Cours de Physique des Composants Electroniques et Optolectroniques

Chapitre 5
Emetteurs et rcepteurs de lumire

I- Introduction :
Tlcommunications optiques :

Signal metteur Rcepteur Signal

lectrique lectrique

Conversion Fibre optique Conversion

E/O O/E

DEL ou
Laser Photodiode

Loptolectronique : cest le domaine de llectronique qui touche les phnomnes

optiques en relation avec les porteurs de charges, gnralement dans les SC.

Un composant optolectronique met en jeu des phnomnes optiques en plus des

phnomnes lectroniques. L et le photon sont considrs comme des vhicules du signal et
de linformation.

Les matriaux SC interviennent dans les principales composants optolectroniques

qui sont :

Les metteurs
Les dtecteurs ou rcepteurs
Les photo coupleurs
Les guides et les modulateurs de rayonnement lectromagntiques.

Les matriaux qui interviennent le plus souvent sont des SC composs III-V (GaAs,
InP,), II-VI (CdS, ZnS,). Se sont gnralement les SC gap direct (GaAs, InP, GaSb)
qui sont utiliss en opto.

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E
E

EC
EC
EG
EV
EV

k k
0 0

SC gap direct SC gap indirect

Dans les SC gap direct, la probabilit de transition est trs importante compare
celle dans les SC gap indirect.

II- Interaction rayonnement matire :

Linteraction du rayonnement (photon) avec les du SC se manifeste selon 3 processus
distincts : labsorption, lmission spontane et lmission stimule.
Dans les SC, ce sont ces interactions qui sont la base du fonctionnement des dispositifs
optolectroniques.

1- Absorption :

Un photon peut induire le saut dun dun tat li de la BV vers un tat libre de la BC.
Ce processus sera mis profit dans les photodtecteurs.

libre

EC
EC

h EG
EV EV

li

Remarques :
Une absorption dun photon gnration dune paire trou.
Pour quil y est gnration de paire trou, il faut que lnergie du photon h soit
suprieure ou gale au gap du SC:

EG h (c / ) EG
Eph = h

avec h = 6.624 10-34 J.s = 4.14 10-15 eV.s et c 3 108 m/s.

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1 . 24
E G ( eV )
( m )
est la longueur donde du photon incident .

Si on considre un flux 0 de photons; monochromatique dnergie h pntrant dans

un matriau SC selon la direction Ox.

0 0
0 e x

h

x x
0 x

En rgime permanent, le nombre de photons absorbs par unit de temps dans une
tranche dx du SC est proportionnel la quantit de photons dans cette tranche donc
d
au flux de photons 0(x) labscisse x. Donc = ( x )
dx

(x) = 0 exp(x)
est le coefficient dabsorption (cm-1 ou m-1) dpend fortement du SC et de la longueur
donde des photons incidents.

Le flux de photons non absorbs en x est : (x) = 0ex

x
Le flux de photons absorbs en x est donc : 0 - (x) = 0 (1e )

Dfinition :

On appelle seuil dabsorption, la longueur donde c du photon qui possde une nergie
1.24
juste suffisante pour faire passer un de la BV la BC c(m) = .
EG
Rmq :

Si < c photons rapidement absorbs, trs grand.

Si > c photons pratiquement tous transmis, trs petit.

2- mission spontane :

Un de la BC peut retomber spontanment sur un tat vide de la BV avec mission

dun photon (ou recombinaison radiative).

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Une recombinaison est dite radiative lorsque lnergie dgage lors de la transition est
sous forme de photon.
libre

EC EC

h
EV
EV

Trou

Ce processus sera mis profit dans les metteurs de rayonnements tels que les diodes
lectroluminescentes.

3- mission stimule :

Un photon prsent dans le SC peut induire la transition dun de la BC vers un tat

vide de la BV avec mission dun 2me photon de mme nergie et de mme direction.

BC 3

2

h Photon =E2-E1
h
induit

BV 1

Ce processus sera mis profit dans les lasers SC. Dans de tels dispositifs il y a
amplification de lumire par mission stimule de rayonnement.

III- Les metteurs de rayonnement :

1- Les diodes lectroluminescentes : (DEL ou LED) (Light Emitting Diode)

a- dfinition :

Une DEL est une jonction pn polarise en directe construite dans un SC gap direct ou
les recombinaisons sont essentiellement radiatives.
Cest un dispositif qui transforme de lnergie lectrique en nergie lumineuse.

Ei

Ef

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= Ei - Ef
Recombinaison radiative : h

Remarque :

dans les DEL, lmission de photons est spontane et isotrope (galement rpartie
dans toutes les directions).

Schma lectrique:

b- Principe de fonctionnement:

Le rayonnement lectromagntique mis par une diode lectroluminescente provient

des recombinaisons radiatives des porteurs en excs crs lorsque celle-ci est polarise en
direct.

h

h
qVD

n+ W p+

Il y a injection de porteurs minoritaires de part et dautre de la ZCE.

