Technische Information / Technical Information

IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 75 GB 60 DLC

Hchstzulssige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
VCES 600 V
collector-emitter voltage

Kollektor-Dauergleichstrom Tc= 75C IC,nom. 75 A

DC-collector current Tc= 25C IC 100 A

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

tP= 1ms, Tc= 75C ICRM 150 A
repetitive peak collector current

Gesamt-Verlustleistung
Tc= 25C, Transistor Ptot 355 W
total power dissipation

Gate-Emitter-Spitzenspannung
VGES +/- 20V V
gate-emitter peak voltage

Dauergleichstrom
IF 75 A
DC forward current

Periodischer Spitzenstrom
tP= 1ms IFRM 150 A
repetitive peak forw. current

Grenzlastintegral der Diode

2 VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125C I2t 450 A2s
I t - value, Diode

Isolations-Prfspannung
RMS, f= 50Hz, t= 1min. VISOL 2,5 kV
insulation test voltage

Charakteristische Werte / Characteristic values

Transistor / Transistor min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sttigungsspannung IC= 75A, VGE= 15V, Tvj= 25C - 1,95 2,45 V
VCE sat
collector-emitter saturation voltage IC= 75A, VGE= 15V, Tvj= 125C - 2,20 - V

Gate-Schwellenspannung
IC= 1,5mA, VCE= VGE, Tvj= 25C VGE(th) 4,5 5,5 6,5 V
gate threshold voltage

Eingangskapazitt
f= 1MHz, Tvj= 25C, VCE= 25V, VGE= 0V Cies - 3,3 - nF
input capacitance

Rckwirkungskapazitt
f= 1MHz, Tvj= 25C, VCE= 25V, VGE= 0V Cres - 0,3 - nF
reverse transfer capacitance

Kollektor-Emitter Reststrom VCE= 600V, VGE= 0V, Tvj= 25C - 1 500 A

ICES
collector-emitter cut-off current VCE= 600V, VGE= 0V, Tvj= 125C - 1 - mA

Gate-Emitter Reststrom
VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25C IGES - - 400 nA
gate-emitter leakage current

prepared by: Andreas Vetter date of publication: 2000-04-26

approved by: Michael Hornkamp revision: 1

BSM 75 GB 60 DLC
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IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 75 GB 60 DLC

Charakteristische Werte / Characteristic values

Transistor / Transistor min. typ. max.
IC= 75A, VCC= 300V
Einschaltverzgerungszeit (ind. Last)
VGE= 15V, RG= 3,0, Tvj= 25C td,on - 63 - ns
turn on delay time (inductive load)
VGE= 15V, RG= 3,0, Tvj= 125C - 65 - ns
IC= 75A, VCC= 300V
Anstiegszeit (induktive Last)
VGE= 15V, RG= 3,0, Tvj= 25C tr - 22 - ns
rise time (inductive load)
VGE= 15V, RG= 3,0, Tvj= 125C - 25 - ns
IC= 75A, VCC= 300V
Abschaltverzgerungszeit (ind. Last)
VGE= 15V, RG= 3,0, Tvj= 25C td,off - 155 - ns
turn off delay time (inductive load)
VGE= 15V, RG= 3,0, Tvj= 125C - 170 - ns
IC= 75A, VCC= 300V
Fallzeit (induktive Last)
VGE= 15V, RG= 3,0, Tvj= 25C tf - 20 - ns
fall time (inductive load)
VGE= 15V, RG= 3,0, Tvj= 125C - 35 - ns

Einschaltverlustenergie pro Puls IC= 75A, VCC= 300V, VGE= 15V

Eon - 0,7 - mJ
turn-on energy loss per pulse RG= 3,0, Tvj= 125C, L = 30nH

Abschaltverlustenergie pro Puls IC= 75A, VCC= 300V, VGE= 15V

Eoff - 2,4 - mJ
turn-off energy loss per pulse RG= 3,0, Tvj= 125C, L = 30nH

Kurzschluverhalten tP 10sec, VGE 15V

ISC - 340 - A
SC Data Tvj125C, VCC=360V, VCEmax= VCES -LCE di/dt

Modulinduktivitt
LCE - 40 - nH
stray inductance module

Modul-Leitungswiderstand, Anschlsse - Chip

Tc= 25C RCC'+EE' - 1,2 - m
lead resistance, terminals - chip

Charakteristische Werte / Characteristic values

Diode / Diode min. typ. max.
Durchlaspannung IF= 75A, VGE= 0V, Tvj= 25C - 1,25 1,6 V
VF
forward voltage IF= 75A, VGE= 0V, Tvj= 125C - 1,20 - V
IF= 75A, -diF/dt= 3000A/sec
Rckstromspitze
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25C IRM - 95 - A
peak reverse recovery current
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125C - 115 - A
IF= 75A, -diF/dt= 3000A/sec
Sperrverzgerungsladung
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25C Qr - 5,1 - C
recoverred charge
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125C - 7,9 - C
IF= 75A, -diF/dt= 3000A/sec
Abschaltenergie pro Puls
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25C Erec - - - mJ
reverse recovery energy
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125C - 2,3 - mJ

