CIENCIA E INGENIERA DE MATERIALES.

GLOSARIO U1: (ESTRUCTURA, ARREGLO Y MOVIMIENTO DE LOS TOMOS)

I. Los griegos. Se les otorga el reconocimiento de la primera teora atmica, aunque este concepto pudo haber tenido sus orgenes en
civilizaciones ms antiguas todava.
II. Aristteles (IV A.C.). Propuso que la materia era continua y de ah hipotticamente, poda dividirse infinitamente en partculas ms y
ms pequeas.
III. Leucipo y Demcrito (V A.C.). Sostuvieron que la subdivisin de la materia producira al cabo tomos que significan sin corte,
indivisibles.
IV. Dalton (1766-1844). Fue el primero en formular un modelo atmico con bases cientficas. Propuso una teora atmica cuantitativa,
demostrando que es posible determinar las masas relativas de los tomos de diferentes elementos.
V. Finales del siglo XIX. Surgi la idea de que el tomo mismo podra estar compuesto por partculas ms pequeas todava. Este
cambio de punto de vista apareci a raz de los experimentos con electricidad. JOSEPH J. THOMSON (1856-1940). Modelo del pudn de
pasas.
VI. Niels Bohr (1885-1962). Propuso en 1913 un modelo basado en el tomo de hidrgeno para explicar cmo los electrones pueden
tener rbitas estables alrededor del ncleo. Este modelo planetario fue un modelo funcional que no represent el tomo (objeto fsico) en
s sino que explic su funcionamiento por medio de ecuaciones.
VII. La ciencia de materiales. Es el campo cientfico encargado de investigar la relacin entre la estructura y las propiedades de los
materiales. Estudia los conocimientos fundamentales sobre las propiedades fsicas y macroscpicas de los materiales, y es una materia
interdisciplinaria ya que se ayuda de otras ciencias como son la qumica, fsica, y es muy importante en muchas ingenieras como la
ingeniera qumica, mecnica, civil, elctrica, electromecnica y Mecatrnica, entre otras.
VIII. Importancia de los materiales. Prcticamente cada segmento de nuestra vida cotidiana est influido en mayor o menor grado
por los materiales, como por ejemplo transporte, vivienda, vestimenta, comunicacin, recreacin y alimentacin. Se han desarrollado
decenas de miles de materiales distintos con caractersticas muy especiales para satisfacer las necesidades de nuestra moderna y
compleja sociedad; se trata de metales, plsticos, vidrios y fibras.
IX. Disponibilidad de materiales adecuados. El avance en la comprensin de un tipo de material suele ser el precursor del progreso
de una tecnologa. Por ejemplo, la fabricacin de automviles fue posible por la aparicin de un acero idneo y barato o de algn
sustituto comparable. Otro ejemplo es que actualmente los adelantos electrnicos ms sofisticados se basan en componentes
denominados materiales semiconductores. Por estas razones y muchas otras la ciencia e ingeniera de los materiales es muy importante.
X. Clasificacin de los materiales. La ciencia de materiales clasifica a todos los materiales en funcin de sus propiedades y su
estructura atmica en: Metales. Cermicos. Polmeros y Materiales compuestos.
XI. Metales: Se denomina metal a los elementos qumicos caracterizados por ser buenos conductores del calor y la electricidad. Poseen
alta densidad y son slidos en temperaturas normales (excepto el mercurio); sus sales forman iones electropositivos (cationes) en
disolucin. La ciencia de materiales los define como un material en el que existe un solapamiento entre la banda de valencia y la banda
de conduccin en su estructura electrnica (enlace metlico). Esto le da la capacidad de conducir fcilmente calor y electricidad, y
generalmente la capacidad de reflejar la luz, lo que le da su peculiar brillo.
XII. Cermicos: En su sentido estricto se refiere a la arcilla en todas sus formas. Sin embargo, el uso moderno de este trmino incluye a
todos los materiales inorgnicos no metlicos que se forman por accin del calor.
XIII. Principal propiedad de los cermicos. Es que pueden soportar temperaturas extremadamente altas sin perder su solidez. Son
los denominados materiales refractarios.
XIV. Desventaja de los cermicos. Es que casi siempre se fracturan ante esfuerzos de tensin y presentan poca elasticidad, dado que
tienden a ser materiales porosos.
XV. Polmeros: Estn formados por molculas extremadamente grandes. El almidn, la celulosa, la seda y el ADN son ejemplos
naturales, entre los ms comunes de estos y entre los sintticos encontramos el nailon, el polietileno y la baquelita.
