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UNIVERSIDADE FEDERAL DO RIO GRANDE DO SUL ESCOLA DE ENGENHARIA DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA

ENG04 447 ELETRÔNICA FUNDAMENTAL I-A

Turma B

RELATÓRIO DO LABORATÓRIO 3 Diodo de Junção

GRUPO:

Bruno Rodriguez Tondin (161131) Maurício Kenji Yamawaki (160966) Matheus Moro Martins (159466)

SUMÁRIO

Lista de figuras Pag, 3

Lista de símbolos Pag, 4

Introdução Pag, 5

Características

do diodo de junção de Silício Pag, 6

Polarização de diodos aproximações teóricas e resultados experimentais Pag, 9

Resultados Pag, 11

Conclusão Pag, 16

Bibliografia Pag, 17

LISTA DE FIGURAS

- Figura 1 Circuito 1

- Figura 2 Gráfico de

com aproximação exponencial.

- Figura 3 Gráfico de comparação entre

- Figura 4 Circuito 2.

- Figura 5 Circuito 3.

teórico e

medido.

- Figura 6 Tabela de resultado do item 1.2.

- Figura 7 Gráfico de

medidos.

- Figura 8 Tabela com a resistência para cada faixa de

medidos.

- Figura 9 Gráfico de resistência dinâmica

- Figura 10 Tabela de medidas do item 2.1.

- Figura 11 Tabela de medidas do item 2.2.

- Figura 12 Tabela de valores ideais do circuito 2.

- Figura 13 Tabela de erro entra valores ideias e reais do circuito 2.

- Figura 14 Tabela de valores ideais do circuito 3.

- Figura 15 Tabela de erro entra valores ideais e reais do circuito 3.

- Figura 16 Tabela de valores calculados com 0,6V de queda de tensão sobre diodos em condução.

- Figura 17 Tabela de erro entre valores teóricos (com QT 0,6V) e reais do circuito 2.

- Figura 18 Tabela de valores calculados com 0,6V de queda de tensão sobre diodos em condução.

- Figura 19 Tabela de erro entre valores teóricos (com QT 0,6V) e reais do circuito 3.

LISTA DE SÍMBOLOS

V

Tensão em Volts

A

Corrente em Amperes

S

Tempo em Segundos

°C Temperatura em Graus Celsius - Resistência elétrica em Ohm F Capacitância em Faraday

INTRODUÇÃO

Este relatório tem o objetivo de analisar e verificar o comportamento do diodo de junção de silício 1N4148 no caráter ideal e experimental, verificando assim, suas imperfeições e não linearidades, ausentes quando trabalhados apenas como modelos teóricos. Comparar esses dois comportamentos irá mostrar o quanto os valores reais diferem dos valores ideais.

1 Características

do diodo de junção de Silício

1.1. O circuito 1 mostrado a baixo foi montado no Protoboard sendo o diodo D do tipo

1N4148

foi montado no Protoboard sendo o diodo D do tipo 1N4148 1.2. As fontes (Figura 1)

1.2. As fontes

(Figura 1)

foram montadas de forma a permitir as condições necessárias para

operar o diodo nas regiões de corte e de condução e, a partir disso foi possível medir

diferentes valores de corrente e tensão sobre ele.

1.3. Utilizando a ferramenta gráfica do Microsoft Office Excel foi possível obter, a partir dos

valores da Tabela 1, um gráfico (Gráfico 1) que representa o comportamento de

varia de -3V até 687mV. Este gráfico se encontra na SEÇÃO DE RESULTADOS no final deste relatório.

quando

1.4. A partir do gráfico do item 1.3 foi possível, para valores de

, obter um novo

gráfico e nele obter, com a ferramenta matemática do Microsoft Office Excel, uma

aproximação exponencial contínua para o comportamento de

isso é possível comparar essa função obtida com a equação

que já era previamente estabelecida. Deste modo é possível obter os valores de “n” e

O valor “

numero de pernas do componente semicondutor.

” é a corrente de fuga, enquanto o valor “n” é a constante que depende do

quando

varia. Com

com

= 26mV

.

é a constante que depende do quando varia. Com com = 26mV . (Figura 2) 1.5.A

(Figura 2)

1.5.A partir dos valores de “

” e “n” obtidos no item anterior foi é possível traçar um gráfico

teórico a partir da expressão completa de

em relação a

:

com isso é possível fazer uma comparação ao do item 1.3 para analisar as diferenças entre o comportamento real e teórico do diodo medido.

