D

eveloppement dun outil de supervision et de contr

ole
pour une installation solaire photovoltaque
Michael Bressan

To cite this version:

Michael Bressan. Developpement dun outil de supervision et de controle pour une installation

solaire photovoltaque. Electronique. Universite de Perpignan, 2014. Francais. <tel-01068025>

HAL Id: tel-01068025

https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01068025
Submitted on 24 Sep 2014

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publics ou prives.
 Dlivr par
UNIVERSITE DE PERPIGNAN VIA DOMITIA

Prpare au sein de lcole doctorale ED305

Et de lunit de recherche CNRS UPR 8521

Spcialit : Science de l'ingnieur

Prsente par BRESSAN Michael

Dveloppement dun outil de supervision et

de contrle pour une installation solaire
photovoltaque

Soutenue le 19 Juin 2014 devant le jury compos de

M. Jean Franois GUILLEMOLES, Directeur adjoint la Prsident

recherche LIRDEP
M. Charles JOUBERT, Professeur lUniversit de Rapporteur
Lyon 1,
M. Frdric WURTZ, Charg de recherche CNRS, Rapporteur
G2ELAB Grenoble
Mme Monique POLIT, Professeur Emrite Membre
lUniversit de Perpignan
M. Adama TRAORE, Matre de confrences Membre
lUniversit de Perpignan
M. Frdrik THIERY, Matre de confrences Membre
lUniversit de Perpignan
M. Thierry TALBERT, Matre de confrences Directeur de thse
lUniversit de Perpignan
Mme Corinne ALONSO, Professeur lUniversit Co-directeur de thse
de Toulouse 3
Remerciements
Jadresse tout dabord mes remerciements M. Charles JOUBERT, professeur lUniversit
de Lyon 1, et M. Frdric WURTZ, charg de recherche CNRS au laboratoire G2ELAB
Grenoble, davoir accept dtre rapporteurs de ces travaux. Je remercie galement M. Jean
Franois GUILLEMOLES davoir accept dtre membre du jury.

Je tiens remercier M. Thierry TALBERT ainsi que M. Adama TRAORE de m'avoir encadr
et de m'avoir accompagn lors de ces travaux de thses. Je remercie galement Mme Monique
POLIT et toute l'quipe ELIAUS qui ont tout fait pour que je finisse dans de bonnes
conditions ces travaux. Un remerciement spcial M. Herv DUVAL, M. Frdrik THIERY,
M. Julien EYNARD et M. Stphane THIL pour m'avoir aid et soutenu tout au long de ces
travaux.

Mes profonds remerciements vont l'quipe ISGE du LAAS-CNRS Toulouse, notamment

Mme Corinne ALONSO, M. Bruno JAMMES, M. Lionel SEGUIER, Mme Valrie DUPE
pour m'avoir accueilli au sein de leur quipe. Un norme merci galement Youssef El
BASRI pour avoir partag son bureau avec moi pendant un an et avec qui on a pu changer et
travailler dans de trs bonnes conditions. Ces personnes ont normment contribu ces
travaux de thses. J'ai beaucoup apprci leur intrt pour ces travaux. Des mots sur un bout
de papier ne suffisent pas pour exprimer quel point je suis reconnaissant de leur aide.

Une pense aussi toutes les personnes que j'ai ctoyes au laboratoire PROMES-CNRS
Perpignan, et plus particulirement Isabelle BOUSQUET, Thomas JANIN, Fabien
DELALEUX, Sullivan ROYER, Mathieu ROBA Julien NOU, Rmi CHAUVIN...Plus que
des collgues, des vrais amis.

Une trs grosse pense pour Davy BRUYERE, mon ancien collgue d'entreprise, sa femme
Emilie MEIGNAN et leur petite fille Capucine. Des personnes extraordinaires qui m'ont aid
garder la tte haute.

Je remercie aussi ma famille, mes parents Alain et Nicole, mon frre Cdric et ma belle sur
Sandrine, mes neveux Jrmy et Morgan qui m'ont soutenu, aid, conseill, motiv. Je
remercie galement mes meilleurs amis Dimitri GALET pour m'avoir support plus d'un an

2
en tant que colocataire Toulouse et Nicolas SABUGO. Une pense pour mes amis de
Perpignan: Stphanie, Manu, Morgane avec qui j'ai pass des moments extraordinaires et
inoubliables.

Je remercie pour finir mon amie Marie qui a toujours t l pour trouver les bons mots.

3
4
TABLE DES MATIERES :
TABLE DES MATIERES : ...................................................................................................... 5
Introduction gnrale ................................................................................................................ 9
Chapitre I : Contexte conomique et environnemental ......................................................... 12
I.1. Contexte nergtique et contexte de ltude............................................................................ 12
I.1.1. Contexte nergtique mondiale............................................................................................................ 12
I.1.1.1. Consommation nergtique dans les btiments ............................................................................ 13
I.1.1.2. Intrt du photovoltaque dans les btiments ................................................................................ 14
I.1.1.3. Productivit et performances des systmes photovoltaques ........................................................ 15
I.1.2. Contexte de ltude: Projet PRIMERGI............................................................................................... 17
I.1.3. Objectif de la thse .............................................................................................................................. 18
I.2. Structure dun systme photovoltaque ................................................................................... 18
I.2.1. Description dun systme photovoltaque ............................................................................................ 18
I.2.2. Gnrateur photovoltaque ................................................................................................................... 19
I.2.2.1. Cellule PV ..................................................................................................................................... 19
I.2.2.2. Module photovoltaque ................................................................................................................. 23
I.2.2.3. Champ PV ..................................................................................................................................... 25
I.2.3. Les convertisseurs ................................................................................................................................ 25
I.2.3.1. Convertisseur DC/DC et MPPT .................................................................................................... 26
I.2.3.2. Convertisseur DC/AC ................................................................................................................... 27
I.2.4. Les topologies des systmes PV .......................................................................................................... 28
I.2.4.1. Onduleur central............................................................................................................................ 28
I.2.4.2. Onduleur string ............................................................................................................................. 29
I.2.4.3. Onduleur multi-string.................................................................................................................... 30
I.2.4.4. Synthse des diffrentes architectures .......................................................................................... 30
I.3. Introduction aux diffrents dfauts des systmes PV ............................................................ 31
I.3.1. Dfaut dans le gnrateur PV............................................................................................................... 32
I.3.1.1. Dfaut aux niveaux de la cellule PV ............................................................................................. 32
I.3.1.2. Dfaut aux niveaux des modules PV ............................................................................................ 33
I.3.1.3. Autres problmes du gnrateur PV ............................................................................................. 34
I.3.2. Dfaut des systmes PV sur le rseau de distribution .......................................................................... 35
I.4. Outils et mthodes de dtection de dfauts ............................................................................. 35
I.4.1. Analyse des pertes de puissance d'une installation PV ........................................................................ 36
I.4.2. Analyse de la caractristique I-V ......................................................................................................... 37
I.4.3. Mthode de thermographie Infrarouge................................................................................................. 38
I.4.4. Mthode de rflectomtrie lectrique................................................................................................... 39
I.5. Conclusion .................................................................................................................................. 40
Chapitre II : Systme de monitoring appliqu des tudes nergtiques de systmes
photovoltaques raccords au rseau lectrique..................................................................... 41
II.1. Introduction.............................................................................................................................. 41
II.2. Prsentation des deux systmes photovoltaques tudis ..................................................... 42
II.2.1. Description des installations PV du laboratoire CNRS-PROMES ..................................................... 42
II.2.2. Description des installations PV du laboratoire LAAS-CNRS ........................................................... 44
II.2.3. Systme de monitoring d'une installation PV ..................................................................................... 51
II.2.3.1. Mesures tension et courant ct DC ............................................................................................ 51
II.2.3.2. Mesures tension et courant AC .................................................................................................... 53
II.2.4. Mesures de donnes environnementales ............................................................................................. 54
II.2.4.1. Modle d'ensoleillement global inclin ....................................................................................... 55
II.2.4.2. Mthodologie de calcul d'ensoleillement global inclin .............................................................. 57
II.2.4.3. Comparaison modle et donnes exprimentales ........................................................................ 63
II.2.5. Installation du systme de monitoring ................................................................................................ 65
II.2.6. Ensoleillement global inclin et mesures lectriques de l'installation PV de PROMES-CNRS ......... 66

5
 II.3. Analyse nergtique des deux systmes PV ........................................................................... 70
II.3.1. Comparaison du modle de puissance maximale et des mesures de puissance DC en fonction des
donnes environnementales........................................................................................................................... 70
II.3.2. Analyse nergtique du systme PV de PROMES-CNRS ................................................................. 75
II.3.3. Logiciel libre d'analyse de performance d'un systme PV ................................................................. 77
II.3.4. Analyse nergtique de la toiture "R+2" d'ADREAM ....................................................................... 79
II.4. Conclusion ................................................................................................................................ 81
Chapitre III : Modlisation du systme champ PV en fonctionnement normal et dfaillant
.................................................................................................................................................. 83
III.1. Introduction ............................................................................................................................ 83
III.2. Fonctionnement d'une cellule PV ......................................................................................... 83
III.2.1. Caractristique lectrique d'une cellule PV ....................................................................................... 83
III.2.2. Modle d'une cellule PV ................................................................................................................... 85
III.2.2.1. Photo-courant ............................................................................................................................. 87
III.2.2.2. Courant de saturation inverse de la diode................................................................................... 88
III.2.2.3. Rsistance srie et rsistance parallle ....................................................................................... 89
III.2.3. Rsolution de lquation lectrique de la cellule ............................................................................... 90
III.3. Modlisation d'un gnrateur PV en fonctionnement dfaillant ....................................... 93
III.3.1. Dfaut d'ombrage .............................................................................................................................. 94
III.3.1.1. Dtermination de la caractristique I-V d'une cellule sous conditions d'ombrage ..................... 94
III.3.1.2. Dtermination de la caractristique I-V d'un module sous conditions d'ombrage ...................... 96
III.3.1.3. Dtermination de la caractristique I-V d'un string sous conditions dombrage ........................ 97
III.3.1.4. Plusieurs scnarios de dfaut d'ombrage .................................................................................... 98
III.3.2. Dfaut sur la rsistance srie Rs ...................................................................................................... 100
III.3.3. Dfaut sur la rsistance parallle Rp ................................................................................................ 101
III.3.4. Dfaut sur la temprature Tc............................................................................................................ 102
III.3.5. Erreur par rapport au fonctionnement normal ................................................................................. 103
III.4. Validation exprimentale du modle. ................................................................................. 106
III.4.1. Influence de la salissure sur les modules PV du btiment ADREAM............................................. 106
III.4.1.1. Caractristique I-V du module TE2200 ................................................................................... 107
III.4.1.2. Puissance produite par le module TE2200 ............................................................................... 108
III.4.1.3. Corrlation des mesures avec le modle .................................................................................. 109
III.4.2. Dfaut de snail trail sur module BP585 ..................................................................................... 111
III.5. Conclusion............................................................................................................................. 114
Chapitre IV : Dtection et localisation de dfauts d'une installation photovoltaque ........ 116
IV.1. Introduction .......................................................................................................................... 116
IV.2. Etablissement dune base de connaissances sur les diffrents dfauts dune installation
photovoltaque ................................................................................................................................ 116
IV.3. Mthodologie de dtection et de localisation de dfaut ..................................................... 119
IV.3.1. Dtection de dfaut d'ombrage ........................................................................................................ 119
IV.3.1.1. Mthodologie de dtection dombrage par l'analyse de la puissance maximale en fonction du
temps ....................................................................................................................................................... 119
IV.3.1.2. Mthodologie de dtection d'ombrage par l'analyse de la caractristique I-V ......................... 122
IV.3.1.3. Etude de la drive premire et de la drive seconde sur la caractristique I-V (diodes by-pass
prsentes) ................................................................................................................................................ 123
IV.3.1.4. Etude de la drive premire et de la drive seconde sur la caractristique I-V (diodes by-pass
absentes) .................................................................................................................................................. 128
IV.3.1.5. Mthodologie de dtection du nombre de diode by-pass active ............................................... 130
IV.3.2. Mthodologie de dtection de dfaut du systme dacquisition ...................................................... 131
IV.3.3. Mthodologie de dtection de dfaut au niveau du de londuleur ................................................... 132
IV.3.4. Mthodologie de dtection et de localisation de dfaut complet..................................................... 134
Conclusion gnrale et perspectives ..................................................................................... 136
6
Chapitre V : Bibliographie .................................................................................................... 140
Communication et publication .............................................................................................. 147
ANNEXE 1: Listes des figures .............................................................................................. 148
ANNEXE 2 : Listes des tableaux : ........................................................................................ 151
ANNEXE 3 : Acronymes et abrviations.............................................................................. 152
ANNEXE 4 : Nomenclatures ................................................................................................ 154

7
8
Introduction gnrale

Notre pays sest engag stabiliser et rduire les missions de gaz effet de serre suite la
ratification du protocole de Kyoto en 1997. Lnergie photovoltaque est une rponse possible
aux enjeux de la transition nergtique de demain. Verte, propre et virtuellement inpuisable,
llectricit produite par les rayonnements solaires reste pourtant onreuse suite de
nombreuses modifications du tarif de rachat de l'lectricit photovoltaque. Par consquence,
le retour sur investissement devient de plus en plus long. Afin de l'amliorer, un systme de
supervision peut tre une solution pour limiter les pertes de production et amliorer les
performances des installations. Grce un systme d'alerte, une analyse de dfauts est
possible afin de rduire le cot de la maintenance et dviter tout dplacement inutile. Il existe
de nombreux systmes permettant d'valuer les performances d'une installation
photovoltaque. Ces systmes, gnralement propres aux onduleurs, valuent les
performances de l'installation grce la mesure de la puissance fournie par les panneaux et
l'nergie associe. Certains systmes permettent, par exemple, la comparaison entre la
production relle d'une installation et la production thorique. Une alerte est envoye
l'utilisateur prvenant d'une anomalie sur l'installation PV. Cette mthodologie permet la
dtection d'une anomalie sur l'installation mais prsente des limites, en particulier sur la
localisation de dfauts et s'effectue gnralement postriori.
Le manque d'information sur les diffrentes anomalies dtectes sur la chane complte
ncessite la cration d'une base de connaissance des diffrents dfauts existants. Deux cas
peuvent alors tre prsents :
L'analyse de la puissance en sortie des panneaux grce au systme d'acquisition en
temps rel ;
L'analyse de la caractristique I-V du gnrateur PV ;

L'objectif de ces deux cas est de pouvoir identifier la nature du dfaut dans le cas o celui-ci
existe. Par exemple, l'ombrage qui peut tre fixe, mobile et/ou transitoire impacte fortement la
production du systme.

C'est dans cette optique que le programme de recherche PRIMERGI (Programme de

Recherche, Ingnierie et Maintenance pour les Energies Renouvelables et leur Gestion
Industrielle) fut mis en place et c'est dans ce cadre de travail que s'inscrit cette thse. Ce projet
a pour ambition de fournir un environnement de supervision et de contrle des installations

9
solaires PV. L'objectif est de concevoir et de raliser un systme dinformation, de conduite et
de supervision des installations photovoltaques tout en respectant des contraintes
conomiques.

Le chapitre 1, Contexte conomique et environnemental va prsenter le contexte

nergtique et le contexte de l'tude de ces travaux. Le programme de recherche PRIMERGI
est prsent avec les diffrents objectifs et partenaires. Une deuxime partie traite des
lments qui constituent une chane complte de production PV. Pour cela, l'architecture d'une
installation PV est dcrite notamment sur la structure de connexion des modules PV, sur les
convertisseurs statiques existants avec leur commande associe et sur les diffrentes
topologies des installations PV. Dans une troisime partie, les dfauts sont recenss et
montrent la ncessit de leur dtection et de leur identification. Pour viter toute anomalie et
limiter toute perte de production, une tude sur les diversess mthodes de diagnostics
existantes est mene afin d'analyser quelle mthode peut tre la plus judicieuse pour rpondre
aux objectifs de la thse

Le chapitre 2 prsente dans un premier temps deux installations PV, celle du laboratoire
PROMES-CNRS Perpignan et celle du laboratoire LAAS-CNRS Toulouse. Un systme
d'acquisition a t ralis, test et mis en place sur l'installation PV du laboratoire PROMES-
CNRS Perpignan. Le processus de fabrication du botier de mesures et l'utilisation des
capteurs sont prsents selon des critres de slection. Une deuxime installation, situe sur le
btiment exprimental ADREAM du laboratoire LAAS-CNRS Toulouse est tudie et
dcrite. Dans une deuxime partie, une analyse nergtique est effectue sur les deux
installations tudies. La ncessit de comparer la production relle au productible valu par
lanalyse des donnes mtorologiques est explique afin d'valuer la qualit de
fonctionnements des installations PV.

Le chapitre 3 est ddi la modlisation de cellules silicium de type polycristallin et de type

monocristallin. Les fonctionnements de la cellule sont expliqus dans une premire partie. La
ncessit de modliser la caractristique de la cellule PV dans son fonctionnement complet est
alors dcrite. Puis, nous prsentons diffrents modles avec plusieurs dfauts associs tels que
les dfauts de rsistance srie, les dfauts de rsistance parallle et les dfauts d'ombrage. La
comparaison entre la modlisation en fonctionnement sain et dfaillant est ralise afin
d'analyser son influence sur la caractristique I-V. Dans une troisime et dernire partie, des
10
tests sont effectus sur des modules PV o certains dfauts seront simuls (ombrage des
cellules, poussire).

Le chapitre 4 est consacr, dans une premire partie, l'tablissement dune base de
connaissances sur les dfauts dune installation photovoltaque. Dans ce chapitre, le cas de
l'ombrage est tudi. Un algorithme de dtection et d'identification de dfaut d'ombrage est
ralis partir de lanalyse de la puissance et de la caractristique I-V. Un algorithme complet
de dtection et d'identification de dfauts est prsent en dernire partie.

Une conclusion et une prsentation des perspectives des travaux sont prsentes la fin du
manuscrit.

11
Chapitre I : Contexte conomique et environnemental
I.1. Contexte nergtique et contexte de ltude

I.1.1. Contexte nergtique mondiale

La dpendance la consommation nergtique est un facteur important quil faut palier. En

effet, sous leffet de la croissance dmographique et de la croissance conomique tires par
des pays mergents comme la Chine, lInde et le Brsil, il y a une forte augmentation de la
consommation nergtique due une importante utilisation des nergies fossiles carbones.
Sur les 40 dernires annes, la demande nergtique mondiale a connu une croissance
soutenue passant de prs de 5000 Mtep en 1970 12 000 Mtep en 2010 comme le montre la
figure I-1. Elle a t multiplie par plus de 2,4 en 40 ans, ce qui correspond un rythme de
croissance annuelle moyen de lordre de 2,24 %.

Figure I- 1: Consommation mondiale d'nergie primaire par type d'nergie (Mtep)

Cette tendance, si elle devait se prolonger sur les 40 prochaines annes, conduirait plus que
doubler la demande nergtique mondiale lhorizon 2050, par rapport au niveau de 2010. La
consquence principale de cela est laugmentation accrue des missions de gaz effet de
serre. Lenjeu climatique demande de moins utiliser les nergies carbones, ce qui ncessite
de rduire la demande dnergie et de dvelopper davantage les nergies dcarbones, que
sont aujourdhui les nergies renouvelables. Lenjeu climatique incite un changement
radical de la rpartition de la consommation des diverses sources d'nergies (ptrole brut, gaz

12
naturel, charbon, nergie nuclaire, nergie renouvelables, qui doit toutefois tre envisage au
regard des autres enjeux nergtiques majeurs.
Au niveau europen, la dynamique est diffrente, notamment car la croissance dmographique
et la croissance conomique y sont plus faibles. Ainsi, la consommation nergtique y est
relativement stable depuis les deux premiers chocs ptroliers. La part des nergies fossiles
dans le mix nergtique y est toutefois trs proche de celle constate au niveau mondial.

I.1.1.1. Consommation nergtique dans les btiments

Afin de remdier ce changement climatique et de rduire les missions de gaz effet de

serre, la France a pris des engagements ambitieux en signant, en 1997, le protocole de Kyoto,
entr en vigueur en fvrier 2005 : notre pays s'est ainsi engag stabiliser les missions de la
France sur la priode 2008-2012 leur niveau de 1990, comme nonc dans la feuille de route
[ADEME]. Le secteur du btiment est responsable denviron 40% de la consommation totale
dnergie en France.

Industrie
21%
32% Agriculture

3% Autres
2%

Btiments Rsidentiel
Tertiaire
Transport
42%

Figure I- 2: Consommation d'nergie par secteur en France en 2011

Engage depuis 2003 dans un plan climat national, la France maintient comme objectif de
diminuer par 4 dici 2050 ses missions de gaz effet de serre comme lanne de rfrence
de 1990 [SCHNEIDER]. Cela correspond une rduction de 75%. Cet engagement sarticule
sur 3 niveaux daction :
La poursuite des efforts engags en matire defficacit nergtique (effort dans la
recherche et dveloppement, dans linvestissement et les lois) ;
La rduction de la consommation dans le secteur des transports ;

13
 Laugmentation de la part des nergies renouvelables dans la consommation
nergtique globale ;

I.1.1.2. Intrt du photovoltaque dans les btiments

Afin de rpondre positivement aux engagements, la France soriente vers les nergies
renouvelables et notamment lnergie solaire photovoltaque. Le march du PV franais tait,
la base, destin vers des applications PV en sites isols. Cest partir de 1999 avec
limplication des acteurs franais du PV et lADEME, que le march franais sest orient
vers les applications dites raccords rseaux [ADEME_1]. Le march du PV raccord au
rseau en France connait une croissance rapide depuis 2006. La progression des parcs solaires
en 2010 et 2011 a marqu une avance par rapport aux objectifs du Grenelle de
lenvironnement, dfinis fin 2007 (1100MW installs fin 2012 et 5400MW en 2020).
Le march de llectricit PV correspond aujourdhui une pluralit dapplications
connectes au rseau allant des installations de petites tailles intgres sur les toitures
rsidentielles aux installations de moyenne puissance sur les toitures dentrepts, de grandes
surfaces, de hangars agricoles, les centrales aux sols ou encore les ombrires.
3000

2500

2000

1500
MW

1000

500

0
2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008 2009 2010 2011

raccord au rseau non raccord au rseau

Figure I- 3: Puissance installe cumule de 2000 2011 en France

Suite aux gains de productivit et la baisse des cots des modules sur le march, le
gouvernement a procd en 2011 une rvision des tarifs d'achat de l'lectricit

14
photovoltaque et la mise en place d'appels d'offres pour les systmes de plus de 100 kW
afin d'adapter le dispositif de soutien au dveloppement intensif du parc [ADEME_1].
Par consquence, les producteurs photovoltaques cherchent maximiser leur profit en
injectant au maximum lnergie produite au rseau. Cest pour cela que la productivit et la
performance dune installation photovoltaque sont deux lments majeurs pour que celle-ci
soit la plus rentable possible. Nous prsentons les performances de systmes PV, ainsi que les
diffrentes pertes, facteurs influenant le rendement dune installation photovoltaque.

I.1.1.3. Productivit et performances des systmes

photovoltaques

Larchitecture dun systme PV raccorde au rseau comme le montre la figure I-4 est
compose :
D'un gnrateur PV qui produit la puissance continue (PDC) issue des panneaux en
fonction de son environnement (ensoleillement et temprature) ;
D'un groupe convertisseur qui permet dextraire la puissance maximale issue du
gnrateur PV afin de la convertir en puissance alternative (PAC) ;

Cette puissance est ensuite injecte sur le rseau public de distribution de l'lectricit grce
un transformateur lvateur (rseau 20kV).

LC LS
Yr Ya Yf Rperf = Yf /
Y
Rseau

PDC PAC

Gnrateur PV Convertisseur DC/AC

Figure I- 4: Chane de conversion dun systme PV raccord au rseau

Les indicateurs les plus appropris, utiliss pour valuer la performance dun systme PV
raccord au rseau, sont :
Le productible final Yf (kWh/kW/jour) ;
Le productible de rfrence Yr (kWh/kW/jour) ;
Le productible du champ PV Ya (kWh/kW/jour) ;
15
La performance dun systme PV est influence par de nombreuses pertes :
Les pertes de captation du gnrateur PV Lc (kWh/kW/jour) ;
Les pertes du systme de conversion DC/AC Ls (kWh/kW/jour) ;

Afin dvaluer et analyser la performance dune installation PV, il est essentiel dutiliser un
systme de mesures qui inclut la tension et le courant du bus continu, la tension et le courant
du bus alternatif. Ce systme de monitoring classique consiste surveiller les grandeurs
lectriques de linstallation. Cette mthode repose sur lindice de performance [IEC], plus
communment appel ratio de performance, tablie par la tche 2 de la directive europenne
et la norme IEC 61724 [JAHN et al.].
Concrtement, le ratio de performance dsigne le rapport entre le rendement nergtique rel
et le rendement nergtique thoriquement possible (figure I-4). Il est en grande partie
indpendant de l'orientation de l'installation photovoltaque et du rayonnement sur
l'installation photovoltaque. Il permet de comparer des installations photovoltaques relies
au rseau en diffrents emplacements. Le ratio de performance (Rperf) est indpendant de la
taille du systme et de sa localisation [SMA].

Le National Renewable Energy Laboratory (NREL) a fait une analyse de performance

dinstallation PV raccorde au rseau avec une varit de structures sous diffrents
emplacements gographiques [MARION et al.]. Grce aux indicateurs (Yf, Yr, Ya, Lc, Ls), le
comportement dune installation est valu en calculant ces paramtres qui sont reprsents
sous forme graphique sur la figure I-5.
Yf(kWh/kW/jour)
Rp
PAC (W)

Figure I- 5: Productible, indice de performance et nergie injecte sur le rseau dun systme
PV surveille depuis 30ans (NREL) [MARION et al.]
16
Typiquement, il est montr sur la figure I-5 que le ratio de performance (Rperf) dun systme
PV varie en fonction des saisons. Il est plus fort en hiver, diminue mesure que la
temprature des modules augmente jusqu atteindre un minimum les mois les plus chaud et
remonte ensuite de lautomne jusqu lhiver. En fonctionnement normal, le ratio de
performance en moyenne varie entre 0.6 et 0.8.
Afin de fonctionner avec une performance optimale, il est ncessaire de bien surveiller une
installation afin de rduire le taux dindisponibilit et de limiter toute baisse de production.

Lanalyse de plusieurs sites [PIAO et al.] permet didentifier les diffrents facteurs de ces
pertes notamment ceux situes au niveau du gnrateur PV et ceux du convertisseur grce
des donnes collectes sur plusieurs annes :
Influence de lombrage ;
Dtrioration des modules PV (vieillissement) ;
Dfaut dextraction de la puissance maximale du gnrateur PV ;
Augmentation de la temprature de fonctionnement ;
Pertes joules aux niveaux des cblages ;
Utilisation incomplte du rayonnement solaire ;

Cette mthode permet didentifier de faon imprcise des anomalies existantes sur un systme
PV et notamment dans la production de lnergie, mais elle ne permet pas de dtecter et
didentifier directement le dfaut ventuel.

I.1.2. Contexte de ltude: Projet PRIMERGI

Les travaux de thses ont commenc grce au programme de recherche PRIMERGI

(Programme de Recherche, Ingnierie et Maintenance pour les Energies Renouvelables et leur
Gestion Industrielle) regroupant trois entreprises, PULSAR INNOVATION, GEMSOL et
PRO SUN. Ces travaux de recherches, labelliss par le ple de comptitivit DERBI, sont
encadrs par deux laboratoires : PROMES CNRS et LAAS CNRS.

Ce projet a pour objectif de fournir un environnement de supervision et de contrle des

installations solaires PV.
Le but est de concevoir et de raliser un systme dinformation de conduite et de supervision
des systmes photovoltaques avec pour principales fonctionnalits :
Acquisition de donnes avec lutilisation de capteurs sans fil ;

17
 Reprsentation graphique des donnes en temps rel ;
Dtection de fautes et gestion du cycle de vie des quipements ;
Suivi de production ;
Gestion de bases de donnes ;
Ces fonctionnalits sont centralises et visualises l'aide :
Dune interface Homme-Machine de navigation temps rel de type nomade (IPHONE,
SMARTPHONE) ;
Dun logiciel de supervision et de contrle intgrant les donnes temps rel de
monitoring des installations photovoltaques ;

I.1.3. Objectif de la thse

Lobjectif de cette thse, est de dvelopper un systme de monitoring capable de mesurer en

temps rel les donnes lectriques issues du continu ainsi que lnergie produite injecte sur le
rseau, tout en respectant les contraintes conomiques. Pour cela, il sera ncessaire de
minimiser l'utilisation des diffrents capteurs de mesures de tension, de courant, de
temprature et d'ensoleillement. Ce systme devra tre universel et utilisable pour tous les
types d'onduleur. Toutes les donnes mesures seront alors stockes sur un serveur et mises
sous forme graphique, afin de les visualiser en fonction du temps.
Par le suivi de la production en temps rel, ce systme devra permettre un diagnostic
immdiat de l'tat de l'installation photovoltaque mesure. Ce diagnostic devra avoir une
influence entirement transparente sur le fonctionnement complet d'une installation
photovoltaque.

I.2. Structure dun systme photovoltaque

Dans cette partie, nous allons prsenter les nombreux lments qui constituent une structure
solaire photovoltaque raccorde au rseau ainsi que les diffrents dfauts associes ces
composants.

I.2.1. Description dun systme photovoltaque

La figure I-6 prsente l'architecture dun systme photovoltaque raccord au rseau.

18
 Structure Rseau de distribution
PV
Partie DC : classe II
Bloc 4

Compteur
d'nergie
Bloc 1
Modules
PV

AGCP

NFC14-100
NFC15-100
Cbles de Coffret AC
Connecteurs chanes PV
Interrupteur
sectionneur
Parafoudre gnral AC
AC

Coffret DC Onduleur avec

protection de
Bloc 2 Disjoncteur
dcouplage
diffrentiel
intgre
Interrupteur 30mA
sectionneur
gnral DC

Parafoudres
DC Bloc 3
Vers terre du
tableau injection
(si existant)
Liaisons Prise de terre
quipotentielle du btiment

Figure I- 6: Architecture dune toiture photovoltaque raccord au rseau selon la

recommandation UTE C 15-712-1

La structure PV (bloc 1) compose de modules PV est reprsente avec londuleur (bloc 3)

qui injecte lnergie produite sur le rseau (bloc 4). Un coffret DC (bloc 3) est prsent pour la
scurit des personnes. La bote de jonction nest pas reprsent. La bote de jonction contient
une diode anti-retour et un sectionneur pour chaque chane de panneaux (string).
Nous allons dans la partie suivante, expliquer la fonctionnalit des diffrents blocs qui
constitue la structure photovoltaque.

I.2.2. Gnrateur photovoltaque

I.2.2.1. Cellule PV

Le principe de fonctionnement d'une cellule PV repose sur le principe de l'effet

photovoltaque. Ce dernier permet de convertir directement l'nergie lumineuse des rayons
solaires en lectricit par le biais de production et de transport de charges lectriques positives
et ngatives dans un matriau semi-conducteur comme le silicium. Ce matriau est compos
19
de deux couches, l'une prsentant un excs d'lectrons et l'autre un dficit, dites
respectivement dope de type "n" et dope de type "p". Lorsque la premire couche est mise
en contact avec la seconde, les lectrons en excs dans le matriau n diffusent dans le
matriau p. La zone initialement dope n devient charge positivement, et la zone initialement
dope p charge ngativement. Il se cre donc entre elles un champ lectrique qui tend
repousser les lectrons dans la zone n et les trous vers la zone p. La mise en contact des deux
couches dopages opposs dans ce semi-conducteur en y ajoutant des contacts mtalliques
constitue un lment connu : la diode. Lorsque la jonction est claire, les photons d'nergie
gale ou suprieure la largeur de la bande interdite communiquent leur nergie aux atomes,
chacun fait passer un lectron de la bande de valence dans la bande de conduction, crant
ainsi une paire lectron-trou. Si une charge est place aux bornes de la cellule, comme
reprsente sur la figure I-7, les lectrons de la zone n rejoignent les trous de la zone p via la
connexion extrieure, donnant naissance une diffrence de potentiel : le courant lectrique
circule. Cette jonction a donc les caractristiques lectriques d'une diode au silicium classique
avec, sous illumination, l'apparition d'un photo-courant indpendant de la tension et
proportionnel au flux lumineux et la surface de la cellule.

photon photon

+- -- -- +- +- -- -- +-
-- +- -- +-
-- +-
Lampe
-- +- -- -- +- --
+- -- +- +- -- +-

Jonction PN Jonction PN
Courant lectrique

Figure I- 7: Schma de l'effet photovoltaque sous illumination

Dans le march, les cellules au silicium cristallin sont encore les plus rpandues. Elles se
prsentent sous formes de plaquettes carres ou pseudo-carres. Dans le cas des matriaux
cristallin , le silicium qui les constitue est un cristal, avec un arrangement ordonn avec des
atomes, selon une structure atomique de type ttradrique. Si la cellule est constitue dun
seul cristal, l'appellation est silicium monocristallin avec un aspect uniforme, gris bleut ou
noir. Le silicium polycristallin est fabriqu partir des rsidus provenant de la fabrication du
silicium monocristallin. Le procd de cristallisation consiste en la refonte de ces rsidus

20
suivie d'une resolidification unidirectionnelle sous forme de structure colonnaire
multicristalline gros grains (aspect mosaque compact de fragments mtalliques bleuts),
dont la taille est comprise entre 1mm et 10 cm. Cependant, pour ce matriau, les nouveaux
procds de recristallisation ne permettent pas toujours de les diffrencier, le grain tant trop
fin ;Leurs diffrentiations se font donc leurs formes qui sont gnralement carr comme
reprsentes dans la figure I-8.

