DIODO DE USO COMUN

El diodo semiconductor se forma uniendo los materiales tipo N y tipo P, los cuales deben estar
construidos a partir del mismo material base, el cual puede ser Ge o Si. En el momento en que dos
materiales son unidos (uno tipo N y el otro tipo P), los electrones y los huecos que están en, o cerca de, la
región de "unión", se combinan y esto da como resultado una carencia de portadores (tanto como
mayoritarios como minoritarios) en la región cercana a la unión. Esta región de iones negativos y positivos
descubiertos recibe el nombre de Región de Agotamiento por la ausencia de portadores.

Existen tres posibilidades al aplicar un voltaje a través de las terminales del diodo:

• No hay polarización (Vd = 0 V).

• Polarización directa (Vd > 0 V).

• Polarización inversa (Vd < 0 V).

Vd = 0 V. En condiciones sin polarización, los portadores minoritarios (huecos) en el material tipo N que
se encuentran dentro de la región de agotamiento pasarán directamente al material tipo P y viceversa. En
ausencia de un voltaje de polarización aplicado, el flujo neto de carga (corriente) en cualquier dirección es
cero para un diodo semiconductor.

La aplicación de un voltaje positivo "presionará" a los electrones en el material tipo N y a los huecos en el
material tipo P para recombinar con los iones de la frontera y reducir la anchura de la región de
agotamiento hasta desaparecerla cuando VD ³ 0.7 V para diodos de Silicio.

Id = I mayoritarios - Is

Condición de Polarización Inversa (Vd < 0 V). Bajo esta condición el número de iones positivos
descubiertos en la región de agotamiento del material tipo N aumentará debido al mayor número de
electrones libres arrastrados hacia el potencial positivo del voltaje aplicado. El número de iones negativos
descubiertos en el material tipo P también aumentará debido a los electrones inyectados por la terminal
negativa, las cuales ocuparán los huecos.

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El fenómeno explicado anteriormente, en ambos tipos de material N y P, provocará que la región de
agotamiento se ensanche o crezca hasta establecer una barrera tan grande que los portadores
mayoritarios no podrán superar, esto significa que la corriente Id del diodo será cero. Sin embargo, el
número de portadores minoritarios que estarán entrando a la región de agotamiento no cambiará, creando
por lo tanto la corriente Is. La corriente que existe bajo condiciones de polarización inversa se denomina
corriente de saturación inversa,

Is.

El término "saturación" proviene del hecho que alcanza su máximo nivel (se satura) en forma rápida y no
cambia significativamente con el incremento en el potencial de polarización inversa, hasta que al valor Vz
o VPI, voltaje pico inverso.

El máximo potencial de polarización inversa que puede aplicarse antes de entrar en la región Zener se
denomina Voltaje Pico Inverso o VPI nominal.

Los diodos de silicio tienen generalmente valores nominales de VPI y de corriente más altos e intervalos
de temperatura más amplios que los diodos de germanio.

El general, el funcionamiento de este diodo, a grandes rasgos es la siguiente: En la zona directa se puede
considerar como un generador de tensión continua, tensión de codo (0.5-0.7 V para el silicio y 0.2-0.4 V
para el germanio). Cuando se polariza en inversa se puede considerar como un circuito abierto. Cuando
se alcanza la tensión inversa de disyunción (zona Inversa) se produce un aumento drástico de la corriente
que puede llegar a destruir al dispositivo. Este diodo tiene un amplio margen de aplicaciones: circuitos
rectificadores, limitadores, fijadores de nivel, protección contra cortocircuitos, demoduladores,
mezcladores, osciladores, bloqueo y bypass en instalaciones fotovolcaicas, etc.

Cuando usamos un diodo en un circuito se deben tener en cuenta las siguientes consideraciones (a partir
de las hojas de características suministradas por el fabricante):

 La tensión inversa máxima aplicable al componente, repetitiva o no (VRRR máx o VR máx,

respectivamente) ha de ser mayor (del orden de tres veces) que la máxima que este va a soportar.

 La corriente máxima en sentido directo que puede atravesar al componente, repetitiva o no (IFRM máx
e IF máx respectivamente), he de ser mayor (del orden del doble) que la máxima que este va a soportar.

 La potencia máxima que puede soportar el diodo (potencia nominal) ha de ser mayor (del orden del
doble) que la máxima que este va a soportar.

En la figura N°01, podemos observar la representación gráfica o símbolo para este tipo de diodo.

