Imperfecciones Cristalinas

TEMA 3

IMPERFECCIONES CRISTALINAS

1. INTRODUCCIN

Se dice que los cristales se caracterizan porque sus tomos estn situados en posiciones
fijas, pero esto no es completamente cierto, ya que los tomos se mueven dentro de unos
lmites, de una posicin a otra.

Son muy pocas las veces en que los cristales son perfectos. Estos contienen varios tipos
de defectos e imperfecciones que afectan a la mayora de las propiedades tanto fsicas como
mecnicas, elctricas, electrnicas, etc. Por otra parte, estos defectos tienen influencia sobre el
comportamiento de los materiales desde el punto de vista de ingeniera, tales como: velocidad
de difusin, conductividad en semiconductores, corrosin o comportamiento mecnico entre
otros.

Normalmente, el cristal no esta compuesto por tomos idnticos situados en posiciones

anlogas sobre una red tridimensional que se repite regularmente, como se ha supuesto en el
tema anterior, sino que contiene imperfecciones o defectos que alteran la estructura de la red
espacial. Esta separacin de la perfeccin es discreta y finita, pudindose considerar la red
como una superposicin de imperfecciones sobre una estructura cristalina perfecta. Se conside-
ra como imperfeccin cualquier desviacin del modelo ideal de esferas rgidas que se ha
considerado al estudiar las agrupaciones de los slidos.

Al ser un concepto geomtrico vamos a tratar separadamente cada uno de los tipos de
imperfecciones. Segn su geometra y forma se clasifican en: Puntuales, Lineales, Superficia-
les y de Volumen.

Los defectos puntuales estn localizados en posiciones atmicas de la red, las vacantes, impu-
rezas, la falta o exceso de electrones, son defectos de ste tipo.

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Defectos lineales son aquellos que se extienden a lo largo de una lnea del cristal, esta lnea no
es necesariamente recta puede ser curva, cerrada o incluso en forma de lazo. Aunque hay
distintos tipos, se las conoce en general como dislocaciones.

Los defectos bidimensionales o de superficie, son los formados en el proceso de formacin del
cristal por errores de apilamiento de los planos (stacking fault), por agrupacin de defectos
lineales, o sirven de lmite entre zonas ordenadas del cristal, siendo la regin en la que se
interrumpe el orden del mismo (bordes de grano).

Defectos de volumen son defectos a gran escala de tipo macroscpico y representan una
inhomogeneidad en la masa del slido. Grietas, poros, inclusiones etc. son defectos de ste
tipo. Estos, debido a que se forman principalmente en el proceso de solidificacin y ser ma-
croscpicos se estudiarn al hablar de la solidificacin.

En los slidos amorfos se pueden tambin considerar imperfecciones en sus estructu-

ras, sin embargo en estos materiales al tener un orden de corto alcance la consideracin de los
defectos es distinto a los slidos cristalinos.

-8
A efectos de comparacin el tamao de los distintos defectos puede variar desde 10
cm para los defectos puntuales, hasta varios cm para defectos superficiales, influyendo cada
uno de ellos de forma muy importante en muchas propiedades de los slidos. El comporta-
miento elctrico de los semiconductores est controlado por las imperfecciones cristalinas. La
conductividad del silicio se puede incrementar en varios miles de veces, aadindole pequeas
cantidades (0,01%) de arsnico, cada tomo de arsnico en este caso se ha convertido en un
defecto puntual de la red del silicio. La existencia de estos defectos que alteran considerable-
mente la conductividad elctrica de algunos materiales es la base de las aplicaciones de los
semiconductores.

La presencia de los defectos de tipo lineal (dislocaciones) proporcionan un mecanismo

que permite la deformacin de los metales con gran facilidad permitindoles el cambio de
forma permanente (plasticidad). Tambin disminuyen drsticamente la resistencia mecnica de
los slidos cristalinos. Las dislocaciones, como se ve, juegan un papel importante en el com-
portamiento mecnico de los materiales.

La capacidad de los materiales ferromagnticos (hierro, nquel, cobalto) para magneti-

zarse y desmagnetizarse, depende en gran parte de la existencia de imperfecciones superficia-
les conocidas como paredes de Bloch. Estas son los lmites entre dos regiones del cristal con

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diferente estado magntico.

Finalmente, la existencia de grietas inducen gran fragilidad en los materiales, disminu-

yendo bruscamente su resistencia pudiendo romper con tensiones aplicadas muy pequeas.