Pour des raisons dintensit dmission, les rgions n et p sont trs dopes, (ZCE trs troite)

c- Caractristique I(V) dune DEL :

I(A)

V(volt)
1 2
Seuil 1.6 2 V

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Analogue celle dune jonction ordinaire; elle possde un seuil et une rsistance
dynamique souvent plus levs cause des dopages levs.

d- Rendement externe :

Il est dfinit par le rapport entre la puissance lumineuse mise et la puissance lectrique
absorbe, ou par le rapport entre le nombre de photons recueillis et le nombre d injects.

Popt .mise nbre de photons recueillis

ext = =
Plect .absorbe nbre d ' lectrons injects

P opt
ext = h = P opt ( m )
I I 1 . 24
q

Le rendement externe atteint dans les meilleures conditions les 8% cause des pertes
dus labsorption et aux rflexions linterface SC-air.

e- Spectre dmission :

Le spectre dmission correspond lintensit de la lumire mise en fonction de la

longueur donde. La forme du spectre est due aux diffrentes transitions radiatives possibles
qui peuvent avoir lieu dans le matriau SC.

Intensit
mise

(
m)

La lumire mise est caractrise par une largeur spectrale centre autour de la
longueur donde de la transition la plus probable qui correspond une nergie lgrement
suprieure EG.

f- Applications :

DEL visible Laffichage

DEL infrarouge
Systmes de tlcommunications
Transmission de donnes (tlcommandes)
Alarmes
Capteurs

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2- Les diodes Laser :

Light Amplification by Stimulated Emission Radiation

a- Definition:

La diode laser ou laser SC est une DEL dont la structure est conue pour favoriser
lmission stimule: Il y a donc amplification de lumire par mission stimule de
rayonnement.

b- Caractristique puissance lumineuse- courant :

La puissance lumineuse dgage par une diode laser dpend du courant inject dans la
diode (circulant dans la diode; P lorsque I )

P(mW)

Fonctionnement
en D.L

I(mA)
Fonctionnement IS
en DEL

Lmission est dabord spontane V ou I faible, lorsque I atteint une valeur de seuil IS
(courant de seuil), lmission stimule apparat. Ce seuil est trs sensible la temprature.
I faible fonctionnement en DEL (mission spontane).
I > IS fonctionnement en D.L (mission stimule) .

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c- Applications :

Tlcommunications par fibre optique

Mdecine : Le diagnostic des maladies endoscopie
La lumire tue le cancer
Chirurgie
clairage, compact disque, vido compact, imprimantes, tte de lecture optique, etc

IV- Les rcepteurs de rayonnement ou photo dtecteurs :

1- Les photoconducteurs :

Ce sont des matriaux semi-conducteurs dont la conductance varie sous clairement. Ils
utilisent la gnration de porteurs dans un SC soumis un champ lectrique externe.

h
Iph

Vs

Vcc Rc

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2- Les diodes Photosensibles :

Ce sont des jonctions pn sensibles au rayonnement lumineux, o la gnration des

porteurs libres est due essentiellement une source dexcitation optique par absorption de
photons dans le SC.
Chaque photon absorb dans le SC cre une paire -trou lorsque lnergie du photon est
suprieure ou gale lnergie de la bande interdite du matriau.

1.24
EG (eV)
(m)

a- La photodiode :

Cest une jonction pn qui transforme lnergie lumineuse en nergie lectrique, cest un
capteur de rayonnement.

p n

h Courant lectrique ou
photo courant

Schma lectrique:

Principe de fonctionnement :

Il met en jeu leffet photolectrique (effet photovoltaque).

P - W
N
+ P N
E

V Front Base

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Par absorption de photons incidents, les paires -trous cres sont spars et propulss
par le champ lectrique qui existe dans la ZCE. Ces porteurs de charges cres, donnent
naissance un photo courant de gnration.

Le photo courant rsultant intervient surtout en polarisation inverse de la diode: cest

donc le courant cre par les porteurs minoritaires sous leffet de lclairement.

Caractristique I(V) :

I
Obscurit

P1
clairement
P2
P3 > P2 > P1
P3

Le courant inverse dune photodiode croit de faon importante lorsque lintensit du

rayonnement croit.

Le courant total : It = Iobs + Iph

avec : Iobs Is trs faible

Donc : It = Iph
Les qualits requises pour un photodtecteur sont :

Rendement quantique externe lev

Sensibilit pour utilis (0.8; 1.33 et 1.55m)
Rapidit (temps de rponse court)
Apporter un minimum de bruit au signal lors du processus de dtection (rapport S/B
important).
Pour cela :

o Couche frontale trs mince et fortement dope;

o Grande rgion de dpltion;
o Polarisation de la diode en inverse.

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a -1- Rendement quantique externe :

Il est dfinit par le rapport du nombre d recueillis par le nombre de photons injects,
cest aussi le nombre de porteurs gnrant le photocourant divis par le nombre de photons
entrant.
I ph
nbre d' lectrons recueillis q I ph
ext = ext = = h
nbre de.photons injects P opt qP opt
h

a -2- La sensibilit :

Cest le rapport du photo courant par la puissance optique, elle est exprime en (A/W).
Elle scrit en fonction du rendement quantique:

I ph q
( m )
q
S = = q =
P opt h 1 . 24

a- 3 - La rponse spectrale :

Cest la courbe de sensibilit ou de rendement en fonction de la longueur donde

(nergie des photons). Elle provient essentiellement de la caractristique dabsorption du
matriau.

