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Importante:
J p ,arrastre = q p p
(A/cm^2)
J n ,arrastre = q n n
J arrastre = q( n n + p p)
R=*
= q( n n + p p) =
(A/Vcm)
L
S
3. Corriente de Difusin.
Importante en semiconductores.
Ej: Partculas que se mueven hacia zonas con menor densidad.
En SC, la concentracin no es uniforme, por lo que habr una corriente de
difusin. Proporcional al gradiente de la concentracin:
J n , difusin = qDn
dn
dx
dn
dx
J p = J p ,arrastre + J p ,difusin = qp p qD p
dp
dx
J = J p + Jn
E c ( x) = cons tan t qV ( x)
5. Relacin de Einstein
D=
kT
6. Recombinacin.
Concentracin de portadores en equilibrio: n0 y p0
Concentracin de portadores en exceso: n y p
Por la neutralidad de carga: n=p.
Cuando vuelve al equilibrio->Recombinacin.
El tiempo de vida de los portadores, tiempo de recombinacin.
Tiempos pequeos es malo (corriente de fuga) puede ser debido a trampas.
La otra recombinacin es la directa.
En el Silicio es ineficiente por salto indirecto.
7. Generacin
Contrario a recombinacin.
Np=ni^2->tasa de generacin igual a tasa de recombinacin(equilibrio).
Np>ni^2->recombinacin.
Np<ni^2->generacin.