energia
cintica possui a vantagem de ser limpa, estvel e de menor tamanho, quando comparada s outras.
Em muitas mquinas e sistemas biolgicos, a energia cintica sempre existe na forma de
vibraes, deslocamentos regulares ou aleatrios e foras motrizes. Vibraes tambm existem
amplamente em artigos domsticos, estruturas em movimento, como automveis e avies, estruturas

23
como edifcios e pontes, bem como a movimentao humana.
Em aplicaes que envolvam cuidados com a sade, como, por exemplo, uma pea de
vesturio que monitore sinais vitais, a utilizao de baterias seria indesejvel, pois, alm da
necessidade de troca ou recarga, suas dimenses e peso poderiam trazer desconforto para o usurio.
Para uma aplicao com esta, a coleta de enrgica cintica gerada pelo prprio movimento do corpo
seria uma soluo bastante interessante.
At agora, coletores de energia da movimentao corporal para eletrnicos vestveis e
implantveis tm sido estudados extensivamente. A movimentao humana tem caractersticas de
movimentos de larga amplitude a baixas frequncias. A regra geral indica que quanto menor for o
tamanho do objeto, maior ser sua frequncia de ressonncia. Portanto, difcil projetar um captador
de energia ressonante em miniatura que funcione em humanos. Como resultado, para muitos
geradores piezoeltricos em aplicaes humanas, o componente piezoeltrico acoplado ou atravs
de tenso direta (como juntas de joelho e cotovelo) ou em regies que sofrem impacto (como as solas
dos ps).
Estudos mostram que, para uma pessoa pesando 68 kg, caminhando com a velocidade de 2
passos por segundo e um movimento de calcanhar de 5 cm, a mxima energia que pode ser gerada
67 W., entretanto, se a interferncia na marcha trazida pelo dispositivo coletor de energia for levada
em considerao, a energia extrada obviamente ser reduzida. No caso mencionado, com uma perda
mecnica de 75%, eficincia eletromecnica de 50%, perda de energia de 10% e taxa diria de
movimentao de 16,6%, o limite terico da coleta de energia piezoeltrica de aproximadamente
1,265 W.
Um dos grandes desafios em coletar energia do movimento corporal o fato de que o corpo
no se move periodicamente. Alm disso, com exceo das juntas, as amplitudes das
aceleraes/tenses tendem a ser modestas. Enquanto osciladores naturais so adequados para coletar
vibraes muito prximas a sua frequncia natural, coletam pouca energia de vibrao fora dessa
estreita faixa, assim, projetos prticos para coletar energia do corpo humano se utilizam de grandes
tenses, associadas a impactos no calcanhar ou movimento das juntas ou utilizam coletores no
lineares que coletam energia de forma mais eficaz em uma faixa de frequncia maior.
Para ser eficiente, um sistema de coleta de energia cintica do corpo humano deve possuir um
bom projeto mecnico que permita a transmisso eficiente da energia mecnica para o material
piezoeltrico, transduo eficiente de energia mecnica para eltrica e extrao eficiente de energia,
pelo circuito eltrico de coleta.
Muitas aproximaes so utilizadas para aumentar a energia coletada do movimento corporal,
uma delas o desenvolvimento de coletores de baixa-frequncia. Com projeto apropriado, podem ser
construdos dispositivos com frequncia ressoantes de 7 a 10 Hz.

24
A seguir ser mostrada brevemente uma aplicao envolvendo coleta de energia cintica
corporal com dispositivos piezoeltricos.

5.1 Captao de Energia das Articulaes

Neste trabalho, para captao da energia, foi utilizado um compsito piezoeltrico composto
por fibra piezoeltrica do tipo PZT-5A, utilizando Kapton9 como matriz polimrica. As propriedades
eletromecnicas do material piezoeltrico podem ser verificadas na Tabela 3.

Propriedade
Dimenses
Coeficiente piezoeltrico de carga (d33)
Fator de acoplamento eletromecnico (k33)
Modulo de Young (Y33)
Resistncia deformao
Fora de bloqueio a 1kV

Valor
132 x 14 x 1,1
550
0,67
2,44x1010
157
1

Unidade
mm
pC/N
N/m
MPa
N

Tabela 3. Propriedades do transdutor de compsito de fibra piezoeltrica [8].

Figura 17. Transdutor de fibra piezoeltrica utilizado [8].