Figure I- 8: Cellule au silicium monocristallin et cellule au silicium polycristallin

Pour amliorer sans cesse les performances, les constructeurs multiplient les procds
sophistiqus : diffusion des charges trs proche de la surface avant pour amliorer la collecte
des photons de petite longueur donde (photons bleus trs nergtiques et pntrant peu dans
le silicium), mtallisation avant extrmement fine dpose au fond dune gorge grav au laser,
deux couches antireflet [LABOURET].

La figure I-9 reprsente l'volution temporelle sous forme graphique des diffrents
rendements des cellules de diffrentes technologies ralise par le National Renewable
Energy Laboratory (NREL). Les cellules au silicium monocristallin disponibles sur le march
ont gnralement un rendement de 15% 25% et 12% 20% pour les cellules au silicium
polycristallin.

21
 Figure I- 9: Evolution des rendements des cellules de diffrentes technologies de 1975 2014

Les technologies cristallines (multicristallin et monocristallin) sont de loin les plus utilises
aujourdhui (environ 87.9%) mais les technologies "couches minces", en particulier CIS et
CdTe se dveloppent de plus en plus sur le march comme le montre la figure I-10 avec la
rpartition des technologies sur le march.

3,40%
2,40%
0,80% Silicium monocristallin
5,50%

Silicium polycristallin

CdTe (Tellure de Cadmium)

30,90% 57% CIS (Cuivre Indium Slnium)

Couches minces

Autres

Figure I- 10: Rpartition de la production de cellules par technologie en 2011 (Hespul, Photon
international 2012)

22
La technologie CIS, permet de dcomposer le spectre lumineux de manire plus large que
dans une technologie base de cellule. Par consquent, ses performances sont lgrement
suprieures celles des panneaux de type amorphe (90 watts au m environ). Ces panneaux
ont la particularit de produire davantage par temps nuageux, ou faible luminosit que les
panneaux polycristallins ( puissance gale). Ils ont aussi la particularit de n'tre que trs peu
affects par les problmes d'ombres portes. Ces panneaux conviennent donc idalement la
partie nord de la France, plus nuageuse.

Les panneaux au Tellure de Cadmium (CdTe) ont galement de nombreux avantages (faible
impact des ombres, bonne production par temps couvert), et s'adaptent particulirement bien
dans les rgions du nord. L'inconvnient est que cette technologie prsente des problmes de
toxicit.

Pour les technologies de cellules au silicium cristallin et amorphe, la tension de circuit ouvert
dune cellule est de lordre de 0,6 V. A la puissance maximale, la tension aux bornes dune
cellule est de 0,45V-0,5V.

I.2.2.2. Module photovoltaque

Le module photovoltaque est un ensemble de cellules assembles pour gnrer une puissance
lectrique exploitable, lors de son exposition la lumire. Cet assemblage en srie doit tre
protg pour rendre le panneau apte un usage en extrieur. Les cellules sont en effet des
objets fragiles et sensibles la corrosion, quil convient de protger mcaniquement et de
mettre labri des rigueurs du climat (humidit, variations de temprature, etc.).
Des panneaux de diverses puissances sont raliss selon la surface mise en uvre
(typiquement de 1 300 Wc par panneau) et capables de gnrer du courant continu lorsquils
sont exposs la lumire. Ils constituent la partie productrice dnergie dans un gnrateur
photovoltaque. Des panneaux plus puissants sont disponibles sur le march, surtout depuis
lessor des installations connectes au rseau, les limites tant lies au poids, et la
manipulation de la structure, et aux contraintes de maintenance.
Un module classique contient 36 ou 72 cellules. Mais il existe des modules sur le march
de 40, 54, 60 cellules [TENESOL]. La figure I-11 montre la structure dun module
photovoltaque face avant et face arrire contenant 36 cellules.

23
 Figure I- 11: Structure dun panneau photovoltaque face avant et face arrire

Dans les anciens modules, les cellules taient connectes entre elles directement. Dans les
modules plus rcents, chaque groupe de cellules est reli une diode dite "by-pass". C'est une
diode de protection qui permet dviter que les modules ne se comportent comme des
rcepteurs et engendre un chauffement des cellules en cas dclairage partiel. Pour des
questions de cots, les constructeurs ne placent pas de diodes "by-pass" sur chaque cellule
mais sur un groupe de cellule. Le nombre de diode "by-pass" peut varier selon le constructeur.
Gnralement, un module PV peut possder 2 voire 3 diodes "by-pass". L'tude mene par
[SILVESTRE et al.] dmontre que la configuration des diodes by-pass dans un module PV
peut avoir son importance dans l'efficacit de production, dans des conditions d'ombrage. Cet
article prsente une mthodologie de simulation pour tudier diffrentes configurations de
diodes by-pass dans le module. La figure I-12 montre la disposition de ces diodes "by-pass"
pour un module contenant 36 cellules.

Figure I- 12: Mise en srie de cellules PV dans le module avec les deux diodes by-pass

24
 I.2.2.3. Champ PV

Pour disposer dune puissance installe de plusieurs centaines de kilowatts, voire de

mgawatts, il est ncessaire d'assembler les modules photovoltaques suivant une architecture
connue de llectricit : cest lassemblage srie et parallle. La figure I-13 montre
larchitecture srie parallle dun champ photovoltaque.

Figure I- 13: Exemple de structure de champ photovoltaque

I.2.3. Les convertisseurs

Le groupe convertisseur se compose de deux blocs en srie :

Un convertisseur DC/DC qui permet dextraire la puissance maximale issue des
panneaux photovoltaques. Ce convertisseur est donc muni dun algorithme de
recherche de type MPPT (Maximum Power Point Tracker) ;
Un convertisseur DC/AC qui permet de convertir la puissance maximum, extraite des
panneaux, en puissance alternative et permet la synchronisation avec le rseau ;

La figure I-14 montre les tages de conversion dun systme photovoltaque avec leurs
diffrentes commandes.

25
 Gnrateur PV Convertisseur DC/DC Convertisseur DC/AC

Rseau
PDC PAC

Synchronisation rseau

MPPT Contrle onduleur/rseau

Figure I- 14: Chane de conversion photovoltaque raccorde au rseau avec leur commande

I.2.3.1. Convertisseur DC/DC et MPPT

Les convertisseurs statiques ont pour rle d'assurer plusieurs fonctions :

L'adaptation du niveau de tension entre le gnrateur PV et la charge ;
L'introduction d'une isolation galvanique pour la scurit des biens et des personnes ;

Gnralement, entre le gnrateur PV et l'onduleur se trouve un tage d'adaptation qui assure,

quelques soient les conditions environnementales et de charges, le transfert d'nergie de la
source la charge. Selon le critre de choix de conversion DC/DC, l'tage de conversion peut
tre choisi soit pour lever la tension, soit l'abaisser.

IMPP MPP

VMPP

Figure I- 15: Caractristique I-V d'un module PV sous fonctionnement normal

26
Le gnrateur PV peut tre caractris par sa courbe courant/tension, souvent appele
caractristique I-V. Cet tage d'adaptation permet d'extraire la puissance optimale, chaque
instant du gnrateur PV.
Afin de remplir ce rle, un algorithme de commande est intgr dans le convertisseur afin
d'effectuer une recherche permanente du point de puissance maximal. Cet algorithme est
appel MPPT (Maximum Power Point Tracking en anglais). De nombreuses techniques
existent et permettent aux dispositifs de fonctionner des points maximum de leurs
caractristiques [DE BRITO et al.]. Cette tude met en avant les diffrentes techniques de
MPPT les plus couramment utilises tout d'abord simules sous l'environnement MatLab/
Simulink et ensuite testes sur un prototype. Ds lors, les rsultats exprimentaux sont
compars ceux du modle.
Le choix de ces commandes se fait selon plusieurs critres comme :
La prcision de la recherche du point maximal ;
La rapidit de convergence vers le point maximal ;
L'implmentation numrique ;

Les trois mthodes les plus couramment rencontres sont :

Hill Climbing [AHMED et al.] ;
Perturb and Observe [AASHOOR et al.] ;
Incrment de conductance [XIN-CHEN-CAI et al.] ;

Dans l'tude mene par [SUBUDHI et al.], une tude comparative de ces trois mthodes a t
faite sur un systme photovoltaque. Il sert de rfrence pour les utilisateurs afin de
comprendre ces trois mthodes. Une description dtaille des diffrents systmes de contrle
et des diffrents types de circuit sont montrs afin de rpondre correctement aux attentes des
industriels, tout en possdant une efficacit optimale pour les systmes PV.

I.2.3.2. Convertisseur DC/AC

Pour transfrer la puissance optimale produite par le gnrateur PV sur le rseau, nous
utilisons un onduleur. Il convertit la puissance issue du courant continu du champ PV en une
puissance alternative synchrone avec la frquence, la phase et l'amplitude du rseau.
L'onduleur impose sa sortie un systme de tensions sous forme de crneaux moduls en
largeurs dimpulsions (MLI ou PWM). Sur chaque sortie de l'onduleur se trouve une

27
inductance qui joue le rle de filtre et permet l'onduleur de fournir, au rseau, des courants
quasiment sinusodaux. Le rle de ce filtre, dont linconvnient majeur est sa taille, est de
limiter les problmes de compatibilit lectromagntique (CEM) lie la forme du courant
inject sur le rseau. Le transformateur peut aussi remplacer la bobine du filtre qui joue le rle
de filtre. L'limination des harmoniques de courant peut se faire par la commande en injectant
des harmoniques dphass de 180.Les charges non linaires gnrent ces courants
harmoniques. Les courants harmoniques sont dus aux courants dont la frquence est un
multiple entier de la fondamentale (celle de l'alimentation lectrique). La superposition des
courants harmoniques sur le courant fondamental provoque les formes d'onde non
sinusodales associes aux charges non linaires.
Pour compenser ces harmoniques, une tude est ralise pour le filtre du premier ordre par un
filtre du troisime ordre [KARSHENAS et al.].
Mais ce filtrage induit un retard en fonction de la frquence de coupure. Pour palier ce retard,
une commande est intgre pour rgler le courant de sortie et la tension du bus continu, elle
comporte :
Une boucle verrouillage de phase (PLL : Phase Locked Loop) pour la
synchronisation avec la tension du rseau ;
Une boucle de rglage de la tension du bus continu qui impose la rfrence du courant
injecter au rseau ;
Une boucle de poursuite du courant rseau dsir ;

I.2.4. Les topologies des systmes PV

Il existe diffrentes topologies de systmes PV connectes au rseau. Nous pouvons alors

classifier ces diffrentes architectures : onduleur central, onduleur string et l'onduleur multi-
string. Nous retrouvons aussi des architectures modulaires comme les micro-onduleurs, les
hacheurs parallles et les hacheurs srie.

I.2.4.1. Onduleur central

Cette architecture est la plus classique et la plus ancienne. Un seul onduleur est utilis et
ralise la conversion de la puissance DC totale en puissance AC totale injecte sur le rseau.
Cette architecture est peu coteuse et simple surveiller. Elle permet galement une
maintenance simple et rapide. L'inconvnient rside dans le fait qu'il y a un seul MPPT pour
tout l'ensemble du champ, ce qui limite l'extraction optimale de la puissance du champ, car il

28
peut exister des diffrences de caractristiques en charge sur chaque string, lies l'ombrage,
au vieillissement du matriel, etc...
Le type de montage de la figure I-l6 prsente plusieurs dfauts [VIGHETTI] :
Pertes de conversion solaire (un seul MPPT pour un ensemble de modules) ;
Pertes et risques lectriques dans le cblage DC ;
Aucune volutivit ;
Aucune continuit de service en cas de panne de londuleur ;

Malgr les nombreux dfauts de cette configuration, cette solution reste trs employe dans
les centrales PV au sol de forte puissance.

Figure I- 16: Topologie onduleur central raccorde au rseau

I.2.4.2. Onduleur string

Dans cette architecture, un onduleur est plac au bout de chaque chane ce qui a pour but
d'augmenter le nombre de convertisseur DC/DC qui amne la possibilit d'extraction du
maximum de puissance. La panne d'un onduleur n'engendre pas l'arrt total du systme.
L'autre avantage est que cette structure est volutive dans le sens o chaque string est
indpendant. Une comparaison de la structure onduleur string et onduleur central, men par
[MASSI-PAVAN et al.] a permis de montrer la similarit de ces deux structures aux niveaux
des pertes. L'nergie perdue compte 10% de l'nergie totale produite. Dans le cas d'un
ombrage du systme PV, la structure onduleur central produit 12% de moins d'nergie que la
structure onduleur string. En conclusion, l'tude a montr que l'onduleur string a un
rendement global plus lev, prenant en compte les pertes ainsi que le nombre de jours
ensoleills et ombrags. L'ombrage est un paramtre majeur dans la performance de la
structure PV.

29
 Figure I- 17: Topologie onduleur string raccorde au rseau

I.2.4.3. Onduleur multi-string

Cette architecture utilise un seul onduleur, tout en ayant un MPPT par string, en utilisant un
hacheur ce qui rduit le nombre d'interactions entre le rseau et le systme PV. L'intrt
principal est de rduire le cot par rapport l'architecture prcdente puisque le hacheur n'a
pas besoin d'intgrer des fonctionnalits de mesure et de surveillance des donnes lectriques
du rseau. Le cot peut tre rduit aussi par le fait que le hacheur n'intgre pas le contrle
commande de la partie alternative, ni la dtection du courant continu rsiduel sur le rseau. En
cas de panne de l'onduleur par contre, la continuit du service n'est plus assure [VIGHETTI].

Figure I- 18: Topologie onduleur multi-string raccorde au rseau

I.2.4.4. Synthse des diffrentes architectures

30
 Tableau I- 1: Synthse des diffrentes architectures des systmes PV raccord au rseau

Structure Avantages Inconvnients

Onduleur Central Peu coteuse ; Un seul MMPT pour
Simple surveiller ; l'ensemble du champ ;
Maintenance simple et Pertes de conversion ;
rapide ; Pertes et risques
lectriques ;
Aucune volutivit ;
Aucune continuit ;

Onduleur String MPPT sur chaque string : Pertes par couplage srie
amlioration contrle des modules d'un mme
puissance ; string ;
Performance meilleure que A faible puissance des
l'onduleur central en cas de modules : mauvais
d'ombrage ; rendement de l'onduleur ;
Panne d'un onduleur
n'engendre pas l'arrt total du
systme ;
Evolutif : string
indpendant ;
Onduleur Multi- Rduction cot par rapport Pas de continuit en cas de
string l'onduleur string ; panne de l'onduleur ;
Pas d'intgration de contrle
commande AC dans le
hacheur ;
Pas de dtection de courant
continu rsiduel sur le rseau
dans le hacheur ;

I.3. Introduction aux diffrents dfauts des systmes PV

Ce paragraphe prsente les dfauts qu'il est possible de trouver dans une installation PV.
Les diffrents dfauts peuvent tre classifis selon :
Les problmes aux niveaux des modules PV qui peuvent voir leur puissance effective
diminuer pour des raisons temporaires ou rversibles ;
Les problmes des systmes PV sur le rseau de distribution ;

31
 I.3.1. Dfaut dans le gnrateur PV

Aujourd'hui, la plupart des modules PV industrialiss sont garantis pour 25 ans, mais il
n'existe pas de protocoles de test pour valider cette dure de vie. La figure I- 18 montre le
trac du taux de dgradation dun module PV par an. Il est dit dans l'tude mene par
[WOHLGEMUTH et al.], que le taux de dgradation annuel moyen est de 0.8 % comme le
montre la figure I-19. Il est alors important d'valuer les diffrents dfauts ventuels lis aux
cellules PV, aux modules PV, mais aussi aux champs PV.

Figure I- 19: Taux de dgradation d'un module PV par an

I.3.1.1. Dfaut aux niveaux de la cellule PV

Il existe des dfauts permanents et volutifs avec le temps. La diminution graduelle de la

performance d'une cellule peut tre cause par :
Une augmentation de la valeur de la rsistance srie. Plusieurs causes ont t
identifies comme une diminution de l'adhrence des contacts ou une oxydation des
connectiques. L'augmentation de la rsistance srie rduit la tension de sortie et par
consquent le facteur de forme de la caractristique courant-tension du module [VAN
DYK et al.]. Aujourd'hui, il n'existe pas de test de vieillissement sur la rsistance srie
afin de quantifier rellement le pourcentage d'augmentation de cette rsistance au fil
du temps ;
Une diminution de la rsistance parallle. La migration du mtal dans la jonction P-N
peut causer une diminution de la tension de circuit ouvert et par la mme occasion une
diminution de la puissance maximale. Un comparatif a t men avec plusieurs valeurs
de rsistance parallle et il est montr que pour une faible valeur de rsistance (<6),
il y a une perte assez nette de la puissance maximale [MEYER et al.] ;
32
 Une dtrioration du traitement de surface (couche anti-reflet);

Des courts-circuits peuvent se manifester au niveau des interconnections. Ce type de dfaut

est beaucoup plus frquent dans les cellules en couche mince car les lectrodes suprieures et
infrieures sont beaucoup plus rapproches et ont plus de chances de se retrouver court-
circuites par du matriel corrod ou endommag.
Le dfaut des cellules en circuit ouvert est commun. Elles sont gnralement connectes par
deux rubans traversant les lectrodes. Mais celles-ci peuvent se briser pour diverses raisons :
Contraintes thermiques ;
Grosse grle ;
Fissures invisibles au moment de l'assemblage ;

I.3.1.2. Dfaut aux niveaux des modules PV

Les problmes lis aux modules peuvent eux aussi causer une rduction graduelle de la
puissance de sortie d'un module PV au fil du temps ou bien engendrer une baisse de cette
puissance par une ou plusieurs cellules en dfaut. Le problme des circuits ouverts se
prsentent galement au niveau des modules soit dans la bote de jonction ou dans les
cblages internes.

Il peut s'avrer que des courts circuits peuvent apparatre aussi lis aux processus de
fabrication. Ces courts circuits trouvent leurs origines dans la dgradation de l'isolation
lectrique due l'exposition aux effets climatiques qui induisent des dlaminations, fissures
ou oxydation. Des cellules ombrages ou fissures peuvent donner naissance un phnomne
qui surchauffe localement le module entranant sa perdition. Ce phnomne s'appelle "Hot
spot". En effet, si une ou plusieurs cellules sont occultes, le module voit sa caractristique I-
V modifie. Les autres cellules du groupement lui imposent un courant trs suprieur son
courant de court-circuit. Du coup, les cellules occultes passent en polarisation inverse
(tension ngative) et dissipent une puissance importante qui provoque un chauffement
amenant sa destruction comme le montre la figure I-20. Pour viter ce problme, des diodes
by-pass ont t intgres dans les modules comme expliqu et montr dans la section I.2.

33
 I
I
I
+ - + -

I
+ I - + I -

Figure I- 20: Schma de cellules en srie sans diode by-pass et avec diode by-pass

L'tude mene par [GUO et al.] examine le comportement de la caractristique I-V de la

cellule dans son fonctionnement inverse c'est dire lorsque la cellule est occulte. De plus,
cette tude montre que ces phnomnes d'chauffement peuvent avoir des consquences
directes sur la baisse de puissance de sortie d'un module PV.
Dans l'tude mene par [ALONSO-GARCIA et al.], un module PV a t tudi afin de
mesurer la caractristique I-V de chaque cellule. Ainsi, le comportement des cellules sur cette
caractristique est tabli lorsque celles-ci sont ombrages partiellement. La dformation de
cette caractristique augmente selon le nombre de cellules ombrages, et fait apparatre deux
points potentiels de puissance maximal avec l'utilisation de diode by-pass.
Il peut s'avrer qu'aux niveaux des diodes by-pass utiliss pour ces dfauts d'ombrages, des
problmes de surchauffe ou de sous dimensionnement peuvent apparatre.

I.3.1.3. Autres problmes du gnrateur PV

D'autres dfauts peuvent apparatre au niveau du gnrateur PV comme :

Des dfauts physiques concernant par exemple le cblage ou les connecteurs des
systmes PV peuvent apparatre notamment sur la corrosion des contacts ;
Des dfauts au niveau de la diode anti-retour connect en srie sur chaque string. Son
rle est d'viter tout retour de courant inverse. Lorsque chaque string est connect en
parallle, le string avec la tension la plus faible vite d'absorber ce courant inverse
provenant des autres strings par le biais de ces diodes anti-retours. Ces dernires
comme pour les diodes by-pass peuvent tre cause de dfaut ;
Des dfauts aux niveaux de l'encapsulation. Les absorbeurs d'UV et autres stabilisants
utiliss dans les matriaux d'encapsulation garantissent une dure de vie accrue des
matriaux d'encapsulation des modules. Les quantits de ces adjuvants peuvent
diminuer avec le temps par des phnomnes de diffusion et engendre une dgradation

34
 acclre du module. Cette consquence entrane une diminution progressive de la
puissance de sortie du module jusqu' sa dfaillance totale ;
Des dfauts de courants de fuites peuvent tre crs du fait des caractristiques
capacitives des panneaux et peuvent devenir dangereux en cas de contact avec le fil de
terre. Des disjoncteurs diffrentiels sont utiliss dans ce cas pour la protection des
personnes ;

I.3.2. Dfaut des systmes PV sur le rseau de distribution

Le raccordement des systmes PV sur le rseau de distribution peut avoir des consquences
sur son comportement. Inversement, le rseau de distribution peut aussi influencer le
comportement normal des systmes PV qui peuvent provenir des caractristiques intrinsques
de distribution. Par exemple, les creux de tensions peuvent tre l'une des principales causes de
dclenchement des systmes PV et donc peuvent perturber le fonctionnement des onduleurs.
De plus, le fonctionnement des onduleurs sans transformateur peut tre affect en prsence
d'harmoniques.
Dans l'tude mene par [ITO et al.], un nouveau contrle des systmes PV a t prsent afin
de rduire ces harmoniques. Dans cet article trois mthodes de contrle ont t dveloppes :
Le contrle de la puissance ;
Le contrle pour la rduction des courants harmoniques ;
La stabilisation de la tension du rseau en contrlant la puissance ractive optimale ;
Les causes de ces courants harmoniques dans le systme sont lies aux distorsions des
tensions du rseau. Pour cela deux mthodes de contrle, afin de rduire ces courants, ont t
cres et testes sur une installation de 400kW :
Le contrle courant en boucle ferme ;
Le contrle pour compenser les perturbations ;
L'avantage de la nouvelle mthode est la faible interfrence avec le contrle de courant. Le
nouveau contrle de compensation de perturbations permettra ainsi d'liminer les faibles
courants harmoniques du systme.

I.4. Outils et mthodes de dtection de dfauts

Il existe 3 outils et mthodes de dtection de dfauts industrialiss sur un systme PV.

35
 I.4.1. Analyse des pertes de puissance d'une installation PV

Il existe sur le march des systmes de monitoring qui sont essentiellement intgrs dans
l'onduleur. La solution dpendante de l'onduleur est la plus rpandue. En effet, certains
systmes intgrs dans l'onduleur dpendent du protocole de communication de ces
convertisseurs. L'inconvnient est que chaque fabriquant d'onduleur possde ses propres
botiers d'acquisition de donnes. Des solutions "universelles" ont vu le jour regroupant tous
les protocoles de communication des principaux onduleurs sur le march. Cependant, ces
solutions restent coteuses et ne sont pas compatibles avec certains modles d'onduleurs.
Les donnes mesures restent, la plupart du temps les mmes :
Le courant issu du gnrateur PV ;
La tension issue du gnrateur PV ;

Les paramtres environnementaux peuvent tre aussi mesurs comme la temprature

ambiante et l'ensoleillement.
Ces mesures font partie de la mesure du ct DC. L'nergie injecte sur le rseau peut tre
relev du cot AC en mesurant pour cela :
Le courant AC ;
La tension AC ;
La frquence et le dphasage ;

La comparaison de la puissance maximale actuelle mesure celle simule peut apporter plus
dinformations sur le comportement du systme PV. Lide principale propose dans ltude
de [CHOUDER et al.] consiste identifier le type de dfaut prsent sur une installation PV et
plus particulirement sur le gnrateur PV. Ces dfauts sont regroups en 4 familles :
Modules dfaillant dans un string ;
Fausse alarme ;
String dfectueux ;
Ombrage, vieillissement, erreur MPPT ;

Pour cela, il est ncessaire de quantifier les diffrents indicateurs (Yf, Yr, Ya et Rperf),
rpondant la norme IEC 61724. Ds lors, une comparaison journalire entres les indicateurs
simuls et mesurs est labore, afin de procder une dtection de fautes, si une dviation
entres ces deux courbes apparat. Ainsi, un outil de dtection de dfaut est labor afin
d'alerter l'installateur d'un dfaut existant sur l'installation PV. Pour affiner et isoler le dfaut

36
et ainsi dterminer sa nature, deux indicateurs supplmentaires sont rajouts dans
lalgorithme :
La comparaison du courant DC mesur et simul ;
La comparaison de la tension DC mesure et simule ;

Suivant les valeurs issues de ces comparaisons, le systme est capable d'identifier quelle
famille appartient le dfaut.

I.4.2. Analyse de la caractristique I-V

Lanalyse de la caractristique I-V dans des conditions anormales permet dextraire des
informations concernant la nature du dfaut. C'est une technique complmentaire par rapport
la technique de l'analyse des pertes de puissance du gnrateur PV.
Une acquisition de la caractristique I-V dun string est effectue sous faible ensoleillement.
Chaque courbe I-V est divise en deux zones, une zone de tension et une zone de courant
[HIRATA et al.].

Figure I- 21: Concept d'acquisition de la caractristique I-V dans deux zones dpendantes

La premire zone de courant est obtenue lors de la charge du condensateur connect en

parallle des panneaux en srie. Une fois le condensateur charg, un interrupteur commute
vers la charge variable en srie avec le condensateur. Ainsi, la seconde zone de tension est
obtenue. Si un dfaut est dtect, une dviation se cre dans la zone de tension. Avec cette
mthode de dtection, trois paramtres de la caractristique peuvent tre identifi comme la
rsistance srie, la rsistance shunt, le facteur didalit de la diode.
De nombreuses modlisations ont t labores afin de travailler sur la caractristique I-V et
montrer le comportement de cette caractristique face aux diffrents dfauts prsents dans le

37
chapitre 3. Il est important danalyser automatiquement la dgradation des modules PV. La
caractristique I-V en fonctionnement normal est ncessaire pour faire une comparaison avec
celle en fonctionnement anormal. La drive du courant par rapport la tension permet de
dtecter un dfaut dombrage [MISHINA et al.].

I.4.3. Mthode de thermographie Infrarouge

La mthode de thermographie ou d'imagerie d'infrarouge permet de localiser et identifier le

dfaut la cellule prs l'aide d'une camra thermique. Cette dernire peut galement
localiser des ventuels problmes au niveau de la connectique des systmes tant ct courant
continu que courant alternatif.
Il est possible d'identifier diffrents types de dfauts comme :
Des cellules endommages lors d'un chauffement ;
Des connectiques dfectueuses au niveau de la bote de jonction ;
Des apparitions de point chaud ;
Des diodes by-pass dfectueuses ;
Des craquements de cellules ;

Ds lors, l'examen des panneaux installs ou des connectiques est possible au cours de leur
fonctionnement normal et ne ncessite pas l'arrt du systme.
Des inspections priodiques avec une camra thermique ont permis d'identifier diffrents
dfauts au niveau du bus continu [SPAGNOLO et al.].
Pour obtenir des images thermiques correctes et pertinentes, il faut que certaines conditions
soient runies comme lutilisation dune camra thermique approprie, dote daccessoires
ncessaires. Lutilisation de cette mthode et de cette camra doit se faire lorsque la puissance
de linstallation est sa puissance optimale pour voir les effets de la temprature. Langle
dobservation doit tre dans un intervalle favorable (entres 5 et 60).

38
 Figure I- 22: Apparition de point chaud sur module PV par thermographie infrarouge

I.4.4. Mthode de rflectomtrie lectrique

La mthode de rflectomtrie lectrique est une mthode lectrique qui permet de mesurer les
caractristiques lectriques dune ligne de transmission et de dtecter tout point de
discontinuit. La rflectomtrie est couramment utilise pour la dtermination de ltat
lectrique de cbles et de lignes. Elle fournit des informations pour la dtection, la localisation
et la caractrisation de dfauts.

Figure I- 23: Principe de la mthode de rflectomtrie pour localiser le dfaut dans le string

Cette mthode consiste envoyer un signal de type chelon et lorsqu un dfaut se prsente,
une partie de ce signal est renvoy vers le point dinjection. Lavantage de cette mthode est
que la position du dfaut de type circuit ouvert, court-circuit, augmentation ou diminution de
limpdance peut tre localise [TAKASHIMA et al.].

39
 I.5. Conclusion

Dans ce chapitre, nous avons mis en avant le contexte et lobjectif de ltude. Ainsi la
structure complte dun systme PV raccord au rseau a t prsente ainsi que les
diffrentes problmatiques.
Grce au monitoring classique, il est possible, en mesurant les donnes lectriques du ct DC
et du ct AC, de dtecter un dfaut ventuel mais pas didentifier la nature du dfaut.
Lavantage de ce systme est de pouvoir faire une analyse de la puissance optimale et de
lnergie produite, ainsi il sera possible didentifier le string en dysfonctionnement par
exemple. Une analyse au niveau de la caractristique I-V peut tre une tude complmentaire
celle de l'analyse de la puissance, permettant de nous renseigner plus prcisment sur la
nature du dfaut au niveau du gnrateur PV.
La mthode de limagerie dinfrarouge permet de localiser le lieu du dfaut dans le module, le
string ou mme le champ. Mais cette mthode ne permet pas didentifier la nature du dfaut et
doit rpondre de nombreuses conditions de fonctionnement. Autre inconvnient, le cot qui
nest pas ngligeable connaissant lobjectif du projet.
La mthode de rflectomtrie lectrique permet de localiser le dfaut mais reste limite en
nombre de dfauts. Autre inconvnient, il faut interrompre le systme.

Dans le cadre du projet et pour remplir lobjectif de la thse, nous allons laborer, tester et
mettre en place un systme de capteurs embarqus afin de mesurer les donnes lectriques
ct DC et ct AC. Ce systme permettra, par le suivi en temps rel, damliorer les
performances du systme PV raccord au rseau. Cette partie sera dcrite et dtaille dans le
chapitre 2.
Afin de pouvoir comparer les valeurs mesures et les valeurs simules, le chapitre 3 sera
consacr la modlisation du systme PV et plus particulirement du gnrateur PV. Cette
comparaison permettra par la suite de mettre en place une dtection de fautes des diffrents
composants du systme PV et d'identifier le plus prcisment possible la nature du dfaut.
Cette dmarche sera explique dans le chapitre 4 afin de rpondre aux objectifs de ce projet.

40
Chapitre II : Systme de monitoring appliqu des tudes
nergtiques de systmes photovoltaques raccords au
rseau lectrique

II.1. Introduction

Le programme de recherche PRIMERGI a pour objectif de fournir un environnement de

supervision et de contrle des installations solaires photovoltaques. Le chapitre 1 a prsent
la ncessit de concevoir un systme qui permet de mesurer les donnes lectriques d'une
installation PV. Le systme a pour objectif une dtection de dfauts grce un suivi
permanent de la production PV.

Dans une premire partie, nous allons prsenter les diffrentes installations PV de deux
laboratoires, celles du PROMES-CNRS Perpignan et celles du LAAS-CNRS Toulouse.
Pour rpondre l'un des objectifs du programme de recherche, nous allons traiter toutes les
tapes de la ralisation du systme d'acquisition jusqu' sa mise en fonctionnement sur l'une
des installations PV du laboratoire PROMES-CNRS. Un suivi permanent de l'installation est
alors effectu par la mise en forme graphique des donnes mesures.

Pour valuer la qualit des installations, il est essentiel de prsenter dans une deuxime partie,
une analyse nergtique des installations tudies. Pour cela, nous allons prsenter les
diffrents outils et techniques pour valuer les performances de ces installations. Ce moyen
permet d'valuer les pertes occasionnes lors du fonctionnement de l'installation PV.