BSM 75 GB 60 DLC
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IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 75 GB 60 DLC

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

min. typ. max.
Innerer Wrmewiderstand Transistor / transistor, DC - - 0,35 K/W
RthJC
thermal resistance, junction to case Diode / diode, DC - - 0,66 K/W

bergangs-Wrmewiderstand pro Modul / per module

RthCK - 0,03 - K/W
thermal resistance, case to heatsink Paste= 1W/m*K / grease= 1W/m*K

Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
Tvj - - 150 C
maximum junction temperature

Betriebstemperatur
Top -40 - 125 C
operation temperature

Lagertemperatur
Tstg -40 - 125 C
storage temperature

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehuse, siehe Anlage

case, see appendix

Innere Isolation
Al2O3
internal insulation

Kriechstrecke
15 mm
creepage insulation

Luftstrecke
8,5 mm
clearance

CTI
275
comperative tracking index

Anzugsdrehmoment fr mech. Befestigung Schraube M6 5 Nm

M1
mounting torque screw M6 -15 +15 %

Gewicht
G 180 g
weight

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen.

This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.

It is valid in combination with the belonging technical notes.

BSM 75 GB 60 DLC
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IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 75 GB 60 DLC

Ausgangskennlinie (typisch) I C= f (VCE)

Output characteristic (typical) VGE= 15V

150

125 Tvj = 25C

Tvj = 125C

100
IC [A]

75

50

25

0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5

VCE [V]

Ausgangskennlinienfeld (typisch) I C= f (VCE)

Output characteristic (typical) Tvj= 125C

150

125 VGE = 8V
VGE = 9V
VGE = 10V
100 VGE = 12V
VGE = 15V
IC [A]

VGE = 20V
75

50

25

0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0

VCE [V]

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bertragungscharakteristik (typisch) I C= f (VGE)

Transfer characteristic (typical) VCE= 20V

150

Tvj = 25C
125
Tvj = 125C

100
IC [A]

75

50

25

0
5 6 7 8 9 10 11 12 13

VGE [V]

Durchlakennlinie der Inversdiode (typisch) I F= f (VF)

Forward characteristic of inverse diode (typical)

150

Tvj = 25C
125 Tvj = 125C

100
IF [A]

75

50

25

0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6

VF [V]

BSM 75 GB 60 DLC
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Schaltverluste (typisch) E on= f (IC), Eoff= f (IC), Erec= f (IC)

Switching losses (typical) ,= , VCC= 300V, Tvj= 125C
, =RG,off = 3,0
RG,on= 3,0,

5,0

4,5 Eon
Eoff
4,0 Erec

3,5
E [mJ]

3,0

2,5

2,0

1,5

1,0

0,5

0,0
0 25 50 75 100 125 150
IC [A]

Schaltverluste (typisch) E on= f (RG), Eoff= f (RG), Erec= f (RG)

Switching losses (typical) IC= 75A , VCC= 300V , Tvj = 125C

5,0

4,5 Eon
Eoff
4,0 Erec

3,5

3,0
E [mJ]

2,5

2,0

1,5

1,0

0,5

0,0
0 5 10 15 20 25 30

]
RG [

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IGBT-Modules BSM 75 GB 60 DLC

Transienter Wrmewiderstand Z thJC = f (t)

Transient thermal impedance

0,1
[K / W]
ZthJC

Zth:IGBT
0,01 Zth:Diode

0,001
0,001 0,01 0,1 1 10

t [sec]

i 1 2 3 4
ri [K/kW] : IGBT 14,8 183,4 123,4 28,4
i [sec] : IGBT 0,0018 0,0240 0,0651 0,6626
ri [K/kW] : Diode 232,6 223,1 140,1 64,2
i [sec] : Diode 0,0487 0,0169 0,1069 0,9115

Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)

Reverse bias safe operation area (RBSOA) , Tvj= 125C
VGE= +15V, R G,off = 3,0,

175

150

125

100

75
IC [A]

IC,Modul
50 IC,Chip

25

0
0 100 200 300 400 500 600 700

VCE [V]

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Gehusemae / Schaltbild
Package outline / Circuit diagram

13 M5
10 2,8 x 0,5

6
6 17 6
7

1 2 3

23 23 17 5
80 4
94

6
7

1 3

5
2 4

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