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FICHE MATIERE
Chapitre 1
La Diode Jonction
Nombre dheures/chapitre : 4h
Cours intgr
Systme dvaluation : Continu
OBJECTIFS DE LENSEIGNEMENT :
- Connatre les composants lmentaires de llectronique et leurs applications dans les
fonctions de base
CONTENU THEORIQUE :
Dans se chapitre on sintresse la base de fabrication et de fonctionnement dune diode
jonction tout en caractrisant sa rponse pour diffrent mthode de polarisation.
En fin en dtaille ses schmas quivalent tout en improuvant tout a avec des applications
explicatifs.
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Chapitre 1
La Diode Jonction
1. Introduction :
Une diode est un diple passif non linaire, polaris dont le fonctionnement macroscopique est
assimilable celui dun interrupteur command qui ne laisse passer le courant que dans un seul
sens.
anode cathode
anode cathode
ID
VAK
VAK
Figure I-1
2. La jonction PN :
Une jonction est la limite de sparation entre un semiconducteur de type N et un
semiconducteur de type P.
Cette diffusion des lectrons et des trous donne naissance un courant de majoritaires IM
appel courant de diffusion. Ce phnomne va sarrter quand un champ lectrique Ed, cre par
les ions fixes sera suffisant pour sopposer au mouvement des porteurs majoritaires. Il apparat,
alors, entre les semiconducteurs de type N et de type P, une diffrence de potentiel V0, appele
barrire de potentiel.
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Celle-ci maintient les porteurs majoritaires dans leurs zones respectives, sauf pour ceux qui
possdent une nergie W0=eV0 ncessaire pour franchir la barrire. Le courant d ces porteurs
est de la forme :
eV0
I M = I 0 exp ( )
KT
Trous
minoritaires
+ _ Trous
... . . + _ majoritaires
+
Electrons
majoritaires . . . . +
_
_
..
+ _
.. + _
Ed ..
...
N P
Zone de
transition
V0
Par contre, cette barrire de potentiel va favoriser le passage des porteurs minoritaires (les
lectrons cte P, les trous ct N) conduisant un courant Is trs faible, appel courant de
saturation Is. Ce courant ne dpend que du nombre des porteurs minoritaires se trouvant au
voisinage de la jonction et indpendant de V0.
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Les deux courants antagonistes (diffusion des majoritaires et conduction des minoritaires)
squilibrent et leur somme est nulle en rgime permanent et en absence de champ lectrique
extrieur.
I M - Is = 0
Et le courant de saturation scrit alors :
eV 0
I s = I 0 exp ( )
KT
2.4. Polarisation directe :
Supposons que le potentiel du semiconducteur de type N restant constant, on relve, laide
dune source dnergie externe, le potentiel du semiconducteur de type P, la barrire de potentiel
passe, alors, de V0 V0 - VD.
ID +
VD
IM J Im
A K
P N
V0
Figure I-3
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eVD
I i = I s [1 - exp (- )] I s
KT
+
Ii
VD
K
A
P N
V0
Figure I-4
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3. Caractristiques lectriques :
3.1. Caractristique courant / tension :
On a vu prcdemment que le courant tait ngligeable pour une tension VD= VP -VN ngative
(ceci est vrai jusqu une tension VC dite tension de claquage). Au-dessus dun certain seuil V0, le
courant direct croit trs rapidement avec VD.
e 1.59.10 19
pour t = 27 C, T = 300 K, = 39 soit, VT 26 mV
KT 1.38.10 23 x 300
Figure I-5
3.2. Rsistance diffrentielle (ou dynamique) :
La rsistance dynamique tant linverse de la pente en un point de fonctionnement de la
caractristique. Cest la rsistance dynamique au point de fonctionnement (Vd, Id). Elle est
fonction du courant de polarisation Id au point tudi.
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La figure I-6 donne la valeur de rd en fonction de la tension de la diode : les variations sont
trs importantes :
Figure I-6
e VD 1 di e e VD dv KT 1 e VD
i = Is [exp ( ) -1] ; = = Is exp ( ) . Donc r = = exp (- )
KT r dv KT KT di e Is KT
4 Schma quivalent :
Plusieurs schmas quivalents simplifis sont proposs pour la reprsentation de la diode.
anode cathode
i v = 0 si i > 0
V V
i = 0 si v < 0
Figure I-7
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i
V0
i
V
V V0
Figure I-8
i
V0
i
V0 V
V
Figure I-9
Remarque : Dans ce cas, on considre que la rsistance dynamique est constante. Ce qui nest
vrai que si la variation du signal alternatif est trs petite autour du point de polarisation en
continu.
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5. Point de fonctionnement :
Considrons le circuit de la figure I-10. La caractristique I = f(V) dune diode relle tant non
linaire, le point de fonctionnement peut tre dtermin graphiquement. En traant sur un mme
graphique la droite de charge statique dfinit par lquation :
EV
I=
R
Le point de fonctionnement de la diode, dfinit par (IM, VM) est lintersection des deux courbes
(figure I-11)
E V0 E.r + V0 R
IM = et VM =
R+r R+r
6. Application :
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Figure I-12
eU D eU
1/ a) De l'quation de la diode I = I s (exp( ) 1) I s exp( D ) on obtient
KT KT
KT I
UD = Ln( D ) do UD = 0.72 V
e Is
KT I
U0 Ln( D )
U0 UD e Is
R= =
I0 I0
R = 1.28 k
KT
c) Rsistance dynamique : rd = ; rd = 39
eI 0
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