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SANDRA SILVA
[GUIA DE ESTUDO DE ELETRNICA I]
[Este guia tem o propsito de orientar ao aluno a ter noes bsica de eletrnica I como disposi-
tivo diodo, led, diodo zener e outros e seus empregos no circuito eletrnico]
2-1
5/8/2013
INDICE
CAPTULO 1 - DIODOS
1.1 Estrutura Bsica dos diodos semicondutores.......................................................... 1-4
1.2 - Estrutura da Juno PN........................................................................................... 1-7
1.3 Funcionamento da juno PN................................................................................. 1-10
1.4 Diodo Zener........................................................................................................... 1-18
1.5 Curvas Caractersticas............................................................................................. 1-20
1.6 Diodo Emissor de Luz LED................................................................................ 1-21
1-2
INTRODUO
1 - PROPSITO
Este guia de estudo foi elaborada com o propsito de apresentar aos alunos dos cursos de
eletrnica, eletricidade, telecomunicaes, os contedos da disciplina ELETRNICA I.
2 - DESCRIO
Esta publicao est dividida em dois captulos. No captulo 1, so estudadas as estruturas
bsicas dos diodos semicondutores e no captulo 2, as fontes de alimentao.
3 - AUTORIA E EDIO
Este guia de autoria professor Carlos Patrcio.
4 - DIREITOS DE EDIO
No h direitos de edio pode ser distribudos como meio de consulta e aprendizado.
1-3
CAPTULO 1
DIODOS
1.1 - ESTRUTURA BSICA DOS DIODOS SEMICONDUTORES
1.1.1 - Estrutura da matria
Matria tudo aquilo que tem massa e ocupa lugar no espao.
Ela constituda por substncias que so definidas segundo algumas propriedades. Os
estados slidos, lquido e gasoso em que encontramos certas substncias so exemplos
de propriedades fsicas da matria. A matria pode ser composta por um s tipo de
elemento, por dois ou mais tipos.
a) Elementos
So substncias encontradas na natureza e que diferem uns dos outros em funo de
sua constituio atmica. Existem na natureza cerca de 92 elementos qumicos,
exemplificando o hidrognio, o cobre, os silcios, etc; e outros que foram criados em
laboratrios.
Qualquer substncia pode ser dividida em partes cada vez menores at chegar a me-
nor, que conhecida como molcula.
b) Molcula
a menor parte de uma substncia que ainda conserva todas as suas caractersticas.
Exemplo: a molcula da gua formada por dois tomos de hidrognio e um de
oxignio (H2O).
1.1.2 - Constituio do tomo
tomo a menor parte em que podemos dividir uma substncia simples, sem que ela
perca todas as suas caractersticas. Os tomos se combinam e formam as molculas das
substncias.
O tomo formado por um ncleo, onde se encontram os prtons e os nutrons, situ-
ados ao redor do ncleo ficam os eltrons.
a) Eltron
uma pequena partcula carregada negativamente, que gira em grande velocidade
ao redor do ncleo do tomo.
b) Prton
Faz parte do ncleo, possui carga eltrica positiva de mesmo valor absoluto que o
eltron e massa 1.836 vezes maior.
1-4
c) Nutron
Faz parte do ncleo, no possui carga eltrica e sua massa aproximadamente igual
a do prton.
O tomo, em seu estado natural, eletricamente neutro, ou seja, o n de prtons
igual ao de eltrons.
Eltrons
Ncleo
1-5
1.1.4 - Condutores, isolantes e semicondutores.
a) Condutores
So caracterizados pelo fato dos eltrons de valncia estar fracamente ligados ao n-
cleo do tomo, podendo ser facilmente deslocados do mesmo. Os corpos condutores
apresentam baixa resistncia passagem da corrente eltrica. Ex.: prata, cobre, alu-
mnio, ouro, etc.
Percebemos bem isso quando olhamos a estrutura atmica do cobre, onde vemos um
eltron de valncia numa rbita muito grande em torno da parte central. Ento o n-
cleo exerce uma fora de atrao muito pequena, ocasionando um fcil desprendi-
mento deste eltron de valncia.
+29
b) Isolantes
So corpos que apresentam alta resistncia passagem da corrente eltrica, pois os
eltrons de valncia dos seus tomos esto rigidamente ligados ao ncleo. Ex.: bor-
racha, mica, porcelana, etc. Os isolantes so elementos de valncia 8, ou seja, pos-
suem 8 eltrons na camada de valncia.
c) Semicondutores
So elementos cuja resistncia situa-se entre as dos condutores e as do isolantes.
Ex.: germnio e silcio. Um semicondutor um elemento de valncia 4.
Observamos ento que os condutores so elementos de valncia 1, os semiconduto-
res de valncia 4 e isolantes de valncia 8. Os semicondutores esto em condutibili-
dade entre os isolantes e condutores.