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 Curva Diodo Real

Uno de los parámetros importantes para el diodo es la resistencia en el punto o región de operación. Si
consideramos la región definida por la dirección de Id y la polaridad de Vd, encontraremos que el valor de
la resistencia directa RF, de acuerdo a como se define con la ley de Ohm es:

Donde VF es el voltaje de polarización directo a través del diodo e IF es la corriente en sentido directo a
través del diodo. El diodo, por consiguiente, es un corto circuito para la región de conducción.

Si consideramos la región del potencial aplicado negativamente,

Donde VR es el voltaje de polarización inverso a través del diodo e IR es la corriente inversa en el diodo.
El diodo, en consecuencia, es un circuito abierto en la región en la que no hay conducción.

DIODO ZENER

La corriente en la región Zener tiene una dirección opuesta a la de un diodo polarizado directamente. El
diodo Zener es un diodo que ha sido diseñado para trabajar en la región Zener.

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De acuerdo con la definición, se puede decir que el diodo Zener ha sido diseñado para trabajar con
voltajes negativos (con respecto a él mismo). Es importante mencionar que la región Zener (en un diodo
Zener) se controla o se manipula variando los niveles de dopado. Un incremento en el número de
impurezas agregadas, disminuye el potencial o el voltaje de Zener VZ.

Así, se obtienen diodos Zener con potenciales o voltajes de Zener desde -1.8 V a -200 V y potencias de
1/4 a 50 W. El diodo Zener se puede ver como un dispositivo el cual cuando ha alcanzado su potencial VZ
se comporta como un corto. Es un "switch" o interruptor que se activa con VZ volts. Se aplica en
reguladores de voltaje o en fuentes.

En el circuito que se muestra en la figura N°03, se desea proteger la carga contra sobre voltajes, el
máximo voltaje que la carga puede soportar es 4.8 volts. Si se elige un diodo Zener cuyo VZ sea 4.8 volts,
entonces este se activará cuando el voltaje en la carga sea 4.8 volts, protegiéndola de esta manera.

De acuerdo a otras consideraciones, el funcionamiento de este diodo, a grandes rasgos es la siguiente:

En la zona directa lo podemos considerar como un generador de tensión continua (tensión de codo). En la
zona de disrupción, entre la tensión de codo y la tensión zener (Vz nom) lo podemos considerar un
circuito abierto. Cuando trabaja en la zona de disrupción se puede considerar como un generador de
tensión de valor Vf= -Vz.

El zener se usa principalmente en la estabilidad de tensión trabajando en la zona de disrupción.

Podemos distinguir:

 Vz nom,Vz: Tensión nominal del zener (tensión en cuyo entorno trabaja adecuadamente el zener).

 Iz min: Mínima corriente inversa que tiene que atravesar al diodo a partir de la cual se garantiza el
adecuado funcionamiento en la zona de disrupción (Vz min).

 Iz max: Máxima corriente inversa que puede atravesar el diodo a partir de la cual el dispositivo se
destruye (Vz max).

 Pz: Potencia nominal que no debe sobrepasar el componente. Aproximadamente se corresponde con
el producto de Vz nom y Iz max.

En la gráfica N°01, se puede observar la curva característica de este tipo de diodo.

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Cuando usamos un diodo zener en un circuito se deben tener en cuenta las siguientes consideraciones (a
partir de las hojas de características suministradas por el fabricante):

 Para un correcto funcionamiento, por el zener debe circular una corriente inversa mayor o igual a Iz
min.

 La corriente máxima en sentido inverso ha de ser siempre menor que Iz max.

 La potencia nominal Pz que puede disipar el zener ha de ser mayor (del orden del doble) que la
máxima que este va a soportar en el circuito.

EL DIODO EMISOR DE LUZ (LED)

El LED es un diodo que produce luz visible (o invisible, infrarroja) cuando se encuentra polarizado. El
voltaje de polarización de un LED varía desde 1.8 V hasta 2.5 V, y la corriente necesaria para que emita
la luz va desde 8 mA hasta los 20 mA.

Principio de Funcionamiento:

En cualquier unión P-N polarizada directamente, dentro de la estructura y principalmente cerca de la

unión, ocurre una recombinación de huecos y electrones (al paso de la corriente). Esta recombinación
requiere que la energía que posee un electrón libre no ligado se transfiera a otro estado. En todas las
uniones P-N una parte de esta energía se convierte en calor y otro tanto en fotones. En el Si y el Ge el
mayor porcentaje se transforma en calor y la luz emitida es insignificante. Por esta razón se utiliza otro
tipo de materiales para fabricar los LED's, como Fosfuro Arseniuro de de Galio (GaAsP) o fosfuro de Galio
(GaP).