S ou

(
m)
EG
rponse spectrale

a -4- Le temps de rponse :

La rapidit dune photodiode dpend du phnomne de collecte interne et de

lcoulement du courant dans le circuit externe ou circuit de charge.
- Temps de collecte interne, deux contributions:
Temps de transite dans la ZCE: (tr = W/VS); Vs : vitesse de saturation 107cm/s.
Temps de diffusion des porteurs cres dans les rgions neutres. Ce temps est contrl
par le phnomne de diffusion (Ln et Lp); (td 0.1-1 ns).

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- Temps li au circuit de charge: comprend la capacit de jonction Cj (Cj=.S/W),

les capacits parasites Cp et la rsistance de charge RL. = RL (Cj + Cp)

Remarque :

On peut Cj en W mais alors le temps de transit augmente il y a toujours un

compromis rapidit-sensibilit.

b- Photodiode PIN :

On augmente artificiellement lpaisseur de la ZCE en insrant une rgion intrinsque

entre les rgions n et p.

W
P I N

h

P I N

x
W

Si la polarisation inverse est suffisante, un champ lectrique important existe dans toute
la zone intrinsque et les photoporteurs atteignent trs vite leur vitesse limite Vs. On obtient
ainsi des photodiodes rapides et trs sensibles et donc un temps de rponse trs court (ns).

Principe :

Le photocourant provient principalement des paires lectrons-trous cres dans la

rgion intrinsque o rgne un champ lectrique.

Intrt :
grande sensibilit (W grand);
la polarisation inverse du dispositif permet de rduire le temps de
transit des porteurs sans pour autant augmenter la constante de temps
(R.C) du circuit (W constante).

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c- Photodiode avalanche :

Lorsque la polarisation inverse de la diode est voisine de la tension de claquage, les

photo porteurs cres dans la ZCE sont multiplis par effet davalanche. On obtient ainsi une
multiplication interne du photocourant trs utilis dans les systmes de tlcommunication
par fibre optique.

Principe :

Le photocourant est amplifi par un effet davalanche dans la rgion o le champ E

dpasse le champ critique d'ionisation par impact.

Intrt :
Grande sensibilit (jusqu' 50 A/W).
Amplification de courant 100.

Inconvnient :
Gain sensible la temprature et la polarisation inverse.
Bruit due la nature alatoire du processus de multiplication des charges
(minimum lorsqu'un seul type de porteurs contribue).

d- Photopile (cellule solaire) :

Dfinition :

La photopile est une photodiode qui fonctionne sans polarisation externe: elle dbite
son photo courant dans une rsistance de charge RC sous clairement: Cest leffet
photovoltaque.

Iph

RC V

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La photopile (ou cellule solaire) est un dtecteur de rayonnement solaire utilise pour la
conversion photolectrique ou photovoltaque.

- Caractristique I(V) :

I
Obscurit
clairement

V
Vco
I

Ic Vm

ICC : courant de court circuit.

VCO : tension de circuit ouvert (Rc ).

Lorsque la jonction est excite par un rayonnement, la caractristique I(V) ne passe plus
V est ngatif: La diode fournit
par lorigine, il existe une rgion dans laquelle le produit I
de lnergie lectrique. Il suffit alors de dfinir la rsistance de charge qui optimise la
puissance fournie.

- Rendement de la photopile:

Il est donn par le rapport de la puissance maximale disponible la puissance du

rayonnement incident :

Vmax . I max Pmax .lectrique .dbite

= =
Popt .incidente Psolaire

valeur typique
(
0 ,8 (VCO .I CC ) 0 ,8 0 ,6 V 20 mA cm 2
10 %
)
Psolaire 1kW / m 2

Remarque:

La diffrence entre la photopile et la cellule solaire est la surface photosensible et la

nature du rayonnement.

La photopile fonctionne en mode photovoltaque (sans polarisation externe) alors que

la photodiode doit tre polarise en inverse.

Groupement de piles pour alimenter une rsistance de charge apprciable :

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V RC

I = Ii et V = Vd

3- Les photocoupleurs :

Ce sont des dispositifs optolectroniques constitus dun photometteur et dun

photorcepteur dans le mme botier, coupls optiquement et isols lectriquement.
Ce sont des quadriples dont la principale caractristique est de permettre un bon
isolement entre les circuits dentre et de sortie.

Entre Sortie
lectrique E R lectrique

IE IS

VS

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- Rapport de transfert en courant :

Ce rapport dtermine lefficacit du couplage (I = IS/IE ) VS donn.

PE q q PE
Pour la DEL : E = IE =
h IE h E

I S h q
Pour la photodiode : R = IS = PR R
q PR h

= E R R = I (% )
IS P
CTR =
IE PE

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