1-6
1.2 - ESTRUTURA DA JUNO PN
1.2.1 - Substncia cristalina
toda substncia onde os tomos se posicionam no espao formando uma estrutura or-
denada. Quando tomos de silcio, por exemplo, se combinam para formar um slido,
eles so arranjados segundo um padro ordenado chamado cristal.
1.2.2 - Ligao covalente
Os tomos procuram atingir a sua situao mais estvel (oito eltrons na camada de va-
lncia). Como o material semicondutor possui apenas quatro eltrons nessa camada,
eles se combinam com outros tomos para que se complete oito eltrons. A ligao
chamada covalente porque o semicondutor recebe eltrons ao mesmo tempo em que
empresta os seus prprios eltrons para o tomo usado na ligao.
1.2.3 - Estrutura covalente
a estrutura formada por ligao covalente. Neste tipo de estrutura, ao aplicarmos uma
tenso, no resultar numa corrente, pois os eltrons acham-se presos ligao de va-
lncia, no havendo, por conseguinte, eltrons livres para a conduo.
Para que haja circulao de corrente teremos de romper as ligaes covalentes median-
te a aplicao de energia suficiente para tal. Essa energia pode ser em forma de luz, ca-
lor, etc.
1.2.4 - Formao de buracos ou lacunas
Com o rompimento da ligao covalente, ocorre a liberao de eltrons e o espao va-
zio (buraco) deixado pela liberao comporta-se como uma carga positiva mvel. Su-
ponhamos uma estrutura cristalina sobre a qual aplicamos uma diferena de potencial
(ddp):
A
Eltrons
Neg. Pos.
Lacunas
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Cada eltron retirado do material pelo polo positivo da bateria ocasionar a formao
de uma lacuna, porm, o polo negativo da bateria se encarregar de repor um outro el-
tron nessa lacuna.
Notamos na figura que um eltron passou a ocupar a lacuna originada pelo eltron atra-
do, porm ao deslocar-se em seu antigo lugar, uma nova lacuna e, por este mecanismo,
teremos duas circulaes de corrente dentro do material, uma de portadores positivos
(buracos) e outra de portadores negativos (eltrons). O buraco apresenta carga igual a
do eltron, porm com polaridade oposta.
A energia necessria para quebrar a ligao covalente do germnio de 0,2V a 0,3V e
do silcio de 0,6V a 0,7V.
A zero grau Kelvin (- 273C) as ligaes covalentes ficam intactas e o cristal se com-
porta como isolante.
1.2.5 - Conceitos fundamentais
a) Semicondutor intrnseco
o cristal semicondutor puro, isto , sem impurezas.
Os corpos bsicos empregados na construo de semicondutores so o germnio e o
silcio. Esses cristais em estado puro so excelentes isolantes, porque a estrutura
cristalina mantm, convenientemente, em seu lugar, todos os eltrons externos, for-
mando uma unio covalente, que como se o ncleo enxergasse, na rbita exter-
na, oito eltrons, apesar de esses cristais serem tetravalentes (quatro eltrons na l-
tima camada).
O corpo cristalino puro impede que a corrente eltrica circule por ele, e desta forma,
o germnio e o silcio tm que ser modificados em sua estrutura, para que seja pos-
svel que a circulao de corrente se d de maneira controlvel.
b) Dopagem
Processo de introduzir impurezas (doadoras ou receptoras de eltrons) em um cristal
semicondutor.
c) Elemento trivalente
todo elemento que possui na sua camada de valncia um total de trs eltrons.
Exemplos: boro, alumnio, glio, ndio e tlio (grupo 3A da tabela peridica).
d) Elemento pentavalente
todo elemento que possui em sua camada de valncia um total de cinco eltrons.
Exemplos: antimnio, fsforo, arsnico, etc (grupo 5A).
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1.2.6 - Formao do material tipo N
O semicondutor tipo N aquele que se obtm adicionando (dopando) ao cristal puro,
tomos com cinco eltrons na camada de valncia (tomos pentavalentes).
O tipo de semicondutor assim tratado recebe a denominao de tipo N porque um dos
eltrons adicionado ao tomo no consegue se ligar firmemente na estrutura do cristal,
podendo ser facilmente deslocado do material.
Como essas impurezas fornecem (doam) eltrons, elas so chamadas de impurezas do-
adoras ou impurezas tipo N.
A corrente circulante neste tipo de material consiste de excesso de partculas negativas,
da chamar-se corrente de eltrons.
Ge Ge Ge Si
ou ou ou
Si Si Si
Eltron
Ge Ge
ou AS ou Si P Si
Si Si
Ge Ge Ge
ou ou ou
Si Si Si Si
Figura 1.4 Material semicondutor dopado com fsforo (semicondutor tipo N).
1-9
Ge Ge Ge Si
ou ou ou
Si Si Si
Buraco
Ge Ge
ou Ga ou
Si Si Si Al Si
Ge Ge Ge
ou ou ou
Si Si Si
Si
Figura - 1.5 - Material semicondutor dopado com alumnio (semicondutor tipo P).
