Technische Information / Technical Information

Dioden-Modul mit Chopper-IGBT

Diode Module with Chopper-IGBT

DD B6U 100 N 16 RR

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Netz-Diode / Rectifier diode
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage

VRRM

Tvj = - 40C...Tvj max

Durchlastrom-Grenzeffektivwert (pro Element)

RMS forward current (per chip)

1600

60

Id

100
104

A
A

IFSM

650
550

A
A

IFRMSM

Ausgangsstrom
output current

TC = 100C

Stostrom-Grenzwert
surge forward current

Tvj = 25C, t p = 10ms

Grenzlastintegral
It-value

Tvj = 25C, t p = 10ms

TC = 97C

Tvj = Tvj max, tp = 10ms

It

2100
1500

As
As

Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage

VCES

1200

Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current

IC

50

Tvj = Tvj max, tp = 10ms

IGBT

Periodischer Kollektor-Spitzenstrom
repetitive peak collektor current

tp = 1ms

ICRM

100

Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation

TC = 25C

Ptot

350

VGE

20

IF

25

tp = 1ms

IFRM

50

RMS, f = 50Hz, t = 1min

VISOL

2,5

kV

Gate-Emitter Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Schnelle Diode / Fast diode
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
Modul
Isolations-Prfspannung
insulation test voltage
Charakteristische Werte / Characteristic values
Netz-Diode / Rectifier diode

min. typ. max.

Durchlaspannung
forward voltage

Tvj = Tvj max, iF = 100A

vF

1,55

Schleusenspannung
threshold voltage

Tvj = Tvj max

V(TO)

0,75

Ersatzwiderstand
forward slope resistance

Tvj = Tvj max

rT

5,5

Sperrstrom
reverse current

Tvj = Tvj max, vR = VRRM

iR

mA

Kollektor-Emitter Sttigungsspannung
collector-emitter saturation voltage

Tvj = 25C, iC = 50A, vGE = 20V

vCE sat

Gate-Emitter-Schwellspannung
gate-emitter threshold voltage

Tvj = 25C, iC = 2mA, v GE = vCE

IGBT

BIP PPE 4 rev.2

Tvj = 125C, i C = 50A, vGE = 20V

27. Okt 05

A 16/05

vGE(TO)

4,5

2,5
3,1

3,2

5,5

6,5

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Dioden-Modul mit Chopper-IGBT
Diode Module with Chopper-IGBT

DD B6U 100 N 16 RR

IGBT

min. typ. max.

Eingangskapazitt
input capacitance

Tvj = 25C, f0 = 1MHz,

Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current

Tvj = 25C, vCE = 1200V, v GE = 0V

Gate-Emitter Reststrom
gate leakage current

Tvj = 25C, vCE = 0V, vGE = 20V

Emitter-Gate Reststrom
gate-leakage current

Cies

3,3

iCES

0,8
4,0

nF

vCE = 25V, vGE = 0V

mA

iGES

500

nA

Tvj = 25C, vCE = 0V, vEG = 20V

iEGS

500

nA

Durchlaspannung
forward voltage

Tvj = 25C, iF = 25A

vF

2,9

Sperrverzgerungsladung
recovered charge

iFM = 25A, -di/dt = 800A/s, v R = 600V

Tvj = 125C, vCE = 1200V, v GE = 0V

Schnelle Diode / Fast diode

Tvj = 125C, i F = 25A

2,3
1,8

Qr
2,3
6,0

Tvj = 25C
Tvj = 125C

As
As

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Netz-Diode / Rectifier diode, = 120rect RthJC

Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case

Transistor / Transistor, DC
Schnelle Diode / Fast diode, DC

bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink

Netz-Diode / Rectifier diode

RthCK

Transistor / Transistor
Schnelle Diode / Fast diode

Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature

Tvj max

Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature

max. 1,15
max. 0,38
max. 1,00

C/W
C/W
C/W

max. 0,25
max. 0,24
max. 0,30

C/W
C/W
C/W

150

Tc op

- 40...+150

Tstg

- 40...+150

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix

Seite 3
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Innere Isolation
internal insulation

Al2O3

Anzugsdrehmoment fr mechanische Befestigung

mounting torque
Gewicht
weight

Toleranz / tolerance 15%

M1
G

Kriechstrecke
creepage distance

4
typ.

185

12,5

mm

Khlkrper / heatsinks :

BIP PPE 4 rev.2

27. Okt 05

Nm

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BIP PPE 4 rev.2

27. Okt 05

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