Para a realizao dos testes, foi montado um aparelho que simula membros humanos e suas
articulaes (Figura 18). Dois transdutores foram afixados a essa estrutura, um para fornecer os
valores de tenso de circuito aberto e o outro para efetuar a medio indireta dos valores de corrente,
via medio da tenso em carga resistiva acoplada. Os ngulos de flexo dessa junta artificial foram
variados ao longo do experimento, para simular diversas situaes de movimentao, enquanto era
feita a leitura da tenso e corrente nos transdutores.
Foram feitos testes com ngulos de curvatura de 45, 90 e 135 e os parmetros (tenso,
corrente, potncia e velocidade angular da junta) foram medidos para cada ciclo, sendo que cada ciclo
compreende um movimento de flexo e um movimento de extenso. Quanto maior o ngulo de

Filme de poliamida desenvolvido pela DuPont no final dos anos 1960, que permanece estvel dentro de uma ampla faixa
de temperaturas (de -269 a + 400C). utilizado, entre outras coisas, para circuitos impressos flexveis e mantas trmicas
em espaonaves, satlites e diversos outros instrumentos espaciais.

25
curvatura, maiores foram os valores medidos, sendo que o melhor resultado apresentado foi no
movimento de extenso para um ngulo de 135, onde os valores de pico aproximados para um ciclo
encontram-se dispostos na Tabela 4 e tambm podem ser visualizados no grfico da Figura 19. A
frequncia medida para o movimento de dobra da junta foi de 6,3 Hz.

Figura 18. Testes experimentais com o transdutor e aparelho reproduzindo membro humano com articulao [8].

Parmetro
Tenso
Corrente
Potncia
Velocidade angular

Valor
- 5,1
0,2
1,1
1,6

Unidade
V
A
W
rad/s

Tabela 4. Resultados do teste para um ngulo de 135, movimento de flexo [8].

Figura 19. Valores de tenso, corrente, potncia e velocidade angular da junta (extenso) com ngulo de 135 [8].

26

O intuito final do experimento era verificar se este sistema de captao de energia era capaz
de alimentar um sistema simples de sensoriamento, composto por um microcontrolador, um
acelermetro do tipo MEMS10 de trs eixos, um sensor de temperatura e um mdulo de transmisso
de radiofrequncia. Ao final, foi provado que possvel alimentar um sistema simples de
sensoriamento corporal atravs da coleta da energia gerada por atividades simples, como, por
exemplo, uma caminhada.

6 CONCLUSO

Por todo o exposto neste trabalho, fica evidente a importncia e representatividade dos
materiais piezoeltricos na converso eletromecnica de energia em aplicaes miniaturizadas, seja
no sensoriamento do corpo humano, seja na gerao de energia eltrica a partir da coleta da energia
cintica corporal.
Diversas pesquisas vm sendo feitas neste campo, o que foi verificado pela grande quantidade
de materiais encontrados durante a fase busca de referncias para a elaborao deste trabalho,
entretanto, mesmo as mais recentes no apresentam resultados plenamente satisfatrios a ponto de
oferecer solues comercialmente viveis. Retomando o exemplo do item 4.1, o experimento,
realizado por volta do ano de 2009, utilizou um elemento piezoeltrico com mdulo de Young muito
superior ao dos tecidos ao qual foi afixado. Nos ltimos anos, novos materiais, com melhores
caractersticas vem sendo desenvolvidos, o que permitiriam melhores resultados nesta aplicao.
Nota-se que este um campo promissor e necessrio, tendo em vista a grande necessidade de
intensa aplicao da tecnologia nos cuidados sade, em face do cenrio demogrfico mundial,
contudo, necessrio melhorar os resultados que vem sendo obtidos por pesquisadores no mundo
todo e integr-los (por exemplo, unindo o sistema de deteco de movimentos do item 4.1 com o
sistema de captao de energia cintica corporal, do item 5.1), para compor solues que sejam
econmica e comercialmente viveis e possam beneficiar a todos os possveis usurios dessas
aplicaes.

10

Sistema Microeletromecnico (do ingls microelectromechanical systems).

27
REFERNCIAS

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Healthcare," in IEEE Reviews in Biomedical Engineering, vol. 6, no. , pp. 156-177, 2013.
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Edio. New York. Springer, 2010. 663p.
[3] Lin, X. J., Zhou, K. C., Zhang, X. Y., & Zhang, D. (2013). Development, modeling and
application of piezoelectric fiber composites. Transactions of Nonferrous Metals Society of China
(English Edition), 23(1), 98107.
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activity using a flexible AlN piezoelectric thin film sensor," Robotics and Biomimetics (ROBIO),
2009 IEEE International Conference on, Guilin, 2009, pp. 944-948.
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Electromagnetic TechnologiesState of the Art," in IEEE Transactions on Industrial Electronics,
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for the body monitoring by MEMS sensors," Design, Test, Integration and Packaging of
MEMS/MOEMS (DTIP), 2013 Symposium on, Barcelona, 2013, pp. 1-6.
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Networks: From Theory to Emerging Applications," in IEEE Transactions on Information
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