O gráfico assume essa forma:

O gráfico assume essa forma: (Figura 3) 1.6. A partir dos resultados dos itens anteriores foi

(Figura 3)

1.6. A partir dos resultados dos itens anteriores foi possível verificar que, diferente de dispositivos “ôhmicos”, os diodos não variam sua corrente linearmente. Ou seja; sua resistência não é constante. No entanto é possível, mesmo com essa não-linearidade, utilizar a lei de Ohm para determinar a resistência para uma faixa de valores pequena

utilizando a equação:

e corrente em cada faixa medida no item 1.1. respectivamente. O resultado destas operações se encontra na SEÇÃO DE RESULTADOS no final deste relatório.

, onde

e

serão os valores de da resistência, tensão

,

2 - Polarização de diodos aproximações teóricas e resultados experimentais

2.1. O circuito 2 representado na figura a baixo foi montado no protoboard e alimentado com

duas fontes simétricas de

componente e com elas calculadas as correntes.

10V. Em seguida foram medidas as tensões em cima de cada

10V. Em seguida foram medidas as tensões em cima de cada (Figura 4) 2.2. O procedimento

(Figura 4)

2.2. O procedimento do item anterior foi repetido para o circuito 3, que está representado na

figura a baixo.

O procedimento do item anterior foi repetido para o circuito 3 , que está representado na

(Figura 5)

2.3.

Depois de obtidos os valores por medição, será necessário que se compare esses

resultados com os obtidos por cálculos em cima de modelos ideais. Para isso será considerado o valor da queda de tensão sobre o diodo nulo, depois será calculado um possível erro percentual entre os valores obtidos teórico e experimentalmente.

2.4 Para se obter um valor teórico mais próximo do real, a mesma analise do item anterior

será feita, porém com a queda de tensão sobre os diodos sendo de 0,6V, quando considerados em condução. Este é o valor escolhido para esta imperfeição pois é a tensão “nominal” de polarização da junção PN de diodos de silício.

RESULTADOS

 

1.2.

 

-3,0

-1,0

0,0

0,3

0,4

0,5

0,53

0,57

0,605

0,622

0,637

0,668

0,687

 

0

0

0

0

0,018

0,11

0,1

0,25

0,5

0,75

1,0

2,0

3,0

1.3.

(Figura 6)

 
0,75 1,0 2,0 3,0 1.3. (Figura 6)   1.4. (Figura 7) A partir da aproximação feita

1.4.

(Figura 7)

A partir da aproximação feita e MSO Excel foi possível chegar à equação contínua:

Comparando com a expressão teórica:

e

isolando “n” e considerando

pode-se deduzir que:

, ficamos com:

que é aproximadamente:

O que é plausível para uma componente de dois terminais.

1.5. Ambos os gráficos assumiram um comportamento semelhante, porem a linha do

modelo medido está 0,2V adiantado ao modelo calculado. Possívelmente por imperfeições existentes no componente e por erros de paralaxe.

1.6.

0,4

0,5

0,53

0,57

0,605

0,622

0,637

0,668

0,687

0,0018

0,11

0,1

0,25

0,5

0,75

1,0

2,0

3,0

222,22

4,54

5,3

2,28

1,21

0,83

0,64

0,33

0,23

(Figura 8)

A resistência para valores de corrente tendendo a zero não foram calculados, pois, devido

à imprecisão do voltímetro, não foi possível medir um valor para corrente diferente de 0

nesses pontos, fazendo com que seja impossível calcular essas resistências.

A partir desses valores é possível traçar a seguinte curva num gráfico (Gráfico 4):

traçar a seguinte curva num gráfico (Gráfico 4): (Figura 9) É possível perceber que a resistência

(Figura 9)

É possível perceber que a resistência dinâmica depende da variação da tensão em relação

à corrente, ou seja, a resistência é a derivada da tensão no diodo pela corrente. Como a

tensão varia logariticamente em relação a tensão, podemos deduzir que o gráfico a cima responde a uma função na forma de

.