1-10
b) Fluxo de corrente no semicondutor tipo P
Se aplicarmos uma bateria em um material tipo P, haver um fluxo de buracos atravs
do material em direo ao polo negativo da bateria.
No cristal tipo P, os buracos so os portadores majoritrios e os eltrons so os porta-
dores minoritrios. A quantidade de portadores minoritrios est diretamente ligada
execuo externa tal como calor e luz.
Semicondutor tipo P
Juno PN
N P N P N P
1-11
Do lado N haver muitos eltrons livres, ao passo que do lado P existiro buracos , como
consequncia, haver um processo de difuso entre os eltrons e os buracos.
on positivo on negati-
vo
Outro
eltron
atrai- on positivo on negativo
do
N P N P N P
Figura - 1.9 - funcionamento da juno
1-12
Regio de esgotamento
Os eltrons
so repetidos
na juno Eltrons
por ons tomos difundindo-
negativos carregados se atravs da
juno
Carga de
0,1 volt
N P N P
Figura -1.10 - Barreira de potencial atravs da regio de esgotamento
K A
(catodo) (nodo)
(material tipo N) (material tipo P)
1-13
1.3.4 - Polarizao direta
Um diodo est diretamente polarizado, quando o ctodo estiver negativo em relao ao
nodo com uma diferena de potencial superior ao valor da barreira de potencial do dio-
do, para que o efeito da mesma possa ser vencido. Ou seja, positivo da bateria no lado P
(nodo) e negativo no lado N (ctodo).
Lembrando que para uma temperatura de 25 C, a barreira de potencial aproximada-
mente igual a 0,3 V para os diodos de germnio e 0,7V para os diodos de silcio.
corrente intensa
corrente elevada
Lmpada
N acesa
P
Os eltrons livres do lado N sero repelidos pelo terminal negativo da bateria e tendero
a penetrar na juno. Os buracos tambm sero repelidos pelo terminal positivo da bate-
ria e tambm tendero a penetrar na juno. Como consequncia, haver uma diminuio
da regio de depleo e circular grande corrente atravs da juno. A corrente circula
facilmente num diodo de silcio com polarizao direta, enquanto a tenso aplica for
maior que a barreira de potencial.
1.3.5 - Polarizao inversa
o tipo de polarizao que torna o ctodo positivo em relao ao nodo. Ela refora
(aumenta) o efeito da barreira de potencial. Positivo da bateria no lado N (Ctodo) e ne-
gativo no lado P (nodo).
P
N
lmpada apagada
baixa corrente
Figura - 1.13 - fluxo de corrente na polarizao inversa
Os eltrons livres do material N sero atrados pelo potencial positivo da bateria externa
e as lacunas do material P so preenchidas com eltrons do terminal negativo da bateria.
1-14
Como consequncia, haver aumento da zona de depleo, tornando praticamente im-
possvel o deslocamento de portadores, ou seja, no haver circulao de corrente.
No deveria circular nenhuma corrente atravs do diodo, no entanto nota-se uma corren-
te muito dbil (corrente de fuga), devido ruptura de certas ligaes na estrutura crista-
lina, por causa da agitao trmica (corrente de portadores minoritrios). Existe uma pe-
quena corrente com a polarizao reversa (inversa). Lembre-se de que a energia trmica
gera pares de eltrons livres e lacunas incessantemente. Isso significa que existem alguns
poucos portadores minoritrios nos dois lados da juno. Muitos deles se recombinam
com os portadores majoritrios. Mas aqueles dentro da camada de depleo podem no
existir suficientemente para cruzar a juno.
Quando isso ocorre uma pequena corrente circula pelo circuito externo.
1.3.6 Ruptura e Efeito Avalanche
Os diodos tm tenses nominais mximas. Existe um limite do valor de tenso reversa
que um diodo pode suportar antes de ser destrudo. Continue a aumentar a tenso reversa
e voc atingir sua tenso de ruptura. Para os diodos retificadores (aqueles fabricados pa-
ra conduzir melhor de um modo que de outro), a tenso de ruptura usualmente maior
que 50 V.
Uma vez atingida tenso de ruptura, um grande nmero de portadores minoritrios apa-
rece repentinamente na camada de depleo e o diodo conduz fortemente.
1.3.7 Curva caracterstica do diodo
1-15
Exerccio
Esboce a curva caracterstica do diodo 1N4004, sabendo que ele de silcio e que suas princi-
pais especificaes, obtidas em um manual, so:
IFmx = 1A
VRmx = 400V
1-16
Exercicio
Um diodo de silcio apresenta, a temperatura de 25C, uma queda de tenso no sentido direto de
VF1 = 0,6 com uma I de 12 mA. Se a I se mantiver constante, qual ser sua tenso direta resul-
tante na temperatura 115C?