2. IMPERFECCIONES PUNTUALES

Es una interrupcin muy localizada en la regularidad de la red. Los defectos son de

dimensiones atmicas y en general son debidos a: La ausencia de un tomo en la matriz,
vacancia, a la presencia de impureza (tomos de distinta naturaleza que los que forman el
cristal) , o a la colocacin incorrecta de un tomo en la red cristalina, intersticio. Figura 1.

Los procesos que originan este tipo de

defecto suelen ser muy variados, y entre ellos
podemos citar:

1.- La temperatura, el aumento de esta aumen-

ta la amplitud de vibracin de los tomos,
permitindoles emigrar y cambiar sus po-
siciones en la red, produciendo defectos
puntuales.
Figura 1
2.- Enfriamiento rpido, manteniendo los
defectos existentes a temperaturas superiores.

3.- Procesos de deformacin plstica, los movimientos relativos de planos cristalinos generan
gran cantidad de defectos tanto puntuales como de otros ordenes.

4.- La irradiacin con partculas de alta energa, produce desplazamientos puntuales de tomos
y con ellos la creacin de ste tipo de defectos

Cuando un tomo extrao ocupa una posicin correspondiente a un tomo de la matriz

se denomina tomo de impureza substitucional, y cualquier otro tomo extrao situado en un
intersticio entre los de la red se llama tomo de impureza intersticial. La posicin que tiende a
ocupar en el hueco es funcin del tamao atmico relativo de la impureza, pequeos tomos
tienden a ser impurezas de insercin, mientras que grandes tomos son generalmente impure-

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zas de substitucin.

Los tomos en posiciones

intersticiales suelen ser mayores que
el hueco, y tienden a empujar a
mayor distancia a los tomos vecinos
produciendo una distorsin de los
planos reticulares. Los intersticios
pueden producirse por la severa Figura 2
distorsin local que se presenta
durante la deformacin plstica, as como, por irradiacin etc.

Las vacantes son defectos puntuales de la red cristalina y consisten en la ausencia de

tomos en algunos lugares normalmente ocupados. Si un tomo de la propia red cristalina
ocupa una posicin intersticial el defecto se
conoce autointersticial Fig. 2.

Una vacante se puede crear por

desplazamientos de tomos internos a la
superficie como vemos en la figura 3, o por
irradiacin. Posteriormente otros tomos
pueden ir saltando al hueco dejado libre,
permitiendo un movimiento fcil de las
vacantes. La existencia de estos defectos en
los slidos son importantes, pues favorecen
y controlan el movimiento de soluto dentro
Figura 3
de una estructura cristalina.

En los cristales inicos, la necesidad de mantener una neutralidad de carga elctrica

implica que la formacin de una vacante de un signo este asociada con otra vacante de signo
contrario, o con un intersticio del mismo signo. Este tipo de defectos se conocen como defecto
de Schottky (pareja de vacantes) o de Frenkel (vacante-intersticio) fig. 4a. La existencia de
autointersticios en los cristales inicos es muy superior a los existentes en los metales puros,
esto es debido a la existencia de grandes huecos disponibles que permiten la fcil introduccin
de los iones. La geometra espacial de las estructuras inicas est condicionada tanto a las
cargas como al tamao de los iones, quedando muchas veces posiciones o huecos vacos.

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Los tomos extraos intersti-

ciales condicionan segn la carga los
defectos de la red. En un cristal con
iones monovalentes la existencia de
impurezas bivalentes necesitar estar
acompaada de ms vacantes o
autointersticios para mantener la
neutralidad elctrica, fig. 4b.

Figura 4

En cristales covalentes las impurezas de substitucin, cuando son de distinto grupo de

la tabla peridica que los tomos de la matriz, inducen la introduccin de un electrn o hueco
electrnico de ms. La substitucin de un tomo del grupo V en un cristal de silicio produce la
aparicin de un electrn muy poco enlazado. De los cinco electrones de la capa exterior del
tomo de impureza, cuatro forman enlaces covalentes con los cuatro tomos de silicio adya-
centes, quedando el quinto sin implicar en ningn enlace covalente, teniendo por tanto una
movilidad similar a los electrones libres en los metales. La adicin por tanto de pequeas
cantidades de impurezas al silicio aumentan notablemente la conductividad elctrica del
mismo. De una forma similar, las impurezas del grupo III en matrices del grupo IV suponen
dejar sin completar un enlace de un tomo de la matriz. Esta falta de enlace o hueco electrni-

Figura 5

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co permite el movimiento de algn enlace prximo para formar el que estaba incompleto fig.
5, permitiendo por tanto la movilidad electrnica y como consecuencia la conductividad
elctrica, al permitir un movimiento neto de carga en presencia de un campo elctrico. Vemos
por tanto, que los defectos de tipo puntual en algunos cristales covalentes controlan la conduc-
tividad elctrica en los mismos y son la base de los semiconductores.