41
 II.2. Prsentation des deux systmes photovoltaques tudis

II.2.1. Description des installations PV du laboratoire CNRS-

PROMES

PROMES est une Unit Propre du CNRS (UPR 8521) rattache lInstitut des
Sciences de lIngnierie et des Systmes (INSIS) conventionne avec luniversit de
Perpignan via Domitia (UPVD). Le laboratoire est localis sur trois sites: Odeillo-Font
Romeu (Four solaire de 1 MW du CNRS), Targasonne (Thmis, centrale tour de 5 MW, site
du Conseil gnral des PO) et Perpignan, Tecnosud.
Le site du laboratoire PROMES-CNRS (PROcds, Matriaux et Energie Solaire), situ
Perpignan, a t construit en 2001. Le btiment possde une installation photovoltaque
constitue de trois champs photovoltaques de natures diffrentes : un premier champ dit
"Brise Soleil", un deuxime nomm "Mur rideau" et le dernier nomm "Shed" d'architectures
lectriques totalement diffrentes et raccords au rseau. Le champ 1 et le champ 3 possdent
deux sous-structures. Cinq onduleurs connectent les diffrents champs PV ("Brise soleil",
"Mur rideau", "Shed") du laboratoire PROMES-CNRS, comme le montre le schma
lectrique simplifi des installations photovoltaques sur la figure II-1.

Figure II- 1: Schma lectrique simplifi des installations photovoltaques du laboratoire

PROMES-CNRS (btiment situ Perpignan)

Les caractristiques des installations photovoltaques du laboratoire PROMES-CNRS sont

prsentes dans le tableau II-1:
42
 Tableau II- 1: Principales caractristiques de l'installation PV du site PROMES-CNRS
Champ Inclinaison Surface des champs Puissance crte
Brise Soleil 1 45 25.92m 3600Wc Onduleur 1
Brise Soleil 2 45 28.08 m 3900Wc Onduleur 2
Mur Rideau 90 23.22 m 2900Wc Onduleur 3
Shed 1 20 17.28 m 2400Wc Onduleur 4
Shed 2 20 15.12 m 2100Wc Onduleur 5

Les installations PV du PROMES-CNRS ont t effectues en 2001. Les donnes

constructeurs du matriel pour cette installation sont difficilement accessibles. Seules les
caractristiques concernant les valeurs lectriques nominales du module PV sont rsumes
dans le tableau II-2 [PHOTOWATT].

Tableau II- 2: Caractristiques lectriques aux conditions de tests standard (STC) : PWX 500
Module PV (PWX500) Symbole
Type de cellule Multi
(multicristallin ou monocristallin)
Puissance nominale Pmax [W] 50
Tension de circuit ouvert Vco [V] 21.6
Courant de court-circuit Icc [A] 3.1
Tension la puissance maximale Vmax [V] 17.2
Courant la puissance maximale Imax [A] 2.9

Les onduleurs proviennent de la socit ASP, leurs principales caractristiques sont donnes
dans le tableau II-3 : deux modles sont utiliss, le TCG 4000/6 (3.5kW, plage de tension
d'entre 72V-145V) et le TCG 2500/6 (2.3kW, 72V-145V).

Tableau II- 3: Caractristiques spcifiques onduleur TCG 2500/6

Onduleur TCG 2500/6 Symbole
Tension d'entre Vin [V] 100
Puissance PDC [W] 2500
Gamme de tension d'entre onduleur VDC [V] 72-145
Rendement OND[%] 94
Onduleur TCG 4000/6
Tension d'entre Vin [V] 100
Puissance PDC [W] 4000
Gamme de tension d'entre onduleur VDC [V] 72-145
Rendement OND[%] 94

43
La puissance installe totale est de 14.5kWc, ce qui correspond environ 290 modules de
puissance unitaire de 50Wc.

a) Champ 1 : Brise Soleil b) Champ 2 : Mur Rideau

Figure II- 2: Installation photovoltaque "Brise Soleil et "Mur rideau", PROMES-CNRS

La figure II-3 montre l'installation photovoltaque correspondant au champ "Shed" qui est
compose de deux onduleurs et d'un gnrateur PV de 4.5kWc.

Figure II- 3: Installation photovoltaque "Shed", PROMES-CNRS, Perpignan

L'ensemble de l'tude prsente dans ce chapitre se focalise au champ 3, et en particulier la

sous structure appel Shed 1. Cette dernire est compose de 8 branches (string) de 6 modules
en srie. Chaque string possde une puissance crte de 300Wc. La puissance crte totale est
donc de 2.4kWc, et est injecte sur le rseau via un onduleur monophas de puissance 2.5kW.

II.2.2. Description des installations PV du laboratoire LAAS-

CNRS

Le laboratoire LAAS-CNRS, situ Toulouse a inaugur en Juillet 2012 un btiment

exprimental nomm ADREAM (Architectures Dynamiques Reconfigurables pour systmes
Embarqus Autonomes Mobiles).

44
Il est ddi loptimisation nergtique et lintelligence ambiante, cest--dire aux objets
communicants de demain (vhicules, robots compagnons, mobilier, vtement). Grce ce
btiment, le LAAS-CNRS va ainsi renforcer ses moyens exprimentaux et se doter d'une
nouvelle plate-forme exprimentale entirement intgre au btiment.
Les puissances crtes du site sont suffisamment reprsentatives pour un dmonstrateur. La
vocation dADREAM est daccueillir des projets de recherche en collaboration avec le monde
acadmique et les entreprises pour remplir ces objectifs.

Ce btiment comprend une surface photovoltaque de 720 m, constitue de trois diffrents

champs d'une puissance totale installe de 100kWc. La figure II-4 montre une vue globale du
btiment ADREAM.

Figure II- 4: Btiment ADREAM, LAAS-CNRS, Toulouse

Les installations PV du btiment ADREAM peuvent tre dcomposes en trois zones comme
le montre la figure II-5.

Figure II- 5: Vue d'ensemble du btiment ADREAM avec les trois zones de reprsents

45
La premire zone constitue la faade du btiment avec une puissance de 38kWc et est
reprsente sur la figure II-6. La puissance unitaire des modules est de 529Wc. Cette
installation, oriente plein sud avec une inclinaison de 65, a une surface approximative de
330m et est constitue de 50% de modules bi-verre, et de 50% de modules bi-verre isols,
avec lame d'air, quips de cellules en silicium cristallin.

Figure II- 6: Faade photovoltaque 36 kWc, ADREAM

La deuxime zone est constitue d'une toiture exprimentale, ayant une puissance totale
installe de 35kWc, reprsente sur la figure II-7. Elle se dcompose en trois champs : une
toiture de 19.2kWc avec des modules verre-tedlar en silicium cristallins inclinaison rglable
de 0 90 et de puissance unitaire de 250Wc, une faade tri-verre avec une puissance
installe de 2.1kWc avec des modules de puissance unitaire 529Wc et pour finir un bardage
verre-tedlar avec une puissance installe de 13.4kWc avec des modules en silicium cristallin
de puissance unitaire de 250Wc et de supports fixes 90.

Figure II- 7: Toiture exprimentale 35 kWc, ADREAM

La troisime zone correspond l'installation situe sur le toit, appele toiture "R+2",
reprsente sur la figure II-8. La puissance totale installe est de 24kWc et est compose de
46
modules en verre-tedlar et en silicium cristallin, de puissance unitaire de 250Wc. Son
inclinaison est fixe 10.

Figure II- 8: Toit "R+2" 29kWc, ADREAM

Le tableau II-4 prsente la puissance, le type et les quipements utiliss des installations
photovoltaques.

Tableau II- 4: Liste du matriel qui constitue les installations photovoltaques d'ADREAM
Champ Puissance Modules Onduleurs
Faade 38kWc Bi-verre 529Wc 6 x 5 kW SMA
3 x 2.1 kW SMA
Toiture Exprimentale 35kWc TE2200 250Wc 4 x 2.5 kW TENESOL
+ 1 x 5 kW TENESOL
Bardage 1 x 3.3 kW TENESOL
2 x 6 kW SMA
1 X 2.1 kW SMA
Toiture R+2 24kWc TE2200 250W 3 x 5 kW TENESOL
3 x 2.5 kW TENESOL

La figure II-9 reprsente de manire simplifie le schma lectrique des installations du

btiment ADREAM.

47
 Figure II- 9: Schma lectrique simplifi des installations photovoltaques du btiment
ADREAM

Les modules photovoltaques [TENESOL] tudis durant ma thse ont une puissance unitaire
de 250Wc. Ils sont situs sur la toiture exprimentale R+1 ainsi que sur le toit R+2 .
Dans le tableau II-5, les caractristiques lectriques nominales constructeur sont donnes.

Tableau II- 5: Caractristiques lectriques mesures dans les conditions de tests standard
(STC) du module PV rfrenc : TE2200
Module Tenesol (TE220) Symbole
Type de cellule Mono
(multicristallin ou monocristallin)
Puissance nominale Pmax [W] 250
Tension de circuit ouvert Vco [V] 37.5
Courant de court-circuit Icc [A] 8.8
Tension la puissance maximale Vmax [V] 30.05
Courant la puissance maximale Imax [A] 8.4

Les onduleurs sont quips de systmes dacquisition intgrs, alimentant une base de
donnes globale pour le btiment ADREAM.
Linstallation, qui a t utilise dans le cadre de cette tude, est celle situe dans la troisime
zone, c'est--dire au niveau du toit. Elle possde dix modules connects en srie avec un

48
 P u issan ce (W ) T em p ratu re am b ian te ( C ) E n so leillem en t P Y R A N O (W /m )

puissance fournies par les modules PV pour les mois de Mai 2013 Juillet 2013.
Les figures II-10 II-12 montrent les mesures densoleillement, de temprature et de

le toit, permettant d'obtenir les donnes environnementales.

onduleur de 2500W. Le btiment ADREAM possde une station mto, situe galement sur
1000

1500

2000

2500

3000

1000

1200

1400
Figure II- 10: Mesures environnementales et puissance issue des modules PV au mois de Mai

500

200

400

600

800
10

15

20

25

30
0

0
01:05:07:27 01:05:02:04 01:05:01:58

02:05:15:20 02:05:10:25 02:05:10:19

03:05:23:13 03:05:18:45 03:05:18:40

05:05:07:07 05:05:03:05 05:05:03:01

06:05:15:00 06:05:11:25 06:05:11:22

2013, zone 3 situe sur le toit du btiment ADREAM

07:05:22:54 07:05:19:46 07:05:19:42

09:05:06:47 09:05:04:06 09:05:04:03

10:05:14:41 10:05:12:26 10:05:12:24

11:05:22:34 11:05:20:46 11:05:20:45

Puissance Continue Mai 2013 Onduleur n12

13:05:06:28 13:05:05:07 13:05:05:06

Station Mto : Temprature Mai 2013

Station Mto : Pyranomtre Mai 2013

14:05:14:21 14:05:13:27 14:05:13:27
49

15:05:22:15 15:05:21:47 15:05:21:47

Temps (h)
17:05:06:08 17:05:06:07 17:05:06:08

18:05:14:02 18:05:14:28 18:05:14:29

19:05:21:55 19:05:22:48 19:05:22:50

21:05:05:49 21:05:07:08 21:05:07:11

22:05:13:42 22:05:15:29 22:05:15:32

23:05:21:36 23:05:23:49 23:05:23:52

25:05:05:29 25:05:08:09 25:05:08:13

26:05:13:23 26:05:16:29 26:05:16:34

27:05:21:16 28:05:00:50 28:05:00:55

29:05:05:10 29:05:09:10 29:05:09:16

30:05:13:03 30:05:17:30 30:05:17:37

PDC

31:05:20:57 01:06:01:50 01:06:01:57

 Pu issan ce (W ) T em p ratu re am b iante (C ) E n so leillem en t PY R A N O (W /m ) Puissan c e (W ) Te mp ra ture am b ia n te (C) Enso leillem e nt PYRAN O (W /m )

Figure II- 11: Mesures environnementales et puissance issue des modules PV au mois de Juin
1000

1500

2000

2500

3000

1000

1200

1400

1000

1500

2000

2500

3000

1000

1500
500

200

400

600

800

500

500
10

20

30

40

10

15

20

25

30
0

0
Figure II- 12: Mesures environnementales et puissance issue des modules PV au mois de 01:07:06:59 01:07:02:36 01:07:02:23 01:06:07:48 01:06:02:04 01:06:01:58

02:07:15:01 02:07:10:50 02:07:10:38 02:06:14:33 02:06:09:17 02:06:09:11

03:07:23:03 03:07:19:04 03:07:18:52 03:06:21:18 03:06:16:30 03:06:16:24

05:07:07:05 05:07:03:18 05:07:03:07 05:06:04:03 04:06:23:42 04:06:23:37

Juillet 2013, zone 3 situe sur le toit du btiment ADREAM

06:07:15:08 06:07:11:31 06:07:11:21 06:06:10:49 06:06:06:55 06:06:06:50

2013, zone 3 situe sur le toit du btiment ADREAM

07:07:23:10 07:07:19:45 07:07:19:36 07:06:17:34 07:06:14:08 07:06:14:03

09:07:07:12 09:07:03:59 09:07:03:50 09:06:00:19 08:06:21:21 08:06:21:16

10:07:15:14 10:07:12:13 10:07:12:05 10:06:07:05 10:06:04:33 10:06:04:29

11:07:23:17 11:07:20:27 11:07:20:20 11:06:13:50 11:06:11:46 11:06:11:42

Puissance Continue Juillet 2013 Onduleur n12

13:07:07:19 13:07:04:40 13:07:04:34 12:06:20:35 12:06:18:59 12:06:18:55

Puissance Continue Juin 2013 Onduleur n12

Station Mto : Temprature Juillet 2013

Station Mto : Pyranomtre Juillet 2013

Station Mto : Pyranomtre Juin 2013

Station Mto : Temprature Juin 2013
14:07:15:21 14:07:12:54 14:07:12:49 14:06:03:21 14:06:02:11 14:06:02:08
50

Temps (h)
15:07:23:23 15:07:21:08 15:07:21:03 15:06:10:06 15:06:09:24 15:06:09:21
Temps (h)

17:07:07:26 17:07:05:22 17:07:05:18 16:06:16:51 16:06:16:37 16:06:16:34

18:07:15:28 18:07:13:36 18:07:13:32 17:06:23:36 17:06:23:49 17:06:23:47

19:07:23:30 19:07:21:49 19:07:21:47 19:06:06:22 19:06:07:02 19:06:07:00

21:07:07:32 21:07:06:03 21:07:06:01 20:06:13:07 20:06:14:15 20:06:14:13

22:07:15:35 22:07:14:17 22:07:14:16 21:06:19:52 21:06:21:27 21:06:21:26

23:07:23:37 23:07:22:31 23:07:22:30 23:06:02:38 23:06:04:40 23:06:04:39

25:07:07:39 25:07:06:44 25:07:06:45 24:06:09:23 24:06:11:53 24:06:11:52

26:07:15:41 26:07:14:58 26:07:14:59 25:06:16:08 25:06:19:06 25:06:19:05

27:07:23:44 27:07:23:12 27:07:23:14 26:06:22:54 27:06:02:18 27:06:02:18

29:07:07:46 29:07:07:26 29:07:07:28 28:06:05:39 28:06:09:31 28:06:09:31

30:07:15:48 30:07:15:40 30:07:15:43 29:06:12:24 29:06:16:44 29:06:16:44

PDC
PDC

31:07:23:51 31:07:23:53 31:07:23:57 30:06:19:10 30:06:23:56 30:06:23:57

Sur la figure II-12, nous constatons un manque d'information, d soit un dysfonctionnement
de l'onduleur, soit du systme d'acquisition intgr dans l'onduleur ou soit du serveur central
qui collecte les donnes. Il est donc ncessaire de dvelopper un systme de monitoring
saffranchissant des onduleurs afin de rsoudre ce problme. Nous rpondons ds lors lun
des objectifs de cette thse

II.2.3. Systme de monitoring d'une installation PV

Pour rpondre aux objectifs et au programme de recherche PRIMERGI, nous avons ralis un
botier de mesures dont le cahier des charges est dcrit plus prcisment dans cette partie.
Nous allons prsenter le systme de mesures dclin en deux parties:
Une partie permettant la mesure de tension et du courant ct DC ;
Une partie permettant la mesure de tension et du courant ct AC ;

II.2.3.1. Mesures tension et courant ct DC

Des dveloppements de systmes de monitoring ont t raliss dans diverses tudes

[MUKARO et al.], [KOUTROULIS et al.], [FORERO et al.]. Pour notre tude, afin
deffectuer les mesures de tension et de courant ct DC, le choix des capteurs s'est port sur
des lments qui sont non-intrusifs et plug and play, afin de faciliter la mise en place du
botier sur une installation PV. La liaison entre le botier et l'installation superviser se fait
via des connectiques spcifiques aux installations solaires photovoltaques (connectiques
MC4).
Ainsi, lors d'un dfaut ventuel sur le boitier, il n'y aura aucun effet sur la production
d'nergie de l'installation photovoltaque.
Pour le suivi permanent de la production PV, un serveur web [EZ-WEB] est embarqu dans le
botier pour la collecte des donnes, mises par la suite sous forme graphique. La figure I-13
reprsente de faon schmatique les diffrentes mesures effectues sur une installation PV,
ainsi que la collecte des donnes pour la mise en forme graphique.

51
 Onduleur
Champ PV monophas
IDC IAC

Rseau
VDC VAC

IDC, VDC IAC, VAC

Botier
BOX
Client 1

Client 2

Cble RJ45/TCPIP
Serveur
Stockage Client m
Fichiers texte
Graphiques Visualisation
Traitement du signal

Figure II- 13: Schma de mesures lectriques d'une installation PV monophas avec le
transfert de donnes sur un serveur via TCPIP

Le schma lectrique de la mesure du courant/tension, ct courant continu, est reprsent

dans la figure II-14. Un tage d'adaptation a t ralis entres les capteurs et le convertisseur
analogique numrique du serveur afin de compenser l'offset et d'adapter les impdances dans
le circuit.

Mesure courant DC
Serveur Web embarqu

Mesure tension DC

Mesure courant AC
Figure II- 14: Schma lectrique pour la mesure du courant et de la tension du bus continu

52
Le systme lectrique ralis, test, et mis en place doit suivre certaines directives de diverses
normes (2006/95/CE) afin de rpondre des rgles de scurit lectriques pour la protection
des biens et des personnes.
Les caractristiques techniques du botier de mesures DC sont rsumes dans le tableau II-6.

Tableau II- 6: Caractristiques techniques du botier de mesure bus continu

Nombre de string 1
Communication TCP-IP / filaire
Installation recommande 0 10kW
Tension d'alimentation 110VAC - 230VAC
Courant assign 75 mA
Temprature de fonctionnement -20C 60C
Mesure de courant 0A 30A
Mesure de tension 0V 1500V
Type de botier Alu UL94-5V
Dimension botier 170mm x 140mm x 95mm
Montage Mural
Indice EN-950-1

II.2.3.2. Mesures tension et courant AC

La mesure de la partie alternative se fait l'aide d'un puissance mtre qui est utilisable pour le
monophas ainsi que pour le triphas. Les principales fonctionnalits de cet appareil sont de
mesurer la tension efficace, la frquence, la puissance active, la puissance ractive et
apparente et le facteur de puissance. La figure II-15 reprsente la partie de mesure du courant
du bus alternatif.

Figure II- 15: Schma lectrique pour la mesure du courant du bus alternatif

53
 II.2.4. Mesures de donnes environnementales

Les mesures de donnes environnementales se feront l'aide des stations mtorologiques

situes sur les deux laboratoires, afin d'avoir un modle le plus prcis possible. Au laboratoire
PROMES-CNRS Perpignan, les donnes mtorologiques sont collectes par l'intermdiaire
de la station mto Vantage pro 2 du constructeur Davies Instrument dont les spcificits sont
prsentes dans le tableau II-7. Cette station est compose d'un bloc de capteurs comprenant
un anmomtre / girouette dtachable avec 12 m de cble, d'un pluviomtre augets et, dans
l'abri blanc, de capteurs d'humidit et de temprature. Le capteur d'ensoleillement utilis
mesure le rayonnement solaire dans le spectre de la lumire visible de 400 1100 nanomtres.
Il mesure l'ensoleillement global horizontal en W/m dans une plage allant de 0 1800 W/m.
L'ensoleillement global est la somme de l'ensoleillement direct et de l'ensoleillement diffus

Tableau II- 7: Spcifications techniques capteur de rayonnement solaire global

Temprature de fonctionnement -40C +65C
Capteur Photodiode silicone
Rponse spectrale 400 1100 nanomtres
Cble 4 conducteurs, 0,9 m
Connecteur RJ-11
Plage 0 1800 W/m

Les donnes d'ensoleillement collectes correspondent un ensoleillement global horizontal

comme le montre la figure II-16.
Mesure environnementale Station mto PROMES-CNRS
Ensoleillement global (W/m)

500

400

300

200

100

0
Temprature ambiante (C)

22

20

18

16

14
09:45

10:36

11:28

12:20

13:12

14:04

14:56

15:47

16:39

17:31

18:23

19:15

Temps (h)
Figure II- 16: Mesures ensoleillement, temprature ambiante station mto PROMES-CNRS

54
L'installation PV tudie dans ce chapitre est incline de 20. Pour connatre l'ensoleillement
que reoit le champ PV pour cette inclinaison, il est ncessaire d'laborer un modle qui
estime cet ensoleillement. Pour cela, nous allons utiliser la mesure de l'ensoleillement global
horizontal pour estimer l'ensoleillement que reoit le champ PV inclin.

II.2.4.1. Modle d'ensoleillement global inclin

Le champ PV du laboratoire PROMES-CNRS est inclin de 20 et orient de 50 Sud-ouest.

A laide des donnes d'ensoleillement global horizontal depuis Fvrier 2013, un modle
dvelopp pour des raisons pratiques sous environnement MatLab a t cre afin de
dterminer l'ensoleillement inclin partir d'un ensoleillement global horizontal.
Afin de dterminer l'ensoleillement global inclin, il est essentiel de calculer la hauteur
solaire, l'azimut et le rapport d'clairement solaire.
L'algorithme de calcul de l'ensoleillement global inclin, issu de [BERNARD] est rsum sur
la figure II-17. Il existe de nombreuses tudes [NOTTON et al.], [OLMO et al.],
[KLUCHER] et [REINDL et al.] qui permettent de prdire lensoleillement global que reoit
le champ PV pour une inclinaison quelconque partir de lensoleillement global horizontal.
[NOTTON et al.] value les performances des diffrents modles existants dans la littrature
en les exprimentant pour sa localisation gographique.

55
 Paramtres mesures:
Ensoleillement global horizontal: Gh
Inclinaison panneau: i
Orientation panneau:
Constante solaire C=1353W/m
C1=1 pour la France
C2=0 en hiver or C2=1 en t
Calcul du numro de jour: nj Calcul dclinaison:

Calcul de l'clairement solaire: I Calcul du temps solaire vrai: TSV

Calcul de l'angle horaire:

Calcul de la hauteur solaire de l'azimut: h et a

Formule de Gauss

Calcul de l'ensoleillement direct horizontal: Sh

Calcul des rapports d'clairement du global et du direct : Rs et Rg

Calcul de l'ensoleillement global inclin: G (i,)

Figure II- 17: Algorithme de dtermination de l'ensoleillement global inclin G (i,)

Avec :
Gh : ensoleillement global horizontal mesur
i : inclinaison panneau
: orientation du panneau
C = 1353 constante solaire
C1 : correcteur de fuseau (>0 l'est de Greenwich, <0 l'ouest)
C2 : correcteur de saisons
nj :: numro du jour
: angle que fait le plan de l'quateur terrestre avec la direction Terre-soleil
I : clairement solaire qui correspond la puissance solaire reue par une surface
plane lmentaire
TSV : Temps Solaire Vrai. La position du soleil dans le ciel nous renseigne sur ce
temps. C'est le temps donn par les cadrans solaires
56
 TU : Temps Universel, chelle de temps base sur la rotation de la Terre. Plus connu
sous le terme UTC et UT1
TL : Temps Lgal : Heure lue sur les horloges publiques
: angle horaire, angle que fait le plan contenant le cercle horaire de l'astre avec le
plan contenant le mridien cleste. Cet angle est positif l'ouest et ngatif l'est
h, a : coordonnes horizontales qui correspondent la hauteur solaire et l'azimut
Sh : clairement solaire direct, rayonnement solaire atteignant directement la surface
terrestre depuis le soleil
Rs et Rg : rapport d'clairement du direct et du global : quantit caractristique qui lie
les mesures exprimentales de l'clairement solaire pour des surfaces horizontales et
l'clairement d'orientation quelconque

II.2.4.2. Mthodologie de calcul d'ensoleillement global

inclin

La premire tape du calcul consiste dterminer la dclinaison . La Terre dcrit autour du

soleil une ellipse situe dans un plan appel plan de l'cliptique. L'excentricit e de cette
ellipse est trs faible (e 0.017); aussi peut-on l'assimiler un cercle en premire
approximation. L'angle que fait le plan de l'quateur terrestre avec la direction Terre-Soleil est
appel dclinaison . Cet angle varie tout au long de l'anne de faon symtrique de -2326'
+2326'. L'angle que fait la normale au plan de l'cliptique avec l'axe de rotation de la Terre
vaut videmment 2326'. L'anne tropique, temps coul entre deux passages de la Terre au
point vernal vrai1 est de : 365 jours 5 heures 48 minutes 46 secondes (et tient compte de la
prcession des quinoxes soit -50.3" d'angle par an). Ceci implique la correction d'un jour
tous les quatre ans (les annes bissextiles). La valeur de la dclinaison peut tre obtenue avec
une bonne prcision par l'quation suivante :

360
= 23, 26.sin .( n j 81) (II-1)
365

Avec nj : numro du jour de l'anne (1er janvier 1).

Au solstice d't c'est dire le 21 juin (nj= 172), la dclinaison est maximale. Par contre au
solstice d'hiver, c'est dire le 21 dcembre (nj=355), la dclinaison est minimale. Aux

1
Point vernal vrai : croisement de l'cliptique et de l'quateur cleste.
57
quinoxes (21 mars (nj=80) et 21 septembre (nj=264)), nous pouvons dire que la dclinaison
est nulle. La premire tape avant de calculer cette dclinaison est de dterminer le numro du
jour n partir de la date crite sous la forme jj.mm. Il est possible de rcuprer soit le numro
du jour ou bien de le calculer grce un calcul prsent sous la forme d'un organigramme
(figure II-18).

nj = jj + 31 (mm-1)

oui non
mm< 3

nj = nj nj = nj - int (0.4 mm + 2.3)

Figure II- 18: Organigramme de calcul du numro du jour de l'anne

La position d'un astre dans l'espace peut tre repre par ses coordonnes horizontales
dfinies sur la sphre cleste et reprsente sur la figure II-19 savoir :
Sa hauteur angulaire h qui est l'angle que fait la direction de l'astre avec le plan
horizontal (c'est dire tangent au sol) ;
Son azimut a correspondant l'angle que fait le plan mridien local avec le plan
vertical passant par l'astre. L'azimut est compt ngativement vers l'est, positivement
vers l'ouest ;

Figure II- 19: Coordonnes horizontales(ou locales) d'un astre : hauteur h et azimut a, dfinies
sur la sphre cleste

58
A partir de la dclinaison et de l'angle horaire , les coordonnes horaires sont dfinies.
L'angle horaire est l'angle que fait le plan contenant le cercle horaire de l'astre avec le plan
contenant le mridien cleste. Il est compt sur l'quateur, positivement l'ouest,
ngativement l'est. Afin de dterminer cet angle horaire , il faut calculer le temps solaire
vrai (TSV).
La position du soleil dans le ciel nous renseigne sur le temps solaire vrai. C'est le temps donn
par les cadrans solaires. Il existe une relation simple entre l'heure solaire TSV et l'angle horaire
:

= (TSV 12) 15 (II-2)

avec TSV en heures et en degrs.

Cette expression provient du fait que le soleil semble tourner dans le plan de l'quateur de
360 en 24 heures soit 15 par heure. De plus, le choix arbitraire de prendre l'angle horaire nul
quand le soleil est dans le plan du mridien local (au midi solaire) finit d'expliquer cette
relation.
La notion de temps solaire moyen (TSM) est alors introduite. Elle varie de 16 mn par rapport
au TSV du fait de la dure du jour solaire vrai qui varie selon les poques de l'anne. On a
alors :

TSM = TSV ET (II-3)

o le terme correctif ET est appel quation du temps.
Cette quantit peut tre calcule par l'quation suivante :

ET = 0,0002 + 0,4197.cos ( ) 7,3509.cos ( ) 3,2265.cos ( 2 ) 9,3912.sin ( 2 )

(II-4)
0,0903.cos ( 3 ) 0,3361.sin ( 3 )
nj
dans laquelle (en degrs) vaut : = 360.
366

avec n le numro de jour de l'anne.

Le temps universel TU est gal au TSM du mridien origine (mridien de Greenwich).
On a donc :

L
TU = TSM + (II-5)
15
59
avec L la longitude exprime en degrs et les temps en heures.
Le temps lgal est gal au temps universel affect des corrections de fuseau C12ainsi que
d'une correction de saison C2 s'il y a lieu.

TL = TU + C1 + C2 (II-6)

En France : C1=+1h et C2=0 en hiver et C2=+1 h en t.

Aprs avoir dtermin le temps solaire vrai TSV partir du temps lgal TL, l'angle horaire
est calcul (quation II-2). Connaissant la latitude et la longitude du champ PV, l'angle horaire
, la dclinaison , il est dsormais possible de calculer la hauteur angulaire h et l'azimut a
grce aux formules de Gauss. Les trois expressions scalaires reliant entre elles les quatre
coordonnes a, h, et , pour une latitude sont donnes par :

cos h.sin a = cos .sin

cos h.cos a = cos .cos.sin sin .cos (II-7)
sin h = cos .cos.cos + sin .sin

La hauteur angulaire ainsi que l'azimut a sont donc obtenus. La prochaine tape consiste
calculer l'clairement solaire direct horizontal. L'clairement correspond la puissance solaire
reue par une surface plane lmentaire appele capteur. Nous distinguons l'clairement d
aux rayons solaires directs de celui d au rayonnement solaire diffus par le ciel ou rflchi
par une surface (le sol, un mur, etc.). Cet clairement dpend bien sr de l'orientation de la
surface par rapport au soleil. Les grandeurs sont calcules en W/m.
Considrons un capteur lmentaire inclin d'un angle i par rapport l'horizontale et orient
d'un angle par rapport au sud. L'clairement direct S est la composante, normale au capteur,
de l'clairement solaire I reprsent sur la figure II-20.

2
(>0 l'est de Greenwich, <0 l'ouest, la ligne de changement de date passant dans l'ocan Pacifique
60
 I

z
h
i S
k sud
a n
i

ouest

Figure II- 20: Dfinition des angles pour une surface plane lmentaire claire par le soleil

A partir de la figure II-20, nous pouvons crire :

S = Ik .n (II-8)
o n reprsente le vecteur unitaire normal la surface lmentaire :

sin .sin i
n cos .sin i (II-9)
cos i

et k le vecteur unitaire donnant la direction du soleil :

cos h.sin a
k cos h.sin a (II-10)
cos h

d'o il vient :
S ( i, ) = I .[sin i.cos h.cos(a ) + cos i.sin h] (II-11)

L'quation (II-11) correspond alors l'ensoleillement direct avec une inclinaison i et une
orientation . Deux cas particuliers importants d'inclinaisons sont considrer:
le capteur est horizontal (i=0). En indiant par la lettre h la grandeur correspondante,
on obtient partir de l'quation (II-11) :

Sh = I .sin h (II-12)

61
 le capteur est vertical (i=90) orient au sud (=0). En indiant par la lettre v la
grandeur correspondante, on obtient partir de l'quation (II-11) :

Sv = I .cos h.cos a (II-13)

Connaissant l'clairement solaire obtenu grce la relation suivante :

360.( n 2.72)
I = C.1 + 0.034.cos (II-14)
365.25

avec C =1353 W/m et n le numro de jour,

il est possible partir de l'quation II-14 et l'quation II-12 d'obtenir l'clairement direct dans
un plan horizontal.
La dernire tape dans le calcul de l'ensoleillement global inclin consiste identifier les
rapports d'clairement ncessaires. Les mesures exprimentales de l'clairement solaire sont le
plus souvent, obtenues pour des surfaces horizontales comme dans notre cas. Pour connatre,
partir de ces mesures, l'clairement sur une surface d'orientation quelconque, il est
ncessaire d'introduire une quantit caractristique appele rapport d'clairement. Ici les
rapports de l'clairement direct (Rs) et de l'clairement global (Rg) sont utiliss:

S ( i, ) sin i.cos ( a )
Rs = (II-15) Rs = + cos i (II-16)
Sh tan h

S (i,) ntant pas connu, l'quation II-16 est utilise pour calculer Rs. Une fois Rs calcule, le
calcul se poursuit sur le rapport d'clairement global :

G ( i, ) 1 + cos i Sh 1 + cos i 1 cos i

Rg = (II-17) Rg = Rs + + .alb (II-18)
Gh 2 Gh 2 2

Les termes calculer ici sont Rg et G(i,) dans l'quation (II-17). Nous savons que Rg peut
tre reprsent par l'quation (II-18) o tous les termes sont connus avec alb qui reprsente
l'albdo gal en moyenne 0.22.
Remarque : Si le calcul donne Rs< 0, Rg est alors considre comme nulle dans les calculs.
Ceci peut se produire si le soleil se trouve "derrire" le capteur.