1-17
1.4 - DIODOS ZENER
1.4.1 - Simbologia
A diferena bsica entre o diodo zener e o diodo retificador que o diodo zener
opera na regio de ruptura ao passo que o diodo retificador ser danificado se
atingir esta regio.
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1.4.4 - CURVAS CARACTERSTICAS
A curva caracterstica do diodo zener a mesma do diodo retificador.
O diodo zener ser danificado se passar no mesmo uma corrente acima de IZ mx. Conhe-
cendo os valores de PZ mx. e VZ, obtidos do fabricante, calcula-se IZ mx. PZ mx. a
mxima potncia que o diodo zener pode dissipar.
Exemplo:
Para um diodo zener com VZ = 10 V e PZ mx. = 1 W tem-se.
Iz mx. = 100mA
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NOTA: Na segunda aproximao, o diodo funciona como uma chave com bateria.
c) A terceira aproximao
Na 3 aproximao, inclumos a resistncia de corpo (rB). Aps o diodo de silcio en-
trar em conduo, a tenso aumenta linear ou proporcionalmente com o aumento da
corrente. Quanto maior a corrente, maior a tenso, porque a queda de IR em rB au-
menta para a tenso total do diodo.
I
0,7 V rB 0,7 V rB
V
0,7 V
Polarizao Reversa Polarizao Direta
Figura - 1.21 - terceira aproximao
Smbolo
1-21
1.6.1 Curva caracterstica do LED
muito semelhante do diodo retificador, mas a ordem de grandeza das tenses e cor-
rente de operao diferente.
1-22
1.6.5 Aplicaes bsicas do LED
usado como dispositivo de sinalizao. Neste caso, ele deve ser ligado a uma fonte de
alimentao VCC em srie com um resistor limitador de corrente R. Este R pode ser de-
terminado a partir das especificaes de operao do LED e da fonte VCC.
R= VCC VF
IF
Exerccio
1) Vamos calcular o valor da resistncia limitadora (R1) sabendo-se que a tenso que vai
ser aplicada ao circuito (VCC) de 6Volts, e pretende-se que a tenso direta aplicada ao
led seja de 2 Volt para uma corrente direta de 10 mA.
2) Determine o valor comercial do resistor R, para polarizar o LED, de acordo com a espe-
cificaes
abaixo:
Cor: Vermelha
Dimetro: 5 mm
Operao: VF = 1,7V @ IF = 10 mA
IFmx = 50 mA
VRmx = 5V
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CAPTULO 2
FONTES DE ALIMENTAO
2.1 - FINALIDADE
2.1.1 - Conceito
Fonte de alimentao um circuito ou aparelho usado para transformar a energia eltrica da rede
(CA) na quantidade de CA ou CC que necessitam os diversos circuitos eletrnicos.
2.1.2 - Finalidades das fontes
As maiorias dos equipamentos eletrnicos operam com uma grande variedade de tenses. A ni-
ca tenso disponvel a da rede eltrica e, que geralmente, de 110 ou 220Vca, a qual no tem
utilidade prtica nesta forma. necessrio, ento, um dispositivo para transformarmos essa ten-
so da rede em uma tenso prpria para o uso dos equipamentos e, para tal, usamos uma fonte de
alimentao.
A fonte de alimentao , portanto, um circuito destinado a prover alimentao de tenses e/ou
correntes alternadas e/ou contnuas necessria ao funcionamento dos equipamentos.
2.1.3 Fonte de alimentao Ideal
Uma fonte de alimentao perfeita ou ideal produz uma tenso de sada constante. O exemplo
mais simples de uma fonte de alimentao ideal uma bateria perfeita, aquela que tem resistncia
interna zero. A Figura 3.1 mostra uma resistncia de carga ajustvel (reostato). A fonte de ali-
mentao ideal produzir sempre 12 V na resistncia de carga, independentemente do valor ajus-
tado. Portanto, a tenso na carga constante; apenas a corrente na carga muda.
12 V RL
2-1
2.2.2 - Transformador
As companhias de energia eltrica no Brasil fornecem uma tenso senoidal monofsica de
127Vrms, ou dependendo da regio, de 220Vrms com uma frequncia de 60Hz. Essa tenso de
linha muito alta para a maioria dos dispositivos usados nos equipamentos eletrnicos. por is-
so que um transformador encontrado geralmente em quase todos os equipamentos eletrnicos.
Esse transformador abaixa a tenso CA a nveis mais compatveis com os dispositivos em uso,
como os diodos e os transistores.
Transformador um componente que transforma a tenso de CA de entrada (110/220Vca) nos
diversos valores de tenso de CA necessrios alimentao dos diversos circuitos. Os transfor-
madores so projetados para fornecerem tenses de CA a diversos valores de corrente.
N1 : N2
V1 ~ V2
2-2
2.3.2 - Retificador de meia onda
aquele que aproveita somente um dos semiciclos do sinal de entrada, utilizando a propriedade
do diodo de s conduzir em um sentido.
