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TechnischeInformation/TechnicalInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FF75R12RT4

34mmmodulewithfastTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diode

VorläufigeDaten/PreliminaryData

V CES = 1200V I TypischeAnwendungen • Hochleistungsumrichter • Motorantriebe • USV-Systeme
V CES = 1200V
I
TypischeAnwendungen
• Hochleistungsumrichter
• Motorantriebe
• USV-Systeme
ElektrischeEigenschaften
• ErweiterteSperrschichttemperaturT
vjop
• NiedrigeSchaltverluste
• NiedrigesV
CEsat
•T
•V
vjop =150°C
CEsat mitpositivemTemperaturkoeffizienten

MechanischeEigenschaften

• IsolierteBodenplatte

• Standardgehäuse

• IsolierteBodenplatte • Standardgehäuse
• IsolierteBodenplatte • Standardgehäuse

34mmModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4Diode

C nom = 75A / I CRM = 150A

TypicalApplications • HighPowerConverters • MotorDrives • UPSSystems

ElectricalFeatures • ExtendedOperationTemperatureT vjop • LowSwitchingLosses LowV CEsat T vjop =150°C V CEsat withpositiveTemperatureCoefficient

MechanicalFeatures • IsolatedBasePlate • StandardHousing

ModuleLabelCode BarcodeCode128 ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber 1-5 ModuleMaterialNumber
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
1-5
ModuleMaterialNumber
6-11
ProductionOrderNumber
12-19
DMX-Code
Datecode(ProductionYear)
20-21
Datecode(ProductionWeek)
22-23
preparedby:MK
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:WR
revision:2.1

1

TechnischeInformation/TechnicalInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FF75R12RT4

IGBT-Module IGBT-modules FF75R12RT4 VorläufigeDaten PreliminaryData
VorläufigeDaten PreliminaryData IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
T
vj = 25°C
1200
V
V CES
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom
T
C = 100°C, T vj max = 175°C
75
A
I C nom
ContinuousDCcollectorcurrent
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
t
P = 1 ms
150
A
I CRM
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
T
C = 25°C, T vj max = 175°C
395
W
P tot
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
+/-20
V
V GES
Gate-emitterpeakvoltage
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
I
C = 75 A, V GE = 15 V
T
vj = 25°C
1,85
2,15
V
Collector-emittersaturationvoltage
I C = 75 A, V GE = 15 V
T
vj = 125°C
V
2,15
V
CE sat
I C = 75 A, V GE = 15 V
T
vj = 150°C
2,25
V
Gate-Schwellenspannung
I C = 2,40 mA, V CE = V GE , T vj = 25°C
V
5,2
5,8
6,4
V
GEth
Gatethresholdvoltage
Gateladung
V
GE = -15 V
+15 V
Q G
0,57
µC
Gatecharge
InternerGatewiderstand
T
vj = 25°C
10
R Gint
Internalgateresistor
Eingangskapazität
f
= 1 MHz, T vj = 25°C, V CE = 25 V, V GE = 0 V
4,30
nF
C ies
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
f
= 1 MHz, T vj = 25°C, V CE = 25 V, V GE = 0 V
0,25
nF
C res
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
V
CE = 1200 V, V GE = 0 V, T vj = 25°C
1,0
mA
I CES
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
V
CE = 0 V, V GE = 20 V, T vj = 25°C
100
nA
I GES
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
I
C = 75 A, V CE = 600 V
T
vj = 25°C
0,13
µs
t d on
Turn-ondelaytime,inductiveload
V
GE = ±15 V
T
vj = 125°C
0,15
µs
R
Gon = 2,2
T
vj = 150°C
0,15
µs
Anstiegszeit,induktiveLast
I
C = 75 A, V CE = 600 V
T
vj = 25°C
0,02
µs
t
r
Risetime,inductiveload
V
GE = ±15 V
T
vj = 125°C
0,03
µs
R
Gon = 2,2
T
vj = 150°C
0,035
µs
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
I
C = 75 A, V CE = 600 V
T
vj = 25°C
0,30
µs
t d off
Turn-offdelaytime,inductiveload
V
GE = ±15 V
T
vj = 125°C
0,38
µs
R
Goff = 2,2
T
vj = 150°C
0,40
µs
Fallzeit,induktiveLast
I
C = 75 A, V CE = 600 V
T
vj = 25°C
0,045
µs
t
f
Falltime,inductiveload
V
GE = ±15 V
T
vj = 125°C
0,08
µs
R
Goff = 2,2
T
vj = 150°C
0,09
µs
EinschaltverlustenergieproPuls
I
C = 75 A, V CE = 600 V, L S = 30 nH
T
vj = 25°C
6,00
mJ
Turn-onenergylossperpulse
V
GE = ±15 V, di/dt = 1900 A/µs (T vj = 150°C) T vj = 125°C
9,50
mJ
E on
R
Gon = 2,2
T
vj = 150°C
10,5
mJ
AbschaltverlustenergieproPuls
I
C = 75 A, V CE = 600 V, L S = 30 nH
T
vj = 25°C
4,00
mJ
Turn-offenergylossperpulse
V
GE = ±15 V, du/dt = 3700 V/µs (T vj = 150°C) T vj = 125°C
6,50
mJ
E off
R
Goff = 2,2
T
vj = 150°C
7,00
mJ
Kurzschlußverhalten
V
15 V, V CC = 800 V
GE
I SC
SCdata
V
t P
10 µs,
T
vj = 150°C
270
A
CEmax = V CES -L sCE ·di/dt
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
proIGBT/perIGBT
0,38
K/W
R thJC
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper
proIGBT/perIGBT
Paste =1W/(m·K)/ grease =1W/(m·K)
0,083
K/W
R thCH
Thermalresistance,casetoheatsink
TemperaturimSchaltbetrieb
-40
150
°C
T vj op
Temperatureunderswitchingconditions
preparedby:MK
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:WR
revision:2.1