62
Il vient finalement :

G ( i, ) = Rg Gh (II-19)

II.2.4.3. Comparaison modle et donnes

exprimentales

Afin de comparer le modle d'ensoleillement (II-19) aux donnes exprimentales, nous avons
effectu des mesures laide de deux capteurs d'ensoleillement [SPEKTRON], du mme
fabricant Tritec. Ces capteurs ont t dploys au niveau de linstallation tudie et ont t
inclins de la mme faon que le champ PV. La priode d'acquisition est de 5 jours. La figure
II-21 montre les mesures du global inclin et du global horizontal.
800
Ensoleillement globnal (W/m)

700

600

500

400

300

200

100
Ensoleillement global inclin mesur
Ensoleillement global horizontal mesur
0
10:00 10:38 11:16 11:55 12:33 13:11 13:50 14:28 15:06 15:45 16:23 17:01 17:40
Temps (h)

Figure II- 21: Mesures ensoleillement global inclin et horizontal.

La figure II-22 compare le modle de l'ensoleillement global inclin et le modle de

l'ensoleillement global horizontal avec les mesures exprimentales.

800

700
Ensoleillement global (W/m)

600

500

400

300

200 Global inclin mesur

Global inclin modle
100 Global horizontal mesur
Global horizontal modle

0
09:36 10:48 12:00 13:12 14:24 15:36 16:48 18:00
Temps (h)

Figure II- 22: Comparaison modle ensoleillement global inclin/horizontal et ensoleillement

global inclin/horizontal mesurs

63
L'erreur relative moyenne entre l'ensoleillement global inclin mesur et l'ensoleillement
global inclin simul est de 16% environ. Lerreur relative moyenne entre lensoleillement
global horizontal mesur et lensoleillement global horizontal simul est approximativement
de 18%. Dans ce modle, l'ensoleillement direct est simul pour un ciel partiellement
nuageux sans prendre en compte la pollution, la couche d'ozone, etc... La figure II-23
montre l'ensoleillement global inclin mesur et l'ensoleillement global horizontal mesur. Par
mauvais temps, les deux ensoleillements inclin/horizontal mesurs se rapprochent du fait du
faible ensoleillement direct. Dans ce cas l, l'erreur relative moyenne est de 17%entre les
deux mesures. De plus, les deux modles pour un temps "ciel trs nuageux" ne correspondent
pas du tout aux mesures inclin/horizontale. L'erreur moyenne relative entre le modle et la
mesure de lensoleillement global inclin est de 65% et l'erreur moyenne relative entre le
modle et la mesure de lensoleillement global horizontal est de 77%.

600
Ensoleillement global (W/m)

400

200

-200

-400

-600 Global inclin mesur

Global inclin modle
-800 Global horizontal mesur
Global horizontal modle

-1000
07:12 08:24 09:36 10:48 12:00 13:12 14:24 15:36 16:48 18:00
Temps (h)

Figure II- 23: Comparaison modle ensoleillement global inclin/horizontal et ensoleillement

global inclin/horizontal mesurs par mauvais temps

Il est alors possible partir des donnes d'ensoleillement global horizontal de la station mto
du laboratoire PROMES-CNRS, d'estimer l'ensoleillement que reoit le champ PV inclin de
20. Le tableau II-8 rsume les diffrentes erreurs des modles par rapport aux mesures
effectues par ciel partiellement nuageux et par ciel trs nuageux .

64
 Tableau II- 8 : Rsums des diffrentes erreurs entre les modles et les mesures
d'ensoleillement
Mesures "ciel partiellement nuageux" Mesures "ciel trs nuageux"
Modle inclin Modle horizontal Modle inclin Modle horizontal
Minimum 2.2e-5% 2.02e-4% 0.2% 0.45%
Maximum 98% 89% 99.7% 97%
Moyenne 16% 18% 65% 77%

II.2.5. Installation du systme de monitoring

Le systme de monitoring est universel et peut tre plac sur n'importe quel type
d'installation. En effet, ce systme s'affranchit des protocoles de communication des
onduleurs. Les donnes mesures sont collectes via TCP-IP et stockes dans une base de
donnes afin d'tre traites. Ds lors, nous pouvons visualiser en temps rel le comportement
de l'installation sous forme graphique.

Ce systme s'intgre dans une chane de conversion DC/AC monostring. Si l'architecture de

l'installation comporte plusieurs onduleurs, il faudra dployer autant de botier de mesures
qu'il n'y a de string par onduleur. La synthse des diffrentes mesures faites par le systme de
monitoring est reprsente dans le tableau II-9.

Tableau II- 9: Type de mesure effectu par le systme de monitoring

Systme monitoring Symbole

Tension Continu VDC[V]
Courant Continu IDC [A]
Tension Alternative VAC[V]
Courant Alternatif IAC [A]
Ensoleillement global G [W/m]
Temprature ambiante T [C]

65
 Puissance DC et A C mesures (W ) Ensoleillem ent G lobal inclin (W /m )

PROMES-CNRS pour les mois dAvril 2013 Octobre 2013.

deuxime, la puissance continue et la puissance alternative mesure de l'installation PV de
figures II-24 II-30 montrent une premire courbe d'ensoleillement global inclin et la
Dans cette partie, les mesures sont effectues avec un pas d'acquisition de 15 minutes. Les
1000

1200

1400

1600

1800

1000
200

400

600

800

100

200

300

400

500

600

700

800

900
0

0
01:04:04:00 01:04:04:00

Figure II- 24: Mesures environnementales et Puissance DC AC Avril 2013, PROMES-CNRS 01:04:20:00 01:04:20:00

de l'installation PV de PROMES-CNRS
02:04:12:00 02:04:12:00

03:04:03:59 03:04:03:59

03:04:19:59 03:04:19:59

Tableau II- 10: Dduction des diffrents paramtres partir des mesures
04:04:11:59 04:04:11:59

05:04:03:58 05:04:03:58

II.2.6. Ensoleillement global inclin et mesures lectriques

05:04:19:58 05:04:19:58

06:04:11:58 06:04:11:58

07:04:03:57 07:04:03:57

Production journalire module PV

07:04:19:57 07:04:19:57

Energie inject sur le rseau

08:04:11:57 08:04:11:57

Rendement modules PV
09:04:03:56 09:04:03:56

Puissance Alternative
Rendement onduleur

Puissance Continu
09:04:19:56 09:04:19:56

10:04:11:56 10:04:11:56

11:04:03:55 11:04:03:55

Mesures environnementales Avril 2013 Pas de mesures : 15 minutes

11:04:19:55 11:04:19:55

12:04:11:55 12:04:11:55

Puissance DC et AC mesures Avril 2013

13:04:03:54 13:04:03:54

13:04:19:54 13:04:19:54

14:04:11:54 14:04:11:54
66

15:04:03:53 15:04:03:53
Temps (h)

15:04:19:53 15:04:19:53

16:04:11:53 16:04:11:53

17:04:03:52 17:04:03:52

17:04:19:52 17:04:19:52

18:04:11:52 18:04:11:52

19:04:03:51 19:04:03:51

19:04:19:51 19:04:19:51

EAC [Wh]
OND [%]

EDC[Wh]

Symbole
PAC [W]
PDC[W]
PV [%]
20:04:11:51 20:04:11:51

21:04:03:50 21:04:03:50

21:04:19:50 21:04:19:50

22:04:11:50 22:04:11:50

23:04:03:49 23:04:03:49

23:04:19:49 23:04:19:49

24:04:11:49 24:04:11:49

25:04:03:48 25:04:03:48

25:04:19:48 25:04:19:48

26:04:11:48 26:04:11:48

27:04:03:47 27:04:03:47

27:04:19:47 27:04:19:47

28:04:11:47 28:04:11:47

29:04:03:46 29:04:03:46

29:04:19:46 29:04:19:46

30:04:11:46 30:04:11:46
PAC
PDC

01:05:03:45 01:05:03:45
 P u issan ce D C et A C m esu res (W ) E n so leillem en t G lo b al in clin (W /m ) P u issan ce D C et A C m esu res (W ) E n so leillem en t G lo b al in clin (W /m )

1000

1200

1400

1600

1800

2000

1000

1200

1000

1200

1400

1600

1800

2000

1000

1200
200

400

600

800

200

400

600

800

200

400

600

800

200

400

600

800
0

0
01:06:02:00 01:06:02:00 01:05:02:00 01:05:02:00
Figure II- 26: Mesures environnementales et Puissance DC AC Juin 2013, PROMES-CNRS

Figure II- 25: Mesures environnementales et Puissance DC AC Mai 2013, PROMES-CNRS

01:06:18:00 01:06:18:00 01:05:18:32 01:05:18:32

02:06:10:00 02:06:10:00 02:05:11:03 02:05:11:03

03:06:01:59 03:06:01:59 03:05:03:34 03:05:03:34

03:06:17:59 03:06:17:59 03:05:20:06 03:05:20:06

04:06:09:59 04:06:09:59 04:05:12:37 04:05:12:37

05:06:01:58 05:06:01:58 05:05:05:08 05:05:05:08

05:06:17:58 05:06:17:58 05:05:21:40 05:05:21:40

06:06:09:58 06:06:09:58 06:05:14:11 06:05:14:11

07:06:01:57 07:06:01:57 07:05:06:42 07:05:06:42

07:06:17:57 07:06:17:57 07:05:23:14 07:05:23:14

08:06:09:57 08:06:09:57 08:05:15:45 08:05:15:45

09:06:01:56 09:06:01:56 09:05:08:16 09:05:08:16

09:06:17:56 09:06:17:56 10:05:00:48 10:05:00:48

10:06:09:56 10:06:09:56 10:05:17:19 10:05:17:19

11:06:01:55 11:06:01:55 11:05:09:50 11:05:09:50

11:06:17:55 11:06:17:55 12:05:02:22 12:05:02:22

12:06:09:55 12:06:09:55 12:05:18:53 12:05:18:53

13:06:01:54 13:06:01:54
Puissance DC et AC mesures Juin 2013
13:05:11:24 13:05:11:24

Puissance DC et AC mesures Mai 2013

Mesures environnementales Juin 2013

Mesures environnementales Mai 2013

13:06:17:54 13:06:17:54 14:05:03:56 14:05:03:56

14:06:09:54 14:06:09:54 14:05:20:27 14:05:20:27

Temps (h)
67

Temps (h)

15:06:01:53 15:06:01:53 15:05:12:58 15:05:12:58

15:06:17:53 15:06:17:53 16:05:05:30 16:05:05:30

16:06:09:53 16:06:09:53 16:05:22:01 16:05:22:01

17:06:01:52 17:06:01:52 17:05:14:32 17:05:14:32

17:06:17:52 17:06:17:52 18:05:07:04 18:05:07:04

18:06:09:52 18:06:09:52 18:05:23:35 18:05:23:35

19:06:01:51 19:06:01:51 19:05:16:06 19:05:16:06

19:06:17:51 19:06:17:51 20:05:08:38 20:05:08:38

20:06:09:51 20:06:09:51 21:05:01:09 21:05:01:09

21:06:01:50 21:06:01:50 21:05:17:40 21:05:17:40

21:06:17:50 21:06:17:50 22:05:10:12 22:05:10:12

22:06:09:50 22:06:09:50 23:05:02:43 23:05:02:43

23:06:01:49 23:06:01:49 23:05:19:14 23:05:19:14

23:06:17:49 23:06:17:49 24:05:11:46 24:05:11:46

24:06:09:49 24:06:09:49 25:05:04:17 25:05:04:17

25:06:01:48 25:06:01:48 25:05:20:48 25:05:20:48

25:06:17:48 25:06:17:48 26:05:13:20 26:05:13:20

26:06:09:48 26:06:09:48 27:05:05:51 27:05:05:51

27:06:01:47 27:06:01:47 27:05:22:22 27:05:22:22

27:06:17:47 27:06:17:47 28:05:14:54 28:05:14:54

28:06:09:47 28:06:09:47 29:05:07:25 29:05:07:25

29:06:01:46 29:06:01:46 29:05:23:56 29:05:23:56

29:06:17:46 29:06:17:46 30:05:16:28 30:05:16:28

30:06:09:46 30:06:09:46
PAC
PDC

PAC
PDC
31:05:08:59 31:05:08:59

01:07:01:45 01:07:01:45 01:06:01:30 01:06:01:30

 P u issan ce D C et A C m esu res (W ) E n so leillem en t G lo b al in clin (W /m ) Puissance D C et A C m esures (W ) E nsoleillem ent G lobal inclin (W /m )

1000

1200

1400

1600

1000
1000

1200

1400

1000

1200

200

400

600

800

100

200

300

400

500

600

700

800

900
200

400

600

800

200

400

600

800

0
Figure II- 27: Mesures environnementales et Puissance DC AC Juillet 2013, PROMES-CNRS
0

0
01:08:02:00 01:08:02:00 01:07:02:00 01:07:02:00
Figure II- 28: Mesures environnementales et Puissance DC AC Aout 2013, PROMES-CNRS
01:08:18:32 01:08:18:32 01:07:18:32 01:07:18:32

02:08:11:04 02:08:11:04 02:07:11:04 02:07:11:04

03:08:03:35 03:08:03:35 03:07:03:35 03:07:03:35

03:08:20:07 03:08:20:07 03:07:20:07 03:07:20:07

04:08:12:39 04:08:12:39 04:07:12:39 04:07:12:39

05:08:05:10 05:08:05:10 05:07:05:10 05:07:05:10

05:08:21:42 05:08:21:42 05:07:21:42 05:07:21:42

06:08:14:14 06:08:14:14 06:07:14:14 06:07:14:14

07:08:06:45 07:08:06:45 07:07:06:45 07:07:06:45

07:08:23:17 07:08:23:17 07:07:23:17 07:07:23:17

08:08:15:49 08:08:15:49 08:07:15:49 08:07:15:49

09:08:08:20 09:08:08:20 09:07:08:20 09:07:08:20

10:08:00:52 10:08:00:52 10:07:00:52 10:07:00:52

10:08:17:24 10:08:17:24 10:07:17:24 10:07:17:24

11:08:09:55 11:08:09:55 11:07:09:55 11:07:09:55

12:08:02:27 12:08:02:27 12:07:02:27 12:07:02:27

12:08:18:59 12:08:18:59 12:07:18:59 12:07:18:59

Puissance DC et AC mesures Juillet 2013

Puissance DC et AC mesures Aout 2013

13:08:11:30 13:08:11:30 13:07:11:30 13:07:11:30

Mesures environnementales Juillet 2013

Mesures environnementales Aout 2013
14:08:04:02 14:08:04:02 14:07:04:02 14:07:04:02

14:08:20:34 14:08:20:34 14:07:20:34 14:07:20:34

Temps (h)
68

15:08:13:05 15:08:13:05 15:07:13:05 15:07:13:05

16:08:05:37 16:08:05:37 16:07:05:37 16:07:05:37

Temps (h)
16:08:22:09 16:08:22:09 16:07:22:09 16:07:22:09

17:08:14:40 17:08:14:40 17:07:14:40 17:07:14:40

18:08:07:12 18:08:07:12 18:07:07:12 18:07:07:12

18:08:23:44 18:08:23:44 18:07:23:44 18:07:23:44

19:08:16:15 19:08:16:15 19:07:16:15 19:07:16:15

20:08:08:47 20:08:08:47 20:07:08:47 20:07:08:47

21:08:01:19 21:08:01:19 21:07:01:19 21:07:01:19

21:08:17:50 21:08:17:50 21:07:17:50 21:07:17:50

22:08:10:22 22:08:10:22 22:07:10:22 22:07:10:22

23:08:02:54 23:08:02:54 23:07:02:54 23:07:02:54

23:08:19:25 23:08:19:25 23:07:19:25 23:07:19:25

24:08:11:57 24:08:11:57 24:07:11:57 24:07:11:57

25:08:04:29 25:08:04:29 25:07:04:29 25:07:04:29

25:08:21:00 25:08:21:00 25:07:21:00 25:07:21:00

26:08:13:32 26:08:13:32 26:07:13:32 26:07:13:32

27:08:06:04 27:08:06:04 27:07:06:04 27:07:06:04

27:08:22:35 27:08:22:35 27:07:22:35 27:07:22:35

28:08:15:07 28:08:15:07 28:07:15:07 28:07:15:07

29:08:07:39 29:08:07:39 29:07:07:39 29:07:07:39

30:08:00:10 30:08:00:10 30:07:00:10 30:07:00:10

30:08:16:42 30:08:16:42 30:07:16:42 30:07:16:42

31:07:09:14 31:07:09:14

PAC
PDC
31:08:09:14 31:08:09:14
PAC
PDC

01:09:01:45 01:09:01:45 01:08:01:45 01:08:01:45

 P u issan ce D C et A C m esu res (W ) E n so leillem en t G lo b al in clin (W /m ) P uissan ce D C et A C m esu res (W ) E nsoleillem ent G lo bal in clin (W /m )

1000

1200

1400

1600

1800

2000

1000

1200

1400

1600

1800

2000

1000
200

400

600

800

100

200

300

400

500

600

700

800

900
Figure II- 30: Mesures environnementales et Puissance DC AC Octobre 2013, PROMES-CNRS

200

400

600

800

100

200

300

400

500

600

700

800

900
0

0
01:10:02:00 01:10:02:00 01:09:02:00 01:09:02:00

Figure II- 29: Mesures environnementales et Puissance DC AC Septembre 2013, PROMES-

01:10:18:32 01:10:18:32 01:09:18:00 01:09:18:00

02:10:11:04 02:10:11:04 02:09:10:00 02:09:10:00

03:10:03:35 03:10:03:35 03:09:01:59 03:09:01:59

03:10:20:07 03:10:20:07 03:09:17:59 03:09:17:59

04:10:12:39 04:10:12:39 04:09:09:59 04:09:09:59

05:10:05:10 05:10:05:10 05:09:01:58 05:09:01:58

05:10:21:42 05:10:21:42 05:09:17:58 05:09:17:58

06:10:14:14 06:10:14:14 06:09:09:58 06:09:09:58

07:10:06:45 07:10:06:45 07:09:01:57 07:09:01:57

07:10:23:17 07:10:23:17 07:09:17:57 07:09:17:57

08:10:15:49 08:10:15:49 08:09:09:57 08:09:09:57

09:10:08:20 09:10:08:20 09:09:01:56 09:09:01:56

10:10:00:52 10:10:00:52 09:09:17:56 09:09:17:56

10:10:17:24 10:10:17:24 10:09:09:56 10:09:09:56

11:10:09:55 11:10:09:55 11:09:01:55 11:09:01:55

12:10:02:27 12:10:02:27 11:09:17:55 11:09:17:55

12:10:18:59 12:10:18:59 12:09:09:55 12:09:09:55

Puissance DC et AC mesures Septembre 2013

Puissance DC et AC mesures Octobre 2013

Mesures environnementales Septembre 2013

Mesures environnementales Octobre 2013
13:10:11:30 13:10:11:30 13:09:01:54 13:09:01:54

14:10:04:02 14:10:04:02 13:09:17:54 13:09:17:54

14:10:20:34 14:10:20:34 14:09:09:54 14:09:09:54

CNRS
Temps (h)
69

Temps (h)
15:10:13:05 15:10:13:05 15:09:01:53 15:09:01:53

16:10:05:37 16:10:05:37 15:09:17:53 15:09:17:53

16:10:22:09 16:10:22:09 16:09:09:53 16:09:09:53

17:10:14:40 17:10:14:40 17:09:01:52 17:09:01:52

18:10:07:12 18:10:07:12 17:09:17:52 17:09:17:52

18:10:23:44 18:10:23:44 18:09:09:52 18:09:09:52

19:10:16:15 19:10:16:15 19:09:01:51 19:09:01:51

20:10:08:47 20:10:08:47 19:09:17:51 19:09:17:51

21:10:01:19 21:10:01:19 20:09:09:51 20:09:09:51

21:10:17:50 21:10:17:50 21:09:01:50 21:09:01:50

22:10:10:22 22:10:10:22 21:09:17:50 21:09:17:50

23:10:02:54 23:10:02:54 22:09:09:50 22:09:09:50

23:10:19:25 23:10:19:25 23:09:01:49 23:09:01:49

24:10:11:57 24:10:11:57 23:09:17:49 23:09:17:49

25:10:04:29 25:10:04:29 24:09:09:49 24:09:09:49

25:10:21:00 25:10:21:00 25:09:01:48 25:09:01:48

26:10:13:32 26:10:13:32 25:09:17:48 25:09:17:48

27:10:06:04 27:10:06:04 26:09:09:48 26:09:09:48

27:10:22:35 27:10:22:35 27:09:01:47 27:09:01:47

28:10:15:07 28:10:15:07 27:09:17:47 27:09:17:47

29:10:07:39 29:10:07:39 28:09:09:47 28:09:09:47

30:10:00:10 30:10:00:10 29:09:01:46 29:09:01:46

30:10:16:42 30:10:16:42 29:09:17:46 29:09:17:46

31:10:09:14 31:10:09:14
PAC
PDC

30:09:09:46 30:09:09:46

PAC
PDC
01:11:01:45 01:11:01:45 01:10:01:45 01:10:01:45
Le tableau II-11 montre, pour chaque mois, la puissance maximale moyenne fournie par le
gnrateur PV ainsi que l'cart type. Ce tableau montre aussi les puissances alternatives
maximales et moyennes injectes sur le rseau ainsi que l'cart type.

Tableau II- 11: Analyse des mesures effectues sur l'installation PV d'Avril 2013 Octobre 2013
PDCmax PDCmoyenne PACmax PACmoyenne Ecart type
[kW] [W] [kW] [W] DC [W] AC [W]
Avril 2013 1.73 475 1.56 248 433 392
Mai 2013 1.8 547 1.58 315 458 434
Juin 2013 1.9 559 1.6 337 436 433
Juillet 2013 1.56 535 1.4 315 411 407
Aout 2013 1.32 566 566 308 412 405
Septembre 2013 1.76 539 1.58 273 425 405
Octobre 2013 1.66 449 1.49 200 421 357

II.3. Analyse nergtique des deux systmes PV

Une fois le processus de fabrication du systme d'acquisition expliqu avec la mise forme
graphique des donnes mesures, il est essentiel d'interprter les rsultats en faisant une
analyse nergtique des installations tudies. En effet, il est important d'valuer la qualit des
installations afin d'en vrifier le bon fonctionnement.
Pour cela, deux dmarches d'tudes de l'analyse de puissance des installations PV de
PROMES-CNRS et d'ADREAM sont utilises et prsentes dans cette partie :
1ere dmarche : Monitoring d'un onduleur de l'installation PV de PROMES-CNRS et
analyse de performance selon la norme IEC61724. Une tude de 6 mois est effectue
entre Avril 2013 et Octobre 2013 ;
2eme dmarche : utilisation de PVSYST pour l'installation PV de 24kWc de la toiture
"R+2" du btiment ADREAM ;

II.3.1. Comparaison du modle de puissance maximale et

des mesures de puissance DC en fonction des donnes
environnementales

Par dfinition, la puissance maximale du champ PV peut tre estime partir des donnes
constructeurs des modules PV effectues aux conditions de tests standard (1000W/m
25C):

70
 Pu issan ce D C et A C m esures (W ) Pu issance D C (W )

mesures sur la priode donne.

gnrateur PV au modle de puissance maximal. Les figures II-32 II-38 valuent les
Avec cette relation, nous pouvons dsormais comparer les mesures de puissances issues du

Avec :
1000

1200

1400

1600

1800

1000

1500

2000

2500
200

400

600

800

500
0

0
01:04:04:00 01:04:04:00

01:04:20:00 01:04:20:00

02:04:12:00 02:04:12:00

G : Lirradiation vue par le module exprime en W/m

Tc : La temprature de la cellule, exprime en C
: Le coefficient de puissance en mV/C
Tref : Temprature de rfrence (25C)
GSTC : L'ensoleillement dans les conditions de tests standard (1000 W/m)
les conditions de tests standard (STC) en W
PmaxSTC: la puissance maximale pouvant tre produite par le champ PV complet dans
Figure II- 31: Modle puissance DC et mesures puissances DC et AC, Avril 2013
03:04:03:59 03:04:03:59

03:04:19:59 03:04:19:59

04:04:11:59 04:04:11:59

05:04:03:58 05:04:03:58

05:04:19:58 05:04:19:58

06:04:11:58 06:04:11:58

07:04:03:57 07:04:03:57

07:04:19:57 07:04:19:57

08:04:11:57 08:04:11:57

Pmod le = PmaxSTC 1 (Tc Tref )

09:04:03:56 09:04:03:56

09:04:19:56 09:04:19:56

10:04:11:56 10:04:11:56

11:04:03:55 11:04:03:55

(
11:04:19:55 11:04:19:55

12:04:11:55 12:04:11:55

Puissance DC et AC mesures Avril 2013

13:04:03:54 13:04:03:54

(
13:04:19:54 13:04:19:54

Puissance modle Avril 2013

14:04:11:54 14:04:11:54
71

Temps (h)

15:04:03:53 15:04:03:53

15:04:19:53 15:04:19:53

16:04:11:53 16:04:11:53

17:04:03:52 17:04:03:52

17:04:19:52 17:04:19:52

18:04:11:52 18:04:11:52

) ) GG
19:04:03:51 19:04:03:51

19:04:19:51 19:04:19:51

STC
20:04:11:51 20:04:11:51

21:04:03:50 21:04:03:50

21:04:19:50 21:04:19:50

22:04:11:50 22:04:11:50

23:04:03:49 23:04:03:49

23:04:19:49 23:04:19:49

24:04:11:49 24:04:11:49

25:04:03:48 25:04:03:48

25:04:19:48 25:04:19:48

26:04:11:48 26:04:11:48

27:04:03:47 27:04:03:47

27:04:19:47 27:04:19:47

(II-20)
28:04:11:47 28:04:11:47

29:04:03:46 29:04:03:46

29:04:19:46 29:04:19:46

30:04:11:46 30:04:11:46
PAC
PDC

01:05:03:45 01:05:03:45
 P u issan ce D C et A C m esu res (W ) P u issan ce D C (W ) P u issan ce D C et A C m esu res (W ) P u issan ce D C (W )

1000

1200

1400

1600

1800

2000

1000

1500

2000

2500

1000

1200

1400

1600

1800

2000

1000

1500

2000

2500
200

400

600

800

500

200

400

600

800

500
0

0
01:06:02:00 01:06:02:00 01:05: 02:00 01:05:02:00

01:06:18:00 01:06:18:00 01:05: 18:32 01:05:18:32

02:06:10:00 02:06:10:00 02:05: 11:03 02:05:11:03
Figure II- 33: Modle puissance DC et mesures puissances DC et AC, Juin 2013

Figure II- 32: Modle puissance DC et mesures puissances DC et AC, Mai 2013
03:06:01:59 03:06:01:59 03:05: 03:34 03:05:03:34

03:06:17:59 03:06:17:59 03:05: 20:06 03:05:20:06

04:06:09:59 04:06:09:59 04:05: 12:37 04:05:12:37
05:06:01:58 05:06:01:58 05:05: 05:08 05:05:05:08

05:06:17:58 05:06:17:58 05:05: 21:40 05:05:21:40

06:06:09:58 06:06:09:58 06:05: 14:11 06:05:14:11

07:06:01:57 07:06:01:57 07:05: 06:42 07:05:06:42
07:06:17:57 07:06:17:57 07:05: 23:14 07:05:23:14

08:06:09:57 08:06:09:57 08:05: 15:45 08:05:15:45

09:06:01:56 09:06:01:56 09:05: 08:16 09:05:08:16

09:06:17:56 09:06:17:56 10:05: 00:48 10:05:00:48
10:06:09:56 10:06:09:56 10:05: 17:19 10:05:17:19

11:06:01:55 11:06:01:55 11:05: 09:50 11:05:09:50

11:06:17:55 11:06:17:55 12:05: 02:22 12:05:02:22

12:06:09:55 12:06:09:55 12:05: 18:53 12:05:18:53

13:06:01:54 13:06:01:54
Puissance DC et AC mesures Juin 2013
13:05: 11:24 13:05:11:24

Puissance DC et AC mesures Mai 2013

13:06:17:54 13:06:17:54 14:05: 03:56 14:05:03:56

Puissance modle Juin 2013

Puissance modle Mai 2013

14:06:09:54 14:06:09:54 14:05: 20:27 14:05:20:27
72

Temps (h)

15:06:01:53 15:06:01:53 15:05: 12:58 15:05:12:58

Temps (h)
15:06:17:53 15:06:17:53 16:05: 05:30 16:05:05:30
16:06:09:53 16:06:09:53 16:05: 22:01 16:05:22:01
17:06:01:52 17:06:01:52 17:05: 14:32 17:05:14:32
17:06:17:52 17:06:17:52 18:05: 07:04 18:05:07:04

18:06:09:52 18:06:09:52 18:05: 23:35 18:05:23:35

19:06:01:51 19:06:01:51 19:05: 16:06 19:05:16:06
19:06:17:51 19:06:17:51 20:05: 08:38 20:05:08:38
20:06:09:51 20:06:09:51 21:05: 01:09 21:05:01:09

21:06:01:50 21:06:01:50 21:05: 17:40 21:05:17:40

21:06:17:50 21:06:17:50 22:05: 10:12 22:05:10:12

22:06:09:50 22:06:09:50 23:05: 02:43 23:05:02:43

23:06:01:49 23:06:01:49 23:05: 19:14 23:05:19:14
23:06:17:49 23:06:17:49 24:05: 11:46 24:05:11:46
24:06:09:49 24:06:09:49 25:05: 04:17 25:05:04:17
25:06:01:48 25:06:01:48 25:05: 20:48 25:05:20:48
25:06:17:48 25:06:17:48 26:05: 13:20 26:05:13:20
26:06:09:48 26:06:09:48 27:05: 05:51 27:05:05:51
27:06:01:47 27:06:01:47 27:05: 22:22 27:05:22:22
27:06:17:47 27:06:17:47 28:05: 14:54 28:05:14:54
28:06:09:47 28:06:09:47 29:05: 07:25 29:05:07:25
29:06:01:46 29:06:01:46 29:05: 23:56 29:05:23:56
29:06:17:46 29:06:17:46 30:05: 16:28 30:05:16:28
30:06:09:46 30:06:09:46
PAC
PDC

PAC
PDC
31:05: 08:59 31:05:08:59

01:07:01:45 01:07:01:45 01:06: 01:30 01:06:01:30

 Pu issance D C et A C m esu res (W ) Pu issan ce D C (W ) P uissance D C et A C m esures (W ) P uissance D C (W )

1000

1200

1400

1000

1500

2000

2500

1000

1200

1400

1600

1000

1500

2000

2500
200

400

600

800

500

200

400

600

800

500
0

0
01:08:02:00 01:08:02:00 01:07:02:00 01:07:02:00
01:08:18:32 01:08:18:32 01:07:18:32 01:07:18:32
02:08:11:04 02:08:11:04 02:07:11:04 02:07:11:04

Figure II- 34: Modle puissance DC et mesures puissances DC et AC, Juillet 2013
Figure II- 35: Modle puissance DC et mesures puissances DC et AC, Aout 2013

03:08:03:35 03:08:03:35 03:07:03:35 03:07:03:35

03:08:20:07 03:08:20:07 03:07:20:07 03:07:20:07
04:08:12:39 04:08:12:39 04:07:12:39 04:07:12:39
05:08:05:10 05:08:05:10 05:07:05:10 05:07:05:10
05:08:21:42 05:08:21:42 05:07:21:42 05:07:21:42
06:08:14:14 06:08:14:14 06:07:14:14 06:07:14:14
07:08:06:45 07:08:06:45 07:07:06:45 07:07:06:45
07:08:23:17 07:08:23:17 07:07:23:17 07:07:23:17
08:08:15:49 08:08:15:49 08:07:15:49 08:07:15:49
09:08:08:20 09:08:08:20 09:07:08:20 09:07:08:20
10:08:00:52 10:08:00:52 10:07:00:52 10:07:00:52
10:08:17:24 10:08:17:24 10:07:17:24 10:07:17:24
11:08:09:55 11:08:09:55 11:07:09:55 11:07:09:55
12:08:02:27 12:08:02:27 12:07:02:27 12:07:02:27
12:08:18:59 Puissance DC et AC mesures Aout 2013 12:08:18:59 12:07:18:59 12:07:18:59
13:08:11:30 13:08:11:30

Puissance DC et AC mesures Juillet 2013

13:07:11:30 13:07:11:30
14:08:04:02 14:08:04:02 14:07:04:02 14:07:04:02

Puissance modle Aout 2013

Puissance modle Juillet 2013

14:08:20:34 14:08:20:34

Temps (h)
14:07:20:34 14:07:20:34
73

Temps (h)