Entrada Sada
Retificador de
Meia Onda
ou
Os semiciclos positivos tornam o nodo positivo em relao ao catodo, polarizando o diodo dire-
tamente. Deste modo, circula corrente atravs do resistor de carga com a polaridade indicada. Os
semiciclos negativos tornam o nodo negativo em relao ao ctodo, polarizando o diodo inver-
samente. No havendo corrente atravs do resistor de carga, no h tenso de sada. O retificador
de meia onda s conduz durante um dos semiciclos do sinal de entrada, isto , quando o diodo es-
t diretamente polarizado.
a) Desvantagens
O retificador de meia onda, embora seja o mais barato e mais simples em relao aos outros
tipos de retificadores, apresenta certas desvantagens, como: utiliza apenas metade da potncia
fornecida pelo transformador, e maior tenso de ripple (ondulao).
b) Caracterstica
A frequncia de sada igual a da entrada.
c) Valor CC ou valor mdio de sada
o valor medido por um voltmetro CC. O valor mdio (Vdc ou Vm) igual ao valor de pico
dividido por p (3,14). Pode-se dizer tambm que o valor mdio igual a 31,8% da tenso
de pico.
Vdc = Vp 3,14 ou Vm = 0,318 x Vp (onde: Vp = Vrms 0,707).
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2.3.3 - Retificador de onda completa
aquele que aproveita os dois semiciclos do sinal de entrada fazendo com que um diodo condu-
za durante um semiciclo, e outro durante o semiciclo seguinte. O circuito retificador de onda
completa permite a circulao de corrente na mesma direo atravs da carga durante os dois se-
miciclos do sinal de entrada.
Um circuito retificador de onda completa composto por dois diodos retificadores e um trans-
formador com centertrap (derivao central no enrolamento secundrio).
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2.3.4 - Retificador em ponte
O circuito retificador em ponte necessita de 4 diodos e dispensa o uso do centertrap (tomada
central). A vantagem de no usarmos uma tomada central que a tenso retificada na carga o
dobro daquela que teria o retificador de onda completa com tomada central.
Exerccios
Num circuito retificador em ponte (diodos de silcio), a tenso da rede de 240Vrms, o
transformador possui uma relao de espiras de 5:1, qual o valor mdio em cima do resistor de
carga ? (Considere a segunda aproximao do diodo).
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2.4 - CIRCUITOS DE FILTROS
2.4.1 - Caractersticas gerais dos filtros
A finalidade do filtro suavizar as pulsaes de sada do retificador, a fim de produzir uma ten-
so constante com a menor ondulao possvel.
Os filtros tm como principal funo minimizar as variaes de corrente contnua fornecida pelo
retificador. Uma outra funo a de minimizar o rudo gerado tanto pela carga como pela fonte
geradora de CA.
A sada do circuito retificador uma onda contnua pulsativa que varia em torno de um valor
mdio, indo de zero at o valor mximo (Vp ou Vmx). No caso do retificador de onda completa,
o valor mdio de 63,6% do valor mximo de pico e do retificador de meia onda de 31,8% do
valor de pico. Esse no o tipo de tenso CC que a maioria dos circuitos eletrnicos precisa.
necessria uma tenso estvel ou constante similar produzida por uma bateria. Para obter esse
tipo de tenso retificada na carga, precisamos de filtro.
a) Ondulao ou ripple
a flutuao da voltagem em torno do valor mdio na sada do filtro.
b) Fator de ondulao
o fator que determina a quantidade de CA em relao CC, dada em porcentagem.
% ond. = (Erms Em) x 100, onde Erms valor eficaz da tenso de ondulao e Em o
valor de tenso mdio (Vdc ou Vm).
O ripple de um retificador de meia onda de 121%; o ripple de um retificador de onda
completa de 48%.
NOTA: A porcentagem de ondulao ideal de 0%.
Em
Ret. onda completa E (max) E (min)
(Em)
2-6
Exerccio
Em = +180Vcc; Emax = +181Vcc; Emin = +179Vcc; qual a porcentagem de ondulao ?
No semiciclo positivo o diodo conduz e carrega o capacitor com o valor de pico (VP) da tenso.
Assim que a tenso de entrada cair a zero, o diodo pra de conduzir e o capacitor mantm-se carregado
e descarrega lentamente em RL.
2-7
Quando a tenso de entrada fica negativa (semiciclo negativo) o diodo no conduz e o capacitor con-
tinua descarregando lentamente em RL.
O capacitor recarrega 60 vezes por segundo.
O capacitor carrega de Vmin at VP e neste intervalo de tempo ( ) o diodo conduz. O capaci-
tor descarrega de VP at Vmin e neste intervalo o diodo no conduz.
A Forma de onda na sada est mostrada abaixo.
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Outra maneira para determinar o valor da tenso de ondulao
Exerccios de fixao.