Figura N°03

Los diodos emisores de luz se pueden conseguir en colores: verde, rojo, amarillo, ámbar, azul y algunos
otros.

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Hay que tener en cuenta que las características obtenidas de las hojas de especificaciones pueden ser
distintas para los diodos (p. e. 1N4001) aunque ambos hayan sido producidos en el mismo lote. También
hay que tener en cuenta otro tipo de tolerancias como los resistores, uno marcado de 100W puede ser
realmente de 98W o de 102W o tal vez si ser exacto, y una fuente "ajustada" a 10V puede estar ajustada
realmente a 9.9V o a 10.1V o tal vez a 10V.

De acuerdo a otras consideraciones, El diodo LED presenta un comportamiento análogo al diodo

rectificador (diodo semiconductor p-n), sin embargo, su tensión de codo tiene un valor mayor,
normalmente entre 1.2-1.5 V. Según el material y la tecnología de fabricación estos diodos pueden emitir
en el infrarrojo (diodos IRED), rojo, azul, amarillo y verde, dependiendo de cual sea la longitud de onda en
torno a la cual emita el LED.

Entre sus aplicaciones podemos destacar: pilotos de señalización, instrumentación, optoaclopadores, etc.

Resulta difícil distinguir, por pura inspección visual, el modelo del LED así como el fabricante: los valores
máximos de tensión y corriente que puede soportar y que suministra el fabricante serán por lo general
desconocidos. Por esto, cuando se utilice un diodo LED en un circuito, se recomienda que la intensidad
que lo atraviese no supere los 20 mA, precaución de carácter general que resulta muy válida. En la figura
N°04, se muestra el símbolo electrónico de este tipo de diodo.

Figura N°04

El diodo LED puede ser tratado de manera análoga a un diodo normal. sin embargo conviene tener en
cuenta que los diodos LED no están fabricados de silicio monocristalino, ya que el silicio monocristalino es
incapaz de emitir fotones. Debido a ello, la tensión de polarización directa Vd depende del material con el
que esté fabricado el diodo.

El material que compone el diodo LED, es importante ya que el color de la luz emitida por el LED depende
únicamente del material y del proceso de fabricación principalmente de los dopados.

En la tabla adjunta aparecen algunos ejemplos de materiales utilizados junto con los colores conseguidos:

Material Longitud de Onda Color Vd Típica

AsGa 904 nm IR 1V
InGaAsP 1300 nm IR 1V
AsGaAl 750-850 nm Rojo 1,5 V
AsGaP 590 nm Amarillo 1,6 V
InGaAlP 560 nm Verde 2,7 V
CSi 480 nm Azul 3V

FOTODIODOS

Los fotodiodos. Son diodos sensibles a la luz. Generan un voltaje de corriente continua proporcional a la
cantidad de luz que incide sobre su superficie, es decir, son diodos de unión PN cuyas características
eléctricas dependen de la cantidad de luz que incide sobre la unión. Se utilizan como medidores y
sensores de luz y en receptores ópticos de comunicaciones.

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 Representación gráfica de un Fotodiodo y su correspondientes curvas características

El efecto fundamental bajo el cual opera un fotodiodo es la generación de pares electrón - hueco debido a
la energía luminosa. Este hecho es lo que le diferencia del diodo rectificador de silicio en el que,
solamente existe generación térmica de portadores de carga. La generación luminosa, tiene una mayor
incidencia en los portadores minoritarios, que son los responsables de que el diodo conduzca ligeramente
en inversa.

El comportamiento del fotodiodo en inversa se ve claramente influenciado por la incidencia de luz.

Conviene recordar que el diodo real presenta unas pequeñas corrientes de fugas de valor IS. Las
corrientes de fugas son debidas a los portadores minoritarios, electrones en la zona P y huecos en la
zona N. La generación de portadores debido a la luz provoca un aumento sustancial de portadores
minoritarios, lo que se traduce en un aumento de la corriente de fuga en inversa tal y como se ve en la
figura anterior.

El comportamiento del fotodiodo en directa apenas se ve alterado por la generación luminosa de

portadores. Esto es debido a que los portadores provenientes del dopado (portadores mayoritarios) son
mucho más numerosos que los portadores de generación luminosa.

