TRANSISTOR FET

TRANSISTOR FET (Introducción).

Los transistores más conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados
así porque la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran
número de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se
encuentra su impedancia de entrada bastante baja.

Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que

pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de
cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo.

2) Explicación de la combinación de portadores.

Puesto que hay una tensión positiva entre el drenador y el surtidor, los
electrones fluirán desde el surtidor al drenador (o viceversa según la configuración
del mismo), aunque hay que notar que también fluye una corriente despreciable
entre el surtidor (o drenador) y la puerta, ya que el diodo formado por la unión
canal – puerta, esta polarizado inversamente.

En el caso de un diodo polarizado en sentido inverso, donde inicialmente los

huecos fluyen hacia la terminal negativa de la batería y los electrones del material
N, fluyen hacia el terminal positivo de la misma.

Lo anteriormente dicho se puede aplicar al transistor FET, en donde, cuando

se aumenta VDS aumenta una región con empobrecimiento de cargas libres

Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado,

así como el esquema de identificación de los terminales. También tendremos que
conocer una serie de valores máximos de tensiones, corrientes y potencias que no
debemos sobrepasar para no destruir el dispositivo. El parámetro de la potencia
disipada por el transistor es especialmente crítico con la temperatura, de modo que
esta potencia decrece a medida que aumenta el valor de la temperatura, siendo a
veces necesaria la instalación de un radiador o aleta refrigeradora. Todos estos
valores críticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de características de
los distintos dispositivos.
3) Explicación de sus elementos o terminales.

Un transistor de efecto campo (FET) típico está formado por una barrita de
material p ó n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro
tipo de material que forma con el canal una unión p-n.
En los extremos del canal se hacen sendas conexiones óhmicas llamadas
respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), más una conexión llamada
puerta (g-gate) en el collar.

La figura muestra el croquis de un FET con canal N

Símbolos gráficos para un FET de canal N

Símbolos gráficos para un FET de canal P

Fundamento de transistores de efecto de campo:

Los transistores son tres zonas semiconductoras juntas dopadas alternativamente

con purezas donadoras o aceptadoras de electrones.
Su estructura y representación se muestran en la tabla.
Modelo de transistor
FET canal n

Modelo de transistor
FET canal p

Las uniones Puerta-Drenador y la Surtidor-Puerta están polarizadas en inversa de

tal forma que no existe otra corriente que la inversa de saturación de la unión PN.
La zona n (en el FET canal n) es pequeña y la amplitud de la zona de deplexión
afecta a la longitud efectiva del canal. La longitud de la zona de deplexión y depende
de la tensión inversa (tensión de puerta).

Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET):

 ZONA ÓHMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se

comporta como una resistencia variable dependiente del valor de VGS. Un
parámetro que aporta el fabricante es la resistencia que presenta el
dispositivo para VDS=0 (rds on), y distintos valores de VGS.
 ZONA DE SATURACIÓN: En esta zona es donde el transistor
amplifica y se comporta como una fuente de corriente gobernada por VGS

3. ZONA DE CORTE: La intensidad de drenador es nula (ID=0).

A diferencia del transistor BJT, los terminales drenador y surtidor del FET pueden
intercambiar sus papeles sin que se altere apreciablemente la característica V-I (se
trata de un dispositivo simétrico).
 La operación de un FET de CANAL P es complementaria a la de un
FET de CANAL N, lo que sigmifica que todos los voltajes y corrientes
son de sentido contrario.

Entre las principales aplicaciones de este dispositivo podemos destacar:

APLICACIÓN PRINCIPAL VENTAJA USOS

Aislador o separador Impedancia de entrada Uso general, equipo de medida,
(buffer) alta y de salida baja receptores
Sintonizadores de FM, equipo para
Amplificador de RF Bajo ruido
comunicaciones
Baja distorsión de Receptores de FM y TV,equipos
Mezclador
intermodulación para comunicaciones
Amplificador con Facilidad para controlar
Receptores, generadores de señales
CAG ganancia
Instrumentos de medición, equipos
Amplificador cascodo Baja capacidad de entrada
de prueba
Amplificadores de cc, sistemas de
Troceador Ausencia de deriva
control de dirección
Amplificadores operacionales,
Resistor variable por
Se controla por voltaje órganos electrónicos, controlas de
voltaje
tono
Amplificador de baja Capacidad pequeña de Audífonos para sordera,
frecuencia acoplamiento transductores inductivos
Mínima variación de Generadores de frecuencia patrón,
Oscilador
frecuencia receptores
Integración en gran escala,
Circuito MOS digital Pequeño tamaño
computadores, memorias

Siempre nos va a interesar estar en la región de saturación, para que la única

variable que me controle la cantidad de corriente que pase por el drenador sea la
tensión de puerta.