Los defectos puntuales en slidos amorfos son considerados por separado en es-
tructuras de cadenas de tipo polimrico y en estructuras de red. En estos ltimos consideramos
el caso del SiO2 en el que existe un agrupamiento aleatorio de tetraedros de slice. En estado
puro cada tomo de silicio est enlazado covalentemente con cuatro tomos de oxgeno, y cada
oxgeno con dos de silicio, es decir el oxgeno sirve como puente entre dos silicios. Las
imperfecciones surgen cuando se aaden impurezas en la red tridimensional de la slice.
+
Aadiendo por ejemplo NaO2, los iones Na pueden acomodarse en los huecos de la estructura
fig. 6, mientras que el exceso de oxgeno va a causar la rotura de algn puente Si-O-Si, tanto
ms cuanto mayor sea el exceso del mismo, fig. 6. En el caso en que la relacin O/Si sea
4-
cuatro se formara una estructura de tipo cristalino con iones discretos SiO4 , un ion Si en el
centro de un tetraedro con tomos de oxgeno en los vrtices. De esta manera desaparecen
enlaces covalentes fuertes y la temperatura de fusin disminuye. Estos elementos son denomi-
nados modificadores y al ser aadidos a los vidrios permiten su fabricacin a ms bajas tempe-
raturas.

Figura 6

En los materiales polimricos se pueden considerar como defectos puntuales las

variaciones en la linealidad de las cadenas. En este contexto un defecto muy comn es la
ramificacin de los polmeros lineales, fig. 7, esta ramificacin condiciona el comportamiento
mecnico, al dificultar el deslizamiento de las molculas de unas sobre otras.

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Hemos visto como el comportamiento

de los slidos est regulado por la existencia
de defectos en la estructura, el tipo de unin y
de defecto dan lugar a veces a comportamien-
tos tiles desde el punto de vista de ingeniera.

La cantidad de defectos por nmero de

Figura 7
tomos totales a temperatura ambiente es
8
pequea, del orden de uno cada 10 tomos,
pero estos se incrementan rpidamente con la temperatura. La cantidad de defectos en equili-
brio en los cristales se puede calcular a partir de consideraciones energticas. La energa libre
de un cristal ser igual a la energa libre del cristal perfecto Go ms el incremento producido
por la creacin de n defectos nEd (donde Ed es la energa asociada a la formacin de un defec-
to), menos TS, estando T dado en grados Kelviin.

G = Go + n E d - TS (1)

El termino de entropa funcin del desorden del sistema, favorece la estabilidad del
mismo en cuanto contribuye a la disminucin de la energa libre. Este termino est determina-
do por las posibles formas diferentes en que pueden ser agrupadas las distintas imperfecciones
del cristal, siendo:

S = k ln W (2)

donde k es la constante de Woltzman (k= 1.38 10-23 J/K=8.3 Kcal/mol K) y W es el nmero

de formas distintas en que se pueden agrupar las imperfecciones. En un cristal que contiene N
tomos o posiciones, un defecto puntual tiene N posibles lugares diferentes donde formarse. Si
hay dos defectos, el primero tiene N posibles lugares donde acomodarse, quedando N-1
posiciones para el segundo. Luego el nmero total de distintas posibilidades de agrupamiento
ser N(N-1)/2. La divisin por dos proviene del hecho que la colocacin del defecto 1 en el
lugar i y el defecto dos en el lugar j, es la misma situacin que la colocacin del defecto 1 en el
lugar j y el dos en el i. Siguiendo este razonamiento, se puede demostrar que cuando existen n
defectos el nmero de posibles situaciones distintas ser:

N(N - 1)(N - 2)....(N - n + 1)

W= (3)
n!