Corte transversal de un fotodiodo comercial

DIODOS DE EFECTO TUNEL

Los diodos de efecto túnel. Son dispositivos muy versátiles que pueden operar como detectores,
amplificadores y osciladores. Poseen una región de juntura extremadamente delgada que permite a los
portadores cruzar con muy bajos voltajes de polarización directa y tienen una resistencia negativa, esto
es, la corriente disminuye a medida que aumenta el voltaje aplicado.

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LOS VARACTORES

Son diodos de silicio perfeccionados para operar con capacitancia variable, que se utilizan como
sintonizadores en sistemas de comunicaciones, especialmente en FM.

A máxima capacitancia del varactor se presenta con voltajes de polarización cero, cuando la capa de
agotamiento es más delgada. Cuanto más alto es el voltaje inverso aplicado, más estrecha es la capa de
agotamiento y por lo tanto, la capacitancia disminuye. Estos diodos también reciben el nombre de diodos
Varicap.

El símbolo del diodo varactor se muestra abajo con una representación del diagrama.

Cuando un voltaje inverso es aplicado a la junción PN, los agujeros en la región P se atraen a la terminal
del ánodo y los electrones en la región N se atraen a la terminal del cátodo, creando una región de poca
corriente. Esta es la región de agotamiento, son esencialmente desprovistos de portadores y se
comportan como el dieléctrico de un condensador.

La región de agotamiento aumenta mientras que el voltaje inverso aplicado a él aumenta; y puesto que la
capacitancia varía inversamente con el espesor dieléctrico, la capacitancia de la juntura disminuirá
cuando el voltaje aplicado a la juntura PN aumenta. En la gráfica, se observa la variación de la capacidad
con respecto al voltaje.

En la gráfica se puede observar el aumento no lineal en la capacitancia cuando se disminuye el voltaje

inverso. Esta no linealidad, permite que el varactor sea utilizado también como generador armónico.

Las consideraciones importantes del varactor son:

 Valor de la capacitancia.

 Voltaje.

 Variación en capacitancia con voltaje.

 Voltaje de funcionamiento máximo.

 Corriente de la salida.

LOS DIODOS VARISTOR

O supresor de transientes, es un dispositivo semiconductor utilizado para absorber picos de alto voltaje
desarrollados en las redes de alimentación eléctrica. Cuando aparece un transitorio, el varistor cambia su
resistencia de un valor alto a otro valor muy bajo. El transitorio es absorbido por el varistor, protegiendo de

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esa manera los componentes sensibles del circuito. Los varistors se fabrican con un material no-
homogéneo.(Carburo de silicio).

CARACTERISTICAS:

 Amplia gama de voltajes - desde 14 V a 550 V (RMS). Esto permite una selección fácil del
componente correcto para una aplicación específica.

 Alta capacidad de absorción de energía respecto a las dimensiones del componente.

 Tiempo de respuesta de menos de 20 ns, absorbiendo el transitorio en el instante que ocurre.

 Bajo consumo (en stabd-by) - virtualmente nada.

 Valores bajos de capacidad, lo que hace al varistor apropiado para la protección de circuitería en
conmutación digital.

 Alto grado de aislamiento.

Máximo impulso de corriente no repetitiva

• El pico máximo de corriente permitido a través del varistor depende de la forma del impulso, del
duty cycle y del número de pulsos.

• Con el fin de caracterizar la capacidad del varistor para resistir impulsos de corriente, se permite
generalmente que garantice un `máximo impulso de corriente no repetitiva'. Este viene dado por
un impulso caracterizado por la forma del impulso de corriente desde 8 microsegundos a 20
microsegundos siguiendo la norma “IEC 60-2”, con tal que la amplitud del voltaje del varistor
medido a 1 mA no lo hace cambiar más del 10% como máximo.

• Un impulso mayor que el especificado puede ocasionar cortocircuitos o ruptura del propio
componente; se recomienda por lo tanto instalar un fusible en el circuito que utiliza el varistor, o
utilizar una caja protectora.

• Si se aplica más de un de impulso o el impulso es de una duración mas larga, habría que
estudiar las curvas que al efecto nos proporcionan los fabricantes, estas curvas garantizan la
máxima variación de voltaje (10%) en el varistor con 1 mA.