XVI. Materiales compuestos: Son aquellos que se forman por la unin de dos materiales para conseguir la combinacin de propiedades
que no es posible obtener en los materiales originales. Estos materiales nacen de la necesidad de obtener materiales que combinen las
propiedades de los cermicos, los plsticos y los metales. Por ejemplo en la fabricacin de automviles son necesarios materiales ligeros,
rgidos, resistentes al impacto y que resistan bien la corrosin y el desgaste, propiedades stas que rara vez se dan juntas.
XVI. Arreglos atmicos. Desempean un papel importante en la determinacin de la micro estructura y por tanto en las propiedades de
un material. Con finalidad de estudiar la microestructura y propiedades de un material, es importante conocer sus arreglos de tomos y
de iones.

XVII. Clasificacin de los materiales en base a su arreglo atmico. Carentes de orden. Orden de corto alcance. Orden de largo
alcance. Cristales lquidos.
XVIII: Carentes de orden. Los tomos y molculas carecen de un arreglo ordenado, ejemplo los gases se distribuyen aleatoriamente
en el espacio disponible. Si recordamos el concepto de gas monoatmico, como aquel que cuyos tomos no estn unidos entre s, como
el argn (Ar) o el plasma que se forma en un tubo de luz fluorescente, podemos observar que los tomos o los iones no tienen arreglo
ordenado. Estos materiales llenan todo el espacio disponible en la superficie que los contiene.
XIX. Orden de corto alcance. Cuando el arreglo especial de los tomos slo se extiende en su vecindad inmediata. En los vidrios
inorgnicos se observa esta peculiaridad. Muchos polmeros muestran tambin arreglos atmicos de este orden. Ejemplo: agua en estado
vapor, vidrios cermicos (slice) o polmeros.
XX. Orden de largo alcance. Este arreglo atmico (LRO) abarca escalas de longitud mucho mayores de 100 nanmetros. Los tomos o
los iones en estos materiales forman un patrn regular y repetitivo, semejante a una red en tres dimensiones. De ah se derivan los
materiales cristalinos. Cuando un material cristalino est formado de un solo cristal grande, se le llama monocristal. La mayora de los
metales y aleaciones, los semiconductores, los cermicos y algunos polmeros tiene una estructura cristalina donde los tomos o iones
muestran este tipo de alcance de extensiva longitud. Cristales XXI. XXI. Lquidos. Estos materiales, bsicamente polimricos, tienen
un orden especial. En funcin de diferentes estados pueden comportarse como materiales amorfos, en semejanza a los lquidos. Cuando
se someten a cargas elctricas, como un tipo de estmulo externo, algunas molculas de polmero se alinean y forma pequeas regiones
que son cristalinas.
XXII. Gases monoatmicos: Carentes de orden. Materiales amorfos: Sin orden de largo alcance, slo orden de corto alcance. Cristales
Lquidos: Orden de corto alcance y orden de largo alcance (slo en pequeos volmenes). Materiales cristalinos: Orden de corto y largo
alcance.
XXIII. Defectos. El arreglo de los tomos o iones en los materiales diseados tiene imperfecciones o defectos. Frecuentemente stos
defectos tiene un efecto profundo sobre las propiedades de los materiales, y no necesariamente suceden a niveles macros, y muchas
otras veces, tales errores suelen ser aprovechados en la aplicacin de un material a una necesidad determinada.
XXIV. Imperfecciones. El material no se considera defectuoso desde el punto de vista de la aplicacin. Las dislocaciones, que son
defectos lineales en un material suelen ser utilizadas para aumentar la resistencia de un material. En el uso de materiales electrnicos,
conductores de electricidad, es necesario eliminar stas dislocaciones al menor ndice posible, con tal de garantizar la conductividad.
XXV. Grano. Es una porcin del material que contiene tomos con una disposicin atmica idntica. Sin embargo cada uno de ellos tiene
una orientacin cristalogrfica distinta.
XXVI. Lmite de grano. Son regiones entre distintos granos de un material policristalino.
XXVII. Los policristalinos. Estn formados de pequeos y cuantiosos cristales orientados diversamente con respecto al espacio. Estos
lmites se asumen como una clase de defectos. La presencia de lmites de grano ayuda en realidad a endurecer materiales metlicos.
XXVIII: Tipos de defectos: Puntuales, lineales (dislocaciones) y superficiales, dislocacin de borde y dislocacin de tornillo.