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multiplicando numerador y denominador por (N-n)!, queda W=N!/(n!(N-n)!), substituyendo

esto en la ecuacin (2) y operando la ecuacin (1) queda:

N!
G = G o + n E d - kT ln (4)
n ! (N - n)!

Esta expresin representa la energa libre del sistema en funcin del nmero de defec-
tos de un cierto tipo. El equilibrio se encontrar cuando este valor sea mnimo, matemtica-
mente cuando G/n = 0. Integrando la ecuacin (4) se obtiene para el equilibrio a una tempe-
ratura la siguiente expresin:

ni
= exp(- E d ) (5)
N kT

La ecuacin (5) permite, conociendo la energa de activacin Ed para un defecto,

determinar el nmero de estos en equilibrio. Ed es distinto para la formacin de una vacante,
que para un intersticio etc.

Ntese que la energa libre del sistema disminuye con la existencia de defectos al
aumentar el trmino TS ecuacin (1), lgicamente tambin se incrementa nEd, existiendo por
tanto un equilibrio para cada temperatura donde se alcanza un mnimo para G.

3. IMPERFECCIONES LINEALES

Al deformarse un metal plsticamente, se comprueba que el esfuerzo realizado es muy

inferior al lmite elstico terico, esto nos lleva a la conclusin de que el deslizamiento no se
produce en los tomos por un simple movimiento de una capa de tomos con respecto a otra;
si no que debe existir algn tipo de debilidad mecnica en los cristales reales que sea la causa
de que el deslizamiento se produzca an con la aplicacin de pequeos esfuerzos.

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Esta diferencia entre las fuerzas de deformacin aparente y real, se produce por el
hecho de que los cristales reales no son perfectos, sino que contienen defectos de lnea, dislo-
caciones, que implican planos extras en la red y facilitan el desplazamiento, produciendo una
distorsin en la red centrada alrededor de una lnea. Estas se pueden formar de muchas mane-
ras, en el proceso de solidificacin, por deformacin permanente, por acumulacin de vacantes
o intersticios, etc., y estn presentes siempre en los cristales reales.

En general existen tres

tipos de dislocaciones. Conside-
remos un cristal perfecto Fig.
8a, y permitmosle que ocurra
un deslizamiento a lo largo del
plano ABCD, este plano es
llamado plano de deslizamiento.
Supongamos que se ha cortado
el cristal por este plano y que se
fuerza a desplazar la parte por
encima del corte una cantidad
igual a un espaciado reticular.
Este desplazamiento se realiza
paralelo al plano ABCD y al
borde del cristal, Fig. 8b. El
Figura 8 resultado es lo que se conoce
como una dislocacin de borde.
Si el desplazamiento es un giro, se obtiene una dislocacin helicoidal, fig. 8c y 8d, por ltimo,
si el desplazamiento es formando un ngulo con la lnea AB se obtiene una dislocacin mixta,
mezcla una de borde y una helicoidal, fig. 8e. Se observa segn lo anterior, que las dislocacio-
nes son alteraciones de la red cristalina en la ordenacin de los planos cristalogrficos, locali-
zndose la interfase del defecto a lo largo de una lnea no necesariamente recta, a lo largo de la
cual, los tomos no guardan las posiciones y distancias que les corresponderan en un cristal
perfecto, con los tomos vecinos. A continuacin se van a analizar cada tipo de dislocacin
con algo ms de detalle, y los efectos que producen en el comportamiento mecnico de los
slidos.

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 Imperfecciones Cristalinas

La dislocacin de borde se puede

entender como la existencia de un semiplano
extra en una parte del cristal. En la figura 9 se
muestra con ms detalle este tipo de defecto.
Como se puede observar, alrededor del
extremo del plano se producen una zona de
tensiones de traccin y compresin, segn se
est por debajo o por encima del plano de
deslizamiento. Esto es debido a que los
tomos estn a una distancia menor o mayor
que la del equilibrio, mientras que a los lados
de la dislocacin la red se mantiene esencial-
Figura 9
mente perfecta. Por convenio cuando el
semiplano extra queda por encima, se denomina dislocacin positiva y se representa por ,
cuando el plano est por debajo se dice que es negativa y se representa por .

