Sie sind auf Seite 1von 22

PHYSIQUE PHOTONIQUE

I INTRODUCTION

Composants optolectroniques
Lumire (rayonnement)

Matriau semiconducteur

Interaction rayonnement / matriau semiconducteur

Composants optolectroniques
Dispositifs dtecteurs de lumire
Cellule photovoltaque
Dispositifs metteurs de lumire
Diode lectroluminescente
II HISTORIQUE
Loptique est une science dont les fondements ont t tablis avant le XX sicle.
Depuis le dbut du sicle, la rvolution de la mcanique quantique, et par consquent de la
nature quantique de la lumire a profondment modifi notre faon dapprcier les
phnomnes. Nanmoins, les principes dj tablis nont pas t pour autant obsoltes, cette
nouvelle vision a simplement permis de prciser les concepts et dindiquer les limites de
validits. Loptique, branche actuelle de llectromagntisme, sest dveloppe difficilement,
les applications (lentilles correctrices, ) ont t en avance sur la comprhension de la nature
de la lumire.
Plusieurs difficults ont troubl les esprits au cours des derniers sicles : la nature du
photon, qui nest pas une simple particule, mais le vecteur dinteraction du champ
lectromagntique. Ce photon a tantt un comportement plutt ondulatoire, tantt un
comportement plutt corpusculaire. La longueur donde de la lumire, le rayonnement visible
est compris entre 0.4 et 0.8 m rend les analogies avec les ondes la surface de leau, par
exemple, trs dlicates : derrire un obstacle, nous observons avec le soleil une ombre
projete et aucunement une quelconque figure dinterfrence ou de diffraction.

Chapitre I Physique Photonique

par Dr.A. JOTI

Un survol sur les grandes dates


Avant le XVIIe sicle, la nature de la lumire et de sa propagation ne sont pas des
questions essentielles.
Cependant EUCLIDE (IVe et IIIe sicle avant J.-C) pose les bases de loptique
gomtrique (en particulier ltude des miroirs et de la rflexion de la lumire).
Il faut attendre le XIe sicle pour quALHAZEN (965 - 1039), physicien arabe,
attribue la lumire une origine extrieure loeil, dfinisse la notion dimage et
interprte la formation des images dans loeil. Il propose de plus de nombreuses
expriences utilisant des lentilles sphriques et des miroirs.
La diffusion de ces travaux, ainsi que ceux dEUCLIDE
et de PTOLEMEE, permettent le dveloppement de
loptique exprimentale en Europe, au XVIe sicle.
La fabrication des premires lunettes et des microscopes
date de la fin du XVIe sicle ou du dbut du XVIIe sicle.
En particulier GALILEE (1564 - 1642) observe en 1610
quatre des satellites de Jupiter laide dune lunette de sa
fabrication.
LIPPERSHEY 1587-1619 : conoit le tlescope par
rfraction

Lumire Blanche

La thorie de DESCARTES (1596 - 1650) utilise alors


des rgles de modlisation corpusculaire de la lumire par
analogie avec la mcanique: une source lumineuse met
des particules qui sont rflchies par les miroirs et
traversent les milieux matriels des vitesses dpendant
de leu nature. Malheureusement, cette thorie balistique
impose une vitesse de la lumire dans leau ou dans le
verre suprieure celle dans le vide, ce qui est en
contradiction avec lexprience.

NEWTON 1666 : la lumire blanche peut


tre dcompose, notion de couleur

RMER 1675 : vitesse finie de la lumire


(clipse de satellite de Jupiter)

Principe dHUYGENS 1678 : tout point de lespace se comporte comme une source
dondes secondaires. Notion de polarisation et donde transverse de la lumire.

Diffraction par YOUNG 1803 : nature ondulatoire de la lumire

Fresnel 1818 : synthse des travaux sur la nature ondulatoire, 1821 : origine de la
dispersion

MAXWELL 1876 : la lumire est une onde lectromagntique qui vibre une
frquence de 51014 Hz et se propage dans le vide la vitesse c=3108 m.s-1.

Chapitre I Physique Photonique

par Dr.A. JOTI

En 1887, HERTZ dcouvre leffet photolectrique

PLANCK 1900 : rayonnement du corps


noir, la couleur dun corps chauff est
une indication de sa temprature
(constante de PLANCK h = 6.6210-34 J.s)
W = h

EINSTEIN 1905 : le photon est une


particule
Effet photolectrique (prix Nobel
en 1921)
Mouvement brownien
Thorie de la relativit restreinte

DE BROGLIE en 1924
Premire facette de la dualit onde-corpuscule des lectrons

1930 WIGNER, SEITZ, BLOCH et PAULI


dcrivent la structure de bandes des solides

Les annes 1950


Fondement de la mcanique quantique moderne qui considre le photon comme une
particule nomme boson , qui tourne autour de lui mme (notion de spin).