XXIX. Defectos puntuales. Son alteraciones o discontinuidades de la red cristalina con respecto a la ideal, provocadas por uno o varios
tomos. Se originan por el movimiento de tomos durante el calentamiento o procesado del material, introduccin de impurezas o por
aleacin.
XXX. Aleacin. Es una mezcla slida homognea de dos o ms metales, o de uno o ms metales con algunos elementos no metlicos.
XXXI. Ventajas de los defectos. Los defectos distorsionan la red a lo largo de cientos de tomos. Una dislocacin que se propaga por
el material ordenado encontrar cerca del defecto puntual una regin estructural desordenada. Para continuar su movimiento y vencer al
defecto, la dislocacin necesita un esfuerzo mayor. Se incrementa por tanto la resistencia mecnica del material.
XXXII. Introduccin de los defectos puntuales. Se logra por el movimiento de los tomos o iones al aumentar la energa por
calentamiento, durante el procesamiento del material, por introduccin de impurezas o por dopado.
XXXIII. Los dopantes. Son elementos o compuestos que se agregan en forma deliberada y en cantidades conocidas en lugares
especficos de una microestructura, buscando un efecto benfico en las propiedades de dicho material.
XXXIV. Subdivisin de los dopantes: Vacancia. Defecto Intersticial. Defecto sustitucional. Otros defectos puntuales. Defectos Lineales.
Dislocacin de Bordes.
XXXV. Vacancia. Se produce cuando falta un tomo o in en su sitio normal en la red cristalina. Esta se origina durante la solidificacin
a alta temperatura o como consecuencia de los daos provocados por la radiacin (intencional). En la ausencia de un tomo aumenta el
desorden normal o entropa del material, lo cual aumenta la estabilidad termodinmica de un material cristalino.
XXXVI. Sintetizado. Es un proceso mediante el cual se forma una masa densa calentando materiales pulverizados compactados. Con
este proceso se fabrican los capacitores, y se asume como un tratamiento trmico. Existe una relacin entre la temperatura y la

concentracin de vacancia, este comportamiento de Arrhenius, obedece a que la concentracin de vacancias a temperatura ambiente es
pequea.
XXXVII. Defecto Intersticial. Se forma cuando se inserta un tomo o in adicional en la estructura cristalina en una posicin
normalmente desocupada. Los tomos intersticiales son mayores que los huecos intersticiales que ocupan y menores que los tomos
reticulares que los rodean, es decir, aquellos que definirn su nmero de coordinacin. Si hay dislocaciones en los cristales al tratar de
mover estos tipos de defectos, se encuentran con resistencia a su movimiento, con lo que se vuelve difcil crear deformacin permanente
en metales y aleaciones. La cantidad de tomos se mantiene prcticamente constante a pesar del aumento trmico.
XXXVIII. Defecto sustitucional. Cuando un tomo es sustituido con un tipo distinto de tomo o in, los tomos sustitucionales ocupan
el sitio normal en la red. Pueden ser mayores que los tomos o iones normales en la estructura cristalina, en cuyo caso se reducen los
espacios interatmicos vecinos, o pueden ser menores, lo cual causar que los tomos vecinos tengan distancias interatmicas mayores.
Si el defecto sustitucional es mayor que los tomos normales la red se comprime, si es menor la red se expande (tensin). El nmero de
defectos sustitucionales no depende de la temperatura.
XXXIX. Otros defectos puntuales. Frenkel - es un par de defectos (intersticial + vacancia). En un cristal inico, un in salta su sitio
normal a un sitio intersticial, dejando una vacancia. y Schottky, es un par de defectos (vacancia + vacancia). En un cristal inico, falta
simultneamente un anin y un catin.
XL. Defectos lineales. La red cristalina se distorsiona alrededor de una lnea. Las imperfecciones unidimensionales estn asociadas con
deformaciones mecnicas. Este defecto generalmente es designado con una T invertida. Las dislocaciones pueden ser de tipo
helicoidal (de tornillo) o de borde, as como combinaciones mixtas de ambas. Se cuantifican por medio del vector de Burgers b que indica
la presencia de una dislocacin en el cristal.
XL. Dislocacin de Borde. Se genera por la insercin de un semiplano adicional de tomos. La distancia de desplazamiento de los
tomos alrededor de una dislocacin se denomina vector b de deslizamiento o de Burgers y es perpendicular a la lnea de dislocacin.
XLI. Difusin. Es el movimiento de los tomos, iones o molculas, dentro de un material. Estos se mueven de manera predecible,
tratando de eliminar diferencias de concentracin y producir una composicin homognea y uniforme.