15:08:13:05 15:08:13:05 15:07:13:05 15:07:13:05

16:08:05:37 16:08:05:37 16:07:05:37 16:07:05:37
16:08:22:09 16:08:22:09 16:07:22:09 16:07:22:09
17:08:14:40 17:08:14:40 17:07:14:40 17:07:14:40
18:08:07:12 18:08:07:12 18:07:07:12 18:07:07:12
18:08:23:44 18:08:23:44 18:07:23:44 18:07:23:44
19:08:16:15 19:08:16:15 19:07:16:15 19:07:16:15
20:08:08:47 20:08:08:47 20:07:08:47 20:07:08:47
21:08:01:19 21:08:01:19 21:07:01:19 21:07:01:19
21:08:17:50 21:08:17:50 21:07:17:50 21:07:17:50
22:08:10:22 22:08:10:22 22:07:10:22 22:07:10:22
23:08:02:54 23:08:02:54 23:07:02:54 23:07:02:54
23:08:19:25 23:08:19:25 23:07:19:25 23:07:19:25
24:08:11:57 24:08:11:57 24:07:11:57 24:07:11:57
25:08:04:29 25:08:04:29 25:07:04:29 25:07:04:29
25:08:21:00 25:08:21:00 25:07:21:00 25:07:21:00
26:08:13:32 26:08:13:32 26:07:13:32 26:07:13:32
27:08:06:04 27:08:06:04 27:07:06:04 27:07:06:04
27:08:22:35 27:08:22:35 27:07:22:35 27:07:22:35
28:08:15:07 28:08:15:07 28:07:15:07 28:07:15:07
29:08:07:39 29:08:07:39 29:07:07:39 29:07:07:39
30:08:00:10 30:08:00:10 30:07:00:10 30:07:00:10
30:08:16:42 30:08:16:42 30:07:16:42 30:07:16:42
31:08:09:14 31:08:09:14
PAC
PDC

31:07:09:14 31:07:09:14

PAC
PDC
01:09:01:45 01:09:01:45 01:08:01:45 01:08:01:45
 P u issan ce D C et A C m esu res (W ) P u issan ce D C (W ) P u issan ce D C et A C m esu res (W ) P u issan ce D C (W )

1000

1200

1400

1600

1800

2000

1000

1200

1400

1600

1800

2000
200

400

600

800

200

400

600

800
1000

1200

1400

1600

1800

2000

1000

1200

1400

1600

1800

2000
200

400

600

800

200

400

600

800

0
01:09:02:00 01:09:02:00

0
01:10:02:00 01:10:02:00
01:09:18:00 01:09:18:00
01:10:18:32 01:10:18:32

Figure II- 36: Modle puissance DC et mesures puissances DC et AC, Septembre 2013
02:09:10:00 02:09:10:00
Figure II- 37: Modle puissance DC et mesures puissances DC et AC, Octobre 2013

02:10:11:04 02:10:11:04
03:09:01:59 03:09:01:59
03:10:03:35 03:10:03:35
03:09:17:59 03:09:17:59
03:10:20:07 03:10:20:07
04:09:09:59 04:09:09:59
04:10:12:39 04:10:12:39
05:09:01:58 05:09:01:58
05:10:05:10 05:10:05:10
05:09:17:58 05:09:17:58
05:10:21:42 05:10:21:42
06:09:09:58 06:09:09:58
06:10:14:14 06:10:14:14
07:09:01:57 07:09:01:57
07:10:06:45 07:10:06:45
07:09:17:57 07:09:17:57
07:10:23:17 07:10:23:17
08:09:09:57 08:09:09:57
08:10:15:49 08:10:15:49
09:09:01:56 09:09:01:56
09:10:08:20 09:10:08:20
09:09:17:56 09:09:17:56
10:10:00:52 10:10:00:52
10:09:09:56 10:09:09:56
10:10:17:24 10:10:17:24
11:09:01:55 11:09:01:55
11:10:09:55 11:10:09:55
11:09:17:55 11:09:17:55
12:10:02:27 12:10:02:27
12:09:09:55 12:09:09:55

Puissance DC et AC mesures Septembre 2013

12:10:18:59 12:10:18:59
Puissance DC et AC mesures Octobre 2013 13:09:01:54 13:09:01:54
13:10:11:30 13:10:11:30

Puissance modle Septembre 2013

13:09:17:54 13:09:17:54

Puissance modle Octobre 2013

14:10:04:02 14:10:04:02
14:09:09:54 14:09:09:54
14:10:20:34 14:10:20:34
74

15:09:01:53 15:09:01:53
15:10:13:05 15:10:13:05

Temps (h)
15:09:17:53 15:09:17:53
16:10:05:37 16:10:05:37
Temps (h)

16:09:09:53 16:09:09:53
16:10:22:09 16:10:22:09
17:09:01:52 17:09:01:52
17:10:14:40 17:10:14:40
17:09:17:52 17:09:17:52
18:10:07:12 18:10:07:12
18:09:09:52 18:09:09:52
18:10:23:44 18:10:23:44
19:09:01:51 19:09:01:51
19:10:16:15 19:10:16:15
19:09:17:51 19:09:17:51
20:10:08:47 20:10:08:47
20:09:09:51 20:09:09:51
21:10:01:19 21:10:01:19
21:09:01:50 21:09:01:50
21:10:17:50 21:10:17:50
21:09:17:50 21:09:17:50
22:10:10:22 22:10:10:22
22:09:09:50 22:09:09:50
23:10:02:54 23:10:02:54
23:09:01:49 23:09:01:49
23:10:19:25 23:10:19:25
23:09:17:49 23:09:17:49
24:10:11:57 24:10:11:57
24:09:09:49 24:09:09:49
25:10:04:29 25:10:04:29
25:09:01:48 25:09:01:48
25:10:21:00 25:10:21:00
25:09:17:48 25:09:17:48
26:10:13:32 26:10:13:32
26:09:09:48 26:09:09:48
27:10:06:04 27:10:06:04
27:09:01:47 27:09:01:47
27:10:22:35 27:10:22:35
27:09:17:47 27:09:17:47
28:10:15:07 28:10:15:07
28:09:09:47 28:09:09:47
29:10:07:39 29:10:07:39
29:09:01:46 29:09:01:46
30:10:00:10 30:10:00:10
29:09:17:46 29:09:17:46
30:10:16:42 30:10:16:42
30:09:09:46 30:09:09:46

PAC
PDC
31:10:09:14 31:10:09:14
PAC
PDC

01:10:01:45 01:10:01:45
01:11:01:45 01:11:01:45
Le tableau II-12 montre lnergie produite mesure par le gnrateur PV ainsi que l'nergie
produite thorique pour les mois dAvril 2013 Octobre 2013. Le ratio entre lnergie
mesure et lnergie prdite dite de rfrence est ainsi calcul. Le pas dintgration pour
calculer lnergie est de 15 minutes.

Tableau II- 12: Analyse nergtique par rapport aux valeurs mesures
EDCmodele EDCmesure EDCmesure/EDCmodele
[kWh] [kWh] [%]
Avril 2013 3.63 1.90 52
Mai 2013 4.23 2.21 53
Juin 2013 4.21 2.24 53
Juillet 2013 4.09 2.14 52
Aout 2013 4.13 2.26 55
Septembre 2013 3.82 2.16 56
Octobre 2013 3.09 1.80 58

L'analyse nergtique, ralise sur le site de PROMES-CNRS, illustre dans le tableau II-12
indique que le rapport nergtique est d'environ 50% entre le modle et la mesure. Ceci peut
s'expliquer par le fait que l'installation est ancienne ou bien qu'elle ne fonctionne pas son
optimum.

II.3.2. Analyse nergtique du systme PV de PROMES-

CNRS

Dans le premier chapitre, nous avons vu que pour valuer et analyser la performance d'une
installation PV, de nombreuses tudes comme [DECKER et al.], [KYMAKIS et al.],
[PIETRUSZKO et al.] utilisent la mthode de "l'indice de performance IEC61724". Les
indicateurs les plus appropris pour valuer la performance d'un systme PV raccord au
rseau sont :

EAC
le productible final : Yf = (II-21)
PMAX STC

Il est dfini par le rapport entre l'nergie AC en kWh (annuelle, mensuelle ou journalire) et la
puissance maximale en kWc de l'installation PV aux conditions de tests standard (1000 W/m
et 25C).

75
 EGi
le productible de rfrence : Yr = (II-22)
G0STC

Il est dfini par le rapport entre l'ensoleillement global inclin total exprim en kWh/m et
l'ensoleillement de rfrence c'est dire 1000W/m.

EDC
le productible du champ : Ya = (II-23)
PmaxSTC

Il est dfini par le rapport entre l'nergie DC exprime en kWh (annuelle, mensuelle ou
journalire) et la puissance maximale de l'installation la condition de test standard.
A partir de ces indicateurs de performance, on peut dduire des pertes comme :

les pertes de captation du gnrateur PV: Lc = Yr Ya (II-24)

les pertes du systme de conversion DC/AC : Ls = Ya Yr (II-25)

A laide de ces donnes, on peut calculer le ratio de performance du systme PV dfini par la
relation suivante :

Yf
Rperf = (II-26)
Yr

Pour rappel, nous avons montr dans le chapitre 1 qu'une bonne installation possde un ratio
de performance situ entre 0.6 et 0.8.

Le tableau II-13 montre l'analyse de performances du systme PV de PROMES-CNRS durant

les mois davril 2013 octobre 2013. Les diffrents paramtres expliqus plus haut sont
calculs et prsents dans le tableau. Ainsi, le ratio de performance de l'installation PV de
PROMES-CNRS peut tre dtermin.

76
 Tableau II- 13: Analyse de performance de l'installation PROMES-CNRS suivant la norme
IEC61724
Pas Donnes Energies Indice de Pertes Ratio de Rendement
dintgration : Mtorologiques performances nergtiques performance
15mins

EGi Ta EDC EAC Yr Ya Yf Lc Ls Rperf ond

Avril 2013 1.6015 13.52 1.90 1.85 1.60 0.79 0.77 0.81 0.02 0.48 97%

Mai 2013 1.8875 16.15 2.21 2.14 1.88 0.92 0.89 0.96 0.03 0.47 97%

Juin 2013 1.9183 20.67 2.24 2.19 1.91 0.93 0.91 0.98 0.02 0.47 98%

Juillet 2013 1.9083 25.57 2.14 2.11 1.90 0.89 0.87 1.01 0.02 0.45 98%

Aout 2013 1.92 25 2.26 2.22 1.92 0.94 0.92 0.98 0.02 0.48 98%

Septembre 2013 1.72 21.22 2.16 2.11 1.72 0.89 0.87 0.83 0.02 0.51 97%

Octobre 2013 1.3754 18.63 1.80 1.74 1.37 0.75 0.72 0.62 0.03 0.53 97%

EGi: Ensoleillement global inclin [kWh/m], Ta : Temprature ambiante [C], EDC, EAC : Energie continue et alternative [kWh],
Yr: Productible de rfrence [kWh/kW/jour], Ya : Productible du champ [kWh/kW/jour], Yf: Productible final [kWh/kW/jour], Lc
: Pertes de captation [kWh/kW/jour], Ls : Pertes du systme [kWh/kW/jour], ond : rendement onduleur [%]

Clairement, aprs analyse de l'installation, nous pouvons remarquer dans le tableau II-13 que
le ratio de performances (Rperf) ne rentre pas dans les critres d'une bonne installation.
Typiquement, les tudes menes par [UEDA et al.] et [ELTAWIL et al.] montrent que le ratio
de performance dun systme PV varie en fonction des saisons. Il est plus fort en hiver, et
diminue mesure que la temprature des modules augmente jusqu atteindre un minimum
les mois les plus chauds et remonte ensuite de lautomne jusqu lhiver. Visiblement, dans
notre tude, ce ratio n'volue pas durant les saisons. De plus, aux niveaux des pertes
nergtiques, nous remarquons que l'installation a gnr en moyenne 0.88 kWh/KW/jour de
pertes de captations. Ceci peut s'expliquer par le fait que l'installation est ancienne et qu'elle
ne fonctionne pas son optimum.

II.3.3. Logiciel libre d'analyse de performance d'un systme

PV

Il existe de nombreux outils utiliss par des bureaux d'tudes pour la conception d'installations
PV et leurs dimensionnements. Parmi ces outils, nous pouvons citer :
CALSOL : Ce logiciel est disponible en ligne sur le site de lINES. Il n'est pas ddi
au dimensionnement, mais arrive fournir nanmoins un ordre de grandeur. En effet,
77
 sans tenir compte des donnes conomiques, il suffit de choisir une ville, une
inclinaison et un angle des panneaux, le type de technologie et la puissance installe et
pour finir le rendement global de linstallation d aux pertes du convertisseur et des
cbles. Les rsultats sont alors prsents dans un tableau donnant lirradiation globale
dans le plan des panneaux en kWh/m et la production en kWh pour chaque mois de
lanne. Loutil CalSol est un outil trs pratique, que se soit pour un pr-
dimensionnement ou pour obtenir des valeurs dirradiation ou de donnes climatiques
en France. Nanmoins, les donnes restent quand mme trs optimistes du manque des
effets de masques renseigner (ombrage) ainsi que des donnes mtorologiques
impossible modifier.
PVGIS (Photovoltaic Geographical Information System) : galement disponible en
ligne sur le site internet de la Commission Europenne. Il sagit dune carte interactive
couple un systme de calcul. Le logiciel est divis en trois onglets. Le premier
permet dobtenir des informations de production en nergie. Le second donne des
informations dirradiation mensuelle et le troisime des donnes dirradiation sur une
journe. Dans [SURI et al.], une tude complte est labore en utilisant ce logiciel.
Linstallation est localise sur la carte puis un certain nombre dinformations
techniques (technologie des panneaux, puissance crte, pourcentage de pertes,
orientation, inclinaison...) sont renseigns dans les champs spcifiques. Il en rsulte
alors plusieurs types d'informations : irradiation horizontale, vertical, irradiation sous
un angle choisi, irradiation langle optimale de fonctionnement, rapport irradiation
globale sur irradiation diffuse, mais aussi des donnes de tempratures. PVGIS est un
logiciel trs facile prendre en main grce son systme de carte interactive qui vite
dentrer soit mme les donnes mtos et les masques. Nanmoins, il n'y a pas
possibilit de modifications de donnes mtorologiques sur ce logiciel.

D'autres logiciels payant existent comme PVSYST et ARCHELIOS qui sont bien plus
complets que les logiciels gratuits en ligne. Le premier a t conu par l'universit de
Genve et sadresse des architectes ou des ingnieurs travaillant dans le domaine des
nergies renouvelables. Le logiciel est divis en trois parties distinctes : pr-
dimensionnement, conception du projet et outils. Ce logiciel trs complet sadresse
aussi bien des novices en nergie renouvelable qu des professionnels souhaitant
faire une tude trs dtaille de leur installation. On obtient une multitude de rsultats
qui permettent de fournir un rapport complet. Le deuxime logiciel ARCHELIOS a t
78
 conu par Alain Ricaud de luniversit de Savoie. Il est amlior chaque anne par ses
tudiants lors de Travaux Dirigs. Le logiciel en lui-mme est gratuit, mais sans
plugins et sans la base de donnes Cythelia qui contient les bases de donnes mto et
matriels. ARCHELIOS fonctionne avec un systme donglets trs pratique qui vite
une profusion de fentres sur lcran. Il y a 6 onglets renseigner, et un onglet
rsultats automatiquement mis jour.

Ces nombreux logiciels en ligne sont faciles utiliser mais reste optimistes dans la prdiction
de performances du fait de la non prise en compte des passages de nuages etc...

II.3.4. Analyse nergtique de la toiture "R+2" d'ADREAM

La mthode IEC61724 n'est pas adaptable cette tude du fait du manque de donnes suite
des problmes de maintenance. Or, la deuxime dmarche d'analyse de performance d'une
installation photovoltaque peut tre effectue l'aide du logiciel PVSYST V5.41. Ce logiciel
consiste estimer la production ainsi que la performance d'une installation PV et notamment
celle de la toiture "R+2" du btiment ADREAM. Les tudes [KARKI], [WESTBROOK et al.]
utilisent ce logiciel afin destimer les performances de leur installation. En saisissant les
diffrents paramtres de simulation comme l'inclinaison, l'orientation des modules, les
ombrages proches, les caractristiques des champs et onduleurs, les rsultats de l'analyse de
performance peuvent tre donns. Il ne faut pas oublier de rentrer les donnes de facteurs de
pertes du champ PV et du systme comme le facteur de pertes thermiques, les pertes
ohmiques de cblage, l'encrassement du champ, la perte de qualit des modules, les pertes de
"mismatch" des modules, l'effet d'incidence, cblage.
Les principaux rsultats de la simulation sont :
Energie produite : 26.14 MWh/an ;
Productible 1089 kWh/kWc/an ;
Ratio de performance (PR) : 72.4% ;

La figure II-39 montre les diffrentes pertes de captation, celles du systme ainsi que le
productible final pour chaque mois de l'anne. De plus, elle montre l'indice de performance de
l'installation pour chaque mois de l'anne.

79
 a) Productions normalises, toiture "R+2" b) Ratio de performance PR, toiture "R+2"
Figure II- 38: Evaluation du productible final, des diffrentes pertes du systme et du ratio de
performance de la toiture exprimentale "R+2" du btiment ADREAM

Dans la figure II-38 (b), le ratio de performance est plus faible en Janvier et Dcembre alors
qu'il est cens tre plus fort. L'explication pourrait venir du fait que l'inclinaison des panneaux
est faible (6) et que la position du soleil en hiver est plus bas. Par consquent, le calcul de la
production n'est pas optimise.
Le tableau II-14 rsume le bilan et les rsultats principaux de la simulation effectue sous
PVSYST de l'installation PV d'ADREAM (toiture "R+2").

Tableau II- 14: Bilans et rsultats principaux de l'analyse de performance de la toiture "R+2"
ADREAM

80
La figure II-39 reprsente le diagramme avec les nombreux paramtres calculs ou rentrs
dans la simulation ainsi que les pertes sur l'anne entire.

Figure II- 39: Diagramme des pertes de l'installation PV de la toiture "R+2" sur l'anne entire

II.4. Conclusion

Ce chapitre a prsent nos travaux concernant la conception et la ralisation d'un systme

d'information, de conduite et de supervision des systmes photovoltaques. Deux installations
photovoltaques, ont servi de base d'tude au systme de monitoring : ADREAM au
laboratoire LAAS-CNRS de Toulouse et le btiment du laboratoire PROMES-CNRS
Perpignan. Cette tude a permis de qualifier le fonctionnement de ces installations c'est dire
le ratio de performance et les pertes sur les systmes.

Une premire tude de 6 mois est effectue entre Avril 2013 et Octobre 2013 sur une des
installations PV du laboratoire PROMES-CNRS suivant la norme IEC61724. Aprs analyse
de cette installation, nous avons relev que le ratio de performances (Rperf) ne rentrait pas dans
les critres d'une bonne installation (entre 0.6 et 0.8). Ceci peut s'expliquer par le fait que
l'installation est ancienne et qu'elle ne fonctionne pas son rgime optimal.

81
De plus, de nombreuses pertes de captation sont noter au niveau du gnrateur PV (0.88
kWh/kW/jour en moyenne sur la priode d'tude). Ces pertes ne sont pas clairement
identifies au niveau du gnrateur PV du fait du manque dinformation sur celles-ci en
appliquant la norme IEC61724.

La deuxime tude s'est concentre sur l'une des installations PV d'ADREAM du laboratoire
LAAS-CNRS Toulouse. Ces installations sont plus rcentes que la prcdente (juillet 2012).
La mthode IEC61724 n'a pas t adaptable pour cette tude du fait du manque de donnes d
un dysfonctionnement des onduleurs. Le logiciel PVSYST qui sert estimer la production
ainsi que la performance d'une installation PV en valuant le les diffrentes pertes a t
utilis. Cette tude logicielle reste optimiste dans la prdiction de performances. En effet, le
productible thorique est calcul partir dun ensoleillement thorique ne prenant pas en
compte les passages de nuages par exemple.

Ces tudes ont mises en exergue la ncessit dintgration d'une dtection de dfauts en temps
rel. Cette dtection sera prsente dans les chapitres suivants et permettra par la mme
occasion d'identifier la nature des dfauts (permanent, non permanent, etc.).
Pour complter la phase de dtection de dfauts, il est ncessaire d'effectuer une modlisation
de la caractristique I-V du gnrateur PV car nous avons pu remarquer que de nombreuses
pertes provenait autour du gnrateur PV.

Cette modlisation est complte par un modle d'ensoleillement qui permet partir d'un
ensoleillement global horizontal de retrouver la valeur de l'ensoleillement pour une
inclinaison quelconque d'un champ PV.

82
Chapitre III : Modlisation du systme champ PV en
fonctionnement normal et dfaillant
III.1. Introduction

Le chapitre prcdent a permis de mettre en avant la ncessit de crer un systme permettant

de mesurer les grandeurs lectriques d'un systme PV raccord au rseau, coupl aux mesures
de donnes environnementales. Dans le but d'analyser les performances de ce type
d'installation solaire, il est ncessaire de comparer les valeurs mesures celles obtenues par
un modle lectrique. Ce modle reprsente le champ PV et donc la puissance produite par le
systme, l'objectif tant de dfinir les paramtres essentiels au dimensionnement du modle
lectrique reprsentant au mieux les caractristiques d'un champ PV.

L'tude de la caractristique I-V d'un champ PV donne la possibilit de visualiser linfluence

d'un dfaut comme la salissure, ou bien l'apparition d'un phnomne de "Hot spot" sur le
champ PV. Dans cette optique, une tude des caractristiques I-V d'un module PV sain et
dun module dfaillantdfaillant est prsente des fins de diagnostic.

Avant de prsenter la modlisation complte du champ PV, il sera effectu de bref rappel du
fonctionnement dune cellule PV. Dans une deuxime partie, nous traiterons linfluence des
diffrents dfauts sur la caractristique I-V sur une cellule, sur un module et sur un string..
Les mesures effectues sur une installation solaire PV sont compars celles issues de la
modlisation. Ce travail validera les diffrentes simulations effectues dans la deuxime
partie. A partir de ces informations nous prsenterons, pour finir, l'impact des pertes des au
vieillissement des modules PV puis d'autres facteurs.

III.2. Fonctionnement d'une cellule PV

III.2.1. Caractristique lectrique d'une cellule PV

La cellule PV est un matriau semi-conducteur construit partir d'une tranche de silicium

dop "p" d'un ct et "n" de l'autre. Sous illumination, il y a apparition d'un photo courant la
surface de la cellule, indpendant de la tension et proportionnel au flux lumineux.
Conue pour fonctionner comme un gnrateur qui fournit de l'nergie lectrique une
charge, il se peut que cette cellule, lorsqu'elle est connecte d'autres cellules, fonctionne
comme un rcepteur et emmagasine de l'nergie dbite par les autres cellules ("Hot spot").
83
Les diffrentes zones de la caractristique lectrique d'une cellule PV sont reprsentes sur la
figure III-1.
I

Icc

Zone 2 Zone 1
Vco V
Vb
Zone 3

Figure III- 1: Caractristique I-V d'une cellule PV

Deux paramtres importants sont indiqus :

Le courant de court-circuit Icc directement proportionnel l'clairement que reoit la
cellule ;
La tension de circuit ouvert Vco qui correspond la tension aux bornes de la cellule
lorsque le courant est nul. La valeur de cette tension s'lve sur la plupart des cellules
silicium de type cristallin 0.6V. Si la temprature diminue, cette tension de circuit-
ouvert Vco diminue ;

Ces deux paramtres dlimitent le fonctionnement de la cellule en trois zones :

La zone 1 correspond la caractristique lectrique en fonctionnement normal de la
cellule PV. Elle gnre de la puissance produite une charge ;
La zone 2 correspond au fonctionnement en rcepteur de la cellule. Lorsque le courant
traversant la cellule est suprieur son courant de court-circuit, la cellule produit une
tension ngative ses bornes. Si ce courant augmente progressivement, la cellule sera
endommage, lorsque la tension ses bornes attendra la tension dite de claquage.
L'tude exprimentale mene par [HERMANN et al.] a montr que la tension de
claquage d'une cellule pouvait atteindre des valeurs comprises entre -12V et 20V pour
des cellules en silicium polycristallin. Pour des cellules en silicium monocristallin, la
tension de claquage atteint -30V ;

84
 La zone 3 correspond aussi la zone de fonctionnement en rcepteur de la cellule
mais, dans ce cas, lorsque la tension aux bornes de la cellule dpasse la tension de
circuit ouvert, un courant inverse circule dans la cellule ;

Afin de reprsenter la caractristique I-V idale, le facteur de forme (FF) est dfini comme le
rapport entre le point de puissance maximal (PPPM) et le produit de la tension de circuit ouvert
(Vco) par le courant de court-circuit (Icc). Ce qui nous donne la relation suivante :

PPPM
FF = (III-1)
Vco .I cc

A partir de cette dfinition, une cellule, qui a une caractristique I-V rectangulaire, possde
un facteur de forme unitaire. Gnralement, une bonne cellule a un facteur de forme compris
entre 0.75 et 0.85.

III.2.2. Modle d'une cellule PV

Il existe plusieurs mthodes pour modliser une cellule PV [CHAN et al.], [CHENNI et al.],
[LIU et al.]. Nous pouvons citer titre dexemple, le modle une diode, qui est le plus
utilis de part sa simplicit d'laboration, sa rapidit simuler, ainsi que sa prcision [ARAKI
et al. ], [IKEGAMI et al.], [BLAS et al.]. Ce modle contient une source de courant Iph qui
reprsente l'ensoleillement reu par la cellule, et une diode en parallle qui reprsente la
jonction PN. La rsistance srie Rs tient compte des pertes ohmiques des matriaux, des
mtallisations et du contact mtal semi-conducteur. La rsistance parallle Rp reprsente le
courant de fuite qui se situe entre le dessus et le dessous de la cellule, par le bord en
particulier et l'intrieur du matriau par des inhomognits ou impurets. Le schma
quivalent d'une cellule PV une diode est reprsent sur la figure III-2.
I

Id Rs
Iph

Rp V

Figure III- 2: Modle lectrique simple diode d'une cellule PV

85
Dans l'tude mene par [WALKER], un modle prcis de la cellule PV a t utilis afin
d'tudier les variations du point maximal de puissance pour des niveaux diffrents de
temprature et d'ensoleillement. Ce modle de cellule PV est utilis comme source d'entre
d'alimentation afin de comparer l'efficacit de trois systmes de topologies diffrentes : une
connexion des modules PV aux batteries, une connexion des modules PV avec un
convertisseur Buck (abaisseur) et une connexion des modules PV avec un convertisseur Boost
(lvateur). Les trois systmes de topologies diffrentes sont connects une charge de
tension constante dans diffrentes conditions d'ensoleillement et de temprature. Cette tude
met en avant la modlisation de la cellule PV labor sous environnement MatLab en
fonctionnement gnratrice. Grce la rsolution d'une quation lectrique non linaire, le
courant de sortie de la cellule est dtermin en fonction des paramtres d'ensoleillement, et de
temprature et de la tension aux bornes de la cellule.
Nanmoins, ce modle ne permet pas de modliser l'effet d'avalanche de la cellule et de
reprsenter les trois zones de la figure III-1. Il est donc ncessaire dintgrer un modle
permettant de caractriser la cellule en fonctionnement dfaillant et de dcrire la totalit de la
caractristique de la cellule. Ce modle permet de reprsenter tout dfaut ventuel au niveau
de la cellule. Ces dfauts peuvent tre par exemple des craquements ou un chauffement.
Le modle de Bishop [BISHOP] rpond parfaitement ce critre et prend en compte l'effet
d'avalanche de la cellule (effet Bishop) grce un modle une diode et un multiplicateur
non linaire en srie avec la rsistance parallle comme lillustre la figure III-3.
I

Id Rs
Iph
Rp

V1 V

M(V1)

Figure III- 3: Modle lectrique simple diode d'une cellule PV avec effet Bishop

L'quation du modle une diode de la cellule PV devient alors :

m
V + I Rs V + I Rs V + Rs I
I = I ph I0 exp 1 1 + ab 1 (III-2)
V t Rp Vb

M(V1)

86
Cette quation possde deux inconnues I et V et le terme multiplicateur non linaire (M(V1))
permettra alors de caractriser la cellule en fonctionnement rcepteur et de dcrire les trois
zones de la cellule. Les diffrents paramtres correspondent :
Iph : photocourant proportionnel l'ensoleillement reu par la cellule
I0 : courant de saturation inverse de la diode
Vt = nkTc / q : tension thermique de la cellule en fonction de la temprature de la
cellule, du facteur d'idalit de la diode n (1 2), de la constante de Boltzmann (1.38
10-23 J/K) et de la charge de l'lectron (1.602 10-19 C)
Rs: rsistance srie de la cellule
Rp: Rsistance parallle de la cellule
ab: coefficient de rglage du courant davalanche de la cellule (3.4 4)
m : coefficient de rglage de lavalanche de la cellule (~ 0.001)
Vb: tension de claquage de la cellule (-12V -30V)

III.2.2.1. Photo-courant

Le courant Iph dune cellule photovoltaque dpend de la temprature et de lensoleillement

ainsi que du coefficient de temprature du court-circuit gnralement donn dans les
rfrences constructeurs (). Le courant Iph a pour expression gnrale :

I ph = I ph ,STC + (Tc Tc ,STC )

G (III-3)
G
STC

Avec :
Iph,STC : photo-courant la condition de test standard qui correspond au courant de
court-circuit du module PV donn par le fabricant
: coefficient de temprature du courant court-circuit en [ %/C] ou [A/C]
Tc : temprature de la cellule PV
Tc,STC : temprature de la cellule la condition de test standard [25C]
G : ensoleillement reu par la cellule PV [W/m]
GSTC : ensoleillement la condition de test standard [1000 W/m]

En ce qui concerne la temprature de la cellule, il existe une expression qui donne cette
temprature en fonction de la temprature ambiante et de lensoleillement quelle reoit :

87
 NOCT 20
Tc = Ta + G (III-4)
800

Avec :
Tc : temprature de la cellule PV [C]
Ta : temprature ambiante [C]
NOCT : temprature normale de fonctionnement de la cellule (Normal Operating Cell
Temperature). Cette valeur est gnralement donne par le fabricant [C]
G : ensoleillement reu par la cellule PV [W/m]

Cette expression ne prend pas en compte leffet de refroidissement des modules par le vent. Il
est donc essentiel de faire la mesure sur le champ PV directement laide de capteurs de
temprature.

III.2.2.2. Courant de saturation inverse de la diode

Le courant de saturation inverse de la diode qui reprsente la valeur asymptotique du courant I

en polarisation inverse, dpend de la temprature et de la largeur de la bande dnergie du
matriau de la cellule PV. Ce courant a pour expression :

3
T qEg 1 1 (III-5)
I0 = I0,ref c exp
T
c,STC nTc,STC Tc,STC Tc

Pour le silicium, la bande dnergie Eg est gale 1.12eV

Avec :
I0 : courant de saturation inverse la temprature Tc
I0,ref : courant de saturation inverse la temprature de rfrence. On peut le calculer
grce lexpression suivante :

Icc,STC
I0,ref = (III-6)
qVco,STC
exp
1
nkT
c,STC

Les valeurs Icc,ref et Voc,ref sont donnes par le fabricant du module PV.

88
 III.2.2.3. Rsistance srie et rsistance parallle

La rsistance srie Rs reprsente la rsistance de contact entre le mtal et le semi conducteur,

la rsistance du mtal qui connecte les cellules PV mais aussi la rsistance du matriau semi-
conducteur. Plus la rsistance srie augmente, plus le facteur de forme diminue. Ceci entrane
une baisse de rendement de la cellule.
La rsistance parallle reprsente les diffrents courants de fuite entre des cellules, et entre la
cellule et le bord du module. La figure III-4 montre la caractristique I-V avec les diffrentes
zones qui peuvent tre influences par la rsistance srie et par la rsistance parallle dune
cellule PV.

I (A)

Rgion de Rp

Rgion de Rs

V(V)

Figure III- 4: Caractristique I-V avec zones dinfluence des rsistances d'une cellule PV

La rsistance srie Rs peut tre calcule de manire simple en appliquant la loi des mailles
entre la rsistance Rs, la diode et en fixant un point de fonctionnement dans la rgion de la
caractristique I-V o Rs est prdominante. Gnralement, sur la documentation des
fabricants, la caractristique I-V aux conditions de test standard est donne. Il est possible
alors de relever sur cette caractristique un point de tension dans la rgion de Rs. Par exemple,
en choisissant un courant de court-circuit divis par 2, appel Ipoint, la tension Vpoint associe
peut tre dtermine. Tous les lments permettant de calculer la rsistance srie sont
dtermins. Pour calculer la tension aux bornes de la diode, lexpression est alors:

nkTc,STC I po int VD Vpo int

VD = ln Rs =
I
(III-7)
q 0,ref I po int

89
Pour la valeur de rsistance parallle Rp, nous effectuons une identification de paramtres
partir de la caractristique I-V mesure Toutes les valeurs des paramtres ainsi connues, nous
procdons la rsolution de lquation lectrique de la cellule PV.