Energía máxima

Durante la aplicación de un impulso de corriente, una determinada energía será disipada por el varistor.
La cantidad de la energía de disipación es una función de:

 La amplitud de la corriente.

 El voltaje correspondiente al pico de corriente.

 La duración del impulso.

 El tiempo de bajada del impulso; la energía que se disipa durante el tiempo entre 100% y 50% del pico
de corriente.

 La no linealidad del varistor.

A fin de calcular la energía disipada durante un impulso, se hace con la referencia generalmente a una
onda normalizada de la corriente. Esta onda esta prescrita por la norma “IEC 60-2 secciona 6” tiene una
forma que aumenta desde cero al valor de pico en un el tiempo corto, disminuyendo hasta cero o de una
manera exponencial, o bien sinusoidal.

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 Esta curva es definida por el tiempo principal virtual (t1) y el tiempo virtual al valor medio (t2)

DIODO SCHOTTKY (DIODO DE BARRERA)

Los diodos Schottky. Son dispositivos que tienen una caída de voltaje directa (VF) muy pequeña, del
orden de 0.3 V o menos. Operan a muy altas velocidades y se utilizan en fuentes de potencia, circuitos de
alta frecuencia y sistemas digitales. Reciben también el nombre de diodos de recuperación rápida (Fast
recovery) o de portadores calientes.

Cuando se realiza una ensambladura entre una terminal metálica se hace un material semiconductor, el
contacto tiene, típicamente, un comportamiento óhmico, cualquiera, la resistencia del contacto gobierna la
secuencia de la corriente. Cuando este contacto se hace entre un metal y una región semiconductora con
la densidad del dopante relativamente baja, las hojas dominantes del efecto debe ser el resistivo,
comenzando también a tener un efecto de rectificación. Un diodo Schottky, se forma colocando una
película metálica en contacto directo con un semiconductor, según lo indicado en la figura N°05. El metal
se deposita generalmente en un tipo de material N, debido a la movilidad más grande de los portadores
en este tipo de material. La parte metálica será el ánodo y el semiconductor, el cátodo.

En una deposición de aluminio

(3 electrones en la capa de valencia), los electrones del semiconductor tipo N migran hacía el metal,
creando una región de transición en la ensambladura.

Se puede observar que solamente los electrones (los portadores mayoritarios de ambos materiales) están
en tránsito. Su conmutación es mucho más rápida que la de los diodos bipolares, una vez que no existan
cargas en la región tipo N, siendo necesaria rehacer la barrera de potencial (típicamente de 0,3V). La
Región N tiene un dopaje relativamente alto, a fin de reducir la pérdida de conducción, por esto, la tensión
máxima soportable para este tipo de diodo está alrededor de los 100V.

La principal aplicación de este tipo de diodos, se realiza en fuentes de baja tensión, en las cuales las
caídas en los rectificadores son significativas.

Curva característica de un diodo SCHOTTKY

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EL DIODO LASER

Los diodos láser son constructivamente diferentes a los diodos LED normales. Las características de un
diodo láser son:

 La emisión de luz es dirigida en una sola dirección: Un diodo LED emite fotones en muchas
direcciones. Un diodo láser, en cambio, consigue realizar un guiado de la luz preferencial una sola
dirección.

Debido a estas dos propiedades, con el láser se pueden conseguir rayos de luz monocromática dirigidos
en una dirección determinada. Como además también puede controlarse la potencia emitida, el láser
resulta un dispositivo ideal para aquellas operaciones en las que sea necesario entregar energía con
precisión.

Ejemplo de aplicación: El lector de discos compactos:

Una de las muchas aplicaciones de los diodos láser es la de lectura de información digital de soportes de
datos tipo CD-ROM o la reproducción de discos compactos musicales. El principio de operación de uno y
otro es idéntico.

Esquema del funcionamiento del CD-ROM

Un haz láser es guiado mediante lentes hasta la superficie del CD. A efectos prácticos, se puede suponer
dicha superficie formada por zonas reflectantes y zonas absorbentes de luz. Al incidir el haz láser en una
zona reflectante, la luz será guiada hasta un detector de luz: el sistema ha detectado un uno digital. Si el
haz no es reflejado, al detector no le llega ninguna luz: el sistema ha detectado un cero digital.

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Un conjunto de unos y ceros es una información digital, que puede ser convertida en información
analógica en un convertidor digital-analógico. Pero esa es otra historia que debe de ser contada en otra
ocasión.

SIMBOLOGÍA

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