XLII. Energa de activacin. Es la energa que debe tener un tomo, in o molcula, para poder llegar a su nueva posicin: es fcil ver
que los tomos se encuentran en una situacin normal, de baja energa y relativamente estable. Al difundir, al abrirse paso a un nuevo
sitio, el tomo debe comprimir los tomos circundantes, vencer una barrera energtica. El calor aplicado es lo que proporciona esa
energa. Un bajo valor de Q representa una difusin fcil.
XLIII. Autodifusin. Se ha podido verificar experimentalmente, por medio de trazadores radioactivos, que los tomos se mueven dentro
de la red de una posicin a otra incluso en slidos absolutamente puros y aunque ocurre continuamente en todos los materiales no tiene
efecto importante en su comportamiento. S lo tiene cuando ocurre con tomos de distintos materiales, por ejemplo en las soldaduras.
XLIV. Difusin de tomos sustitucionales. Cada tipo de tomo difunde gradualmente hasta lograr una distribucin uniforme, luego
de transcurrido suficiente tiempo. Los dos mecanismos importantes mediante los cuales ocurren estos procesos de difusin son la
difusin por vacancia y la difusin intersticial:
XLV. Difusin por vacancia: tanto en la autodifusin como en la difusin de tomos sustitucionales, un tomo puede abandonar su sitio
en la red para llenar una vacancia cercana. Pero en el mismo momento se crea una vacancia en el sitio antes ocupado por l. Al
progresar la difusin se observa un flujo de tomos y de vacancias en sentidos opuestos.
XLVI. Difusin intersticial: Si en la estructura cristalina est presente un tomo o in pequeo en un sitio intersticial, ste pasar de
un sitio intersticial a otro sin necesidad que existan vacancias. Este mecanismo ser mucho ms rpido que el anterior, ya que el nmero
de sitios intersticiales es muchsimo mayor que el de vacancias.
XLVII. Crecimiento de grano: Un material compuesto por gran nmero de granos tiene muchos bordes de grano, que representan
reas de alta energa debido a una ineficiente compactacin de los tomos. Si se reduce el rea total de los bordes de grano mediante el
crecimiento de estos, se tendr en el material una energa general inferior. El crecimiento de los granos implica el desplazamiento de los
bordes de grano, permitiendo que algunos granos crezcan a costa de otros. Implica en general mantener el material a temperaturas altas
el perodo necesario de tiempo (ej. algunos metales).
XLVIII. Soldadura por difusin: Mtodo utilizado para unir materiales. Se efecta en tres pasos. Primero, aplicando presin que
deforma ambas superficies obligndolos a unirse, fragmentando las impurezas y produciendo una gran rea de contacto tomo-tomo.
Mientras las superficies se mantienen en compresin y a temperatura elevada, los tomos difunden a lo largo de los bordes de grano
hacia las vacancias restantes, reducindose el tamao de las vacancias en la interface (este paso es rpido). Finalmente, el crecimiento
de los granos aleja los huecos remanentes de las fronteras de grano. El tercer paso implica la eliminacin completa de los huecos para lo
que deber ocurrir la difusin volumtrica que es relativamente lenta. Este proceso se utiliza para unir metales reactivos como el titanio,
para unir metales y materiales distintos, y para unir cermicos.

XLIX. Sinterizacin. Es un tratamiento a alta temperatura que hace que las partculas se unan y que de manera gradual se reduzca el
volumen del espacio de los poros entre las mismas. Es de uso frecuente en la fabricacin de componentes cermicos as como en la
produccin de componentes metlicos en la llamada metalurgia de polvos.
L. Cermicos avanzados. Estn diseados para optimizar las propiedades mecnicas a temperaturas elevadas, reduciendo (por el
sinterizado como forma de unin) la fase vtrea de la unin cermica, de bajo punto de fusin.
LI. Caractersticas de los tomos de difusin: 1. Los tomos poseen energa trmica. 2. Debido a esta energa los tomos vibran en
su posicin de equilibrio. 3. La vibracin puede causar que los tomos salten a una vacancia. 4. La difusin es controlada por la
temperatura. 5. El movimiento de los tomos aumenta al incrementarse la temperatura. 6. El movimiento de tomos se describe por
medio de la ecuacin de Arrhenius.
LII. Propiedad fsica. Es una caracterstica que puede ser estudiada usando algn instrumento especfico de medida. Estas se
manifiestan bsicamente en los procesos fsicos como cambios de estado, cambios de temperatura, cambios de presin entre otros.