III.2.3. Rsolution de lquation lectrique de la cellule

La rsolution de lquation lectrique de la cellule PV a t dveloppe sous l'environnement

MatLab. Il existe plusieurs faons de rsoudre l'quation lectrique de la cellule deux
inconnues (I et V) [GOW et al.], [TSAI et al.], [PHANG et al.]. La mthode de Newton
Raphson est la plus rpandue et rsout de faon itrative des quations du type f(x,y)=0
L'algorithme de rsolution de I=f (V, G, T) est illustr par la figure III-5.

Dbut

Initialisation I=0, G, T

Calcul des paramtres

Iph, I0, Rs, Rp

f ( I ,V , G , T )
I =I
f ' ( I ,V , G , T )

Q = f ( I ,V , G , T )

oui
Q > 1e-6

non

Fin

Figure III- 5: Algorithme de dtermination de la caractristique I-V d'une cellule PV

Dans cet algorithme, le courant de sortie de la cellule PV (I) en fonction de la tension (V), de
l'ensoleillement (G) et de la temprature (T) est calcul. Pour cela, il suffit d'initialiser le
90
courant en sortie de cellule (I) 0A. La temprature et l'ensoleillement sont fixs. Une valeur
de la tension de la cellule par le biais d'un vecteur de donnes avec la commande linspace
est alors affecte. Une fois l'quation rsolue, la caractristique I-V, pour un ensoleillement et
une temprature fixs, peut tre trace. Nous utilisons dans l'application de la mthode, le
tableau suivant prsentant les caractristiques lectriques constructeurs des modules BP585.

Tableau III- 1: Caractristiques lectriques module PV BP585

Module PV (BP585) Symbole
Type de cellule Mono
(multicristallin ou monocristallin)
Puissance nominale Pmax [W] 85
Tension de circuit ouvert Vco [V] 22.1
Courant de court-circuit Icc [A] 5
Tension la puissance maximale Vmax [V] 18
Courant la puissance maximale Imax [A] 4.72

La figure III-6 montre la caractristique I-V d'une cellule PV du module BP585, obtenue
partir de l'algorithme de la figure III-5.

8 8

7 7
Courant du module (A)
Courant du module (A)

6 6

5 5

4 4

3 3

2 2

1 1 Icc=5, I0=8e-9, Rs=0.005, Rp=10

Icc =5, I0 = 8e-9, Rs=0.005, Rp=10
Vt=0.030, n=1.18, a=0.001, m=3.5, Vb=-15 Vt=0.030, n=1.18, a=0.001, m=3.5, Vb=-15
0 0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 -15 -14 -13 -12 -11 -10 -9 -8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1

Tension du module (V) Tension du module (V)

a) : Caractristique I-V cellule gnratrice b) : Caractristique I-V cellule complte

Figure III- 6: Caractristique I-V des diffrentes zones d'une cellule PV issue de la simulation

Comme nous l'avions expliqu dans la section III.2.1, nous pouvons constater sur la figure III-
6 (a), l'allure de la caractristique I-V de la cellule dans son fonctionnement en gnrateur.
Quant la figure (b), nous y observons le fonctionnement complet de la cellule.
La seconde phase du travail consiste tendre cette modlisation aux caractristiques I-V d'un
module complet, d'un string complet ou mme d'un champ complet. Pour un module
considr avec Ncellule en srie, il convient d'abord d'tablir les relations suivantes :

91
 Imodule = Icellule (III-8)
Vmodule= Ncellule x Vcellule

La figure III-7 montre les caractristiques I-V et P-V du module. Nous pouvons y noter, les
points de puissance maximale, gnralement dsigns en Anglais sous l'appellation MPP
(Max Power Point).

7 90

80
6 PPM

Puissance du module (W)

70
Courant du module (A)

5
60

4 50

40
3

30
2
20

1
10

0 0
0 5 10 15 20 25 30

Tension du module (V)

Figure III- 7: Caractristique I-V et P-V du module BP585

Chaque module PV possde une ou plusieurs diodes by-pass dont le rle est de protger les
cellules lorsque l'une d'entre elles devient rceptrice. Chaque diode est connecte en parallle
un groupement de cellules en srie. La diode reste bloque tant que la somme des tensions
des cellules reste positive. En considrant dans ce cas, Ngroupe reprsentant le nombre de
diodes by-pass du module connect avec Ncellule, la relation III-8 devient :

Imodule = Icellule (III-9)

Vmodule= Ngroupe x Ncellule x Vcellule

Dans le cas o plusieurs modules sont connects en srie (Nmodule), nous pouvons tablir la
relation suivante :
Istring = Imodule (III-10)
Vstring= Nmodule x Ngroupe x Ncellule x Vcellule

92
Un champ PV tant un ensemble de modules connects en srie (string) et/ou en parallle,
suivant la structure de l'installation, nous pouvons en dduire la relation III-11:

Ichamp=Nstring x Icellule (III-11)

Vchamp=Nmodule x Ngroupe x Ncellule x Vcellule

Nous venons de prsenter la modlisation d'un champ PV en passant par celle d'un string, d'un
module et d'une cellule. A partir de ces architectures mises en place en fonctionnement
normal, il nous sera possible d'tudier le comportement de celles-ci en fonctionnement
dfaillant, selon diffrents scnarios. Ce sera l'objet de la section suivante.

III.3. Modlisation d'un gnrateur PV en fonctionnement

dfaillant

Des cellules PV peuvent subir des fonctionnements diffrents causs par des dfauts lis aux
variations de certaines grandeurs telles que la temprature des cellules, le photo-courant, ou
encore les rsistances. Ces dfauts peuvent tre une cause de perte de puissance des modules
PV [SUTHAR et al.], [ANCUTA et al.].
Des recherches ont montr l'influence de la diminution de la rsistance parallle sur la
caractristique I-V, ce qui engendre une baisse de la performance des modules [MCMAHON
et al.]. Il vient le mme constat avec la rsistance srie de la cellule PV qui cause une
diminution de performances lorsquelle augmente [DING et al.]. Les dfauts d'ombrage
persistants tels que ceux lis une feuille d'arbre, des djections doiseaux ou bien mme
de la salissure, peuvent conduire une rduction de l'ensoleillement. Cela a pour consquence
une dformation de la caractristique I-V. Dans le tableau III-2, les principaux dfauts
influant sur les performances des modules PV sont rpertoris.

93
 Tableau III- 2: Identification des paramtres influenant la performance des modules PV
Dfauts Paramtres affects
Ombrage : feuilles d'arbres, salissure, Variation dIph
djections, neige etc.
Echauffement des cellules Variation de Tc
Oxydation des contacts mtalliques, fissure Variation de Rs
et dgradation des connections
Humidit, vieillissement des cellules Variation de tous les paramtres complets de
la cellule

Dans cette partie, les influences de ces diffrents dfauts vont tre simules en considrant la
variation des diffrents paramtres de la cellule PV.

III.3.1. Dfaut d'ombrage

Dans le cas du dfaut dombrage, lorsque nous faisons la somme de toutes les cellules
interconnectes, cette valeur peut tre ngative puisqu'une partie des cellules produit une
tension ngative lorsque le courant qui la traverse dpasse la valeur du courant de court-
circuit. C'est dans ce cas que la diode by-pass rentre en compte en devenant passante. Des
recherches ont t menes afin d'tudier le comportement de la caractristique I-V sous des
conditions d'ombrage [PATEL et al.], [KARATEPE et al.], [KAWAMURA et al.].

III.3.1.1. Dtermination de la caractristique I-V d'une

cellule sous conditions d'ombrage

Comme nous l'avons dj soulign, le dfaut d'ombrage peut tre caractris en observant la
variation de certains paramtres de la cellule. Lors de la mise en srie des cellules PV, pour un
mme courant, la tension produite par chaque cellule est diffrente. Par contre, en cas de mise
en parallle des cellules, l'effet est identique mais le courant fourni par chaque cellule diffre
pour une mme tension. Les tudes menes par [DORADO et al.], [CALUIANU et al.],
[HECKTHEUER et al.] proposent une mthode efficace pour simuler le comportement de la
caractristique I-V d'un module PV sous conditions d'ombrage. Selon le type d'association
choisie (cellule, module, string), une analyse complte des caractristiques I-V est effectue
dans ce qui suit.

94
La premire tape consiste dterminer la caractristique I-V d'une cellule sous conditions
d'ombrage. Dans ce cas, un courant sur une plage souhaite est impos en fonction des
paramtres constructeurs du module PV. Ainsi, la tension correspondante est calcule.

Icellule= Idonn (III-12)

Vcellule=fsolve(Icellule)

Pour un courant donn (Idonn), la tension produite n'est pas forcment identique du fait des
paramtres des cellules qui diffrent. Si une cellule est ombre de 20%, la diode by-pass est
active. Par exemple, si elle reoit 800W/m alors que les autres reoivent 1000W/m, la
diode devient passante. La figure III-8 illustre le cas d'une cellule ombre de 50% avec l'effet
Bishop expliqu dans la section III.2.2 et sur la figure (b), une cellule en fonctionnement
normal.

5.5 5.5
5 5
Courant du module (A)

Courant du module (A)

4.5 4.5
4 4
3.5 3.5
3 3
2.5 2.5
2 2
1.5 1.5
1 1
0.5 0.5
0 0
-15 -14 -13 -12 -11 -10 -9 -8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7

Tension du module (V) Tension du module (V)

a) : Caractristique I-V cellule ombre 50 % b) : Caractristique I-V cellule normale

Figure III- 8: Caractristique I-V d'une cellule en fonctionnement dfaillant et d'une cellule en
fonctionnement normal

Comme nous pouvons l'observer, la totalit du fonctionnement de la cellule est reprsente

sur la figure III-8 (a). Nous observons galement le fonctionnement de la cellule dans les
conditions de tests standard. Ainsi, la caractristique I-V d'un module complet peut tre
simule sous conditions d'ombrage.

95
 III.3.1.2. Dtermination de la caractristique I-V d'un
module sous conditions d'ombrage

Nous savons que la somme des tensions de toutes les cellules dans le groupe peut tre
ngative. Cela signifie qu'une ou plusieurs cellules sont traverses par un courant suprieur
leur courant de court circuit. Les relations suivantes permettent de calculer les donnes
lectriques courant et tension d'un module sous fonctionnement dfaillant :

Imodule= Idonn+Iby-pass (III-13)

Vmodule=Vcellule si Vcellule 0
Vmodule=0 si Vcellule<0

Nous reprsentons sur la figure suivante les rsultats de la relation III-13 :

5.5

5
Zone 1 1
4.5

4
Courant Module (A)

3.5

2.5

2 2
Zone 2
1.5

1
Fonctionnement normal
0.5
Fonctionnement dfaillant
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24
Tension module (V)

Figure III- 9: Caractristique I-V d'un module PV en fonctionnement normal et fonctionnement

"ombrage"

Cette figure montre la caractristique I-V du module avec une diode by-pass active ainsi que
celle en fonctionnement normal. Le module BP585 tudi, possde deux diodes by-pass. Nous
pouvons visualiser deux zones sur la caractristique I-V en fonctionnement dfaillant :
La zone1 correspond la caractristique I-V en fonctionnement normal donc pour une
tension V1 et une diode by-pass D1 qui est bloque;
La zone 2 correspond la caractristique I-V en fonctionnement "ombrage" donc pour
une tension V2 et une diode by-pass D2 qui devient passante;

96
Ainsi, les tensions V1, V2 sont ajoutes afin d'obtenir la caractristique I-V complte du
module. La tension V1 correspond 18 cellules en srie en fonctionnement normal. La
tension V2 correspond la tension des cellules en dfaut. Si la tension V2 devient ngative, la
tension est considre comme nulle aux bornes des cellules car la diode devient passante. Par
consquent, lorsque les deux tensions sont ajoutes, un point d'inflexion apparat caractrisant
le nombre de cellule en fonctionnement normal et en fonctionnement "ombrage". Cela fait
apparatre la prsence de deux points de puissance maximal reprsents sur la figure III-9 (1
et 2). Des recherches ont montres que la plupart des convertisseurs travaillent lorsque la
tension de la caractristique I-V sous conditions dombrage est la plus leve (point 2) [JI].
Ds lors, cette tension dopration doit tre proche de celle en circuit-ouvert.
Une fois la caractristique I-V dun module PV simule, nous pouvons procder plusieurs
scnarios en dterminant la caractristique I-V dun string. Le travail suivant consiste
reprsenter lallure de la caractristique lectrique dun string selon une configuration
choisie.

III.3.1.3. Dtermination de la caractristique I-V d'un

string sous conditions dombrage

La configuration suivante consiste visualiser deux caractristiques I-V de trois modules en

srie selon deux fonctionnements :
Un string en fonctionnement normal et aux conditions de tests standard ;
Un string en fonctionnement dfaillant. Nous dcidons de reprsenter pour cela un
module sur trois avec un groupe de cellules ombre de 50% ;

Pour reprsenter ces caractristiques lectriques, il suffit dtablir les relations III-14 :

Istring=Imodule (III-14)
Vstring = Vmodule

Nous pouvons reprsenter lallure des caractristiques, selon la configuration de

fonctionnement prsente prcdemment sur la figure suivante.

97
 6

5.5

4.5

Courant String (A)

4

3.5

2.5

1.5

1
Fonctionnement
0.5 Fonctionnement normal

0
0 10 20 30 40 50 60 70 80
Tension string (V)
Figure III- 10: Caractristique I-V d'un string en fonctionnement dfaillant et normal

Sur cette figure, nous pouvons constater lapparition dun point dinflexion du fait dun
ombrage sur un groupe de cellules dun module. Sachant quun module possde deux diodes
by-pass, dans ce scnario, nous avons 6 diodes by-pass. Un groupe de cellules dun module
sous conditions dombrage permet dactiver une seule diode by-pass sur 5.
A partir de cette simulation, nous pouvons effectuer dautres scnarios de fonctionnement en
conditions de dfauts.

III.3.1.4. Plusieurs scnarios de dfaut d'ombrage

Dans cette partie, plusieurs conditions d'ombrage sont scnarises, en prenant en compte
notamment le pourcentage d'ensoleillement. Nous gardons la mme configuration du string
cest--dire trois modules en srie.
Dans le premier scnario, nous faisons varier le pourcentage d'ombrage dune seule cellule du
module sur 3 de 25% 75%. La simulation seffectue toujours aux conditions de tests
standard. A partir de la relation III-14, nous pouvons reprsenter ce scnario sur la figure III-
11.

98
 5.5

4.5

Courant string (A)

3.5

2.5

1.5
Fonctionnement normal
1 1 cellule d'un module ombre de 25%
1 cellule d'un module ombre de 50%
0.5
1 cellule d'un module ombre de 75%
0
0 10 20 30 40 50 60 70
Tension string (V)

Figure III- 11: Scnario 1: Caractristique I-V d'un string en fonctionnement dfaillant avec une
cellule ombre de 25% 75% sur un module

Nous pouvons constater sur cette figure que selon le pourcentage dombrage sur une cellule
du module, un point dinflexion apparat du fait de lactivation de la diode by-pass. Plus
lombrage est important sur la cellule, plus le courant au point dinflexion diminue. Le
scnario suivant, toujours avec la mme configuration du string, concerne maintenant 2
modules sur 3 sous conditions dombrage. Nous faisons varier le pourcentage dombrage
dune cellule sur deux modules. Les allures des caractristiques I-V de ce scnario sont
illustres sur la figure suivante.

5.5

4.5

4
Courant string (A)

3.5

2.5

1.5

1 Fonctionnement normal
2 modules avec 1 cellule ombre de 25%
0.5 2 modules avec 1 cellule ombre de 50%
2 modules avec 1 cellule ombre de 75%
0
0 10 20 30 40 50 60 70
Tension string (V)

Figure III- 12: Scnario 2: Caractristique I-V d'un string en fonctionnement dfaillant avec 1
cellule ombre de 25% 75% sur deux modules

99
Contrairement la figure III-11, nous pouvons remarquer sur la figure ci-dessus que le point
dinflexion est dcal sur la gauche. Ce qui veut dire que pour ce point, la tension a t
modifie. Lexplication de ce dcalage sexplique par le fait que deux diodes by-pass sont
actives. Les tensions des deux groupes de cellules ombrages sont donc diffrentes de celles
en fonctionnement normal. Par consquent, plus il y a de diodes by-pass actives, plus le point
dinflexion se dplacera sur la gauche dun point de vue de la tension. La figure III-13 illustre
le dernier scnario dans lequel sur ce mme string, un module complet est ombr de faon
homogne, un autre groupe de cellules sur un module est ombre de 25% 75% et un module
est en fonctionnement normal.

5.5

4.5

4
Courant string (A)

3.5

2.5

1.5

1 Fonctionnement normal
Scnario 3 avec 1 cellule ombre de 25%
0.5 Scnario 3 avec 1 cellule ombre de 50%
Scnario 3 avec 1 cellule ombre de 75%
0
0 10 20 30 40 50 60 70
Tension string (V)
Figure III- 13: Scnario 3: Caractristique I-V d'un string en fonctionnement dfaillant avec et 1
cellule ombre de 25% 75% d'un module et 1 module ombr compltement

Nous pouvons constater sur cette figure que le fait que deux modules soient ombrs, le
premier de faon homogne et le deuxime en variant le pourcentage dombrage, permet de
faire apparatre sur ces caractristiques la prsence de deux points dinflexion. Ainsi, nous
avons la prsence de trois points de puissance maximal sur les diffrentes caractristiques. Le
travail suivant, consiste tudier dautres dfauts comme laugmentation de la rsistance srie
et la diminution de la rsistance parallle dune cellule. Nous avons expliqu dans la section
III.2.2.3, les rgions affectes sur la caractristique I-V lorsquun dfaut existe aux niveaux
des rsistances.

III.3.2. Dfaut sur la rsistance srie Rs

Dans cette partie, le comportement de la caractristique I-V est tudi lorsque le paramtre de
la rsistance srie augmente. Comme dans le cas expliqu dans la section I.3.1.1, une

100
ventuelle oxydation des contacts mtalliques ou de la connectique peut parfois apparatre. La
configuration d'un string est garde, c'est dire 3 modules en srie. Nous effectuons
directement la simulation sur un module avec un groupe de 18 cellules dont la rsistance srie
augmente progressivement de 20m et deux modules en fonctionnement normal. Cette
configuration est reprsente sur la figure III-14.

5.5

4.5

4
Courant string (A)

3.5

2.5 Fonctionnement normal

1 groupe de cellules d'un module
2 avecRs = 0.050 ohm
1 groupe de cellules d'un module
1.5 avecRs = 0.1 ohm
1 groupe de cellules d'un module
1
avecRs = 0.15 ohm
0.5 1 groupe de cellules d'un module
avecRs = 0.20 ohm
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70

Tension string (V)

Figure III- 14: Caractristique I-V d'un string avec variation de la rsistance srie Rs

La figure III-14 illustre la perte en tension pour un courant donn qui est plus importante
lorsque la rsistance srie augmente. Ce phnomne explique la dviation qui apparat par
rapport la caractristique I-V en fonctionnement normal. De plus, nous remarquons que pour
une valeur de rsistance assez importante, la perte en tension peut tre suffisamment grande
pour rendre la tension du groupe ngative et activer dans ce cas la diode by-pass. Nous
pouvons dsormais regarder linfluence sur la caractristique I-V lors dune diminution de la
rsistance parallle dune cellule diminue

III.3.3. Dfaut sur la rsistance parallle Rp

Dans la section I.3.1.1, nous avons expliqu la prsence dune anomalie dans la jonction P-N.
Cette anomalie engendre une diminution de la rsistance parallle et donc de la performance
du gnrateur PV [DHASS et al.].
La configuration d'un string est garde. Nous reprsentons sur la figure suivante le cas o un
module sur trois possde un groupe de 18 cellules dont la rsistance parallle diminue
progressivement.

101
.
5.5

4.5

Courant string (A) 3.5

2.5

2 Fonctionnement normal
1 groupe de cellules d'un module
1.5 avec Rsh= 0.1 ohm
1 groupe de cellules d'un module
1
avec Rsh= 0.5 ohm
0.5 1 groupe de cellules d'un module
avec Rsh= 1 ohm
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70
Tension string (V)

Figure III- 15: Caractristique I-V d'un string avec variation de la rsistance parallle Rp

La figure III-15 illustre, pour une tension donne, la perte en courant qui est leve lorsque la
rsistance parallle diminue. Si cette rsistance est suffisamment petite, elle peut absorber tout
le courant gnr et faire apparatre une forte dviation de la caractristique I-V par rapport
celle du fonctionnement normal. Ensuite, nous allons visualiser linfluence de lchauffement
de certaines cellules, sur la caractristique I-V du string.

III.3.4. Dfaut sur la temprature Tc

La configuration du string reste la mme. Nous faisons varier la temprature dun groupe de
18 cellules d'un module, en srie avec 2 modules en fonctionnement normal. La figure
suivante reprsente les allures des caractristiques I-V du string, lors de lchauffement de
certaines cellules.

102
 5.5

4.5

Courant string (A)

3.5

2.5

2 Fonctionnement normal
1 groupe de cellules d'un module
1.5 avec T= 45
1 groupe de cellules d'un module
1
avec T= 65
0.5 1 groupe de cellules d'un module
avec T= 85
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70
Tension string (V)

Figure III- 16: Caractristique I-V d'un string avec variation de la temprature Tc

Nous pouvons constater que lorsque la temprature de la cellule augmente, une chute de
tension est prsente au niveau de la caractristique lectrique. Un chauffement sur des
cellules provoque la diminution de la tension de circuit ouvert des modules.
Une fois les allures des caractristiques lectriques sous conditions de dfauts effectues, nous
valuons les erreurs relatives en comparant la caractristique I-V en fonctionnement normal et
la caractristique I-V en fonctionnement dfaillant.

III.3.5. Erreur par rapport au fonctionnement normal

Aprs avoir trac les caractristiques sous conditions de dfauts, les diffrentes erreurs entre
le fonctionnement normal et dfaillant sont values. La normalisation des erreurs va
permettre de voir sil est possible de diffrencier les dfauts dans un plan. Nous pouvons
notamment tudier la position du point de puissance maximal du string en faisant varier les
dfauts. Pour reprsenter les allures des erreurs en fonction des dfauts, nous calculons la
relation suivante :

Vnormal Vdfaut
Errnormalis =
max (Vnormal Vdfaut )
(III-15)

Ds lors, nous pouvons reprsenter les rsultats sur la figure III-17

103
 1
Variation rsistance parallle
0.9 Variation temprature
Variation ensoleillement
0.8
Variation rsistance srie
0.7

0.6
Erreur

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6

Courant du module (A)

Figure III- 17: Erreur normalise entre le fonctionnement normal et les diffrents dfauts

Suivant les variations des diffrents dfauts, le profil des erreurs normalises peut nous
renseigner sur les volutions des dfauts en comparant les tensions du fonctionnement normal
et dfaillant en fonction du courant. Lide de ce travail est de permettre lidentification de la
nature du dfaut lors dune dtection du dfaut. Cependant, il est difficile dobtenir la
caractristique lectrique en ligne car il faut interrompre la production. Par contre, nous
pouvons analyser le point de puissance maximal de chaque caractristique. Ainsi, en fonction
de sa position dans un plan en fonction de la tension et du courant, nous pouvons essayer de
faire une localisation du dfaut. La figure III-18 illustre une figure reprsentant la position de
la puissance maximale en fonction du courant et de la tension pour les diffrents dfauts pour
une configuration string.

Errmoyenne =
Gisimul Gimesur
Gimesur
100

104
 Figure III- 18: Position de la puissance maximale en faisant varier les diffrents dfauts

Sur cette figure, une premire constatation permet de mettre en avant le fait que la position de
la puissance maximale, en faisant varier le pourcentage d'ombrage sur la caractristique I-V,
est plus ou moins confondue avec la position de la puissance maximale de Rp. Cependant, il
est difficile de diffrencier la nature du dfaut en analysant la position du point maximal de
chaque variation des dfauts, car de nombreux points sont confondus. Par exemple, si nous
visualisons la figure dans le cas o un module sur trois est sous conditions dombrage, nous
pouvons remarquer qu partir dun pourcentage dombrage (50% et 75%), la puissance
maximale en thorie reste la mme.

260
240
220
200
Puissance string (W)

180
160
140
120
100
80
1 cellule ombre 75%
60
1 cellule ombre 50%
40 1 cellule ombre 25%
20 Fonctionnement normal
0
0 10 20 30 40 50 60 70
Tension string (V)
Figure III- 19: Caractristique P-V dun string sous conditions dombrage

105
Nous pouvons constater sur cette figure que par rapport au fonctionnement normal, la
puissance du string est modifie. A partir de cette tude, la premire analyse pour la dtection
de dfaut consiste tudier alors la chute de puissance en sortie de module.
La dernire partie de ce travail consiste valider les diffrentes simulations effectues
prcdemment en effectuant des mesures relles sur module.

III.4. Validation exprimentale du modle.

Afin de valider la dmarche de modlisation modifiant la forme de la caractristique I-V, il

est essentiel de faire des tests de mesures de caractristiques I-V sur modules. Pour cela, un
traceur I-V est utilis. L'appareil de mesures utilis est Le MP-160 de EKO instruments qui
permet de donner la caractristique I-V d'un module PV, en temps rel. Il se comporte comme
une charge lectronique qui balaie le point de fonctionnement du gnrateur sur une plage
complte (256 points). La puissance maximale de cet appareil de mesure peut monter jusqu'
3kW. Le tableau III-3 montre les spcificits techniques de ce traceur I-V.

Tableau III- 3: Caractristiques techniques Traceur I-V, MP-160, EKO instruments

Mp-160
Mthode de mesure Charge lectronique
Gamme de mesure Tension : 300V, 30V, 3V
Intensit : 10A, 3A, 0.3, 0.03A
Entres de mesures Modules PV
2 sondes thermocouples de type T
1 pyranomtre ou 1 cellule de rfrence
Balayage de mesures 256 points
Temps de balayage 2 330 secondes
Convertisseur A/N 16 bits
Communication RS-232
Alimentation 220V

III.4.1. Influence de la salissure sur les modules PV du

btiment ADREAM

106
La cause du dfaut d'ombrage peut provenir de plusieurs sources, combines ou non
[DORADO_1 et al.]:
Lors dun passage de nuage, ce dfaut est intermittent ;
Lors dune ombre provoque par lenvironnement (arbre, poteaux, etc.) suivant la
position du soleil. Ce dfaut est variable dans le temps et dpend de la hauteur du
soleil ;
Lors dune salissure sur les modules PV qui est de nature ponctuelle ;

Notre tude est ralise sur la troisime zone exprimentale du btiment ADREAM qui
correspond l'installation situe sur le toit, appele toiture "R+2" et visualise sur la figure II-
7. La puissance totale installe est de 24kWc et elle est compose de modules de puissance
unitaire de 250Wc, en silicium cristallin encapsul sous une couche de verre-tedlar.
L'inclinaison est fixe 10. Du fait de cette inclinaison, depuis Juillet 2012, des particules de
poussire se sont accumules en bas des modules PV comme reprsentes sur la figure III-20.

Figure III- 20: Salissure sur module PV situ sur le toit "R+2" du btiment ADREAM

Nous allons mesurer dans la partie suivante, la caractristique lectrique de ce module afin de
visualiser linfluence de la salissure.

III.4.1.1. Caractristique I-V du module TE2200

Grce au traceur I-V, la caractristique I-V est visualise en temps rel. La mesure sur le
panneau sale est effectue, et il est ensuite nettoy afin de reprendre la mesure des fins de
comparaison. Sur la figure III-21, les mesures du panneau propre et du panneau sale sont
visualises.

107
 10

Courant module [A]

6

2
Caractristique I-V panneau propre
1
Caractristique I-V panneau sale
0
0 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30 33 36 39

Tension module [V]

Figure III- 21: Caractristique I-V module PV TE2200 propre et sale

Le fait qu'une partie du module soit recouverte de poussire suffit pour que la diode devienne
passante. Nous dcidons dvaluer lerreur relative moyenne entre la mesure de la
caractristique lectrique du module et la caractristique simule en fonction des donnes
environnementales. Cette erreur relative moyenne est calcule grce la relation suivante :

Vmesur Vsimul
Errrelative = (III-16)
Vsimul

L'erreur relative moyenne entre la caractristique I-V du panneau propre et la caractristique

I-V du panneau sale est value 7%. Cette mesure sest effectue par temps clair et un
instant o le module fournit sa pleine puissance. La prochaine tape consiste valuer lerreur
relative moyenne entre le module propre et le module sale dun point de vue puissance avec
une prise de mesures journalire.

III.4.1.2. Puissance produite par le module TE2200

La puissance produite par les deux panneaux, avec un pas de temps d'une minute, est mesure
sur une journe. La figure III-22 montre les deux formes de la courbe de puissance mesure
pour le panneau propre et pour le panneau sale.

108
 200

175

150

Puissance module (W)

125

100

75

50

25
Puissance panneau propre
Puissance panneau sale
0
08:24 09:36 10:48 12:00 13:12 14:24 15:36 16:48 18:00 19:12 20:24

Temps (h)

Figure III- 22: Analyse de la puissance des 2 modules PV TE2200

La diffrence moyenne entres ces deux courbes est value 4%. Cet cart peut paratre
faible sur une prise de mesures dune journe sur un module mais elle peut tre significative
sur plusieurs jours et sur plusieurs modules en srie. La prochaine tape consiste comparer
les mesures de puissances aux valeurs estimes pour validation.

III.4.1.3. Corrlation des mesures avec le modle

Une fois les mesures effectues, une comparaison est faite avec les donnes du modle. La
figure III-23 compare les courbes de puissances mesures avec celles du modle. Dans la
section II.2.1, nous avons donn lexpression qui permet de calculer la puissance en fonction
de lensoleillement et de la temprature :

( (
Pmod le = PmaxSTC 1 (Tc Tref ) ) ) GG
STC
(III-17)

109
 200

175

150

Puissance module (W)

125

100

75

50

Puissance panneau propre

25
Puissance panneau sale
Puissance modle
0
08:24 09:36 10:48 12:00 13:12 14:24 15:36 16:48 18:00 19:12 20:24
Temps (h)

Figure III- 23: Analyse de la puissance des 2 modules PV TE220 avec la puissance du modle

La diffrence moyenne entre la puissance du modle et la puissance du panneau sale est

value 5%, soit une diffrence de 1% avec celle de la mesure. La figure III-24 reprend la
mesure de la figure III-20 avec la caractristique I-V du modle cet instant. Dans la
simulation, les donnes environnementales mesures cet instant, comme la temprature et
lensoleillement sont utilises. Ainsi, nous pouvons comparer la caractristique I-V de la
simulation celle des mesures effectues.

10

7
Courant module [A]

2
Caractristique I-V panneau propre
1 Caractristique I-V panneau sale
Caractristique I-V modle
0
0 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30 33 36 39

Tension module [V]

Figure III- 24: Analyse de la caractristique I-V mesures et la caractristique I-V modle

La diffrence moyenne entre la caractristique I-V du modle et celle de la mesure du

panneau sale est de 7%.

110
 III.4.2. Dfaut de snail trail sur module BP585

Sur les modules BP585, de nombreuses traces noires appeles snail trail apparaissent.
Aprs quelques annes de fonctionnement et dexposition aux diffrents climats de
tempratures, de moisissures, il est possible quil y ait une apparition dune dcoloration
noirtre au niveau des cellules PV comme reprsent sur la figure III-25.

Figure III- 25: formation de traces noires ("snail trail") sur la feuille d'encapsulation des cellules
PV

Ce phnomne nouveau ressemble un craquement de cellules. Les tudes de [PENG et al.],

[MEYER_1 et al.] et [RICHTER et al.] traitent de ce phnomne et montre que lhumidit est
un facteur cl dans la formation des snail trail . Lhumidit peut saccumuler larrire du
module et atteindre la surface de la cellule par diffusion. Cette tude montre diffrents
moyens de crer ces traces noires et affirme que des nanoparticules dargent saccumulent au
niveau de la feuille dencapsulation et engendre une dcoloration noirtre au niveau des
cellules. Pourtant il nexiste pas dindications qui peuvent affirmer que ce phnomne
diminue lefficacit du module PV et donc influence la puissance de sortie du module PV. La
figure III-26 montre la forme de la caractristique I-V du module avec des snail trails un
instant donn.

111
 Puissance module (W) Courant module (A)
6

2 I-V modle
Panneau voie 1 14h
1
Panneau voie 6 14h
0
0 5 10 15 20 25

Tension module (V)

80
70 Panneau voie 6 14h
60 Panneau voie 1 14h
50 I-V modle
40
30
20
10
0
0 5 10 15 20 25

Tension module (V)

Figure III- 26: Analyse de la caractristique I-V et de la puissance du module BP585 possdant
des snail trails

Par rapport au modle constructeur, il existe un dcalage de la puissance maximale produite

par le module. Le paramtre qui peut tre modifi est la rsistance srie. Lerreur relative
moyenne entre le modle et la mesure est de 21%. La rgion de la caractristique I-V o la
rsistance peut impacter une modification de la courbe est tudie. Entre les tensions 15V et
30 V, une dviation de la caractristique I-V du module se fait sentir par rapport au modle
constructeur. Cela peut tre cause galement par la rsistance des connectiques, qui peut
augmenter la rsistance srie du module photovoltaque.
Dans le cas doxydation, au niveau des contacts mtalliques de la cellule ou tout simplement
au niveau de la connectique (bote de jonction), la rsistance srie augmente entranant un
dplacement du point de puissance maximal. Le facteur de forme du module PV qui
reprsente l'idalit de la caractristique I-V s'en trouve alors modifi.