Las dislocaciones helicoidales no estn asociadas a ningn semiplano extra y son

producidas por un movimiento cortante de las zonas de un cristal que fueron separadas por un
corte. La zona de distorsin se produce alrededor de la lnea de dislocacin extendindose a
varias filas de tomos. Esta deformacin
produce una superficie espiral, formada por
los planos atmicos alrededor de la lnea de
dislocacin y a travs del cristal, cuyo eje
es la propia lnea de dislocacin, fig. 10.
Las dislocaciones helicoidales pueden ser
de mano derecha o de mano izquierda
segn sea el sentido de giro de la espiral.

La agrupacin de tomos alrededor

de una dislocacin mixta se muestra en la
figura 11. Cuando el desplazamiento de los
tomos es casi paralela a la lnea de dislo-
cacin el defecto es predominantemente
helicoidal, por el contrario cuando el
Figura 10
desplazamiento es perpendicular la disloca-
cin es predominantemente de borde. En

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las zonas intermedias hay mezcla de ambas.

La cantidad de cada tipo depende del ngulo
entre la lnea de dislocacin y la direccin del
desplazamiento.

Las dislocaciones son de gran im-

portancia en el comportamiento de los slidos
y son las responsables de la deformacin de
los materiales cristalinos. Una tensin cortan-
te aplicada a ambos lados de la dislocacin
permite el movimiento de la misma con gran
facilidad, este movimiento se produce sobre Figura 11
el plano de deslizamiento. El resultado de la
deformacin es un movimiento relativo de las partes del cristal a ambos lados del plano de
deslizamiento. Cuando la dislocacin ha pasado a travs del cristal se produce un cambio de
forma permanente (un escaln), habindose desplazado un espaciado atmico una parte con
respecto a la otra, fig. 12. Esto ocurre para cualquier tipo de dislocacin.

El movimiento de las dislocaciones es relativamente fcil y se produce por pequeos

reajustes de los enlaces alrededor del defecto. Si no existiera la dislocacin, para producir una
deformacin plstica en el cristal como la de la figura 12, habra sido necesario que se hubiera
deslizado una parte del cristal sobre la otra, esto implica el tener que vencer al mismo tiempo
las fuerzas de todos los enlaces de los
tomos del plano cristalogrfico que se
mueve, necesitando un gran esfuerzo para
ello. La existencia de dislocaciones produce
le mismo efecto con un esfuerzo considera-
2 4
blemente menor (10 - 10 veces) al producir
el movimiento con pequeos reajustes de los
enlaces alrededor del defecto. Esta propiedad
de las dislocaciones tiene una gran importan-
cia en la plasticidad y nos diferencia clara-
mente las dislocaciones de cualquier otro
tipo de defecto reticular, siendo las respon-
sables en los metales de la gran facilidad de
Figura 12 conformado mediante deformacin plstica.

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 Imperfecciones Cristalinas

Figura 13

Para el estudio de las dislocaciones se utiliza el denominado vector de Burgers (b), fig.
13, que representa la direccin y cantidad del deslizamiento asociado a la misma. Para deter-
minar este vector se utiliza el denominado circuito de Burgers, fig. 13, este consiste en marcar
un circuito alrededor de una lnea de dislocacin, el circuito se realiza por traslacin de tomo
a tomo, desplazndose el mismo nmero de escalones en cada lado del circuito. Si no hubiera
defecto el circuito cerrara. Al existir una dislocacin el cierre no se produce y el vector de
Burgers b ser el vector que se necesita para cerrar el circuito.

Ntese que en una

dislocacin de borde b es
perpendicular a la lnea de
dislocacin, y paralelo al
movimiento del defecto. En
una dislocacin helicoidal b es
paralelo a la lnea de desliza-
miento y perpendicular a su
movimiento.

La concentracin de
dislocaciones se mide como su
longitud por unidad de volu-
-2
men en m , o por el nmero
de lneas de dislocacin que
intersectan una unidad de Figura 14
superficie, la unidad de medi-

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 Imperfecciones Cristalinas

-2
da sigue siendo m . La densidad de dislocaciones depende mucho del proceso seguido por el
material en su obtencin y procesado, (tratamiento trmico, grado de deformacin, etc.). En un
2
cristal preparado con cuidado puede haber del orden de 10 lneas de dislocacin por centme-
10 11 2
tro cuadrado, si se deforma plsticamente puede llegar a tener 10 a 10 dislocaciones/cm .