LIII. Semiconductor. Es un elemento que se comporta como un conductor o como un aislante dependiendo de diversos factores, como
por ejemplo el campo elctrico o magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre.
LIV. Banda de valencia: es el ms alto de los intervalos de energas electrnicas (o bandas) que se encuentra ocupado por electrones
en el cero absoluto.
LV. Aislante. Hace referencia a cualquier material que impide la transmisin de la energa en cualquiera de sus formas: con masa que
impide el transporte de energa.
LVI. Conductor elctrico. Es un material que ofrece poca resistencia al movimiento de carga elctrica.
LVII. Molcula. Es el conjunto de al menos dos tomos enlazados covalente que forman un sistema estable y elctricamente neutro.
LVIII. Baquelita. Fue la primera sustancia plstica totalmente sinttica, creada en 1907 y nombrada as en honor a su creador, el belga
Leo Baekeland
LIX. Compuesto. Sustancia que contiene ms de un elemento para formar un nuevo con propiedades distintas y mejores al de los
elementos originales.
LX. Amorfo:(del griego, prefijo a, negacin, y la palabra morfo, forma; literalmente, sin forma.) es una de las estructuras que pueden
adoptar los materiales en estado lquido y en estado gaseoso.
LXI. Argn o argn. Es un elemento qumico de nmero atmico 18 y smbolo Ar. Es el tercero de los gases nobles, incoloro e inerte
como ellos, constituye el 0,934% del aire seco. Su nombre proviene del griego , que significa inactivo (debido a que no reacciona).
LXII. Plasma. En fsica y qumica, se denomina plasma al cuarto estado de agregacin de la materia, un estado fluido similar al estado
gaseoso pero en el que determinada proporcin de sus partculas estn cargadas elctricamente y no poseen equilibrio
electromagntico, por eso son buenos conductores elctricos
LXIII. Ion. Es una partcula cargada elctricamente constituida por un tomo o molcula que no es elctricamente neutra.
LXIV. Gas monoatmico. Proviene etimolgicamente de la combinacin de las palabras griegas mono, uno y atomic, sin
partes o irrompible, y significa un solo tomo. Es aplicado normalmente a gases. Un gas monoatmico es aquel cuyos tomos no
estn unidos entre s.
LXV. Vidrios cermicos: Sustancia dura, normalmente brillante y transparente, compuesta principalmente de silicatos y lcalis
fusionados a alta temperatura. Se lo considera un slido amorfo.
LXVI. Cuarzo. Es un mineral compuesto de slice (SiO2). Tras el feldespato es el mineral ms comn de la corteza terrestre estando
presente en una gran cantidad de rocas gneas, metamrficas y sedimentarias. Se destaca por su dureza y resistencia a la meteorizacin
en la superficie terrestre.
LXVII. Nanmetro. Es la unidad de longitud que equivale a una mil millonsima parte de un metro. Nano significa una mil millonsima
parte. Comnmente se utiliza para medir la longitud de onda de la radiacin ultravioleta, radiacin infrarroja y la luz.
LXVIII. Cristal. Un cristal es una disposicin simtrica de tomos, iones o molculas dispuestos en un modelo tridimensional repetitivo.
LXIX. Intersticio. Hendidura o espacio que media entre dos cuerpos o entre dos partes de un mismo cuerpo.
LXX. Anin. Ion con carga negativa; se forma cuando un tomo, o un grupo de tomos, ha ganado uno o ms electrones.
LXXI. Catin. Ion con carga positiva; se forma cuando un tomo, o grupo de tomos, ha perdido uno o ms electrones.
LXXII. Cristalografa: La cristalografa es el estudio cientfico de los cristales y su formacin.
LXXIII. Cristales perfectos e imperfectos: Cristales perfectos. Son todos los tomos en posicin reticulares ideales. Imperfectos.
tomos brincando en posiciones atmicas en posiciones no ocupadas tomos desplazados en posiciones ideales en defectos modifican
las propiedades y regularidad estructural del material.

LXXIV. Coeficiente de dilatacin trmica. El coeficiente de dilatacin es el cociente que mide el cambio relativo de longitud o
volumen que se produce cuando un cuerpo slido o un fluido dentro de un recipiente experimentan un cambio de temperatura que lleva
consigo una dilatacin trmica.
LXXV. Energa trmica o calorfica. es la parte de energa interna de un sistema termodinmico en equilibrio que es proporcional a su
temperatura absoluta y se incrementa o disminuye por transferencia de energa, generalmente en forma de calor o trabajo, en procesos
termodinmicos.