Dernires dcennies Dveloppement technique de la microlectronique qui a


permis tous ces fondements et bases de loptolectronique, de fabriquer des
composants optolectroniques performants : diode lectroluminescentes, diode laser,
photodiode et phototransistor, cellule solaire, fibre optique, dispositif transfert de
charge.(CCD), .. etc.

Chapitre I Physique Photonique

par Dr.A. JOTI

III OPTIQUE ONDULATOIRE LECTROMAGNTIQUE


III 1 Spectre de la lumire
La lumire est une onde lectromagntique, au mme titre que les ondes
radiolectriques ou les rayons X. Le spectre optique est une petite partie de lensemble du
spectre lectromagntique. Il comprend les rayonnements visibles, mais aussi ultraviolets et
infrarouges.
La lumire visible (perceptible par loeil humain) ne couvre qu'une petite partie du
spectre des frquences : de 3800 7700 THz (1Thz = 1012 Hz) . La tradition en optique est
de caractriser une onde non pas par sa frquence mais plutt par sa longueur d'onde dans le
vide.

o c est la vitesse (clrit) de la lumire dans le vide (3108 m/s) et sa frquence .


0.364 m UV invisible
0.407 m violet
0.488 m bleu
0.530 m vert
0.590 m jaune
0.620 m orange
0.647 m rouge
0.790 m rouge difficilement discernable

Figure 1 - Spectre du rayonnement lectromagntique

Chapitre I Physique Photonique

par Dr.A. JOTI

En optolectronique, les rayonnements utiliss appartiennent soit au domaine visible,


soit aux infrarouges ou Ultraviolet proches, car leur comportement est similaire, il ne se
distinguent que par leur action sur lil humain. De ce fait, on les qualifie physiquement par
lumire.
III 2 Propagation de la lumire
a) Cas dun milieu homogne
Les milieux transparents sont en gnral des dilectriques linaires, homognes et
isotropes, de permittivit absolue . Ils sont des isolants, non chargs et sans proprits
magntiques particulires. Dans ce cas, les quations de Maxwell scrivent :

div 0

div B 0

B
rot
t

rot B 0
t

est le champ lectrique, B le champ magntique et 0 la permabilit du vide.


Pour obtenir lquation de propagation du champ lectrique, on limine le champ magntique
dans le systme dquations :

B
2

rot rot rot


0 2
t
t

En utilisant lgalit :

rot rot grad (div )

On obtient :

2
0 2 0
t
De manire analogue, lquation de propagation du champ magntique est :

2B
B 0 2 0
t
Ces deux quations montrent que le champ lectrique et le champ magntique se propagent
la vitesse :
v

1
0

On peut introduire la clrit des ondes lectromagntiques dans le vide, 0 tant la


permittivit du vide :
c

Chapitre I Physique Photonique

1
00

par Dr.A. JOTI

et la permittivit relative du milieu :


r

Cela conduit lexpression :


v

c
r

Par dfinition, lindice de rfraction du milieu est :


n

c
r
v

b) Cas dun milieu htrogne


Quelques matriaux transparents ne sont pas homognes : il en est ainsi du cur dune
fibre optique gradient dindice. Les quations de propagation sont alors diffrentes car la
permittivit dpend du point considr. Parmi les quatre quations de Maxwell, seule la
premire cite est modifie. Elle devient :

div 0

Cette relation conduit :


div grad 0

1
div grad

la mme dmarche que prcdemment donne :

2
1

0 2 grad grad

Cependant, le second membre de cette quation est ngligeable si varie peu


lchelle de la longueur donde. Lquation de propagation du champ lectrique est alors
identique celle qui a t tablie pour un milieu homogne. Il en est de mme pour le champ
magntique.

de

III 3 Onde monochromatique


a) Dfinition
Une onde lumineuse est qualifie de monochromatique lorsque toutes les coordonnes

et B sont des fonctions sinusodales du temps de mme pulsation :

E 0 x u x cos(t x ) E 0 y u y cos(t y ) E 0 z u z cos(t z )

( u x , u y , u z ) est une base de lespace, E0x , E0y , E0z et B0x , B0y , B0z sont les amplitudes des

composantes de et de B . x, y , z et x , y ,z sont les phases lorigine des

composantes de et de B .

Chapitre I Physique Photonique

par Dr.A. JOTI

b) Grandeurs complexes
Les calculs se simplifient en utilisant les grandeurs complexes associes aux fonctions
sinusodales, comme en lectricit. Par exemple, les grandeurs complexes associes aux
composantes du champs lectrique sont dfinies par :
E x E 0 x e j x
E y E 0y e

j y

E z E 0 z e j z

Il faut toutefois remarquer que lusage est de dfinir les modules des grandeurs
complexes comme tant les valeurs efficaces des tensions et des courants, alors que pour les
autres grandeurs physiques, les modules sont des amplitudes. Ces deux conventions ne
diffrent que par un facteur 2 dans toutes les grandeurs, ce qui ne modifient en rien les
quations. Cest uniquement la signification pratique des valeurs efficaces en lectricit qui
conduit un choix diffrent.
Pour crire une seule relation vectorielle plutt que trois relations scalaires, on dfinit
un vecteur champ lectrique complexe par :

Ex u x E yu y Ezu z

La mme opration est faite pour le champ magntique.