En los cristales inicos las dislocaciones son ms complejas que en los sistemas
metlicos, pues hay que mantener la neutralidad de carga y la regularidad de apilamiento por
problemas de atracciones y repulsiones electrostticas, esto lleva a la necesidad de tener dos
semiplanos extras asociados a cada dislocacin. Fig. 14, su movimiento y comportamiento est
influenciado por la existencia de iones de distinto signo en la estructura.

4. DEFECTOS SUPERFICIALES

Se deben a imperfecciones localizadas en dos dimensiones, debidas a las alteraciones

en el apilamiento de los planos atmicos a travs de un lmite, tienen gran importancia en el
comportamiento mecnico de materiales. La existencia de estos defectos aumenta la dificultad
de movimiento de las dislocaciones, debido a las barreras que supone la presencia de dichos
defectos. Los defectos bidimensionales ms frecuentes que se suelen presentar son: a) Superfi-
cies libres, b) errores de apilamiento, c) Interfases entre cristales de una misma o distinta fase
pero con diferente orientacin cristalina en el agrupamiento de tomos, o/y con diferente
composicin qumica a travs de la unin, son los llamados lmites de grano, y c) las maclas.

Superficies libres:

Es evidente que los tomos de la superficie de un cristal no pueden estar sometidos a las
mismas fuerzas que las del interior, ya que cada uno de estos va a recibir las acciones de todos
los tomos que los estn rodeando, mientras que los de la superficie reciben solo la energa de
sus vecinos de un solo lado por lo tanto deben tener mayor contenido de energa que los del
interior, Figura 15. El parmetro de la red de los tomos superficiales es ligeramente superior
que el de los tomos del interior. Esta situacin lleva asociada un aumento de energa, en
forma de energa superficial del slido. Este aumento est definido como incremento de ener-
ga en la creacin de nuevas superficies, y depende de la orientacin cristalogrfica, los planos
ms compactos son los que tienen asociados ms baja energa superficial. El aumento de
energa s produce debido a la rotura o falta de enlaces de un tomo en la superficie libre, con
respecto a los que tendra en el interior. Cuanto ms compacto sea el plano, menos enlaces se
rompern y ms sern los tomos vecinos a uno dado, y menor la diferencia de situacin y la

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 Imperfecciones Cristalinas

variacin de energa.

Una disminucin energtica se

producir si se completan algunos de los
enlaces rotos. Por este motivo la adsorcin
de tomos o molculas extraas para com-
pletar algunos enlaces tiende a producirse,
siendo casi imposible mantener atmicamen-
te limpia las superficies. Como consecuencia
las propiedades superficiales como: reactiva-
cin qumica, emisin electrnica, etc. varan
grandemente segn sean las impurezas
adsorbidas.
Figura 15
Defectos de apilamiento:

Los defectos o fallos de apilamiento (stacking fault) son defectos producidos en una
zona local del cristal donde se interrumpe la secuencia normal de ordenacin de planos. Este
defecto se produce en estructuras con apilamientos compactos en las que se pueden presentar
secuencias del tipo ABCABC... en estos casos, se puede producir un error en la formacin del
cristal, por ejemplo una secuencia de apilamiento ABCABABC..., aparece un plano tipo A en
vez de uno C, debido a este error en la secuencia de apilamiento, en el cristal aparece una
pequea regin exagonal en vez de
cubica centrada en las caras. Los
Plano A
stacking fault interfieren en los
procesos de deformacin del mate- C
rial. B1 B2

Cada uno de estos defectos

lleva asociado una energa por
unidad de superficie, siendo gene-
direccin [110]
ralmente mayor para las fallas
extrnsecas que para las intrnsecas. Figura 16

La existencia de estos defectos se ve favorecido por la formacin de la denominadas

dislocaciones parciales, son denominadas as porque su vector de Burgers no es un espaciado
interatmico. En los planos compactos el movimiento de una dislocacin en una direccin de