Ecuación de Shockley:

ID=IDSS(1-
VGS/Vp)2

Donde:
  Vp es la tensión de puerta que produce el corte en el transistor
FET.
 IDSS es la corriente máxima de drenador que circula por el
transistor, al aumentar VDS, cuando la polarización de la puerta es VSG= 0
vol

PARAMETROS DEL FET

La corriente de sumidero Id es función tanto de la tensión de

sumidero Vds como de la puerta Vgs. Como la unión está
polarizada inversamente, suponemos que la corriente de puerta es
nula, con lo que podemos escribir:
Ig = 0 e Id = ƒ(Vds, Vgs)

En la zona de estricción (saturación) en que las características son casi

rectas (en el gráfico, son horizontales, pero en realidad tienen una
pendiente positiva) podemos escribir la respuesta del transistor para
pequeños incrementos de Vds y Vgs en esta forma

El parámetro rd se llama resistencia diferencial del sumidero del FET, y

es la inversa de la pendiente de la curva. Que como en el gráfico, dicha
pendiente es cero (en la realidad, como he dicho antes existe algo de
pendiente), entonces la rd es infinita (muy grande).
El parámetro gm se le denomina conductancia mutua o
transconductancia, y es igual a la separación vertical entre las
características que corresponden a diferencias de valor de Vgs de 1
voltio.

4) TÉCNICAS DE MANUFACTURA.

Es un dispositivo de tres terminales y dos junturas, creado en un

material semiconductor sólido cristalino (generalmente germanio,
silicio, ó arseniuro de galio) con diferentes contaminaciones, que
permite regular la circulación de una corriente eléctrica mediante una
corriente de control, mucho menor.

El primer transistor se creó en los laboratorios Bell (Estados Unidos de

N.A.) en 1947, partiendo de una oblea de germanio, gracias a los
trabajos de William Shockley, John Bardeen, y Walter Brattain, por lo
cual recibieron el premio Nobel.

En el año 1954, la firma Texas Instruments de Estados Unidos, fabricó

el primer transistor de silicio, lo cual bajó los costos y permitió, gracias
a nuevas técnicas de fabricación, su comercialización a gran escala.

Han reemplazado en la mayoría de las aplicaciones a los tubos ó

válvulas electrónicas, en los circuitos de radio, audio, etc. permitiendo
la fabricación de equipos portátiles e inmunes a vibraciones y de bajo
consumo de energía (en los primeros tiempos se llamaba a los equipos
transistorizados de "estado sólido" o "frios").

Como se indicó con anterioridad, el JFET es un dispositivo de tres

terminales, siendo una de ellas capaz de controlar el flujo de corriente
entre las otras dos. En nuestra explicación sobre el transistor BJT se
utilizó el transistor npn a lo largo de la mayor parte de las secciones de
análisis y diseño, con una sección dedicada a los efectos resultantes de
emplear un transistor pnp. Para el transistor JFET el dispositivo de
canal-n aparecerá como el dispositivo predominante, con párrafos y
secciones dedicadas a los efectos resultantes del uso de un JFET de
canal-p.

La construcción básica del JFET de canal-n se muestra en la figura

siguiente Observe que la mayor parte de la estructura es el material tipo
n que forma el canal entre las capas difundidas en material tipo p. El
extremo superior del canal tipo n se conecta mediante contacto óhmico
a la terminal denominada como drenaje (drain) (D), mientras que el
extremo inferior del mismo material se conecta por medio de contacto
óhmico a la terminal llamada la fuente (source) (S). Los dos materiales
tipo p se encuentran conectados juntos y al mismo tiempo hacia la
terminal de compuerta (gate) (Q). Por tanto, esencialmente el drenaje y
la fuente se conectan en esencia a los extremos del canal tipo n y la
compuerta, a las dos capas del material tipo p. En ausencia de
cualquiera de los potenciales aplicados, el JFET tiene dos uniones p-n
bajo condiciones sin polarización. El resultado es una región de
agotamiento en cada unión, como se ilustra en la figura siguiente, que
se parece a la misma región de un diodo bajo condiciones sin
polarización. Recuérdese también que una región de agotamiento es
aquella región carente de portadores libres y por lo tanto incapaz de
permitir la conducción a través de la región.