Les quations de propagation peuvent scrire pour les valeurs complexes, en
remarquant que driver une fonction sinusodale conduit multiplier par j la grandeur
complexe associe

0 2 0

B 0 2 B 0

On dfinit le nombre donde par :


k 0

(1)

Les quations de propagation des champs sont alors


:

k2 0

B k2 B 0

c) Champ scalaire
Les quations de propagation des champs sont des relations vectorielles. Elles
correspondent donc chacune trois quations scalaires pour leurs composantes, soit six
quations
au total. Or, ces quations ont mme forme. Si U est lune des composantes de

ou de B , on peut crire :

U k2 U 0

La connaissance de U est suffisante pour dcrire les phnomnes pour lesquels la


nature vectorielle des champs nintervient pas. Elle nest cependant pas suffisante quand il

Chapitre I Physique Photonique

par Dr.A. JOTI

faut tenir compte de la polarisation de la lumire ou quand on utilise les conditions aux limites
pour les champs (comme dans ltude de la propagation dans une fibre optique).
IV OPTIQUE CORPUSCULAIRE
IV 1 Photon
Ltude des interactions entre rayonnement et matire amne considrer laspect
corpusculaire de la lumire. Cest ainsi que nous pourrons expliquer les mcanismes
rencontrs dans les metteurs et les rcepteurs constitus de semiconducteurs. Leffet
photolectrique tudi par Hertz la fin du XIXe sicle a conduit Albert Einstein introduire
en 1905 la notion de photon, et lui associer une nergie E proportionnelle la frquence de
londe lumineuse :
E h

Cette formule est la relation de Planck. Le coefficient h est la constante de Planck qui
vaut approximativement (h = 6.6310-34 Js)
Ltude des interactions entre rayonnement et matire a permis plus tard de prciser les
choses et douvrir la voie la mcanique quantique. Ainsi, on associe une onde plane

monochromatique de pulsation et de vecteur donde k un photon dnergie E et de

quantit de mouvement P :
E
avec

P k

h
2

Notons en outre que, si le rayonnement est communment caractris par sa longueur


donde dans le vide (ou dans lair) mesure en microns, le semiconducteur est quant lui
communment caractris par son gap mesur en lectron-volt. Dans ltude des composants
optolectroniques, qui mettent en jeu linteraction rayonnement-semiconducteur, il est utile
davoir en permanence lesprit la relation nergie-longueur donde, pour traduite en eV la
caractristique dun rayonnement dfinie en m .
E h

h hc

Soit

E (eV )

1,24
(m)

Le comportement ondulatoire de la lumire permet de ramener la reprsentation du


rayonnement la seule expression du champ lectrique (solution vectorielle des quations de
Maxwell) qui scrit :


E 0 e j( wt k . r )

E0

(2)

reprsente lamplitude, 2 la pulsation .


Lexpression (2) reprsente une onde plane monochromatique de pulsation

propageant dans la direction r (figure 2).

Chapitre I Physique Photonique

Figure 2 Propagation dune onde plane

se

par Dr.A. JOTI

le vecteur donde k est dfinit par son module (nombre donde de lquation(1) (
k 0 0 r ), avec donc :

c
k vk
n

(3)

c
O c et v
, reprsentent respectivement les vitesses de propagation de londe
n
0 0
dans le vide et dans un milieu de constante dilectrique relative r , c'est--dire dindice de
rfraction n r
1
, sa longueur donde est 0 cT dans le vide et

cT
2
2

dans un milieu dindice n. Ainsi 2


et k
, de sorte que
T
v

La priode de londe est T

lexpression (2) peut scrire sous la forme


j2 ( 1 r )
E 0e T

(4)

La priode T reprsente la priodicit dans le temps et la longueur donde la priodicit


dans lespace.
Compte tenu de lexpression (3), la relation de dispersion du photon, qui relie lnergie au
vecteur donde, scrit
E

c
r

(5)

Cette relation est reprsente sur la figure 3-a


IV 2 Electron
Considrons tout dabord un lectron libre dans le vide, sa quantit de mouvement et
son nergie cintique sont donnes par

p mv

; E

mv 2
p2

2
2m

(6)

De mme quEinstein a propos qu une onde plane de frquence et de longueur


donde , on devait associer une particule, le photon dnergie E h et de quantit de
mouvement p h , Louis de Broglie a propos, en 1924, qu une particule matrielle

Chapitre I Physique Photonique

par Dr.A. JOTI

dnergie E et de quantit de mouvement p, on devait associer une onde de frquence


E h et de longueur donde h p , ainsi la quantit de mouvement de la particule et le
vecteur donde qui lui est associe sont lis par la relation :
p

h
h 2

k
2

Ou, en reprsentation vectorielle

p k

(7)

Il en rsulte, compte tenu des relations (6 et 7), que la relation de dispersion de llectron libre
scrit :
E

k
2m

(8)

Cette relation est reprsente sur la figure 3-b.