2

TechnischeInformation/TechnicalInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FF75R12RT4

IGBT-Module IGBT-modules FF75R12RT4 VorläufigeDaten PreliminaryData
VorläufigeDaten PreliminaryData Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
T
vj = 25°C
1200
V
V RRM
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
I
75
A
F
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
t
P = 1 ms
150
A
I FRM
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
V
R = 0 V, t P = 10 ms, T vj = 125°C
1200
A²s
I²t
I²t-value
V
R = 0 V, t P = 10 ms, T vj = 150°C
1100
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
Durchlassspannung
I
F = 75 A, V GE = 0 V
T
vj = 25°C
1,70
2,15
V
Forwardvoltage
I F = 75 A, V GE = 0 V
T
vj = 125°C
V
1,65
V
F
I F = 75 A, V GE = 0 V
T
vj = 150°C
1,65
V
Rückstromspitze
I F = 75 A, - di F /dt = 1900 A/µs (T vj =150°C)
T
vj = 25°C
60,0
A
Peakreverserecoverycurrent
V
R = 600 V
T
vj = 125°C
I
65,0
A
RM
V
GE = -15 V
T
vj = 150°C
70,0
A
Sperrverzögerungsladung
I
F = 75 A, - di F /dt = 1900 A/µs (T vj =150°C)
T
vj = 25°C
7,50
µC
Recoveredcharge
V
R = 600 V
T
vj = 125°C
Q
13,0
µC
r
V
GE = -15 V
T
vj = 150°C
15,0
µC
AbschaltenergieproPuls
I
F = 75 A, - di F /dt = 1900 A/µs (T vj =150°C)
T
vj = 25°C
3,00
mJ
Reverserecoveryenergy
V
R = 600 V
T
vj = 125°C
E
4,50
mJ
rec
V
GE = -15 V
T
vj = 150°C
5,00
mJ
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
proDiode/perdiode
R
0,58
K/W
thJC
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper
Thermalresistance,casetoheatsink
proDiode/perdiode
Paste =1W/(m·K)/ grease =1W/(m·K)
0,125
K/W
R thCH
TemperaturimSchaltbetrieb
-40
150
°C
T vj op
Temperatureunderswitchingconditions
preparedby:MK
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:WR
revision:2.1