Transistor de unión de efecto de campo (JFET).

Muy pocas veces las analogías son perfectas y en ocasiones pueden ser
engañosas, pero la analogía hidráulica de la figura siguiente
proporciona un sentido al control del JFET en la terminal de compuerta
y a la conveniencia de la terminología aplicada a las terminales del
dispositivo. La fuente de la presión del agua puede semejarse al voltaje
aplicado del drenaje a la fuente, el cual establecerá un flujo de agua
(electrones) desde el grifo o llave (fuente). La "compuerta", por medio
de una señal aplicada (potencial), controla el flujo del agua (carga)
hacia el "drenaje". Las terminales del drenaje y la fuente están en los
extremos opuestos del canal-n, como se ilustra en la figura anterior,
debido a que la terminología se define para el flujo de electrones.

Analogía hidráulica para el mecanismo de control del JFET.

VGS = 0 V, Vds cualquier valor positivo

En la figura siguiente se ha aplicado un voltaje positivo VDS y a través

del canal y la compuerta se ha conectado en forma directa a la fuente
para establecer la condición VGS = 0 V. El resultado es que las
terminales de compuerta y fuente se hallan al mismo potencial y hay
una región de agotamiento en el extremo inferior de cada material p,
semejante a la distribución de las condiciones sin polarización de la
figura del transistor FET. En el instante que el voltaje vDD ( = VDS) se
aplica, los electrones serán atraídos hacia la terminal de drenaje,
estableciendo la corriente convencional ID con la dirección definida de
la figura siguiente la trayectoria del flujo de carga revela con claridad
que las comentes de fuente y drenaje son equivalentes (ID = Is). Bajo las
condiciones que aparecen en la figura siguiente, el flujo de carga es
relativamente permitido y limitado únicamente por la resistencia del
canal-n entre el drenaje y la fuente.

JFET en la región VGS = 0 V y VDS > 0 V.

Es importante observar que la región de agotamiento es más ancha
cerca del extremo superior de ambos materiales tipo p. La razón para el
cambio en la anchura de la región se puede describir mejor con la ayuda
de la figura siguiente. Suponiendo una resistencia uniforme en el canal-
n, la resistencia del canal puede dividirse en las partes que aparecen en
la figura siguiente. La corriente ID establecerá los niveles de voltaje a
través del canal, como se indica en la misma figura. El resultado es que
la región superior del material tipo p estará inversamente polarizada
alrededor de los 1.5 V, con la región inferior inversamente polarizada
sólo en los 0.5 V. Recuérdese, la explicación de la operación del diodo,
que cuanto mayor sea la polarización inversa aplicada, mayor será la
anchura de la región de agotamiento, de aquí la distribución de la
región de agotamiento que se muestra en la figura siguiente. El hecho
de que la unión p-n esté inversamente polarizada en la longitud del
canal da por resultado una corriente de compuerta de cero amperes,
como se ilustra en la misma figura. El hecho que iG = O A es una
importante característica del JFET.

Variación de los potenciales de polarización inversa a través de la unión

p-n de un JFET de canal n.

5) Explicación de su encapsulado e identificación de sus terminales.

La fabricación de varios de estos dispositivos conectados en diversas

configuraciones en una misma oblea de silicio, permitió crear los
circuitos integrados o chips, base de todos los aparatos electrónicos
modernos.
Conectados de manera apropiada, permite amplificar señales muy
débiles, convertir energía, encender o apagar sistemas de elevada
potencia, crear osciladores desde frecuencias bajas hasta frecuencias
de radio, etc.

Según sea el orden de los materiales que forman las junturas, existen
los transistores tipo NPN ó PNP, los cuales, en disposiciones circuitales
apropiadas permiten crear una enorme cantidad de circuitos para
diversos fines, ya que se complementan pues funcionan con sentidos
opuestos de circulación de corriente.
En la actualidad, existen una gran variedad de transistores, de efecto de
campo o FET (el electrodo de control actúa por medio de campo
eléctrico), los tipo unijuntura, los MOS o de óxido metálico (variante de
los FET), y otras variaciones como los VMOS (usados para controlar
grandes potencias y tensiones), etc.

Existe una innumerable cantidad de diseños, especializados para alta

potencia, bajo ruido eléctrico, alta frecuencia, alta ganancia de
corriente, alta tensión, aplicaciones de conmutación, etc.