1) Sendo VAB =18Vef, C=1000 F, IL = 180 mA, retificador de meia onda, determine:
2) Sendo VCC = 12 V, IL = 300 mA, Vond = 2 V, retificador de meia onda determine: O capacitor e
o valor eficaz da tenso alternada na sada do transformador.
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2.4.6 - Filtro a capacitor para retificador de onda completa
Funcionamento
A filtragem para o retificador de onda completa mais eficiente do que para o retificador de
meia onda. Em onda completa o capacitor ser recarregado 120 vezes por segundo. O capacitor des-
carrega durante um tempo menor e com isto a sua tenso permanece prxima de VP at que seja no-
vamente recarregado.
O tempo durante o qual o capacitor descarrega a metade do perodo ( t = T / 2). Quando RL drena
alta corrente necessrio um retificador de onda completa.
As equaes para onda completa so as mesmas utilizadas para meia onda, no entanto, a freqn-
cia de ondulao para onda completa de 120 Hz.
VCC = VP Vond / 2
VCC o valor mdio da tenso contnua na sada.
Se Vond tende a zero, a tenso de sada tende ao valor de pico. Para Vond = 0V
tem-se VCC = VP.
Sem RL, a corrente IL ser 0A, o capacitor no descarrega e tem-se Vond = 0V.
2-10
Exerccios de fixao.
1) Sendo IL = 1,5 A, VAB = 30 Vef, C = 2200 F, determine Vond e VCC.
2) Sendo IL = 500 mA, VCC = 12V, Vond = 2V, determine o valor do capacitor e da tenso de sa-
da do transformador
Em onda completa a filtragem mais eficiente do que para meia onda e isto por que, no retificador
de onda completa com filtro, a tenso de ondulao menor.
O filtro a capacitor, em onda completa, torna a tenso de sada mais prxima de uma tenso cont-
nua pura.
2.4.8 - Filtro a capacitor para retificador de onda completa
2-11
Consideraes
Para os circuitos retificadores com filtro a capacitor estudados desconsiderou-se a queda de tenso nos
diodos que de aproximadamente 0,7V para diodos de Silcio. No retificador de meia onda e de onda
completa convencional, o pico de tenso no capacitor o pico de tenso de entrada menos 0,7V
isto , 0,7V. Consequentemente o valor de VCC ser 0,7V abaixo do valor calculado.
No retificador em ponte diminui-se 1,4V visto que dois diodos conduzem ao mesmo tempo 1,4V
sendo Vp a tenso de pico no capacitor de filtro. O valor de VCC ser 1,4V abaixo do valor
calculada
Exerccios de fixao.
1) Sendo IL = 600 mA, C = 1000 F, VAB = 18 Vef, determine Vond e VCC.
2) Sendo IL = 300 mA, VCC = 20V, Vond = 2,5 V, determine o valor do capacitor e da tenso de sa-
da do transformador.
2-12
7) Em um retificador de meia onda com Filtro, sendo VCC = 12 Volts, IL = 300 mA, Vond = 2 V,
determine: o capacitor e o valor eficaz do secundrio do transformador.
8) Em um retificador onda completa Ponte com Filtro, sendo IL = 1,5 A, VAB = 30 Vef, C = 2200 F,
determine: Vond, VCC e ripple.
9) Em um retificador onda completa Ponte com Filtro, sendo IL = 500 mA, VCC = 12V, Vond = 2V,
determine: o valor do capacitor e da tenso de sada do
transformador (VAB).
10) No circuito abaixo, sabendo que o transformador 127V/9+9V e a carga RL vale 100 , determinar:
Vond, VCC e o ripple.
2-13
2.5 - CIRCUITOS REGULADORES A ZENER E A CIRCUITOS INTEGRADOS DA SRIE
78XX, 79XX & LM
+Vs Rs
Transformador
Retificador
Filtro
Vz RL
Regio Zener de D2
Figura 2.14 Zener como limitador de pico
2-14
Para diminuirmos as variaes, usam-se dois diodos Zener em oposio. No semiciclo positivo, o diodo
D1 entra na regio Zener (corta) quando a tenso iguala a tenso de ruptura, estando o outro (D2) sendo
polarizado diretamente e funcionando praticamente como um curto circuito.
No semiciclo negativo, o diodo D1 funciona como um curto e D2 limita a tenso no valor Zener. Quan-
do a tenso CA alterna seu valor, seja para mais ou para menos, os diodos Zener limitam a onda de ten-
so sempre nos mesmos valores, fixados pelas suas tenses Zener.
Limitador de tenso alternada com diodo zener
Funcionamento
No semiciclo positivo, Z1 est polarizado inversamente e Z2 diretamente Assim que a tenso de entra-
da ultrapassa 10,7V ou (VZ1+0,7V), Z1 entra na regio de ruptura e mantm a tenso de sada em
10,7V.
No semiciclo negativo, Z1 est polarizado diretamente e Z2 inversamente. Assim que a tenso de
entrada ultrapassa --10,7V, Z2 entra na regio de ruptura e mantm a tenso de sada em --10,7V.