E(k)

E(k)

c
vide
SC

c / n

(a)

(b)

Figure 3 Courbes de dispersion


a) Photons dans le vide
b) Electrons dans le vide
Considrons maintenant llectron dans le semiconducteur. Nous savons quen raison
de la priodicit du rseau cristallin, les fonctions donde des lectrons ne sont plus des ondes
planes mais des ondes de Bloch, priodiques dans lespace. Leur nergie ne varie plus de
manire continue mais prsente une structure de bandes permises spares par des bandes
interdites. La caractristique essentielle de cette structure de bande, qui va conditionner
linteraction lectron-photon, est la nature du gap du semiconducteur.
Nous savons aussi quil existe des semiconducteurs gap direct et des semiconducteurs gap indirect, suivant que les extrema des bandes de valence et de conduction
sont situs en un mme point ou en
des points diffrents de la zone de Brillouin, cest--dire

de lespace des vecteurs donde k . Les courbes de dispersion dun semiconducteur gap
direct et dun gap indirect sont schmatises sur la figure 4. Il faut noter que lorsque le
semiconducteur gap indirect, le minimum de la bande de conduction est situ en bord de
zone de Brillouin (ou son voisinage dans le cas du silicium), cest--dire pour k a o
a reprsente la maille du rseau cristallin.
Au voisinage de chaque extremum la courbe de dispersion prsente une loi
parabolique analogue celle de llectron dans le vide, mais avec une courbure caractrise
par la masse effective de llectron. Pour des semiconducteurs univalle et multivalle la loi
de dispersion scrit respectivement :

Chapitre I Physique Photonique

par Dr.A. JOTI

10

E Ec

E Ec

O k 0 est voisin de

k
2m e

(9)

(k / / k 0 ) k
2m l
2m t

(10)

Figure 4 lectrons dans un semiconducteur


IV 3 Dfinition dun semiconducteur
a) Structure cristalline et bandes dnergie
Une structure cristalline est constitue
dun assemblage rgulier datomes (Figure 5).
Ils mettent en commun des lectrons de leur couche
priphrique pour constituer des liaisons covalentes.
La couche lectronique priphrique assure la stabilit
de latome. Elle est complte lorsquelle comporte
8 lectrons pour atteindre la saturation (la couche
priphrique ne peut en comporter davantage).

Figure 5 Structure cristalline du Si

Dans cette description, les rsultats de mcanique quantique montrent que chaque
lectron possde un niveau dnergie dtermin. Les deux dernires sont :

la bande de valence si llectron est attach latome ;


la bande de conduction si cet lectron se libre de latome (On dit alors quil est libre).

Des bandes interdites sparent tous ces niveaux.


Pour illustrer ce phnomne, la reprsentation
nergtique de la Figure 6 est particulirement
adapte. La distance nergtique sparant les
bandes de conduction et de valence est appele
gap . Sa valeur dtermine la plus ou moins

Chapitre I Physique Photonique

Figure 6 Reprsentation nergtique


par Dr.A. JOTI 11

bonne conductivit du matriau : plus le gap est


faible, plus le matriau est conducteur.
b) Conducteur Isolant Semiconducteur
Un matriau isolant possde un gap lev. Tous les lectrons de la couche priphrique
sont utiliss dans les liaisons chimiques covalentes. A la temprature de 0 K, il ny a pas
dlectrons dans la bande de conduction. Une lvation de la temprature peut toutefois
apporter lnergie ncessaire au passage de certains lectrons dans la bande de conduction,
mais temprature ambiante, cette probabilit est trs faible, et le matriau reste isolant.
Dans un matriau conducteur, les liaisons chimiques nutilisent pas tous les lectrons de
la couche priphrique. Ceux qui sont excdentaires sont alors libres de circuler et se
dplacent naturellement dans la bande de conduction (mme 0 K). Ceci se traduit par un gap
nul ou ngatif : les bandes de conduction et de valence se chevauchent.
Un matriau semi-conducteur (SC) est un isolant possdant un faible gap. Il est
parfaitement isolant 0 K, mais devient progressivement conducteur lorsque la temprature
augmente ou par apport dnergie sous une forme quelconque (lumire ou tout rayonnement
lectromagntique, chauffage, etc.). Il reste cependant proche de lisolant temprature
ambiante. Sil est pur, on dit que le semi-conducteur est intrinsque. Cest un lment
chimique de valence 4 (la couche priphrique comporte 4 lectrons).
Exemples de semi-conducteurs purs
carbone (C, 6), silicium (Si, 14),
germanium (Ge, 32).
Remarque : semi-conducteurs composs
avec des lments de valence 3 et 5
(ex : Arsniure de gallium, GaAs).

c) Phnomne de gnration recombinaison


Lorsquun lectron quitte la bande
de valence pour atteindre la bande de
conduction, il se dplace librement dans le
rseau. Latome quil laisse nest plus
neutre, mais sionise positivement. Cet
atome dispose donc dune place inoccupe
appele trou (on dit aussi lacune ).