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 Imperfecciones Cristalinas

deslizamiento se ve muy
dificultado por el apilamiento
de los tomos siendo ms fcil
el movimiento en zig-zag,
descomponindose una
dislocacin completa en dos
parciales. En una red ccc por
ejemplo, figura 16, se puede
observar que el movimiento de
una dislocacin en la direc-
cin [110] para pasar un
tomo desde la posicin B1 a
B2 est geomtricamente muy
dificultado dado que tendra
que pasar sobre los tomos de
la capa A, mientras que si el Figura 17
movimiento lo realiza primero
a la posicin C que est libre y desde aqu a B2 el movimiento es fsicamente ms factible por
pasar a travs de los valles formados en el apilamiento de los planos. A estas dislocaciones
se las denomina dislocaciones de Shockley. La energa de una dislocacin es proporcional al
cuadrado de su vector de Burgers, se puede demostrar fcilmente que el desdoblamiento de
una dislocacin en dos parciales conduce a un estado con un nivel energtico inferior, lo que
hace que se produzcan estas formando defectos de apilamiento. En la figura 17 se puede
observar como una dislocacin en una direccin <110> se desdobla movindose los tomos
del plano tipo C a posiciones tipo A, produ-
ciendo un error de apilamiento de un espacia-
do atmico de espesor,

Lmites de grano:

Los slidos cristalinos en general

estn formados no por un nico cristal, sino
por una gran cantidad de pequeos cristales
orientados al azar y unidos entre ellos por
fuerzas de enlace. Esta situacin se produce
en el proceso de solidificacin formndose los
Figura 18 denominados materiales policristalinos. A

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 Imperfecciones Cristalinas

cada cristal individual se le denomina grano. Las superficies que separan cristales de diferente
orientacin dentro de un agregado policristalino son zonas de defectos en cuanto los tomos no
guardan posiciones atmicas determinadas, sino que se acoplan al hueco existente para servir
de puente de enlace entre granos adyacentes, son los denominados lmites de grano. Como se
puede apreciar en la figura 18 los tomos del lmite entre dos granos (cristales) estn orienta-
dos al azar, no pueden tener un acoplamiento perfecto en cuanto a tomos vecinos; por tanto,
aparece una regin de transicin donde el empaquetamiento atmico es imperfecto, cuando
esto ocurre los tomos estn fuera de sus posiciones de equilibrio y por tanto tendrn mayor
energa potencial que los del interior de los cristales que estn en equilibrio.

Cuando la diferencia de orientacin entre dos cristales adyacentes es pequea, los

lmites entre ellos pueden ser considerados como una agrupacin en cascada de dislocaciones
de borde, fig. 19, o helicoidales si la diferencia de orientacin es un pequeo giro entre dos
superficies alrededor de un eje perpendicular a las mismas. A partir de este modelo se puede
determinar el ngulo formado por los planos equivalentes mediante la expresin:

=b/ D (6)

donde b es el vector de Burgers y D la distancia media entre dislocaciones. Esta expresin es

vlida para ngulos pequeos, alrededor de 10, cuando el ngulo es mayor la distancia D se
hace muy pequea, perdindose la identidad de las dislocaciones.

En la zona lmite, una regin estrecha de pocos

dimetros atmicos de espesor, los tomos estn mal
colocados no guardando las distancias de equilibrio y
rompiendo por tanto la periodicidad de la red, estando
en general a mayor distancia. Estas zonas de ms alta
energa hacen que sean fcilmente visibles al ser
atacadas preferentemente en una preparacin metalo-
grfica. La observacin al microscopio de los slidos
se realiza puliendo la superficie del material de mane-
ra que refleje la luz incidente. Posteriormente se ataca
esta superficie con un cido diluido, producindose un
ataque diferenciado en las zonas de ms energa
(lmites de grano) o distinta orientacin cristalogrfica
o composicin qumica etc., de esta forma se revela en Figura 19
la superficie una topografa, manifestada por distintas

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 Imperfecciones Cristalinas

tonalidades que aparecen en la observacin descubriendo la estructura granular del slido,

fig. 20. Los lmites de grano tambin son zonas favorables de nucleacin y crecimiento de
precipitados, favorecindose la difusin y aumentando la resistencia mecnica. Como
consecuencia de lo anteriormente expuesto, podemos decir que: en un medio corrosivo el
ataque es ms intenso a lo largo del lmite de grano que en el interior, por tanto esto nos sirve
para poner de manifiesto los granos. La fusin se inicia en los lmites de grano a menor tempe-
ratura que en el cristal, los cambios de fase se inician en los lmites de grano, las impurezas
insolubles se van a acumular en los lmites de los granos etc. La existencia de estos lmites
tienen una influencia muy acentuada en el comportamiento del cristal. A medida que los
granos son ms pequeos, ms lmites habr, siendo por tanto el tamao de los mismos decisi-
vo en muchos comportamientos de los slidos.