3

TechnischeInformation/TechnicalInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FF75R12RT4

IGBT-Module IGBT-modules FF75R12RT4 VorläufigeDaten PreliminaryData Modul/Module
VorläufigeDaten PreliminaryData Modul/Module Isolations-Prüfspannung RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.  4,0
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
4,0
kV
V ISOL
Isolationtestvoltage
MaterialModulgrundplatte
Cu
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
Al 2 O 3
Internalisolation
basicinsulation(class1,IEC61140)
Kriechstrecke
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
17,0
mm
Creepagedistance
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
20,0
Luftstrecke
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
17,0
mm
Clearance
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
9,5
VergleichszahlderKriechwegbildung
CTI
> 200
Comperativetrackingindex
min.
typ.
max.
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper
proModul/permodule
Paste =1W/(m·K)/ grease =1W/(m·K)
0,05
K/W
R thCH
Thermalresistance,casetoheatsink
Modulstreuinduktivität
L
30
nH
sCE
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
Chip
T
C =25°C,proSchalter/perswitch
R
0,65
m
CC'+EE'
Moduleleadresistance,terminals-chip
Lagertemperatur
T
-40
125
°C
stg
Storagetemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
M
3,00
-
5,00
Nm
Mountingtorqueformodulmounting
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse
SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
M
2,5
-
5,0
Nm
Terminalconnectiontorque
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
Gewicht
G
160
g
Weight
Power Cycling Zuverlässigkeit bei Tvjop=125°C:
-
entspricht gültiger Spezifikation für Standard Module bei Tvjmax=125°C; 300.000 Zyklen @ dTj=50K
Power Cycling Capability at Tvjop=125°C:
-
according to valid specification for standard modules at Tvjmax=125°C; 300.000 cycles @ dTj=50K
preparedby:MK
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:WR
revision:2.1

4

TechnischeInformation/TechnicalInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FF75R12RT4

AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) I C =f(V CE ) I C
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I C =f(V CE )
I C =f(V CE )
V GE =15V
T vj =150°C
150
150
T vj = 25°C
V
GE = 19V
T vj = 125°C
T vj = 150°C
V
GE = 17V
135
135
V
GE = 15V
V
GE = 13V
120
120
V
GE = 11V
V
GE = 9V
105
105
90
90
75
75
60
60
45
45
30
30
15
15
0
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
V CE [V]
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I C =f(V GE )
E
on =f(I C ),E off =f(I C )
V CE =20V
150
24
T vj = 25°C
E
T vj = 125°C
T vj = 150°C
22
E
135
E
20
E
120
18
105
16
90
14
75
12
10
60
8
45
6
30
4
15
2
0
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
0
15
30
45
V GE [V]
preparedby:MK
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:WR
revision:2.1
I
C [A]
I C [A]
E [mJ]
I C [A]
revision:2.1 I C [A] I C [A] E [mJ] I C [A] VorläufigeDaten PreliminaryData 60 75

VorläufigeDaten

PreliminaryData

60

75

90 105 120 135 150

 

I

C [A]

AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)

outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)

outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 V C E [V]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 V CE [V]

SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)

switchinglossesIGBT,Inverter(typical)

V GE =±15V,R Gon =2.2 ,R Goff =2.2 ,V CE =600V

on , T vj = 125°C off , T vj = 125°C on , T
on , T vj = 125°C
off , T vj = 125°C
on , T vj = 150°C
off , T vj = 150°C

5

TechnischeInformation/TechnicalInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FF75R12RT4

SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) E on =f(R G ),E off =f(R G
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E
on =f(R G ),E off =f(R G )
Z
thJC =f(t)
V
GE =±15V,I C =75A,V CE =600V
30
1
E on , T vj = 125°C
Z
thJC : IGBT
27
E off , T vj = 125°C
E on , T vj = 150°C
E off , T vj = 150°C
24
21
18
15
0,1
12
9
6
i:
r
i
3
0
0,01
0
2
4
6
8
10
12
14 16 18
20 22
0,001
0,01
R
G [
]
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
I F =f(V F )
I C =f(V CE )
V GE =±15V,R Goff =2.2 ,T vj =150°C
200
150
I C , Modul
I C , Chip
T
vj = 25°C
T
vj = 125°C
135
175
T
vj = 150°C
120
150
105
125
90
100
75
60
75
45
50
30
25
15
0
0
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
V
[V]
CE
preparedby:MK
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:WR
revision:2.1
I C [A]
E [mJ]
I F [A]
Z
thJC [K/W]
revision:2.1 I C [A] E [mJ] I F [A] Z thJC [K/W] VorläufigeDaten PreliminaryData   1

VorläufigeDaten

PreliminaryData

 

1

2

3

4

[K/W]:

0,0228

0,1254

0,1216

0,1102

0,01

0,02

0,05

0,1

0,1

1

10

t [s]

V F [V]

TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter

transientthermalimpedanceIGBT,Inverter

i [s]:
i [s]:

DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)

forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)

forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4

6

TechnischeInformation/TechnicalInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FF75R12RT4

[mJ]

[mJ]

E

E

thJC [K/W]

Z

SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)

switchinglossesDiode,Inverter(typical)

E rec =f(I F )

R Gon =2.2 ,V CE =600V

8

7

6

5

4

3

2

1

0

E rec , T vj = 125°C E rec , T vj = 150°C
E rec , T vj = 125°C
E rec , T vj = 150°C

E rec =f(R G )

I F =75A,V CE =600V

6

 

E

E

5

4

3

2

1

0

0

15

30

45

60

75

90 105 120 135 150

0

2

4

6

8

 

I F [A]

TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter

transientthermalimpedanceDiode,Inverter

Z thJC =f(t)

1

0,1

0,01

Z thJC : Diode i: 1 2 3 4 r i [K/W]: 0,0348 0,1914 0,1856
Z thJC : Diode
i:
1
2
3
4
r
i [K/W]:
0,0348
0,1914
0,1856
0,1682
i [s]:
0,01
0,02
0,05
0,1

0,001

0,01

0,1

1

10

 

t [s]

preparedby:MK

dateofpublication:2013-11-05

approvedby:WR

revision:2.1

approvedby:WR revision:2.1 VorläufigeDaten PreliminaryData 10 12 14 16 18

VorläufigeDaten

PreliminaryData

10

12 14 16

18 20

22

R G [

]

SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)

switchinglossesDiode,Inverter(typical)

rec , T vj = 125°C rec , T vj = 150°C
rec , T vj = 125°C
rec , T vj = 150°C

7

TechnischeInformation/TechnicalInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FF75R12RT4

IGBT-Module IGBT-modules FF75R12RT4 VorläufigeDaten PreliminaryData
VorläufigeDaten PreliminaryData Schaltplan/circuit_diagram_headline Gehäuseabmessungen/packageoutlines
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Schaltplan/circuit_diagram_headline
Gehäuseabmessungen/packageoutlines
preparedby:MK
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:WR
revision:2.1

8

TechnischeInformation/TechnicalInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FF75R12RT4

Nutzungsbedingungen

AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.

MontagehinweisendesModulssindzubeachten.

-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;

-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;

gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.

Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.

InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.

Terms&Conditionsofusage

application.

interestedwemayprovideapplicationnotes.

salesoffice,whichisresponsibleforyou.

note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend

-toperformjointRiskandQualityAssessments;

-theconclusionofQualityAgreements;

therealizationofanysuchmeasures.

Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.

Changesofthisproductdatasheetarereserved.

preparedby:MK

dateofpublication:2013-11-05

approvedby:WR

revision:2.1

approvedby:WR revision:2.1 VorläufigeDaten PreliminaryData

VorläufigeDaten

PreliminaryData

DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung

derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese

IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine

solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien

jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und

SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine

spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin

Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.

AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin

diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung.

SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden

Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle

-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund

Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill

havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch

Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted

exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits

characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered.

Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof

ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically

Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe

ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please

-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon

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