Chapitre I Physique Photonique

Un lectron venant dun atome


voisin peut alors occuper la place libre en
laissant un trou son tour : cest le
mcanisme de recombinaison dune paire
lectron-trou illustr la Figure 7.

par Dr.A. JOTI


Figure 7 Recombinaison paire lectron-trou

12

Le mouvement des charges ngatives saccompagne donc ncessairement dun


mouvement des trous dans le sens inverse.
La rsistivit lectrique du matriau semi-conducteur est trs sensible aux variations de la
temprature. Pour la matriser, les recombinaisons sont contrles par dopage du semiconducteur.
d) Semiconducteur dop
Un semi-conducteur dop est une structure cristalline dans laquelle on a introduit des
atomes trangers de valence 3 ou 5. Ltat lectronique sen trouve modifi : le dopage accrot
la conductibilit du cristal tout en le maintenant entre lisolant et le conducteur.
Semiconducteur dop P
En substituant des atomes de valence 3 (bore, aluminium, gallium, indium), des
lectrons manquent pour complter les couches priphriques voisines (Figure 8). Ceci
entrane la prsence de charges positives excdentaires : le semi-conducteur est dop P (ou
type P). A temprature ambiante, tous les atomes dopants sont ioniss. Chacun a gnr un
trou qui est libre de circuler dans le rseau. Tout en restant globalement neutre, on distingue
donc deux types de porteurs de charges :
des trous libres ;
des ions ngatifs fixes (les atomes dopants qui gagnent un lectron).
Semiconducteur dop N
En choisissant un dopant de valence 5 (phosphore, arsenic, antimoine), le semiconducteur contient des lectrons excdentaires qui traduisent des charges ngatives
supplmentaires : le semi-conducteur est de type N (Figure 9).
A temprature ambiante, tous les atomes dopants sont ioniss, mais le matriau reste neutre.
Chacun a libr un lectron qui circule dans le rseau. On distingue alors deux types de
porteurs de charges :
des lectrons libres ;
des ions positifs fixes (les atomes dopants qui perdent un lectron).

Figure 8 Semiconducteur de type P

Chapitre I Physique Photonique

Figure 9 Semiconducteur de type N

par Dr.A. JOTI

13

V INTERACTION LECTRON-PHOTON
Linteraction du rayonnement avec les lectrons du semiconducteur se manifeste selon
trois processus distincts :
- Un photon peut induire le saut dun lectron, dun tat occup de la bande de valence
vers un tat libre de la bande de conduction, cest labsorption fondamentale. Ce
processus sera mis profit dans les capteurs de rayonnement.
- Un lectron de la bande de conduction peut retomber spontanment sur un tat vide de
la bande de valence avec mission dun photon, cest lmission spontane. Ce
processus sera mis profit dans les metteurs de rayonnements tels que les diodes
lectroluminescentes.
- Un photon prsent dans le semiconducteur peut induire la transition dun lectron de la
bande de conduction vers un tat vide de la bande de valence, avec mission dun
deuxime photon de mme nergie, cest lmission stimule. Ce processus sera mis
profit dans les lasers semiconducteur.
Ces diffrents processus sont conditionns par les rgles qui rgissent les chocs
lastiques entre deux particules, ici le photon et
llectron, la conservation de lnergie et

p , cest--dire, compte tenu de la relation


la conservation de la quantit
de
mouvement

(5), du vecteur donde k . Si on repre par les indices i et f , les tats initial et final de
llectron, et par lindice p ltat du photon, les rgles de conservation scrivent
E f E i E p
(11)

k f k i k p
(12)
O le signe + correspond labsorption du photon et le signe lmission.
Comparons les ordres de grandeur des vecteurs donde des photons et des lectrons.
Compte tenu du fait que le gap des diffrents semiconducteurs est de lordre de 1 eV, les
rayonnements mis en jeu dans les composants optolectroniques sont caractriss par les
longueurs donde de lordre du micron (E = 1.24/). Il en rsulte que le vecteur donde des
photons k 2 , est de lordre de 10-3 -1 . En ce qui concerne les lectrons, leur vecteur
donde varie de zro au centre de la zone de Brillouin k 0 a en bord de zone. La maille
dun semiconducteur tant de lordre de quelques , le vecteur donde des lectrons de bord
de zone est de lordre de 1 -1. Ainsi, lchelle des courbes de dispersion du photon,
reprsente sur la figure (1-a), est pratiquement verticale. En dautres termes, si on exclut une
petite zone trs troite autour de k = 0, le vecteur donde du photon est toujours ngligeable
devant celui de llectron. Il en rsulte que la condition de conservation du vecteur donde
(12) scrit simplement
kf ki
(13)
V 1 Transitions radiatives et non radiatives
La transition dun lectron entre les bandes de valence et de conduction, se fait donc
avec conservation du vecteur donde. On dit que les transitions radiatives, cest--dire

Chapitre I Physique Photonique

par Dr.A. JOTI

14

accompagnes de labsorption ou de lmission dun photon, sont verticales dans lespace des
k. Cest la raison pour laquelle les processus dabsorption ou dmission de photons, au
voisinage du gap fondamental, sont considrablement plus importants dans les matriaux
gap direct que dans les matriaux gap indirect. La figure 10 reprsente les diffrents types
de transitions. Dans le semiconducteur gap direct (figure 10-a), les transitions lectroniques
entre les extrema des bandes de valence et de conduction sont verticales, elles obissent la
rgle de conservation des k, et par suite sont radiatives.

