DEPARTAMENTO DE ELCTRICA Y ELECTRNICA

CARRERA DE INGENIERIA MECATRNICA

TEMA:
Transistor BJT Configuracin en Emisor Comn

Realizado por:
Mara Bolaos
Gabriel Guerra
Diego Guamn
Sebastin Larrea

PROFESOR: Ing. SANTIAGO MANUEL CHAMORRO

NRC: 2291

Fecha: 06/01/2017

Contenido

FUNDAMENTOS FSICOS................................................................................ 4
FUNCIONAMIENTO CUALITATIVO..................................................................4
CONFIGURACION EMISOR COMN.................................................................4
Comportamiento en configuracin emisor comn......................................................5
Regin activa.................................................................................................. 6
Regin de Corte........................................................................................... 6
Regin de Saturacin.................................................................................... 7
Ganancia de Corriente (beta).......................................................................8
Ganancia de Voltaje............................................................................. 8
Bibliografa..................................................................................................... 9

Tema: Transistor Bipolar O BJT

INTRODUCCIN
El transistor bipolar es un dispositivo semiconductor de tres terminales -emisor,
colector y base-, que, atendiendo a su fabricacin, puede ser de dos tipos: NPN y PNP.
La forma de distinguir un transistor de tipo NPN de un PNP es observando la flecha del
terminal de emisor. En un NPN esta flecha apunta hacia fuera del transistor; en un PNP
la flecha apunta hacia dentro. (Boylestad, 2009)
Es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos una cantidad
de corriente por una de sus patillas (base), el entregar por otra (emisor), una cantidad
mayor a sta, en un factor que se llama amplificacin. Recibe el nombre de bipolar por
el hecho de que la corriente que lo atraviesa est formada por dos tipos de portadores:
mayoritarios al atravesar la regin del emisor y colector y minoritarios en la base.
(Boylestad, 2009).

FUNCIONAMIENTO GENERAL
La polarizacin directa de la juntura BE origina una circulacin de corriente por
difusin. Una circulacin de corriente por difusin.
Los huecos que pasan de Emisor a Base son acelerados por el campo elctrico presente
en la zona de vaciamiento en CB y llegan al Colector. Asimismo existe una corriente de
electrones de Base a Emisor. Como el dopado de Base es mucho menor que el de
Emisor, la corriente de electrones ser inferior a la de huecos, siendo en este caso un
dispositivo que funciona en base a huecos.
La Base debe tener un ancho menor a la longitud de difusin para minimizar la
recombinacin de difusin para minimizar la recombinacin.

Ilustracin 1 Transistor BJT

I EP=

Corriente de difusin de huecos desde E a B

I CP =

Corriente de difusin de huecos que logra atravesar la B y llega a C.Si

la Base est bien diseada, la recombinacin de huecos en esa zona es

I EP I CP
prcticamente nula

I EN =

Corriente de difusin de electrones de B a E (

I EP

I CN =

Corriente de saturacin inversa de electrones (

I CP

I B=

Corriente de base. Muy pequea, debida a que

I E IC

FUNDAMENTOS FSICOS
Un transistor se puede considerar como un diodo en directa (unin emisor-base) y
un diodo en inversa (unin base-colector) (Prez, 2006)

FUNCIONAMIENTO CUALITATIVO
En funcin de las tensiones que se apliquen a cada uno de los tres terminales del
transistor bipolar podemos conseguir que ste entre en una regin u otra de
funcionamiento.

CONFIGURACION EMISOR COMN

Se llama configuracin en emisor comn porque el emisor es comn o sirve de
referencia para las terminales de entrada y salida (en este caso es comn para las
terminales base y colector)
El emisor se conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida.

Aun cuando la configuracin del transistor cambi, las relaciones de corriente

previamente desarrolladas para la configuracin en base comn siguen siendo vlidas,
entonces:
I E =I C + I B
I C = I E
Comportamiento en configuracin emisor comn
Para describir plenamente el comportamiento de la configuracin en emisor comn
se requieren dos conjuntos de caractersticas o parmetros: uno para el circuito de
entrada o de base-emisor y uno para el circuito de salida o de colector-emisor.
Parmetros de entrada
Las caractersticas de entrada son una grfica de la corriente de entrada
el voltaje de entrada

V BE

para un intervalo de valores del voltaje de salida

IB

contra

V CE

Parmetros de salida
Las caractersticas de salida son una grfica de la corriente de salida
voltaje de salida

V CE

IC

para un intervalo de valores de la corriente de entrada

con el
IB

Regin activa
En la regin activa de un amplificador en emisor comn, la unin base-emisor se
polariza en directa en tanto que la unin colector-base est en inversa. La regin activa
de la configuracin en emisor comn se emplea para amplificar voltaje, corriente o
potencia.
Regin de Corte
Tanto la unin base-emisor como la unin colector-emisor de un transistor tienen
polarizacin inversa. En la regin de corte la IC no es igual a cero cuando IB es
cero.
Para propsitos de amplificacin lineal (la menor distorsin), el corte para la
configuracin emisor comn se definir mediante:

IC=ICEO
IB=0 A

Para
La regin por debajo de

IB=0 A

debe evitarse si se requiere una seal de salida

sin distorsin.

Regin de Saturacin
Tanto la unin base-colector como la unin base-emisor de un transistor tienen
polarizacin directa.
Cuando

V CE

es 0.2V (Silicio) la

IC

cae a cero debido a que las uniones estn

en polarizacin directa, las corrientes se anulan.

Ganancia de Corriente (beta)

La ganancia de corriente se encuentra dividiendo la corriente de salida (IC)

entre

la de entrada (IB)
IC =IB
La ganancia de corriente en un transistor es grande, debido a que la corriente de
salida (IC) es mayor que la corriente de la entrada (IB) . Suele tener un rango
entre 40 y 400, con la mayora dentro del rango medio.
es un parmetro importante porque ofrece una relacin directa entre los niveles de
corriente de los circuitos de entrada y los de salida en emisor comn.
I C=IB
Y dado que
IE=IC+ IB
IE= IB+ IB

Se tiene que

IC=( +1)IB

Ganancia de Voltaje
Los amplificadores con emisor a tierra pueden proporcionar ganancias de voltaje y
de potencia mucho mayores que los de base comn.

GV =

VC RC
=
VE

Uso Configuracin Emisor Comn

Es la configuracin ms usada puesto que amplifica tanto corriente como voltaje.
Es la ms usada para circuitos de baja frecuencia debido a la alta impedancia de entrada.
Usado en amplificadores de audio y de altas frecuencias de radio.

Ejemplo
Si el valor de Vcc =12 V el valor de
190k

respectivamente Hallar

=170

IB

IC

y los valores de Rc y Rb son 2 k

y

V CE

10

Malla en la entrada
V BB + RBI B +V BE=0
5+ 190103I B +0.7=0
I B=

50.7
=0.022[mA ]
3
19010

IC
IB

I C =I B =0.022mA170=3.84[mA ]
Malla en la Salida
V CC + RCI C +V CE =0
15+21033.84103+ V CE =0
V CE = 7.52 [V]

Bibliografa
Boylestad, R. (2009). Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos. Mxico:
PEARSON EDUCACIN.
Prez, J. (2006). El transistor Biplar de Unin (BJT). Obtenido de
http://www.ie.itcr.ac.cr/marin/lic/el2207/wmarinCH03.pdf

11
Transistor bipolar BJT. (s.f.). Recuperado el 29 de 12 de 2016, de
http://lcr.uns.edu.ar/electronica/Introducc_electr/2011/clases/BJT.pdf