En 1990, le centre de recherche nergtique de Schatz (SERC) a install 9.2kWc de modules

PV d'une puissance NOCT (temprature normale d'utilisation des cellules) de 48W, inclins
de 30 par rapport l'horizontale. Cette installation est situe dans une zone marine, soumise
des diffrences importantes de temprature. Les performances des modules PV ont t
values au bout de 11 et 20 ans de fonctionnement [CHAMBERLIN et al.]. Les
caractristiques I-V des modules ont ensuite t traces dans les conditions de tests initiaux de
NOCT.

112
Au bout de 11 annes, la puissance NOCT des modules a baiss de 4.5 % et cette baisse a
atteint 16.13% en 20 annes, ce qui reprsente une baisse de puissance de 1.37 % par an.
La premire cause de dgradation de ces modules est lie l'encapsulant (EVA) qui entrane
une dcoloration de la cellule PV, devenue marron suite des variations de temprature de
fonctionnement et d'autres raisons environnementales telle que l'humidit. La figure III-27
illustre ce phnomne de dlamination. Le jaunissement de l'encapsulation cre un filtre qui
fait baisser le courant de court-circuit des modules PV.

Figure III- 27: Dlamination de l'encapsulant de la cellule PV devenue marron

Dans les conditions mtorologiques particulires de cette tude, la dlamination des modules
tait la cause principale de panne des modules PV de premire srie. Aujourd'hui, avec
l'exprience acquise par les fabricants, ces problmes se prsentent moins souvent.
Cette dcoloration qui a donc un effet de masque sur la cellule active la diode by-pass du
module

113
 III.5. Conclusion

Dans ce chapitre, la modlisation du gnrateur photovoltaque a t ralise en considrant

deux types de fonctionnement: normal, puis dfaillant. Pour reprsenter le modle de la
cellule en fonctionnement normal et/ou dfaillant, le modle de Bishop est utilis. En effet, ce
modle prend en compte leffet davalanche de la cellule et peut donc reprsenter une cellule
PV tant en rgime de fonctionnement normal quen rgime inverse.
Ensuite, la caractristique I-V du systme PV a t reprsente selon plusieurs configurations
(cellule, module, string) avec diffrents dfauts choisis.
Nous avons identifi des paramtres influenant la performance des modules PV comme :
Dfaut d'ombrage ;
Dfaut d'oxydation ;
Dfaut de vieillissement ;
Dfaut d'chauffement ;

L'analyse de la caractristique I-V peut tre un moyen de visualiser linfluence de ces

diffrents dfauts sur le comportement de cette caractristique. Pour cela, certains paramtres
de lquation lectrique dune cellule PV ont t modifis (Rs, Rp, ombrage). Nous avons
valu, par la suite, les diffrences en tension entre les caractristiques I-V en fonctionnement
normal et dfaillant. Ainsi, nous avons essay de localiser dans un plan la position du point
maximal de puissance selon linfluence des dfauts. Mais, il est difficilement possible
didentifier simplement la nature du dfaut en tudiant la position de la puissance maximale.

Nanmoins, pour limiter lutilisation du nombre de capteurs pour des contraintes

conomiques, nous allons analyser la chute de puissance afin didentifier la nature de ces
dfauts. Nous prsentons alors dans le dernier chapitre, la mthode adopte. Une analyse
complmentaire sur la caractristique I-V est prsente pour conclure.

114
115
Chapitre IV : Dtection et localisation de dfauts d'une
installation photovoltaque
IV.1. Introduction

Plusieurs mthodes de dtection et de localisation de dfauts, sont utilises afin de vrifier et

d'amliorer l'efficacit d'une installation solaire photovoltaque. L'analyse de la puissance du
gnrateur PV est une des solutions la plus adquate car elle permet de dtecter en temps rel
un dfaut ventuel sur une installation PV en analysant les variations de puissance. Les
rsultats obtenus ont permis d'indiquer la production relle de l'installation PV considre.

La premire partie tablit une base de connaissances des diffrents dfauts qui peuvent exister
au niveau dune installation photovoltaque. Lanalyse de la puissance maximale du
gnrateur PV nous permet de dtecter, puis de localiser le dfaut. La reconnaissance du type
de dfaut sarticule autour de la base de connaissance des dfauts labors dans la premire
partie. La seconde partie consiste analyser de faon plus approfondie les diffrents dfauts et
notamment en tudiant la caractristique I-V. La troisime partie prsente un algorithme
complet de dtection et de localisation de dfaut. Pour cela, nous prsentons une
mthodologie pour amener une dtection et une localisation de dfaut

IV.2. Etablissement dune base de connaissances sur les

diffrents dfauts dune installation photovoltaque

Il essentiel avant de proposer une mthodologie de dtection et de localisation de dfauts

d'tablir une base de connaissances de ces dfauts. La figure IV-1 reprsente les diffrents
dfauts pour chaque lment d'une installation photovoltaque.

116
 Dfaut Dfaut Dfaut Systme
non Champ PV non Onduleur non dacquisition
identifi identifi identifi

Circuit- Court- Tension

ouvert circuit du
rseau

Problme Problme
capteur serveur
Ombrage Vieillissement Craquement
Snailtrail

Nuage Arbre Salissure Botes Cellule

, feuille de Analyse de la puissance
jonction
Analyse de la caractristique I-V

Figure IV- 1: Organigramme des diffrents dfauts pouvant exister sur une installation solaire
PV

Nous pouvons classer les mthodes de dtection en 3 catgories en tudiant la diffrence

entre:
La puissance mesure et celle du modle en fonction du temps ;
La tension mesure et celle du modle en fonction du temps ;
Le courant mesur et celui fournit par le modle en fonction du temps ;

Dtection
P
de I
dfaut V

Identification P(t) sans donnes mtorologiques

de P(t) avec donnes mtorologiques
dfaut
I(V) P(V) analyse diode by-pass et diode anti retour

paramtres pour la dtection et l'identification des

Figure IV- 2: Organigramme d'analyse des
dfauts

La mthode de dtection est choisie de faon minimiser l'utilisation des capteurs pour des
contraintes conomiques et pour rentrer dans les exigences de ces travaux de thses. Pour
cela, nous choisissons d'analyser les variations de puissance en fonction du temps en
s'affranchissant des donnes mtorologiques. Pour cela, nous proposons une mthodologie
de dtection et didentification qui sarticule autour de la puissance et de la dure de la

117
dfaillance par exemple pour le cas de lombrage. Sur la figure IV-2, pour l'lment champ
PV , le dfaut qui correspond au cas du dfaut d'ombrage peut tre reprsent par :
Le cas o il y a un passage de nuage, le dfaut est intermittent ;
Le cas o l'ombrage varie en fonction de l'environnement autour de l'installation et de
la position du soleil (hauteur) ;
Le cas o, au bout d'un certain temps, une couche de salissure s'accumule. Le dfaut
devient donc fixe dans le temps ;
Pour ce cas de dfaut, nous pouvons lanalyser de deux manires, par :
La puissance en fonction du temps (flche bleu) ;
La caractristique I-V (flche rouge) ;

La figure IV-3 reprsente de faon schmatique le comportement de la puissance en sortie de

module PV, en fonction du temps, lorsque un dfaut d'ombrage existe sur le champ PV. Ces
dfauts vont varier selon la dure. Par exemple, lors d'un passage nuageux, la dure du dfaut
est plus faible qu'une ombre qui varie en fonction de l'environnement et de la position du
soleil. Plus la dure du dfaut est longue, plus le dfaut d'ombre permanent se rapproche.

Fonctionnement normal
300
Influence ombrage "arbre"
280
Influence ombrage "ciel nuageux"
260 Influence ombrage "tche"
240
220
Puissance (W)

200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
08:24 09:36 10:48 12:00 13:12 14:24 15:36 16:48 18:00 19:12 20:24
Heure
Figure IV- 3: Analyse de la chute de puissance lors d'un dfaut d'ombrage sur le module PV

Nous pouvons complter cette tude ensuite par une analyse complmentaire en tudiant la
caractristique I-V. Ensuite, nous proposons une mthode pour dtecter et identifier les autres
dfauts dune installation PV (figure IV-1).
118
 IV.3. Mthodologie de dtection et de localisation de dfaut

De nombreuses tudes comme celle de [STETTLER et al.] analysent les performances d'une
installation PV. L'nergie produite de rfrence est dtermine l'aide de donnes
d'ensoleillement fournies par satellite et l'aide d'informations spcifiques du systme PV. Si
l'nergie relle produite est plus faible que celle de rfrence, l'algorithme de dtection de
dfaut analyse le motif de la perte d'nergie en prenant en compte la dure et la valeur des
pertes. Ce modle prend en compte des dfaillances prdfinies qui se produisent
frquemment comme l'ombrage, un problme de MPPT, une salissure, un problme matriel,
une dgradation. Chaque dfaut est dfini par un seuil de perte nergtique et la dure de la
perte en question. Par exemple, pour l'ombrage, ltude mene par [STETTLER] value une
gamme de pourcentage de pertes nergtiques de 0 35 % sur une dure maximale de 5
heures.
Cette mthode permet de dtecter un dfaut mais ne prsente pas une identification claire et
prcise du dfaut. Dans cette partie, nous prsentons les tapes qui ont amen une mthode
permettant de dtecter et identifier la cause du dfaut dombrage par :
Lanalyse de la puissance mesure en fonction du temps ;
Lanalyse complmentaire sur la caractristique I-V ;
Nous terminons cette partie ensuite par une mthodologie complte, cette tude en tudiant
les autres

IV.3.1. Dtection de dfaut d'ombrage

IV.3.1.1. Mthodologie de dtection dombrage par

l'analyse de la puissance maximale en fonction du temps

Afin de dtecter ce type de dfaut, nous avons notre disposition un convertisseur DC-DC de
type BOOST, une charge lectronique et un simulateur solaire [AGILENTE4361a].
Les moyens exprimentaux mis disposition sont ceux qui ont t dvelopps dans la thse
de [EL BASRI]. Lobjectif de ce travail est d'optimiser la production solaire. L'algorithme de
recherche du point maximal de puissance est intgr dans le microcontrleur du convertisseur
afin de maximiser au mieux la puissance fournie par le module PV. L'algorithme de dtection
de dfaut d'ombrage est intgr dans le microcontrleur [DSPIC30F2023] du convertisseur.
La figure IV-4 reprsente l'organigramme du programme de dtection de dfaut d'ombrage
implment dans le microcontrleur du convertisseur BOOST. Cette mthode consiste

119
dterminer en fonction de la dure de la dfaillance, la nature de l'ombrage : si c'est un nuage,
une ombre lie l'environnement extrieur (poteau) ou bien une tche fixe sur le module.

Dbut

Dfaut, c, nuage, poteau, tche

LED1, LED2, LED 3, P0=0, P01=0

P=PPPM

non
Dfaut == 0
ou P > P0 x 0.9

oui
non
P>0
oui
P P0 P P01
dP = dP =
P P

non
oui
P0 = P P > P0 x 0.9 P0 = P01

P01 = P

non
dP< -0.1 et P > 5

oui

Dfaut = 0 Dfaut = 1

non t=0
Dfaut == 1
oui
c=0 c=c+1

non
10 min < c > 60 min
oui

poteau = 0 LED1 = 0 poteau = 1 LED1 = 1

non
0 < c > 10 min
oui
nuage = 0 LED2 = 0 nuage = 1 LED2 = 1

non
c > 60 min
oui

tche = 0 LED3 = 0 tche = 1 LED3 =1

Figure IV- 4: Organigramme pour la dtection de dfaut d'ombrage,

120
Pour interprter cet organigramme, nous stockons, sous forme de tableau, les diffrentes
valeurs de P pour chaque instant. Nous utilisons diffrentes variables comme :
Dfaut qui prendra la valeur 0 dans le cas o aucun dfaut nest dtect et prendra
la valeur 1 dans le cas contraire ;
P0 et P01 qui sont initialises zro et prendront ensuite une valeur affecte
selon une condition sur la puissance mesure linstant t ;
c qui permet de classifier le type de dfaut selon la dure de la dfaillance. Par
exemple si un dfaut est dtect, c prendra la valeur 1 et le dfaut initialement
identifi est celui du passage de nuage. Ensuite, cette variable sera incrmente tant
que Dfaut =1 . Ds lors, nous pourrons identifier la nature du dfaut dombrage
selon la valeur de cette variable ;
nuage , poteau , tche et respectivement LED1 , LED2 , LED3
seront des variables didentification de dfaut et prendront la valeur 0 dans le cas o il
ny a aucun dfaut et la valeur 1 dans le cas o un dfaut est dtect et dpendra de la
variable c .Selon le dfaut identifi, la diode lectroluminescente lie aux variables
didentification de dfaut sera claire ou non.

Les mesures de puissance ont t effectues par [EL BASRI]. Ainsi, pour obtenir ces
mesures, deux types de dfaut ont t modliss :
La mise en place dun lment qui permet dactiver le dfaut poteau ;
La mise en place dun lment qui permet dactiver le dfaut nuage ;

La connaissance des dfauts appliqus pour ces mesures a permis de tester lalgorithme
prsent sur la figure IV-4. Les rsultats obtenus partir de ces mesures sont reprsents de
sous forme graphique sur la figure IV-5. Pour interprter ce graphique, nous affectons des
variables binaires. Si la variable binaire est 1, un dfaut est dtect. Si dans le cas contraire,
la variable binaire est 0, aucun dfaut nest dtect.

121
 Dfaut Puissance (W)

30
20
10
0
08:00 08:30 09:00 09:30 10:00 10:30 11:00 11:30 12:00 12:30 13:00 13:30 14:00 14:30 15:00 15:30 16:00 16:30 17:00 17:30 18:00 18:30 19:00 19:30 20:00
1

0.5

0
08:00 08:30 09:00 09:30 10:00 10:30 11:00 11:30 12:00 12:30 13:00 13:30 14:00 14:30 15:00 15:30 16:00 16:30 17:00 17:30 18:00 18:30 19:00 19:30 20:00
1
Nuage

0.5

0
08:00 08:30 09:00 09:30 10:00 10:30 11:00 11:30 12:00 12:30 13:00 13:30 14:00 14:30 15:00 15:30 16:00 16:30 17:00 17:30 18:00 18:30 19:00 19:30 20:00
1
Poteau

0.5

0
08:00 08:30 09:00 09:30 10:00 10:30 11:00 11:30 12:00 12:30 13:00 13:30 14:00 14:30 15:00 15:30 16:00 16:30 17:00 17:30 18:00 18:30 19:00 19:30 20:00
1
0.5
Tche

0
-0.5
-1
08:00 08:30 09:00 09:30 10:00 10:30 11:00 11:30 12:00 12:30 13:00 13:30 14:00 14:30 15:00 15:30 16:00 16:30 17:00 17:30 18:00 18:30 19:00 19:30 20:00

Temps (h)
Figure IV- 5: Simulation de dtection et d'identification de dfaut d'ombrage sous
environnement MatLab

Lorsquune chute de puissance apparat, l'algorithme dtecte tout d'abord un premier dfaut
sans en identifier la nature. La premire identification est celui d'un passage de nuage, mais la
dure de la dfaillance est plus longue. Par consquent, il s'agit plus d'un dfaut d'ombrage
variable selon l'environnement et la position du soleil puisque la puissance atteint sa
puissance normale au bout d'une certaine dure. Lors de la deuxime dtection dfaut, la
dure de la dfaillance est faible, le passage de nuage est alors identifi.
Une fois le dfaut dtect et identifi, une analyse sur la caractristique I-V peut-tre
effectue afin de visualiser la prsence d'un point d'inflexion li l'activation ou non d'une ou
plusieurs diodes by-pass.

IV.3.1.2. Mthodologie de dtection d'ombrage par

l'analyse de la caractristique I-V

Ltude mene par [BUN_1] tudie la dviation brusque de la caractristique I-V en dfaut
qui emmne dans cette dernire un ou plusieurs points dinflexion. Ces derniers peuvent tre
dtects par le changement du signe de la drive seconde. Le tableau IV-1 montre le profil de
la caractristique V-I et de ses drives, premire et seconde pour le cas dun dfaut
dombrage et dans le cas dune augmentation de la rsistance srie.

122
 Tableau IV- 1: Allure des drives premires et secondes de la caractristique I-V pour deux
cas de dfauts

En observant le profil de la drive premire, la prsence dun point dinflexion est

impossible dtecter. Par contre, le dfaut est dtectable en identifiant le maximum de la
drive seconde. Cette tude est base sur une simulation de la caractristique V-I en dfaut.
Les deux cas de dfauts reprsents, c'est dire l'ombrage et la rsistance srie, montrent
l'apparition d'un point d'inflexion sur la caractristique V-I. Pour le cas de la rsistance srie,
il est difficile de quantifier laugmentation de celle-ci et ainsi affirmer la prsence dun point
dinflexion au bout dun certain temps.

IV.3.1.3. Etude de la drive premire et de la drive

seconde sur la caractristique I-V (diodes by-pass prsentes)

Dans cette partie, nous allons simuler sur MatLab diffrentes caractristiques I-V en
fonctionnement dfaillant. Ensuite, l'tude de la drive premire et de la drive seconde est
effectue sur les courbes P-V, P-I, I-V et V-I d'un module PV. Pour calculer la drive
premire et la drive seconde partir de mesures I-V, nous effectuons :

DV (
t + 1) DI
DI I ( t + 1) I ( t ) DV ( )
DI t
D I
= (IV-1) = (IV-2)
DV V ( t + 1) V (t) DV V ( t + 1) V (t)

Un choix sur les positions des dfauts permet de valider la caractristique qui servira dtude
pour raliser la dtection ou non d'un point d'inflexion. Le tableau IV-2 regroupe les
diffrentes caractristiques des modules PV en dfauts. La drive premire et la drive
123
seconde sont calcules sur la caractristique P-V et sur la caractristique I-V afin de dtecter
un point d'inflexion lors de l'activation d'une ou plusieurs diodes by-pass.

Tableau IV- 2: Allure des drives premires et des drives secondes des caractristiques I-V
et P-V en simulation
Caractristique I-V Caractristique P-V

9 250

8
200
7

(W)
(A)

6
150

Puissance
Courant

4
100
3
Fonctionnement normal
2 Dviation de type Rs
50
Dviation de type Rp
1 1 diode by-pass active
2 diodes by-pass actives
0 0
0 5 10 15 20 25 30 35 40 0 5 10 15 20 25 30 35 40

Tension (V) Tension (V)

Drive premire DI / DV Drive premire DP / DV
(A/V)

5 20
(A)

4 15
3
Drive Premire DP/DV
Drive Premire DI/DV

10
2
5
1

0 0

-1 -5
-2
-10
-3
-15
-4

-5 -20
0 5 10 15 20 25 30 35 40 0 5 10 15 20 25 30 35 40

Tension (V) Tension (V)

Drive seconde DI / DV Drive seconde DP / DV
(A/V)

(A/V)

4 30

3 20
Drive seconde DP/DV
Drive seconde DI/DV

2
10
1
0
0

-1 -10

-2
-20
-3
-30
-4

-5 -40
0 5 10 15 20 25 30 35 40 0 5 10 15 20 25 30 35 40

Tension (V) Tension (V)

124
La drive premire ne suffit pas pour dtecter un changement de signe. Lapparition d'un pic
positif dans ltude de la drive seconde permet de dtecter la prsence dun dfaut Le
tableau IV-2 reprsente les drives secondes des caractristiques I-V et P-V avec l'apparition
de deux pics positifs reprsentant le cas d'une diode by-pass active et le cas de deux diodes
by-pass actives.
Pour le cas d'un dfaut au niveau de la rsistance srie ou parallle, une dviation de la
caractristique par rapport au fonctionnement normal apparat sur la drive premire.
Le tableau IV-3 reprsente le cas d'tude de la drive premire et seconde sur les
caractristiques V-I et P-I.

Tableau IV- 3: Allure des drives premires et des drives secondes des caractristiques V-I
et P-I en simulation
Drive premire DV / DI Drive premire DP / DI
(V)
20 40
(V/A)

Fonctionnement normal
15 Dviation de type Rs 30
Drive Premire DP/DI

Dviation de type Rp
10 1 diode by-pass active 20
Drive Premire DV/DI

2 diodes by-pass actives

5 10

0
0

-10
-5

-20
-10

-30
-15
-40
-20 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

Courant (A) Courant (A)

Drive seconde DV / DI Drive seconde DP / DI
(V/A)

(V/A)

40
30
30
20
Drive seconde DV/DI

Drive seconde DP/DI

20

10
10

0
0

-10
-10

-20 -20

-30 -30

-40 -40
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

Courant (A) Courant (A)

Les caractristiques V-I et P-I ne permettent pas de diffrencier l'activation d'une ou deux
diodes by-pass comme reprsente dans le tableau. Cela valide le choix de travailler, soit sur
la caractristique P-V, soit sur la caractristique I-V pour la partie exprimentale.
125
Nous pouvons alors procder aux tests sur modules PV. Pour cela, nous disposons de 4
modules PV [TENESOL] qui ont une puissance unitaire de 250 W et qui possdent 60
cellules en srie avec 3 diodes by-pass. Sur 3 de ces modules reprsents sur la figure IV,
nous simulons des dfauts et le 4me sert de rfrence :
Module 1 : une cellule est occulte 100% ;
Module 2 : deux cellules occultes de 50% pour activer 2 diodes by-pass du module ;
Module 3 : salissure homogne sur un groupe de cellule dun module PV ;

Figure IV- 6: Tests exprimentaux avec dfauts sur les modules PV TENESOL

Le tableau IV-5 reprsente les caractristiques I-V et P-V des modules PV en dfaut ainsi que
l'allure des drives premires et secondes de ces caractristiques.

126
Tableau IV- 4: Allure des drives premires et des drives secondes des caractristiques I-V
et P-V des mesures relles
Caractristique I-V Caractristique P-V

5 150

4.5

4
100
3.5
(A)

Puissance
3

2.5
Courant

50

(W)
2

1.5
Fonctionnement normal
2 diodes by-pass actives 0
1
1 cellule 100% ombrage 0 5 10 15 20 25 30 35 40
0.5 salissure homogne
sur une srie de cellules
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40

Tension (V) Tension (V)

Drive premire DI / DV Drive premire DP / DV

20
5
(A/V)

(A)

4 15
3
Drive Premire DP/DV

10
Drive Premire DI/DV

2
1 5

0
0
-1

-2 -5

-3 -10
-4
-5 -15
0 5 10 15 20 25 30 35 40
-20
0 5 10 15 20 25 30 35 40

Tension (V) Tension (V)

Drive seconde DI / DV Drive seconde DP / DV

(A/V)
DI/DV

5
30
4
20
3
Drive seconde DP/DV

2 10
seconde

1
0
0
-10
-1
-20
-2
Drive

-3 -30

-4
-40
-5 0 5 10 15 20 25 30 35 40
0 5 10 15 20 25 30 35 40

Tension (V) Tension (V)

127
Tableau IV- 5: Allure des drives secondes des caractristiques I-V et P-V des mesures relles
avec une fonction lissage de donnes
Drive seconde DI / DV moyenne Drive seconde DP / DV moyenne
(A/V)

(A/V)
4 30

3 20

Drive seconde DP/DV

Drive seconde DI/DV

2
10
1
0
0
-10
-1

-2 -20

-3 -30

-4 -40
0 5 10 15 20 25 30 35 40
-5
0 5 10 15 20 25 30 35 40 Tension (V)
Tension (V)

De cette faon nous pouvons interprter par la prsence d'un pic positif au niveau de la
drive seconde, la dtection d'un dfaut d'ombrage. Cette dtection par l'analyse de la
caractristique I-V ncessite l'arrt complet du photovoltaque. Il est ncessaire alors de
prvenir l'installateur du type de dfaut prsent sur le gnrateur PV.

IV.3.1.4. Etude de la drive premire et de la drive

seconde sur la caractristique I-V (diodes by-pass absentes)

Cette tude est complmentaire de la prcdente mais dans ce cas les diodes by-pass sont
dconnectes des modules PV. Ensuite, des mesures ont t ralises sur ces modules avec les
mmes dfauts reprsents comme sur la figure IV-9. Nous avons ombr une cellule de 20%,
40%, 60%, 80% et 100% puis mesurer la caractristique I-V.

Nous constatons sur les mesures du tableau IV-6 qu'un point d'inflexion apparat lorsque la
cellule est ombre partir de 40% jusqu' 100%. Sans diodes by-pass, nous remarquons
leffet davalanche de la diode sur les caractristiques modlisant la partie de fonctionnement
inverse de la cellule.

La section IV.3.1.3 a prsent une mthodologie permettant la dtection d'une ou plusieurs

diodes by-pass actives. Lobjectif de cette partie est de savoir si nous pouvons dtecter et
identifier une diode dconnecte en effectuant la mme tude. Or dans ce cas, il est difficile

128
de dissocier le cas o la diode est active ou bien dconnecte car un point d'inflexion apparat
dans les deux cas.

Tableau IV- 6: Allure des drives premires et des drives secondes des caractristiques I-V
et P-V des mesures relles effectues sans diodes by-pass
Caractristique I-V Caractristique P-V

5 150

4.5

Puissance (W)
3.5
(A)

100
3

2.5 1 cellule ombre de 20 %

Courant

bypass dconnecte
2 1 cellule ombre de 40 %
bypass dconnecte
50
1.5 1 cellule ombre de 60 %
bypass dconnecte
1 1 cellule ombre de 80 %
bypass dconnecte
0.5 1 cellule ombre de 100 %
bypass dconnecte
0 0
0 5 10 15 20 25 30 35 40 0 5 10 15 20 25 30 35 40
Tension (V) Tension (V)

Drive premire DI / DV Drive premire DP / DV

5 20
(A)
(A/V)

4
15
Drive Premire DP/DV

3
10
Drive Premire DI/DV

2
5
1

0 0

-1 -5
-2
-10
-3
-15
-4

-5 -20
0 5 10 15 20 25 30 35 40 0 5 10 15 20 25 30 35 40

Tension (V) Tension (V)

Drive seconde DI / DV Drive seconde DP / DV

5
(A/V)

(A/V)

30
4

3 20
Drive seconde DP/DV
Drive seconde DI/DV

2
10
1
0
0

-1 -10

-2
-20
-3
-30
-4

-5 -40
0 5 10 15 20 25 30 35 40 0 5 10 15 20 25 30 35 40
Tension (V)
Tension (V)

129
 IV.3.1.5. Mthodologie de dtection du nombre de diode
by-pass active

La figure IV-7 reprsente l'organigramme structur de la dtection de point d'inflexion et

donc la dtection d'un dfaut d'ombrage li l'activation d'une ou plusieurs diodes by-pass.

Etape 1
Dbut

Mesures Courbe I-V

256 valeurs : I et V

k=1
Etape 2

non oui
k< 256

Drive premire :
DIDV= DI/ DV DV(k+1)= V(k+1) - V(k)

k=1 DI(k+1)= I(k+1) - I(k)

non
k< 256
oui k=k+1
DV2(k+1) = DV(k+1)

D2I (k+1) = DIDV(k+1)-DIDV(k)

Condition =1 Condition =0
k=k+1

non
Condition =1
oui Etape 3

Drive seconde
D2IDV2= D2I / DV2

oui non
max(D2IDV2) >0
Etape 4
Activation diode by- Pas d'activation
pass diode by-pass

Fin

Figure IV- 7: Organigramme structur pour la dtection d'un point d'inflexion au niveau de la
caractristique I-V

130
Pour dcrire cet algorithme, la premire tape consiste effectuer la mesure de la
caractristique I-V du module ou d'un string. Le traceur I-V mesure 256 valeurs de courant et
de tension. La deuxime tape permet de calculer la drive premire de la caractristique I-
V, DI / DV. La troisime tape est celle du calcul de la drive seconde DI / DV. Si dans ce
cas, la drive seconde prsente une valeur positive, un point d'inflexion est dtect.
L'algorithme dtecte l'activation d'une diode by-pass dans une quatrime tape. La position du
point positif de la drive seconde renseigne sur le nombre de diodes by-pass actives. Pour
cela, il suffit de relever la valeur de la tension par rapport la position du point positif de la
drive seconde.

IV.3.2. Mthodologie de dtection de dfaut du systme

dacquisition

Une fois la partie de l'algorithme de dtection de dfaut d'ombrage test, il faut dcrire les
autres mthodes de dtection de dfauts dune chane PV complte. Nous devons alors nous
intresser aux dfauts au niveau de londuleur et au niveau du systme dacquisition.
La figure IV-8 propose l'algorithme de vrification des donnes d'acquisition avant toute
analyse de dfauts supplmentaires.

Dbut

Initialisation paramtres

P=PPPM

P1=PAC

Vrification botier

non Alerte 1
Rcupration "Problmes
donnes acquisition donnes"

oui

Fin

Figure IV- 8: Organigramme pour la vrification de la collecte des donnes, implment dans le
microcontrleur

131
 IV.3.3. Mthodologie de dtection de dfauts au niveau de
londuleur

De nombreuses dfaillances au niveau de l'onduleur peuvent se produire comme des

problmes de court-circuit, de circuit-ouvert, de tension de rseau ou bien des problmes de
puissance. Gnralement, ds quun de ces problmes est dtect, cela peut venir dune
mesure du bus alternatif dfaillante.

Pour expliquer cet algorithme (Figure IV-9), nous effectuons la mesure de puissance du bus
continu et la mesure de puissance du bus alternatif. En valuant le rendement de l'onduleur, si
celui-ci est infrieur 80 %, plusieurs analyses et identifications de dfauts sont possibles :
Un problme de puissance active est identifi si la mesure du courant alternatif et la
mesure de la tension alternative sont nulles ;
Un problme de circuit ouvert est identifi si la mesure du courant alternatif est nulle
et la mesure de la tension non-nulle ;
Un problme de court-circuit est identifi si la mesure de la tension alternative est
nulle et la mesure du courant alternatif non-nulle ;
Un problme de haute ou de basse tension apparat si la tension alternative dpasse la
tolrance autorise (230 V 10%) ;
Si aucun dfaut ne correspond aux identifications prcdentes, une anomalie est quand
mme signale l'utilisateur.

132
 Dbut

Initialisation paramtres
dfaut = 0

P=PPPM

P1=PAC

non
P1 / P < 80 % Dfaut = 0
ou P1 > P

oui

non IDC> 0 IAC = 0

VDC>0 VAC = 0
non
IDC> 0 IAC = 0 oui
VDC>0 VAC> 0
non
IDC> 0 IAC> 0 oui
VDC>0 VAC = 0

oui
Alerte 2-3 : Alerte 2-2 : Alerte 2-1 :
"Problme court-circuit" "Problme circuit ouvert" "Problme PAC onduleur"
Dfaut = 1 Dfaut = 1 Dfaut = 1

non
VAC< 220 V ou
VAC> 240 V

oui

Alerte 2-4 :
"Problme de tension rseau"
Dfaut = 1

Alerte 2-5 :
"Autres problmes onduleur"
Dfaut = 1

Fin
Figure IV- 9: Organigramme pour la dtection de dfaut au niveau de l'onduleur, implment
dans le microcontrleur

133
 IV.3.4. Mthodologie de dtection et de localisation de
dfaut complet

Cette partie regroupe les diffrents algorithmes labors pour chaque structure (Figure IV-10).
L'analyse de l'ombrage a t prsente et teste. Dans cette partie, nous prsentons une
mthode globale qui regroupe les diffrentes dtections et identifications de dfaut prsentes
prcdemment. Il est essentiel dorganiser et de structurer les diffrents algorithmes afin
davoir une analyse et un diagnostic dune installation PV cohrente et rigoureuse.

Dbut

Initialisation paramtres
dfaut = 0

Mesures lectriques : VDC, IDC, VAC, IAC

P=PPPM, P1=PAC

Algorithme de vrification de
Alerte 1
donnes (IV-3.2)

Algorithme de dtection
Alerte 2
Onduleur (IV-3.3)

Algorithme de dtection Alerte 3

Ombrage (IV-3.1.1)

Algorithme de dtection
Alerte 4
gnrateur PV (IV-3.1.2)

Figure IV- 10: Organigramme pour la dtection complte de dfaut d'une installation solaire
photovoltaque

Grce au systme de monitoring ralis et test dans le chapitre 2, nous effectuons les
diffrentes mesures du bus continu et du bus alternatif. Par consquent, il est essentiel de
vrifier le bon fonctionnement du botier de mesure. Une fois les donnes collectes et
vrifies, lalgorithme de dtection de dfauts au niveau de londuleur seffectue. Lanalyse
continue par la dtection dombrage par lanalyse de la puissance en fonction du temps.