(a)

(b)

(c)

Figure 10 Transitions lectroniques entre les extremas de la bande


de valence et de conduction
Semiconducteur gap direct, les transitions sont verticales et par suite
radiatives
Semiconducteur gap indirect, les transitions sont obliques et non
radiatives au premier ordre.
Absorption directe de photons dans un semiconducteur gap indirect.

Dans un semiconducteur gap indirect (figure 10-b), les transitions lectroniques entre
les extrema des bandes sont obliques et de ce fait non radiatives au premier ordre.
Notons toutefois que dans un semiconducteur gap indirect, on peut exciter
verticalement, cest--dire optiquement, des lectrons du sommet de la bande de valence vers
le minimum central de la bande de conduction. Les lectrons ainsi excits, se thermalisent
dans le minimum absolu de la bande de conduction et peuvent participer aux phnomnes de
conduction (figure 10-c).

Transitions radiatives
Les processus radiatifs peuvent tre caractriss par leurs probabilits de transition,
mesurant par unit de temps la probabilit quun lectron a de faire un saut dnergie avec
mission ou absorption dun photon.
Le type de transition radiative dpend de ltat doccupation des niveaux nergtiques
mis en jeu. Dans le cas de labsorption la prsence dun champ lectromagntique induit une
transition entre un tat intrieur occup par un lectron et un tat suprieur vide avec
annihilation dun photon. Dans le cas de lmission, il faut distinguer lmission spontane o
la transition dun tat suprieur occup un tat intrieur vide avec cration dun photon
seffectue delle-mme, et lmission stimule o elle est induite par le champ

Chapitre I Physique Photonique

par Dr.A. JOTI

15

lectromagntique, la probabilit de transition tant proportionnelle au nombre de photons par


mode de rayonnement.
Pour les semiconducteurs, les transitions faisant intervenir la bande de conduction et la
bande de valence sont importantes pour les applications, car elles constituent les tats
dnergie les plus faciles peupler ou dpeupler par divers moyens. Ainsi labsorption dun
photon faisant passer un lectron de la bande de valence, o il laisse un trou, la bande de
conduction, est appele cration dune paire lectron-trou. La transition inverse est appele
recombinaison de la paire lectron-trou. Ce type de transition doit conserver la fois les
nergies et les quantits de mouvement des particules mises en jeu. La quantit de mouvement
du photon tant ngligeable, les quantits de mouvement de llectron dans ltat
infrieur et

dans ltat suprieur doivent tre gales. On parle donc de transitions k constant ou
verticales.

Des transitions entre tats lectroniques correspondant des k diffrents sont


possibles condition de faire intervenir une troisime particule susceptible demporter ou
damener de la quantit de mouvement. Cette particule peut tre un phonon. Ces
transitions

sont du deuxime ordre et sont beaucoup moins probables que les transitions k constant. Il
rsulte de ceci que les transitions entre le haut de la bande de valence et le bas de la bande de
conduction sont beaucoup plus probables pour les matriaux bande interdite directe qu
bande interdite indirecte, et que les premiers permettent, en gnral, de faire des metteurs de
rayonnement plus efficaces que les seconds.
Parmi les autres transitions radiatives possibles et exploites en pratique dans les
dispositifs, il faut citer galement les transitions faisant intervenir les niveaux discrets dans la
bande interdite. Ces transitions sont prsentes dans les semiconducteurs extrinsques : figure
11
transitions bande de conduction
niveau accepteur
bande de valence
niveau donneur
transition niveau donneur
niveau accepteur
transition faisant intervenir des niveaux plus profonds

Figure 11 Niveau discret (impuret)


Exemple : N dans GaP
Transitions non radiatives
Il existe des processus de recombinaison des paires lectron-trou sans mission de
photon figure 10-b qui viennent en comptition avec les processus radiatifs et limitent le
rendement des metteurs semiconducteurs.