2.1. Através das medidas de tensões no circuito 2 e da simples aplicação da Lei de Ohm

(V=R.I) e da Lei de Kirchoff para correntes em um nó tabela com as tensões e correntes sobre cada componente.

pode-se montar uma

v(V)

9,4

10

0,6

0,6

i(mA)

2

1

1

1

(Figura 10)

2.2. Através das medidas de tensões no circuito 3 e da simples aplicação da Lei de Ohm

(V=R.I) e da Lei de Kirchoff para correntes em um nó tabela com as tensões e correntes sobre cada componente.

pode-se montar uma

v(V)

13,12

6,2

-3,14

0,6

i(mA)

1,31

1,32

-0,01

1,32

(Figura 11)

2.3. Para fazer a análise teórica ideal do circuito 2 foi arbitrado quais os diodos estavam

em corte e quais estavam em condução. Quando em condução, o diodo ideal possui

e , porém em corte possui

e

.

Arbitrando que ambos os diodos estavam em condução e fazendo a análise, foi verificada que esta escolha foi a correta, pois foram satisfeitas as expressões:

e

. Aplicando a Lei de Ohm (V=R.I) e a Lei de Kirchoff para correntes em um no circuito foi possível montar uma tabela com os valores ideais de

tensão e corrente para o circuito 2.

v(V) 10 10 0 0 i(mA) 2,13 1 1,13 1 (Figura 12) Para o cálculo
v(V)
10
10
0
0
i(mA)
2,13
1
1,13
1
(Figura 12)
Para o cálculo do erro foi utilizada a equação:
|
Onde
é o erro percentual entre o valor prático e teórico.
para a
6
0
100
100
tensão
para a
6,1
0
11,5
0
corrente

(Figura 13)

Arbitrando que o diodo 1 estava em corte e o diodo 2 estava em condução e fazendo a análise, foi verificada que esta escolha foi a correta, pois foram satisfeitas as expressões:

e para o diodo 2 e

e

para o diodo 1.

Aplicando a Lei de Ohm (V=R.I) e a Lei de Kirchoff para correntes em um

tensão e corrente para o circuito 3.

no circuito foi possível montar uma tabela com os valores ideais de

v(V)

13,6

6,4

-3,6

0

i(mA)

1,36

1,36

0

1,36

(Figura 14)

Para o cálculo do erro foi utilizada a equação:

Onde

é o erro percentual entre o valor prático e teórico.

para a

tensão

3,53

3,13

12,78

100

para a

corrente

3,68

2,94

100

2,94

(Figura 15)

O erro considerando a tensão sobre o diodo em condução nula é relativamente alto, visto que sua tensão real é bem diferente de zero.

2.4. Atribuindo o valor fixo de 0,6V para o diodo em condução, teremos suas expressões:

e para o diodo em condução e

e

para o diodo em corte.

No circuito 2 será arbitrado os estados dos diodos exatamente como no item 2.3, ou seja, ambos em condução. É possível notar que esta analise foi correta pois satisfez as expressões para o diodo em condução mostradas anteriormente. Com isso, pode-se montar a tabela de valores de corrente e tensão.

v(V)

9,4V

10

0,6

0,6

i(mA)

2

1

1

1

(Figura 16)

Para o cálculo do erro foi utilizada a equação:

Onde

é o erro percentual entre o valor prático e teórico.

para a

tensão

0

0

0

0

para a

corrente

0

0

0

0

(Figura 17)

No circuito 3 será arbitrado os estados dos diodos exatamente como no item 2.3, ou seja, D1 em corte e D2 em condução. É possível notar que esta analise foi correta pois satisfez as expressões para o diodo em condução e corte mostradas anteriormente. Com isso, pode-se montar a tabela de valores de corrente e tensão.

v(V)

13,2

6,2

-3,2

0,6

i(mA)

1,32

1,32

0

1,32

(Figura 18)

Para o cálculo do erro foi utilizada a equação:

Onde

é o erro percentual entre o valor prático e teórico.

para a

tensão

0,6

0

1,9

0

para a

corrente

0,7

0

100

0

(Figura 19)

Considerando o valor de tensão sobre o diodo em condução 0,6V mostrou ser muito eficaz para calcular a partir de um modelo teórico; um modelo real, visto que o erro relativo entre os valores é muito pequeno.

CONCLUSÃO

Terminado este relatório, foi possível verificar que o diodo, como esperado, não se comporta como um componente linear devido à imperfeições, provavelmente diferenças de temperatura, imprecisões de fabricação, resistências parasitas, entre outras. No entanto, mesmo com estes problemas é possível, considerando as limitações, projetar circuitos teóricos e verificar um comportamento real muito próximo ao ideal.

BIBLIOGRAFIA

[1] Adel S. Sedra, Kenneth C. Smith. Microeletrônica 5ª Edição São Paulo: Pearson Prentice Hall, 2007