No semiciclo positivo Z1 comporta como diodo zener e Z2 como diodo retificador. No semiciclo nega-
tivo Z1 comporta como diodo retificador e Z2 como diodo zener.
A tenso de sada no ultrapassa sendo que os picos de tenso acima de 10,7V ficam no re-
sistor R.
2-15
Este circuito limitador de tenso tambm denominado de circuito ceifador uma vez que ceifa a
forma de onda de sada limitando-a aos valores de .
Exerccios
1) Desenhe a formas de onda de VR e VRL sendo VZ1 = 10 V e VZ2 = 5 V
2-16
Analise de reguladores R-Z em cascata
A tenso VZ1 do pr-regulador R1-Z1 alimenta o segundo regulador R2-Z2 As variaes da tenso VZ1
devido s variaes da tenso de entrada, praticamente, no sero percebidas pela carga RL.
As variaes em VZ1 de dcimos de volt e em VZ2 de milsimos de volt.
Para V < VZ, o diodo zener no conduz e tem-se que: Vsada = V (Tenso de sada igual ten-
so de entrada) I = 0A (A corrente ser nula por que o diodo zener ainda no atingiu a rup-
tura). VR = 0V. (sendo I = 0A no se tem tenso no resistor, VR = R. I )
Para V > VZ, o diodo zener conduz visto que atinge a tenso de ruptura. Vsada =
VZ (Tenso de sada igual tenso do diodo zener)
VR = V VZ
I = VR / R (a corrente no circuito ser limitada pelo resistor R)
2-17
c) Regulador de tenso R-Z
O diodo zener ir regular (estabilizar) a tenso em RL, mesmo havendo variaes da tenso de entrada
e/ou da corrente em RL, dentro de certos limites.
VRL = VZ devido a que RL est em paralelo com o diodo zener.
As seguintes observaes devem ser feitas sobre o regulador R-Z. Sendo I = (V -- VZ) / R e
IZ = I IL tem-se que:
Se V aumenta, IZ aumenta.
Se V diminui, IZ diminui.
Se IL aumenta, IZ diminui.
Se IL diminui, IZ aumenta.
Para regular a tenso em RL, os valores de IZ devem estar entre IZ min a IZ mx.. Normalmente, con-
sidera-se IZ min = 10% de IZ mx. sendo IZ min a corrente no diodo zener aps o joelho da cur-
va.
Exerccio
1) Sendo VZ = 10V, R = 220, RL = 800, determine as tenses e as correntes para V = 18V e
V = 25V. Preencha o quadro abaixo.
Tenses do circuito Correntes do circuito
Tenso de Tenso em RL Tenso em R
entrada V VRL = VZ VR = (V -- VZ) I = VR / R IL = VZ / RL IZ = I -- IL
2-18
Os valores de IZ, nos exerccios 1 e 2, esto entre IZ min a IZ max, portanto, o diodo zener ir regu-
lar (estabilizar) a tenso em RL.
IZ min = 10 mA e Iz max = 100 mA
O resistor R deve ser dimensionado para limitar a corrente no circuito a um valor menor do que a
mxima corrente do diodo zener, pois caso a carga RL seja desligada toda a corrente do circuito ir
passar no diodo zener. Se este cuidado no for tomado o diodo zener ser danificado.
Exerccios
1) Sendo V = 25V, VZ = 10 V, IZ max = 100mA, IZ min = 10 mA, IL = 20 mA, calcule o valor
mnimo e o valor mximo do resistor R.
3) Sendo V = 25V, R = 220, VZ = 10 V, IZ max = 100 mA, IZ min = 10 mA, calcule o valor m-
nimo do resistor RL.
4) Cite as condies que devem ser satisfeitas para o regulador de tenso R-Z.
.......................................................................................................................................
.......................................................................................................................................
.......................................................................................................................................
2-19
d) Impedncia dinmica do diodo zener
a relao entre a variao da tenso zener e a variao de corrente no diodo zener. A impedncia
zener tambm denominada de resistncia zener ou Rz.
No confundir resistncia zener com resistncia do diodo zener.
Rz =
1) Determine o valor de Rz sendo: VZ1 = 12V para IZ1 = 10 mA e VZ2 = 12,6V para IZ2 = 40 mA
2) Sendo VZ1 = 12V para IZ1=10 mA e Rz = 20, calcule VZ2 para IZ = 50mA.
O valor ideal para Rz deve ser zero. Neste caso, a tenso no diodo zener no ir variar mesmo ha-
vendo variao de corrente no mesmo. Se Rz fosse nulo no teramos a inclinao da curva na
regio de ruptura ou regio zener.
Na prtica, normalmente, considera-se o diodo zener como sendo ideal. Neste caso tambm se despre-
za o joelho da curva considerando IZ min = 0A.
No circuito, o regulador de tenso R-Z regula a tenso em RL e com isto, praticamente, elimina a ondu-
lao na sada do retificador de onda completa com filtro a capacitor.