Chapitre I Physique Photonique

par Dr.A. JOTI

16

VI ABSORPTION- EMISSION SPONTANE EMISSION STIMULE


VI 1 Semiconducteur hors quilibre Notion de pseudo-niveau de Fermi
A lquilibre thermodynamique les densits dlectrons et de trous n 0 et p 0 dans le
semiconducteur, sont caractrises par un seul paramtre, le niveau de Fermi. Lorsquune
excitation extrieure modifie les densits de porteurs n n 0 et p p 0 , le niveau de Fermi,
qui est un paramtre dquilibre thermodynamique, nest plus dfini. Les porteurs injects
dans le semiconducteur ont des nergies souvent trs diffrentes des nergies E c et E v des
extrema des bandes permises. Ces porteurs, par leur interaction avec le rseau cristallin,
perdent de lnergie et se thermalisent dans les extrema des bandes permises. Le dure de
cette thermalisation est conditionne par le temps de collision des porteurs avec le rseau,
cest--dire par le temps de relaxation qui est de lordre de 10 -13 10-12s. Dun autre cot la
dure de vie des porteurs dans une bande est de lordre de 10 -9 10-3s. Il en rsulte que les
lectrons et les trous se thermalisent, respectivement dans les bandes de conduction et de
valence, avant de se recombiner. Il stablit alors dans le semiconducteur excit, un rgime de
pseudo-quilibre dans chacune des bandes. Les populations dlectrons et de trous sont
chacune en quilibre thermodynamique, mais indpendamment lune de lautre. Ce rgime de
pseudo-quilibre est dfini par des pseudo-niveaux de Fermi E Fn et E Fp caractrisant les
densits et les distributions des lectrons dans la bande de conduction et des trous dans la
bande de valence. Ainsi, dans la mesure o la dure de vie des porteurs dans une bande
permise est trs suprieure leur temps de relaxation, leurs distribution transitoires sont
donnes par :

f nBV E f c E
f nBC E f V E

1 e

E E Fp / kT

1 e

E E Fp / kT

(14)

(15)

A lquilibre thermodynamique E Fn E Fp E F
VI 2 Taux net dmission
Le taux net dmission de photons dnergie E par le semiconducteur est le nombre de
photons dnergie E (de frquence

E
) mis par seconde par unit de volume du cristal.
h

Cest la diffrence entre le nombre de photons mis et le nombre de photons absorbs. Si le


taux net dmission est positif le matriau met un rayonnement dnergie E, si le taux net
dmission est ngatif le matriau absorbe le rayonnement dnergie E
r (E ) rsp ( E ) N (E ) rstim ( E ) rabs (E )

Chapitre I Physique Photonique

(16)

par Dr.A. JOTI

17

N(E) reprsente la densit de photons dnergie E, donne lquilibre


thermodynamique par la formule de Planck

N 0 (E) 1

(17)

(e E kT 1)

Les deux premiers termes de lexpression (16) correspondent aux missions spontane
et stimule de rayonnement, le troisime correspond labsorption. En groupant les termes
fonction de la densit de rayonnement prsent dans le semiconducteur, lexpression (16)
scrit
r ( E) rsp ( E ) N( E ) rst ( E )

(18)

O rst ( E ) rstim ( E ) rabs (E ) : reprsente de taux dmission stimule, cest--dire le bilan


des transitions stimules par le rayonnement, ou en dautres termes la diffrence entre les
transitions stimules de haut en bas (mission) et de bas en haut (absorption).
Si le taux net dmission stimule est positif, tout rayonnement dnergie E dans le
matriau induit davantage de transitions de haut en bas que de bas en haut, et par suite le
matriau est amplificateur de rayonnement. Dans le cas contraire le matriau est absorbant.
Le taux dmission spontane dun photon dnergie E est donn par :
rsp ( E ) B E ' , E N C ( E ' ) N V ( E E ' ) f C E ' 1 f V ( E ' E ) dE '
E'

(19)

Le taux dmission stimule dun photon dnergie E est donn par :


rst (E ) B E ' , E N C ( E ' ) N V (E E ' ) f C E ' f V ( E ' E ) dE '
E'

(20)

O E correspond ltat nergtique dans la bande de conduction


En pratique, pour les matriaux dops, la probabilit de transition B(E,E) est
sensiblement constante do indpendante de E et E. Elle a t calcule pour la plupart des
semiconducteurs 300K (Tableau 1)
Semiconducteur
Si
Ge
GaP
GaAs
GaSb
InP
InAs
InSb

Type
Indirect
Indirect
Indirect
Direct
Direct
Direct
Direct
Direct

B (cm3/s)
1,8x10-15
5,3x10-14
5,4x10-14
7,2x10-10
2,4x10-10
1,3x10-9
8,5x10-11
4,6x10-11

Tableau 1 Ordre de grandeur de B ( 300 K)

Chapitre I Physique Photonique

par Dr.A. JOTI

18

(probabilit de transition radiative)


VII MATERIAUX SEMICONDUCTEURS POUR LOPTOELECTRONIQUE
VII 1 Gnralits
Lefficacit dun composant semiconducteur pour loptolectronique dpend
essentiellement des grandeurs respectives :
- de la largeur E G de la bande du semiconducteur
- de lnergie des photons mettre ou dtecter h
Lnergie des photons mis est toujours infrieure ou gale E G suivant la nature des
transitions radiatives mise en jeu :
(h ) em E G

Par contre, pour tre dtects, les photons doivent tre fortement absorbs dans le
matriau (cest--dire sur une distance infrieure aux dimensions du composant), donc en
gnral :
(h ) det E G

