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Sistemas Digitales Ing. Cesar Cuchillas

Transistores FET

Los transistores ms conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados as
porque la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran
nmero de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra
su impedancia de entrada bastante baja.

Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que

pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de
cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo.

El transistor FET es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente por

un canal semiconductor, aplicando un campo elctrico perpendicular a la trayectoria de
la corriente.

Puesto que hay una tensin positiva entre el drenador y el surtidor, los electrones
fluirn desde el surtidor al drenador (o viceversa segn la configuracin del mismo),
aunque hay que notar que tambin fluye una corriente despreciable entre el surtidor (o
drenador) y la puerta, ya que el diodo formado por la unin canal puerta, esta
polarizado inversamente. En el caso de un diodo polarizado en sentido inverso, donde
inicialmente los huecos fluyen hacia la terminal negativa de la batera y los electrones
del material N, fluyen hacia el terminal positivo de la misma.

Lo anteriormente dicho se puede aplicar al transistor FET, en donde, cuando se

aumenta VDS aumenta una regin con empobrecimiento de cargas libres

Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado,

as como el esquema de identificacin de los terminales. Tambin tendremos que
conocer una serie de valores mximos de tensiones, corrientes y potencias que no
debemos sobrepasar para no destruir el dispositivo. El parmetro de la potencia
disipada por el transistor es especialmente crtico con la temperatura, de modo que
esta potencia decrece a medida que aumenta el valor de la temperatura, siendo a
veces necesaria la instalacin de un radiador o aleta refrigeradora. Todos estos
valores crticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de caractersticas de los
distintos dispositivos.
Elementos o terminales.

Un transistor de efecto campo (FET) tpico est formado por una barrita de material p n,
llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma
con el canal una unin p-n.
En los extremos del canal se hacen sendas conexiones hmicas llamadas respectivamente
sumidero (d-drain) y fuente (s-source), ms una conexin llamada puerta (g-gate) en el collar.

La figura muestra el croquis de un FET con canal N

Smbolos grficos para un FET de canal N

Smbolos grficos para un FET de canal P

Fundamento de transistores de efecto de campo:

Los transistores son tres zonas semiconductoras juntas dopadas alternativamente con
purezas donadoras o aceptadoras de electrones.
Su estructura y representacin se muestran en la tabla.

Modelo de transistor
FET canal n
 Modelo de transistor
FET canal p

Las uniones Puerta-Drenador y la Surtidor-Puerta estn polarizadas en inversa de tal

forma que no existe otra corriente que la inversa de saturacin de la unin PN.
La zona n (en el FET canal n) es pequea y la amplitud de la zona de deplexin afecta
a la longitud efectiva del canal. La longitud de la zona de deplexin y depende de la
tensin inversa (tensin de puerta).

Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET):

ZONA HMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta como una

resistencia variable dependiente del valor de VGS. Un parmetro que aporta el
fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rds on), y
distintos valores de VGS.

ZONA DE SATURACIN: En esta zona es donde el transistor amplifica y se

comporta como una fuente de corriente gobernada por VGS

ZONA DE CORTE: La intensidad de drenador es nula (ID=0).

A diferencia del transistor BJT, los terminales

drenador y surtidor del FET pueden intercambiar
sus papeles sin que se altere apreciablemente la
caracterstica V-I (se trata de un dispositivo
simtrico).

La operacin de un FET de CANAL P es

complementaria a la de un FET de CANAL N, lo
que sigmifica que todos los voltajes y corrientes
son de sentido contrario.

Curva caracterstica del transistor FET

Este grfico muestra que al aumentar el voltaje Vds (voltaje drenador -

fuente), para un Vgs (voltaje de compuerta) fijo, la corriente
aumenta rpidamente (se comporta como una resistencia)
hasta llegar a un punto A (voltaje de estriccin), desde donde la
corriente se mantiene casi constante hasta llegar a un punto B (entra en la
regin de disrupcin o ruptura), desde donde la corriente
aumenta rpidamente hasta que el transistor se destruye.
 Si ahora se repite este grfico para ms de un voltaje de compuerta a surtidor (Vgs),
se obtiene un conjunto de grficos. Ver que
Vgs es "0" voltios o es una tensin de valor
negativo.

Si Vds se hace cero por el transistor no

circular ninguna corriente.

Para saber cual es el valor de la corriente se utiliza la frmula de la curva

caracterstica de transferencia del FET.

Ver grfico de la curva caracterstica de transferencia de un

transistor FET de canal tipo P en el grfico inferior derecha. La
frmula es: ID = IDSS (1 - [Vgs / Vgs (off)] )

Donde:

1. IDSS es el valor de corriente cuando la Vgs = 0

2. Vgs (off) es el voltaje cuando ya no hay paso de corriente entre drenaje y

fuente (ID = 0)

3. Vgs es el voltaje entre entre la compuerta y la fuente para la que se desea

saber ID

Resistencia del canal RDS Como Vgs es el voltaje que controla el paso de la corriente
ID (regula el ancho del canal), se puede comparar este comportamiento como un
resistor cuyo valor depende del voltaje VDS. Esto es slo vlido para Vds menor que
el voltaje de estriccin (ver punto A en el grfico).

Entonces si se tiene la curva caracterstica de un transistor FET, se puede encontrar

La resistencia RDS con la siguiente frmula: RDS = VDS/ID

Entre las principales aplicaciones de este dispositivo podemos destacar:

APLICACIN PRINCIPAL VENTAJA USOS

Aislador o separador Impedancia de entrada alta Uso general, equipo de medida,

(buffer) y de salida baja receptores

Sintonizadores de FM, equipo para

Amplificador de RF Bajo ruido
comunicaciones
 Baja distorsin de Receptores de FM y TV,equipos para
Mezclador
intermodulacin comunicaciones

Facilidad para controlar

Amplificador con CAG Receptores, generadores de seales
ganancia

Instrumentos de medicin, equipos

Amplificador cascodo Baja capacidad de entrada
de prueba

Amplificadores de cc, sistemas de

Troceador Ausencia de deriva
control de direccin

Amplificadores operacionales,
Resistor variable por
Se controla por voltaje rganos electrnicos, controlas de
voltaje
tono

Amplificador de baja Capacidad pequea de Audfonos para sordera,

frecuencia acoplamiento transductores inductivos

Mnima variacin de Generadores de frecuencia patrn,

Oscilador
frecuencia receptores

Integracin en gran escala,

Circuito MOS digital Pequeo tamao
computadores, memorias

Siempre nos va a interesar estar en la regin de saturacin, para que la nica variable
que me controle la cantidad de corriente que pase por el drenador sea la tensin de
puerta.