134
Pour finir, la partie dtection au niveau du gnrateur est utilise comme analyse
complmentaire car nous avons besoin dobtenir en ligne la caractristique I-V. Pour cela, il
faut informer lutilisateur de la ncessit dinterrompre quelques instants la production PV.

135
Conclusion gnrale et perspectives

Des travaux de recherches ont montr que de nombreux systmes de diagnostic de dfauts
existaient, certains industrialiss, d'autres restant dans le cadre de la recherche. Le premier
consiste, lorsquun fonctionnement anormal de la centrale se fait sentir, dconnecter le
champ du rseau pour y raliser une maintenance. Cette procdure engendre des cots, tant en
terme de temps quen terme de production, puisque la coupure de la centrale est faite en
totalit. Une analyse plus fine de la puissance, intgre dans un outil mathmatique associ
diffrents modles de la station, permet de prvenir l'utilisateur d'une anomalie que ce soit sur
sur sa localisation prcise ou sur sa caractristique. Grce un seuil de criticit, l'utilisateur
est donc alert si une anomalie existe sur l'installation et permet den tablir une maintenance
optimise. Suivant la svrit du dfaut, l'utilisateur sait si un dplacement est ncessaire ou
pas. Cette prvention rduit considrablement le cot de la maintenance. Nanmoins, il reste
difficile didentifier la nature du dfaut. Ainsi, dans le cadre du programme de recherche
PRIMERGI, les travaux prsent dans cette thse ont mis en avant, la ncessit de crer un
outil performant et robuste permettant de dtecter, de localiser puis didentifier un dfaut. Le
premier chapitre illustre lensemble des contraintes lies cette problmatique.

Le chapitre 2 prsente la ralisation du systme de monitoring, qui a t test puis implment

sur une des installations PV du laboratoire PROMES-CNRS. De ce fait, et avec la mesure
effectue par le systme dacquisition, il a t possible d'effectuer une analyse de performance
l'aide d'indices. Une deuxime installation, le btiment ADREAM au LAAS-CNRS
Toulouse, a t tudie avec une autre mthode danalyse de performance ralise par logiciel
(PVSYST). Le fait d'avoir valu le ratio de performance des deux installations nous
renseigne de la qualit de production des installations. Cependant, lidentification du dfaut
ne peut tre ralise de faon prcise puisque la cause des diffrentes pertes sur l'installation
peut tre dorigine diverse. A titre dexemple, il a t montr que sur celle du laboratoire
PROMES-CNRS, de nombreuses pertes apparaissent au niveau du gnrateur. Il a donc t
ncessaire deffectuer une modlisation du gnrateur PV, la plus prcise possible, afin
didentifier les causes de ces pertes. Cest lobjet du chapitre 3.

La modlisation de la cellule PV, concentre sur la partie courant continu, a t ralise en 2

phases, dune part, en fonctionnement normal et dautre part, en fonctionnement dfaillant. Le
modle de Bishop t privilgi car il permet de prendre en compte l'effet d'avalanche de la
136
cellule et peut donc reprsenter une cellule PV tant en rgime de fonctionnement normal qu'en
rgime inverse. Ainsi, il a t possible dlaborer diffrents modles de la caractristique I-V
en prenant en considration diffrents dfauts. Lors dune augmentation de la rsistance srie,
dune diminution de la rsistance parallle ou bien dun dfaut dombrage, la caractristique
I-V est ainsi dforme par rapport la caractristique I-V en fonctionnement normal. Ltude
comparative que nous avons alors mene sur les deux caractristiques I-V a permis de
diffrencier et didentifier ces trois types de dfauts. Grce aux modles labors, nous avons
tabli une base de connaissance sur le comportement de la caractristique I-V en dfaut.
Ainsi, une mthodologie didentification de dfaut sarticulant autour de la mesure de
puissance effectue par le systme dacquisition et sur lanalyse de la caractristique I-V, a t
propose. Les pertes de captation, calcules sur linstallation PV du laboratoire PROMES-
CNRS par exemple, peuvent par consquent tre identifies. La dernire partie du travail a
consist proposer une mthodologie globale de dtection et didentification des dfauts
dune installation PV en temps rel.

Le chapitre 4 fait donc la synthse de cet outil temps rel. Autour de la base de connaissance
des diffrents dfauts pour chaque lment dune installation PV, diverses tudes ont t
menes :
Une tude autour du dfaut d'ombrage qui peut tre fixe par l'intermdiaire dun dfaut
permanent, variable selon la position du soleil et l'environnement autour de
l'installation, ou intermittent par le passage d'un nuage. Selon la dure de dfaillance et
par consquent la dure de la chute de puissance, nous avons propos une mthode
permettant de dtecter le dfaut d'ombrage et d'en identifier la nature (fixe, variable ou
intermittent) ;
Une tude sur les dfauts au niveau de londuleur a permis de proposer un algorithme
autour de la mesure de puissance du bus continu et de la mesure de puissance du bus
alternatif ;
Une phase de vrification de donnes est propose dans le but de contrler le bon
fonctionnement du systme dacquisition ;
Une analyse complmentaire est prsente au niveau de la caractristique I-V. Une
tude sur la drive premire et la drive seconde nous renseigne si une ou plusieurs
diodes by-pass des modules sont actives. Pour faire cette analyse, il est ncessaire de
prvenir linstallateur dune interruption de la production PV.

137
A laide de lensemble de ces analyses, une mthode complte de dtection, de localisation et
didentification de dfauts est propose afin de permettre une optimisation de la production
PV. En effet, lutilisateur sera prvenu en temps rel de lapparition dun dfaut, de sa
localisation, et de ses caractristiques, lui permettant ainsi deffectuant une maintenance
prcise et rapide du champ solaire.

Pour complter le chapitre 4, il est ncessaire de tester l'algorithme complet de dtection et

d'identification de dfaut l'aide d'un microcontrleur. Ainsi, la robustesse et la fiabilit du
programme sera vrifi afin de rentrer dans les exigences et les objectifs des travaux de la
thse.

Des travaux pour poursuivre la mthodologie de dtection de dfaut autour du gnrateur PV

vont tre conduits afin d'interprter le vieillissement des cellules et l'impact sur son efficacit.
Nous avons cit dans ces travaux de thse, un phnomne rcurrent visible sur les cellules PV.
Des traces noires, appeles "snail trail" peuvent apparatre cause de l'humidit qui
s'accumule au niveau de la bote de jonction du module et qui atteint la surface de la cellule
par diffusion. Des tudes existent afin de dcouvrir la nature chimique des "snailtrail" ainsi
que sa microstructure. Le manque d'information sur ce phnomne d'un point de vue perte
d'efficacit du module nous pousse l'tudier lectriquement. En effet, au niveau des pertes
d'efficacit du module PV, il n'y a aucune indication qui affirme que ce phnomne influe sur
la production. Des connaissances sur les diffrentes techniques de caractrisation lectrique et
sur les protocoles de vieillissement de cellule PV nous permettent de complter les travaux du
chapitre 4

Enfin, pour affiner les travaux sur la ralisation du systme dacquisition, une optimisation du
botier doit tre effectue englobant le systme de mesures lectriques mais aussi un traceur I-
V. Selon le choix de l'utilisateur, lors d'une chute de puissance dtecte sur la partie DC, il
peut arrter la production sur un court instant afin de tracer la caractristique en ligne.

138
139
Chapitre V : Bibliographie
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145
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model", AUPEC 2000: Innovation for Secure Power, Queensland University of Technology,
Brisbane, Australia, Page(s): 138-143
CHAPITRE 4:

[AGILENT E4360a] Simulateur solaire, http://www.home.agilent.com/en/pd-1370006-pn-

E4360A/modular-solar-array-simulator-mainframe-1200w?&cc=FR&lc=fre

[BUN_1] L.Bun, thse, Dtection et localisation de defaults pour un systme PV, G2ELAB,
Grenoble

[DSPIC30F2023]https://www.microchip.com/wwwproducts/Devices.aspx?dDocName=en026
341

[ELBASRI] Y. El Basri, THESE CONFIDENTIELLE : Architecture de puissance distribue

reconfigurable ddie l'optimisation de l'nergie photovoltaque, LAAS-CNRS, Toulouse

[STETTLER et al.] S. Stettler, P. Toggweiler, E. Wiemken," failure detection routine for grid
connected PV systems as part of the PVSAT-2 project"

146
Communication et publication
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3982-3985, 3-936338-33-7, 28th EU PVSEC 2013

"Modelling of a multi-zone building and assessment of its thermal behaviour using an energy
simulation software", Sullivan Royer, Michal Bressan, Stphane Thil, Thierry Talbert, 2013
IEEE International Conference on Automation Science and Engineering (CASE)

147
ANNEXE 1: Listes des figures
Figure I- 1: Consommation mondiale d'nergie primaire par type d'nergie (Mtep) ........................................... 12
Figure I- 2: Consommation d'nergie par secteur en France en 2011 ................................................................. 13
Figure I- 3: Puissance installe cumule de 2000 2011 en France ................................................................... 14
Figure I- 4: Chane de conversion dun systme PV raccord au rseau ............................................................. 15
Figure I- 5: Productible, indice de performance et nergie injecte sur le rseau dun systme PV surveille
depuis 30ans (NREL) [MARION et al.] ................................................................................................................ 16
Figure I- 6: Architecture dune toiture photovoltaque raccord au rseau selon la recommandation UTE C 15-
712-1 ..................................................................................................................................................................... 19
Figure I- 7: Schma de l'effet photovoltaque sous illumination........................................................................... 20
Figure I- 8: Cellule au silicium monocristallin et cellule au silicium polycristallin ............................................ 21
Figure I- 9: Evolution des rendements des cellules de diffrentes technologies de 1975 2014 ......................... 22
Figure I- 10: Rpartition de la production de cellules par technologie en 2011 (Hespul, Photon international
2012) ..................................................................................................................................................................... 22
Figure I- 11: Structure dun panneau photovoltaque face avant et face arrire ................................................. 24
Figure I- 12: Mise en srie de cellules PV dans le module avec les deux diodes by-pass .................................... 24
Figure I- 13: Exemple de structure de champ photovoltaque .............................................................................. 25
Figure I- 14: Chane de conversion photovoltaque raccorde au rseau avec leur commande .......................... 26
Figure I- 15: Caractristique I-V d'un module PV sous fonctionnement normal ................................................. 26
Figure I- 16: Topologie onduleur central raccorde au rseau ........................................................................... 29
Figure I- 17: Topologie onduleur string raccorde au rseau ............................................................................. 30
Figure I- 18: Topologie onduleur multi-string raccorde au rseau .................................................................... 30
Figure I- 19: Taux de dgradation d'un module PV par an .................................................................................. 32
Figure I- 20: Schma de cellules en srie sans diode by-pass et avec diode by-pass ........................................... 34
Figure I- 21: Concept d'acquisition de la caractristique I-V dans deux zones dpendantes............................... 37
Figure I- 22: Apparition de point chaud sur module PV par thermographie infrarouge ..................................... 39
Figure I- 23: Principe de la mthode de rflectomtrie pour localiser le dfaut dans le string ........................... 39
Figure II- 1: Schma lectrique simplifi des installations photovoltaques du laboratoire PROMES-CNRS
(btiment situ Perpignan)................................................................................................................................. 42
Figure II- 2: Installation photovoltaque "Brise Soleil et "Mur rideau", PROMES-CNRS .................................. 44
Figure II- 3: Installation photovoltaque "Shed", PROMES-CNRS, Perpignan ................................................... 44
Figure II- 4: Btiment ADREAM, LAAS-CNRS, Toulouse.................................................................................... 45
Figure II- 5: Vue d'ensemble du btiment ADREAM avec les trois zones de reprsents .................................... 45
Figure II- 6: Faade photovoltaque 36 kWc, ADREAM ...................................................................................... 46
Figure II- 7: Toiture exprimentale 35 kWc, ADREAM........................................................................................ 46
Figure II- 8: Toit "R+2" 29kWc, ADREAM .......................................................................................................... 47
Figure II- 9: Schma lectrique simplifi des installations photovoltaques du btiment ADREAM.................... 48
Figure II- 10: Mesures environnementales et puissance issues des modules PV du mois de Mai 2013, zone 3
situe sur le toit du btiment ADREAM ................................................................................................................ 49
Figure II- 11: Mesures environnementales et puissance issues des modules PV du mois de Juin 2013, zone 3
situe sur le toit du btiment ADREAM ................................................................................................................ 50
Figure II- 12: Mesures environnementales et puissance issues des modules PV du mois de Juillet 2013, zone 3
situe sur le toit du btiment ADREAM ................................................................................................................ 50
Figure II- 13: Schma de mesures lectriques d'une installation PV monophas avec le transfert de donnes sur
un serveur via TCPIP ............................................................................................................................................ 52
Figure II- 14: Schma lectrique pour la mesure du courant et de la tension du bus continu ............................. 52
Figure II- 15: Schma lectrique pour la mesure du courant du bus alternatif .................................................... 53
Figure II- 16: Mesures ensoleillement, temprature ambiante station mto PROMES-CNRS ........................... 54
Figure II- 17: Algorithme de dtermination de l'ensoleillement global inclin G (i,) ......................................... 56
Figure II- 18: Organigramme de calcul du numro du jour de l'anne ................................................................ 58
Figure II- 19: Coordonnes horizontales(ou locales) d'un astre : hauteur h et azimut a, dfinies sur la sphre
cleste .................................................................................................................................................................... 58
Figure II- 20: Dfinition des angles pour une surface plane lmentaire claire par le soleil........................... 61
Figure II- 21: Mesures ensoleillement global inclin et horizontal. ..................................................................... 63
Figure II- 22: Comparaison modle ensoleillement global inclin/horizontal et ensoleillement global
inclin/horizontal mesurs .................................................................................................................................... 63
Figure II- 23: Comparaison modle ensoleillement global inclin/horizontal et ensoleillement global
inclin/horizontal mesurs par mauvais temps ..................................................................................................... 64

148
Figure II- 24: Mesures environnementales et Puissance DC AC Avril 2013, PROMES-CNRS ........................... 66
Figure II- 25: Mesures environnementales et Puissance DC AC Mai 2013, PROMES-CNRS ............................. 67
Figure II- 26: Mesures environnementales et Puissance DC AC Juin 2013, PROMES-CNRS ............................ 67
Figure II- 27: Mesures environnementales et Puissance DC AC Juillet 2013, PROMES-CNRS ......................... 68
Figure II- 28: Mesures environnementales et Puissance DC AC Aout 2013, PROMES-CNRS............................ 68
Figure II- 29: Mesures environnementales et Puissance DC AC Septembre 2013, PROMES-CNRS .................. 69
Figure II- 30: Mesures environnementales et Puissance DC AC Octobre 2013, PROMES-CNRS ...................... 69
Figure II- 31: Modle puissance DC et mesures puissances DC et AC, Avril 2013 ............................................. 71
Figure II- 32: Modle puissance DC et mesures puissances DC et AC, Mai 2013............................................... 72
Figure II- 33: Modle puissance DC et mesures puissances DC et AC, Juin 2013 .............................................. 72
Figure II- 34: Modle puissance DC et mesures puissances DC et AC, Juillet 2013 ........................................... 73
Figure II- 35: Modle puissance DC et mesures puissances DC et AC, Aout 2013 ............................................. 73
Figure II- 36: Modle puissance DC et mesures puissances DC et AC, Septembre 2013 .................................... 74
Figure II- 37: Modle puissance DC et mesures puissances DC et AC, Octobre 2013 ........................................ 74
Figure II- 38: Evaluation du productible final, des diffrentes pertes du systme et du ratio de performance de la
toiture exprimentale "R+2" du btiment ADREAM ............................................................................................ 80
Figure II- 39: Diagramme des pertes de l'installation PV de la toiture "R+2" sur l'anne entire...................... 81
Figure III- 1: Caractristique I-V d'une cellule PV .............................................................................................. 84
Figure III- 2: Modle lectrique simple diode d'une cellule PV ........................................................................... 85
Figure III- 3: Modle lectrique simple diode d'une cellule PV avec effet Bishop ............................................... 86
Figure III- 4: Caractristique I-V avec zones dinfluence des rsistances d'une cellule PV ................................ 89
Figure III- 5: Algorithme de dtermination de la caractristique I-V d'une cellule PV ....................................... 90
Figure III- 6: Caractristique I-V des diffrentes zones d'une cellule PV issue de la simulation ......................... 91
Figure III- 7: Caractristique I-V et P-V du module BP585................................................................................. 92
Figure III- 8: Caractristique I-V d'une cellule en fonctionnement dfaillant et d'une cellule en fonctionnement
normal ................................................................................................................................................................... 95
Figure III- 9: Caractristique I-V d'un module PV en fonctionnement normal et fonctionnement "ombrage" .... 96
Figure III- 10: Caractristique I-V d'un string en fonctionnement dfaillant et normal ...................................... 98
Figure III- 11: Scnario 1: Caractristique I-V d'un string en fonctionnement dfaillant avec une cellule ombre
de 25% 75% sur un module ............................................................................................................................... 99
Figure III- 12: Scnario 2: Caractristique I-V d'un string en fonctionnement dfaillant avec 1 cellule ombre de
25% 75% sur deux modules ............................................................................................................................... 99
Figure III- 13: Scnario 3: Caractristique I-V d'un string en fonctionnement dfaillant avec et 1 cellule ombre
de 25% 75% d'un module et 1 module ombr compltement ........................................................................... 100
Figure III- 14: Caractristique I-V d'un string avec variation de la rsistance srie Rs .................................... 101
Figure III- 15: Caractristique I-V d'un string avec variation de la rsistance parallle Rp ............................. 102
Figure III- 16: Caractristique I-V d'un string avec variation de la temprature Tc ......................................... 103
Figure III- 17: Erreur normalise entre le fonctionnement normal et les diffrents dfauts .............................. 104
Figure III- 18: Position de la puissance maximale en faisant varier les diffrents dfauts ................................ 105
Figure III- 19: Caractristique P-V dun string sous conditions dombrage ..................................................... 105
Figure III- 20: Salissure sur module PV situ sur le toit "R+2" du btiment ADREAM .................................... 107
Figure III- 21: Caractristique I-V module PV TE2200 propre et sale .............................................................. 108
Figure III- 22: Analyse de la puissance des 2 modules PV TE2200 ................................................................... 109
Figure III- 23: Analyse de la puissance des 2 modules PV TE220 avec la puissance du modle ....................... 110
Figure III- 24: Analyse de la caractristique I-V mesures et la caractristique I-V modle .............................. 110
Figure III- 25: formation de traces noires ("snail trail") sur la feuille d'encapsulation des cellules PV ........... 111
Figure III- 26: Analyse de la caractristique I-V et de la puissance du module BP585 possdant des snail
trails ................................................................................................................................................................. 112
Figure III- 27: Dlamination de l'encapsulant de la cellule PV devenue marron .............................................. 113
Figure IV- 1: Organigramme des diffrents dfauts pouvant exister sur une installation solaire PV ................ 117
Figure IV- 2: Organigramme d'analyse des paramtres pour la dtection et l'identification des dfauts .......... 117
Figure IV- 3: Analyse de la chute de puissance lors d'un dfaut d'ombrage sur le module PV .......................... 118
Figure IV- 4: Organigramme pour la dtection de dfaut d'ombrage, ............................................................... 120
Figure IV- 5: Simulation de dtection et d'identification de dfaut d'ombrage sous environnement MatLab . 122
Figure IV- 6: Tests exprimentaux avec dfauts sur les modules PV TENESOL ................................................ 126
Figure IV- 7: Organigramme structur pour la dtection d'un point d'inflexion au niveau de la caractristique I-
V .......................................................................................................................................................................... 130
Figure IV- 8: Organigramme pour la vrification de la collecte des donnes, implment dans le
microcontrleur .................................................................................................................................................. 131

149
Figure IV- 9: Organigramme pour la dtection de dfaut au niveau de l'onduleur, implment dans le
microcontrleur .................................................................................................................................................. 133
Figure IV- 10: Organigramme pour la dtection complte de dfaut d'une installation solaire photovoltaque 134

150
ANNEXE 2 : Listes des tableaux :
Tableau I- 1: Synthse des diffrentes architectures des systmes PV raccord au rseau .................................. 31
Tableau II- 1: Principales caractristiques de l'installation PV du site PROMES-CNRS .................................... 43
Tableau II- 2: Caractristiques lectriques aux conditions de tests standard (STC) : PWX 500 ......................... 43
Tableau II- 3: Caractristiques spcifiques onduleur TCG 2500/6 ...................................................................... 43
Tableau II- 4: Liste du matriel qui constitue les installations photovoltaques d'ADREAM ............................... 47
Tableau II- 5: Caractristiques lectriques mesures dans les conditions de tests standard (STC) du module PV
rfrenc : TE2200................................................................................................................................................ 48
Tableau II- 6: Caractristiques techniques du botier de mesure bus continu...................................................... 53
Tableau II- 7: Spcifications techniques capteur de rayonnement solaire global ................................................ 54
Tableau II- 8 : Rsums des diffrentes erreurs entre les modles et les mesures d'ensoleillement ..................... 65
Tableau II- 9: Type de mesure effectu par le systme de monitoring .................................................................. 65
Tableau II- 10: Dduction des diffrents paramtres partir des mesures .......................................................... 66
Tableau II- 11: Analyse des mesures effectues sur l'installation PV d'Avril 2013 Octobre 2013 .................... 70
Tableau II- 12: Analyse nergtique par rapport aux valeurs mesures .............................................................. 75
Tableau II- 13: Analyse de performance de l'installation PROMES-CNRS suivant la norme IEC61724 ............ 77
Tableau II- 14: Bilans et rsultats principaux de l'analyse de performance de la toiture "R+2" ADREAM ........ 80
Tableau III- 1: Caractristiques lectriques module PV BP585 ........................................................................... 91
Tableau III- 2: Identification des paramtres influenant la performance des modules PV................................. 94
Tableau III- 3: Caractristiques techniques Traceur I-V, MP-160, EKO instruments ....................................... 106
Tableau IV- 1: Allure des drives premires et secondes de la caractristique I-V pour deux cas de dfauts . 123
Tableau IV- 2: Allure des drives premires et des drives secondes des caractristiques I-V et P-V en
simulation ............................................................................................................................................................ 124
Tableau IV- 3: Allure des drives premires et des drives secondes des caractristiques V-I et P-I en
simulation ............................................................................................................................................................ 125
Tableau IV- 4: Allure des drives premires et des drives secondes des caractristiques I-V et P-V des
mesures relles .................................................................................................................................................... 127
Tableau IV- 5: Allure des drives secondes des caractristiques I-V et P-V des mesures relles avec une
fonction lissage de donnes ................................................................................................................................. 128
Tableau IV- 6: Allure des drives premires et des drives secondes des caractristiques I-V et P-V des
mesures relles effectues sans diodes by-pass ................................................................................................... 129

151
ANNEXE 3 : Acronymes et abrviations
CNRS : Centre National de la Recherche Scientifique

PRIMERGI :Programme de Recherche, Ingnierie et Maintenance pour les Energies

Renouvelables et leur Gestion Industrielle

PV : Photovoltaque

LAAS : Laboratoire dAnalyse et dArchitecture des Systmes

PROMES : PROcds, Matriaux et Energie Solaire

ADREAM : Architectures Dynamiques Reconfigurables de systmes Embarqus

Autonomes Mobiles

ADEME : Agence De lEnvironnement et de la Matrise de lEnergie

DC/AC : Direct Current/ Alternating Current

IEC : International Electrotechnical Commission

NREL : National Renewable Energy Laboratory

DERBI : Dveloppement des Energies Renouvelables dans le Btiment et

l'Industrie

tep : tonne dquivalent ptrole

UTE : Union Technique de lElectricit

CIS : Cuivre Indium Slnium

CdTe : Tellurure de Cadmium

MPPT : Maximum Power Point Tracker

MLI ou PWM : Modulation de Largeur dImpulsion ou Pulse Width Modulation

CEM : Compatibilit ElectroMagntique

PLL : Phase-Locked Loop

UPR : Unit Propre de Recherche

INSIS : Institut Nationale des Sciences de lIngnierie et des Systmes

UPVD : Universit de Perpignan Via Domitia

MC4 : Multi-Contact 4mm

TCP/IP : Transmission Control Protocol/Internet Protocol

152
CE : Conformit Europenne

EN : EuroNorms

STC : Standard Test Conditions

PVGIS : Photovoltaic Geographical Information System

MatLab : Matrix Laboratory

SERC : Solar Energy Research Center

NOCT : Nominal Operating Cell Temperature

EVA : Ethylene Vinyl Acetate

LED : Light-Emitting Diode

153
ANNEXE 4 : Nomenclatures
PDC : Puissance issue du bus continu (W)

PAC : Puissance issue du bus alternatif (W)

Yf : Productible final (kWh/kW/jour)

Yr : Productible de rfrence (kWh/kW/jour)

Ya : Productible du champ PV (kWh/kW/jour)

Lc : Pertes de captation du gnrateur PV (kWh/kW/jour)

Ls :Pertes du systme de conversion (kWh/kW/jour)

Rperf : Ratio de performance (%)

IMPP : Courant de point de puissance maximal (A)

VMPP : Tension de point de puissance maximal (V)

PMPP : Puissance optimale (W)

Pmax : puissance nominale constructeur (W)

Vco : Tension de circuit ouvert (V)

Icc : Courant de court-circuit (A)

Vmax : Tension la puissance maximale (V)

Imax : Courant la puissance maximale (A)

Vin : Tension dentre onduleur (V)

VDC : tension du bus continue (V)

OND : Rendement onduleur (%)

IAC : Courant du bus alternatif (A)

VAC : Tension du bus alternatif (V)

Gh :Ensoleillement global mesur (W :m)

154
i : Inclinaison des modules PV ()

: Orientation des modules PV ()

C : Constante solaire C=1353 W/m

C1 : Correcteur de fuseau (>0 l'est de Greenwich, <0 l'ouest)

C2 : Correcteur de saisons

nj : Numro de jour

: Dclinaison : angle que fait le plan de l'quateur terrestre avec la direction Terre-soleil ()

I: Eclairement solaire qui correspond la puissance solaire reue par une surface plane
lmentaire (W/m)

TSV : Temps Solaire Vrai. La position du soleil dans le ciel nous renseigne sur ce temps.
C'est le temps donn par les cadrans solaires

TU : Temps Universel, chelle de temps base sur la rotation de la Terre. Plus connu sous le
terme UTC et UT1

TL : Temps Lgal : Heure lue sur les horloges publiques

: L'angle horaire est l'angle que fait le plan contenant le cercle horaire de l'astre avec le plan
contenant le mridien cleste. Cet angle est positif l'ouest et ngatif l'est ()

h, a : coordonnes horizontales qui correspondent la hauteur solaire et l'azimut ()

Sh : L'clairement solaire direct est le rayonnement solaire atteignant directement la surface

terrestre depuis le soleil (W/m)

Rs et Rg : rapport d'clairement du direct et du global : quantit caractristique qui lie les

mesures exprimentales de l'clairement solaire pour des surfaces horizontale et l'clairement
d'orientation quelconque

L : Longitude ()

l : latitude ()

n et k : Vecteurs unitaire

155
S(i,) : Ensoleillement direct pour une surface incline avec une orientation fixe (W/m)

SV : Ensoleillement direct pour une inclinaison gale 90 (W/m)

G(i,) : Ensoleillement global pour une surface incline et une orientation fixe (W/m)

G : Ensoleillement global (W/m)

T : Temprature ()

EDC : Production journalire module PV (Wh)

EAC : Energie injecte (Wh)

PV : Rendement module PV (%)

PmaxSTC : Puissance maximale pouvant tre produite par le champ PV complet dans les
conditions de tests standard (STC) (W)

GSTC : Ensoleillement global dans les conditions de tests standard (1000 W/m)

Tref : Temprature de rfrence (25C)

: Coefficient de puissance (mV/C)

Tc : Temprature de la cellule (C)

Tc,STC : Temprature de rfrence aux conditions de tests standard

Pmodle : Puissance estime du module PV (W)

EDCmodele : Energie estime (kWh)

EDCmesure : Productible mesure (kWh)

EGi : Energie densoleillement global pour une surface incline (kWh/m)

Ta : Temprature ambiante (C)

FF : Facteur de forme de la caractristique I-V de la cellule (%)

Iph : photo courant reprsentant lensoleillement reu par la cellule (A)

Id : Courant traversant la diode (A)

156
Rp : Rsistance parallle ()

Rs : Rsistance parallle ()

I0 : Courant de saturation inverse de la diode (A)

Vt = nkTc / q : Tension thermique de la cellule en fonction de la temprature de la cellule, du

facteur d'idalit de la diode n (1 2), de la constante de Boltzmann (1.38 10-23 J/K) et de la
charge de l'lectron (1.602 10-19 C)

ab : Coefficient de rglage du courant davalanche de la cellule (3.4 4)

m : Coefficient de rglage de lavalanche de la cellule (~ 0.001)

Vb : Tension de claquage de la cellule (-12V -30V)

M(V1) : Multiplicateur non linaire caractrisant la cellule en fonctionnement rcepteur

Iph,STC : photo-courant la condition de test standard qui correspond au courant de court-

circuit du module PV donn par le fabricant (A)

: coefficient de temprature du courant court-circuit en [ %/C] ou [A/C]

I0,ref :Courant de saturation inverse la temprature de rfrence (A)

Eg : Bande dnergie (eV)

VD : Tension aux bornes de la diode (V)

Imodule : Courant du module PV(A)

Icellule : Courant de la cellule (A)

Vmodule : Tension aux borne du module (V)

Ncellule : Nombre de cellules en srie

Vcellule : Tension aux bornes de la cellule (V)

Ngroupe : Nombre de diode by-pass du module PV

Nmodule : Nombre de modules en srie

Ichamp : Courant du champ PV (A)

157
Nstring : Nombre de string du champ PV

Idonn : Courant du module fix (modle) (A)

Iby-pass : Circulant dans la diode by-pass (A)

Istring : Courant du string (A)

Vstring : Tension du string (V)

Errnormalis : Erreur relative normalise (%)

Vnormal : Tension de la caractristique lectrique en fonctionnement normal(V)

Vdfaut : Tension de la caractristique lectrique en fonctionnement dfaillant (V)

Errrelative : Erreur relative (%)

P0 et P01 : Puissance initialise zro (W)

c : dure de la dfaillance (minutes)

DI/DV : Drive premire du courant et de la tension de la caractristique lectrique du

module (A/V)

DI/DV : Drive seconde du courant et de la tension de la caractristique lectrique (A/V)

158
Titre
Dveloppement dun outil de supervision et de contrle pour une installation solaire
photovoltaque

Rsum
L'lectricit produite par les rayonnements solaires est devenu de plus en plus onreuse suite
de nombreuses modifications du tarif de rachat de l'lectricit photovoltaque (PV). Par
consquence, le retour sur investissement devient de plus en plus long. Afin de l'amliorer, un
systme de supervision peut tre une solution pour limiter les pertes de productions et
amliorer les performances des installations. Dans ce travail, nous nous intressons la
ralisation, au test et la mise en place d'un systme d'acquisition de mesures d'installations
solaires PV. Ainsi, ces mesures vont amener une dtection et une localisation des nombreux
dfauts existants.
L'objectif de cette thse est donc de raliser un systme d'information, de conduite et de
supervision des installations photovoltaques tout en respectant des contraintes conomiques.
Une analyse nergtique d'une installation PV a permis de s'intresser aux pertes au niveau du
gnrateur PV afin d'en identifier la nature. Pour cela, une modlisation de cellules silicium
de type polycristallin dans diffrents fonctionnements dfaillants, par exemple sous conditions
d'ombrage, a t effectue. Cette dmarche a t valide par des exprimentations sur site. A
partir de cette tude, une mthodologie de dtection et d'identification de dfauts est propose
et teste pour la dtection du dfaut d'ombrage.

Mots-clefs
Gnrateur photovoltaque, systme monitoring, modlisation, dtection et localisation de
dfauts temps rel, ombrage

Title
PV grid connected monitoring system and fault detection
Abstract
The electricity generated by the solar radiation has become increasingly expensive due to
many changes in the redemption price of photovoltaic (PV) electricity. Consequently, the
return on investment becomes longer. To improve this, a monitoring system can be a solution
to minimize the production losses and improve the plant performance. In this work, we focus
on the realization, testing and implementation of a monitoring system for solar PV
installations. Thus, these measures will lead to detection and localization of many existing
defects.
The objective of this thesis is to achieve an information system of controlling and monitoring
of photovoltaic installations while respecting the economic constraints . An energetic analysis
of a PV system has to focus on the losses in the PV generator to identify their nature . For
this, a model of polycrystalline silicon cells in different types faulty operations , for example
in terms of shading, has been completed. This approach has been validated by experiments on
site. From this study, a methodology for detection and identification of defects is proposed
and tested for the detection of the absence of shading.

Keywords
Photovoltaic generator, monitoring system, modeling, detection and localization real time
failure, shading
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