Pour certains dtecteurs, dits extrinsques, utilisant des transitions avec niveaux
dimpurets :
( h) det E G

VII 2 Semiconducteurs lmentaires


Les semiconducteurs lmentaires utiliss pour llectronique des circuits sont le
germanium et le silicium dont les bandes interdites sont indirectes et ont pour largeurs
respectives 0.7 et 1.1 eV. Ils sont trs utiliss pour faire des dtecteurs, mais on ne sait pas en
faire des metteurs bon rendement (qui, de toute manire, mettent dans linfrarouge). Le
slnium est un semiconducteur lmentaire trs utilis comme photoconducteur en
reprographie.
VII 3 Semiconducteurs Composs
a Composs III-V

Les composs binaires dlments des colonnes III et V du tableau de Mendeleev sont
des semiconducteurs de proprits voisines des semiconducteurs lmentaires de la colonne
IV quils encadrent (du type Ge ou Si). Ils permettent un certain choix de largeur de bande
interdite et, par suite, de longueur donde pour les rayonnements mis ou dtects. Le tableau
Chapitre I Physique Photonique

par Dr.A. JOTI

19

2 indique ces bandes interdites ainsi que leur nature directe ou indirecte. Lutilisation de
matriaux ternaires III-V du type Ga11-xAlxAs par exemple permet, par action dun paramtre
de composition, de couvrir de faon continue plusieurs domaines dnergie.
N
6,2 D
3,5 D

Al
Ga
In
D bande interdite directe

P
2,4 I
2,2 I
1,3 D

As
Sb
2,2 I
1,6 D
1,4 D
0,80 D
0,36 D
0,18 D
I bande interdite indirecte

Tableau 2 Largeur de bande interdite des composs III-V (eV)

Larsniure de gallium, GaAs, dont la bande interdite est directe, permet de faire les
meilleurs metteurs dans linfrarouge proche (0.9 m ) en particulier les diodeslasers.

Les drivs de GaAs, GaAlAs ou GaAsP permettent, par adjonction daluminium ou


de phosphore, daugmenter la largeur de bande interdite et de faire des metteurs
visibles. On est limit dans cette vois la couleur rouge par le fait qu AlAs et GaP sont
des matriaux bande interdite indirecte et que le rendement de recombinaison
radiative dcroit trs vite au-del dun certain pourcentage daluminium ou de
phosphore.
Le phosphure de gallium, GaP, bien qu bande interdite indirecte, permet de faire
de bon metteurs en utilisant des transitions sur niveaux dimpurets.
In1-xGaxP est un matriau encors ltude (1973), qui devrait permettre dobtenir une
mission orange avec un matriau bande interdite directe.
Le nitrure de gallium, GaN, encore ltude, pourrait, du fait de sa grande bande
interdite directe, tre utilis pour la ralisation dmetteurs bleus.
Les composs III-V faible bande interdite, tels que lantimoniure dindium, InSb, et
larsniure dindium, InAs, sont utiliss pour faire des photodtecteurs dans
linfrarouge plus ou moins proche (jusqu 6 m ) et des metteurs au stade
exprimental.

b Composs II-VI

Les composs II-VI (tableau 3) autorisent galement un certain choix de largeurs de


bande interdite. Ils sont utiliss pour faire les phosphures des tubes cathodiques (ZnS),
les metteurs effet Destriau (ZnS, CdS) et des photodtecteurs dans le visible (CdS,
CdSe, CdTe) ou dans linfrarouge au voisinage de 10 m (CdHgTe).
c Composs IV-VI

Les sels de plomb et dtain (tableau 4) permettent de faire des metteurs et des
dtecteurs dans linfrarouge. Ainsi les ternaires tels que Pb1-xSnxTe permettent, par
variation de la composition, de couvrir tout le voisinage de 10 m

Zn
Cd
Hg

O
3,2
2,5

S
3,6
2,4
2

Chapitre I Physique Photonique

Se
2,6
1,7
0

Te
2,3
1,5
0

par Dr.A. JOTI

20

(Semi-mtal)

(Semimtal)

Pb
Sn
Tableau 3 Largeur de bande interdite
interdite des composs II-VI (eV)

O
S
Se
1,9 0,41 0,27
0,2

Te
0,31
0,3

Tableau 4 Largeur de bande


des composs IV-VI (eV)

VII 4 Exemples dapplications


Se sont les applications qui dterminent le choix du matriau
Exemples :
Dispositifs daffichage

Convertisseur dnergie

Chapitre I Physique Photonique

spectre de sensibilit de lil

spectre solaire

par Dr.A. JOTI

21

Tlcommunications
Transmission affecte par

transparence fibres optiques

attnuation dispersion

Stockage de donnes

lasers faible

Densit de stockage ~ -2
Diodes laser IR
( = 780 nm) 100 Mbit/cm2
Diodes bleues (GaN : = 450 nm) 2 Gbit/cm2

Chapitre I Physique Photonique

par Dr.A. JOTI

22