2-20
Consideraes sobre o regulador de tenso R-Z
No adequado para circuitos que exigem tima regulao de tenso visto que o diodo zener no
apresenta uma caracterstica vertical na regio de ruptura tendo uma pequena variao da tenso ze-
ner devido resistncia zener (Rz).
indicado para circuitos que drenem baixa corrente (alguns mA) devido ao seu baixo rendimento
e isto por que o consumo de energia com ou sem carga RL constante.
Para circuitos que exigem uma regulao de tenso eficiente deve-se utilizar o diodo de refern-
cia de tenso que tem uma caracterstica vertical isto , so praticamente nulos.
Se a carga RL drena alta corrente e exige uma regulao de tenso eficiente h vrias opes de
projeto dentre as quais se destacam os reguladores de tenso na forma de circuito integrado, os regula-
dores de tenso com transistor bipolar, etc.
Funcionamento
2-21
Quando a tenso de entrada ultrapassa 10V o diodo zener entra na regio de ruptura e mantm
a tenso de sada em 10V. Os picos de tenso acima de VZ ficam no resistor R.
Este circuito pode ser utilizado para proteger um circuito eletrnico contra picos de tenso.
Os semiciclos negativos so barrados pelo diodo retificador e se o mesmo for retirado do circuito
tem-se que a tenso de sada ficar limitada no valor de VZ no semiciclo positivo e no valor de 0,7V
no semiciclo negativo.
Exerccios
5) Sendo Rz = 10 , calcule a variao da tenso na sada sabendo que a tenso de entrada varia de
14V a 21V
6) Por que o valor da corrente total (I) no pode ser acima de IZ mximo?
2-22
7) Qual a desvantagem do regulador R-Z em operar com maiores correntes na carga RL mesmo utili-
zando um diodo zener de alta potncia?
8) O que se deve fazer para regular a tenso numa carga RL que drena um alto valor de corrente?
b) Considere o diodo zener ideal com VZ = 10V, VLED = 2V e d o valor da tenso de entrada para o
qual comea a ter corrente no circuito.
2-23
2.5.2 - Circuitos integrados srie 78XX, 79XX e LM
O filtro LC era muito usado. Hoje em dia, eles esto obsoletos por causa das dimenses e custo
dos indutores nas fontes de alimentaes tpicas. Para as fontes de baixos valores, os filtros LC
foram substitudos por CIs reguladores de tenso, filtros ativos que reduzem a ondulao e man-
tm a tenso mdia de sada constante.
No mercado existem vrios circuitos integrados com a funo de regulador. Podem ser encontra-
dos para diversas tenses de sada e tambm com sadas ajustveis.
Os reguladores mais populares atualmente so os reguladores da srie 78XX e 79XX.
78XX = reguladores de tenses positivas.
79XX = reguladores de tenses negativas.
Os reguladores da srie 78XX e 79XX so dispositivos reguladores de tenses com somente trs
pinos, um para a entrada da tenso no regulada, um para a sada da tenso regulada e um para
terra.
a) Smbolo
78XX ou
1 (Entrada) (79XX) 3 (Sada)
2 (GND) 1 2 3
b) Srie LM
A srie LM340, igual a 78XX, tpica da nova linha de reguladores de tenso com trs termi-
nais. Com uma impedncia da sada de aproximadamente 0,01 , o LM340-5 uma fonte de
tenso muito estvel para todas as cargas dentro da sua especificao mxima de corrente. O
340-5 ligado como regulador fixo, tem uma tenso de sada de 5V 2%, uma corrente de car-
ga mxima de 1,5A, uma regulao de carga de 10 mV, uma regulao da fonte de 3 mV, uma
rejeio de ondulao de 80dB.
O LM320, semelhante ao 79XX, do grupo de reguladores de tenso negativa.
O LM317 caracteriza-se por ser um regulador ajustvel.
2-24
BIBLIOGRAFIA
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GUSSOW, MILTON. Eletricidade Bsica. So Paulo: Mc Graw-Hill, 1985.
OMALLEY, JHON. Anlise de Circuitos. So Paulo: Mc Graw-Hill, 1983.
EDMINISTER, JOSEP A. Circuitos Eltricos, 2 edio. So Paulo: Mc Graw-Hill, 1985.
CAVALCANTI, PAULO JOO MENDES. Eletrotcnica - para Tcinos em Eletrnica, 12 edio.
Rio de Janeiro: Freitas Bastos, 1980.
A HISTRIA DA ELETRNICA. BRASIL, 2005. Disponvel em:
http://www.wagnerzanco.com.br/artigo/artigo.htm. Acesso em: 01 de Agosto de 2005.
A HISTRIA DA ELETRICIDADE. BRASIL, 2005. Disponvel em:
http://www.sel.eesc.sc.usp.br/protecao/conteudodehistorico.htm. Acesso em: 10 de Agosto de 2005.
2-25