Figura 20
El tamao medio de los cristales (granos) es importante en los metales, siendo de gran
influencia en el comportamiento de los mismos. A medida que el tamao disminuye, aumentan
los lmites existiendo ms zonas de alta energa y ms barreras a la deformacin a la conduc-
cin elctrica, trmica etc. Esta influencia est tambin condicionada por la temperatura.

Es importante el tener alguna norma a la que nos podamos referir, para poder comparar
estos tamaos. El mtodo ms utilizado es el propuesto por ASTM (American Society for
Testing and Materials), segn la cual el ndice de tamao de grano "n" se mide por:

N = 2n-1

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 Imperfecciones Cristalinas

donde N es el nmero de granos por pulgada cuadrada que existen sobre una muestra, obser-
vada sta a 100 aumentos. As, para un ndice 1 habr un grano en una pulgada cuadrada, y
para un tamao cuatro N=8. A medida que el ndice "n" aumenta el tamao del grano disminu-
2
ye. En la tabla I se listan los valores de N que corresponderan en mm .

TABLA I

Indice del Numero de granos

2
tamao de grano Por mm x 1 Por Pulgada
cuadrada x 100

1 15,5 1,0
2 31,0 2,0
3 62,0 4,0
4 124,0 8,0
5 248,0 16,0
6 496,0 32,0
7 992,0 64,0
8 1980,0 128,0
9 3970,0 256,0
10 7940,0 512,0

La medicin del tamao de grano se hace tanto en superficie media como en dimetro,
obtenindose valores medios. La medicin del ndice ASTM, puede realizarse mediante
plantillas que se superponen en el microscopio sobre la estructura que se est observando a
100 aumentos y por comparacin
determinar el tamao de grano.
Tambin se puede determinar me-
diante medicin a partir de una
micrografa de la que se conocen los
aumentos a los que esta realizada. En
este caso se marca una superficie, ya
sea rectangular o circular, sobre la
micrografa y se cuentan el nmero de
granos que estn dentro de esta
superficie. Hay que tener en cuenta
que los granos que estn completa-

Figura 21

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 Imperfecciones Cristalinas

mente dentro de la zona marcada cuentan como uno y los que no se encuentran completamente
S
dentro cuentan como medio. De esta forma el tamao medio de un grano ser: T = 2 ,
A n
donde T es el tamao medio en las mismas unidades que est S, A son los aumentos totales de
la micrografa y n el nmero de granos contados en la zona marcada, figura 21. La medicin
del dimetro se hace de la misma manera solamente que en este caso se marcan diversas lneas
sobre la micrografa y se cuentan cuantos granos hay en una longitud determinada.

Maclas

Otro tipo de defecto superficial son las

maclas, formadas por el desplazamiento de
tomos de sus posiciones de equilibrio formando
planos de simetra en el cristal. Figura 22.

En el interior de los cristales la estructura

Figura 22
es continua y aparece cambio de orientacin solo
en los bordes de grano, en cambio en las maclas cristalinas se aprecian cambios en dicha orien-
tacin y, sin embargo, son un monocristal por haberse producido el movimiento relativo de los
planos de manera homognea.

Como se puede
apreciar en la figura los
bloques adyacentes son
simtricos con respecto al
plano de maclado, y tienen
los mismos ejes cristalogr-
ficos, pero cada retculo es
la reproduccin del otro en
un espejo. Figura 23.

El maclaje es un
movimiento de planos de
tomos en la red, paralelo a
un plano especfico (de
maclaje) de manera que la
Figura 23

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 Imperfecciones Cristalinas

red se divide en dos partes simtricas diferentemente orientadas. La cantidad de movimiento

de cada plano de tomos en la regin maclada es proporcional a su distancia del plano de
maclaje, de manera que se forma una imagen especular a travs del plano de maclaje.

La formacin de las maclas es debida a esfuerzos cortantes que pueden ser producidos
por tratamiento trmico o procesos de deformacin. Las maclas pueden interferir con los
planos de deslizamiento produciendo un aumento de resistencia en el material. El aumento de
resistencia se produce por el bloqueo de las dislocaciones siendo el efecto tanto mayor cuanto
mayor sea la energa asociada al defecto. Las energas superficiales de los lmites de grano son
superiores a las de los errores de apilamiento y de las maclas, siendo por tanto su efecto
reforzante superior a los otros defectos de tipo superficial.

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