Aproximaciones para el transistor

1 aproximacin (ideal)
2 aproximacin
3 aproximacin
Las caractersticas de entrada y salida no son lineales:

Para facilitar los clculos usaremos las siguientes aproximaciones.

1 aproximacin (ideal)
Esta es la aproximacin ideal, por lo tanto la menos exacta de las tres, las caractersticas
de entrada y salida son estas:

2 aproximacin
Esta aproximacin no es tan ideal como la anterior por lo tanto se parece ms al
funcionamiento real del transistor.

3 aproximacin
La aproximacin ms exacta o la que ms se parece a la realidad, por lo tanto algo ms
compleja que las anteriores, se gana en exactitud pero tambin en complejidad.

EJEMPLO: En este ejemplo usaremos las 3 aproximaciones para ver que error se
comete de una a otra.

1 aproximacin

Para saber donde estamos hacemos una hiptesis. Hiptesis: ACTIVA.

Vemos que la UE est en directa y la UC est en inversa por lo tanto la hiptesis es

correcta, estamos en activa.

2 aproximacin

Tambin queda demostrado que nos encontramos en activa. La mayor diferencia esta en
VCE y debido eso se recomienda usar la 2 aproximacin en vez de la 1 aproximacin.
En problemas complicados, con varios transistores, para reducir incgnitas se toma: IC =
IE .
La 3 aproximacin no se suele utilizar, porque no se sabe en que punto estamos
trabajando (punto Q). En practicas se podra utilizar la 3 aproximacin midiendo la
tensin VBE con el voltmetro, pero en problemas no se usa la 3 aproximacin.
Si supiramos su valor, aplicamos la 3 aproximacin y se ven los valores que salen:

3 aproximacin

Por ejemplo con un voltmetro mido la tensin VBE y me sale el siguiente valor:

Como se ve los errores son mnimos comparndolos con la 2 aproximacin, por eso
usaremos la 2 aproximacin.