UNIVERSIDADE FEDERAL DO RIO GRANDE DO SUL

ESCOLA DE ENGENHARIA
DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

ENG04 447
ELETRNICA FUNDAMENTAL I-A

Turma B

RELATRIO DO LABORATRIO 6
Transistor de Juno Bipolar

GRUPO: Bruno Rodriguez Tondin - 161131

Matheus Moro Martins - 159466
Maurcio Kenji Yamawaki - 160966

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 SUMRIO

Lista de figuras.......................................................................................................................... 3

Lista de smbolos........................................................................................................................4

Introduo..................................................................................................................................5

DESCRIO DO EXPERIMENTO........................................................................................6

Regies de operao do TJB-NPN.............................................................................................6

Polarizao do TJB NPN e PNP...............................................................................................11

RESULTADOS........................................................................................................................15

CONCLUSO.........................................................................................................................18

BIBLIOGRAFIA.....................................................................................................................19

2
 LISTA DE FIGURAS

- Figura 1 Circuito (1), circuito contendo um transistor NPN polarizado.

- Figura 2 Topologia do transistor NPN mostrando suas correntes e tenses.

- Figura 3 Circuito simplificado do Circuito (1).

- Figura 4 Circuito simplificado do Circuito (1).

- Figura 5 Circuito simplificado do Circuito (1), usado na regio de saturao.

- Figura 6 Comparao da representao topolgica do transistor com o componente real.

- Figura 7 Circuito (2), circuito contendo 1 transistor NPN (Q1) e 1 transistor PNP (Q2).

- Figura 8 Simplificao para a anlise do Circuito (2).

- Figura 9 Simplificao para a anlise do Circuito (2).

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 LISTA DE SMBOLOS

V Tenso em Volts
A Corrente em Amperes
- Resistncia eltrica em Ohm

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INTRODUO

Neste laboratrio teremos o primeiro contato real com um dos componentes mais
importantes da eletrnica, o transistor de juno bipolar.
Apesar de vermos apenas aplicaes bsicas dos transistores, de suma importncia o
bom entendimento de seu funcionamento na situao de polarizao. e suas regies de
atuao. Para que assim, mais adiante, poder ver suas utilidades em projetos mais complexos.

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DESCRIO DO EXPERIMENTO

1. Regies de operao do TJB-NPN.

1.1 Devemos considerar o seguinte circuito:

(Figura 1)

Os valores de R2, R4 e R5 so fixos (1k; 1,2k; e 2,7k) respectivamente.

R1 e R3 variam seus valores conforme a tabela:

(Tabela 1)

1.2 Terico:
Para cada uma das cinco situaes, devemos calcular o ponto quiescente (ICQ, VCEQ) do
transistor, identificar a regio de operao (ativa, corte ou saturao) e preencher a tabela:

6
 (Tabela 2)

Devemos considerar os valores estimados: VBEQ=0,6V e =200.

Analisando o circuito:

O transistor NPN possui a seguinte topologia:

(Figura 2)

Vamos analisar o circuito da figura 1, supondo que o transistor est operando na regio
ativa. Para tanto, necessrio que a juno B-E esteja polarizada diretamente com uma tenso
suficiente para que haja corrente na BASE. Neste caso, adotamos IC = xIB.

(Figura 3)

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 Fazemos um equivalente Thvenin dos resistores R1 e R2, onde:

R2
V TH =V CC
R 1+ R 2

RTH =R 2 / R 2

Para encontrar IBQ, fazemos uma reflexo do resistor R4:

(Figura 4)

V TH V BEQ
I BQ=
R1 / R 2+ R 5 + R4 (1+ )

I CQ = I BQ

I EQ= (1+ ) I BQ

Para encontrar VCEQ, vide figura 3, usamos ICQ e IEQ.

V CEQ =V CCI CQ R3I EQ R 4=V CC I BQ R3I BQ ( 1+ ) R 4

V CEQ =V CCI BQ [ R 3+(1+ ) R 4 ]

V TH <0,6 V
Caso o circuito esteja operando na regio de CORTE, ou seja, , por
I BQ=0.
definio,

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 Caso o circuito opere na regio de SATURAO, a relao xIB no vlida. Deve-se
fazer uma nova anlise, que segue:

(Figura 5)
V CEQ =0
O modelo adotado o da figura acima. Por definio, .

Malha 1:
V TH + I BQ [ ( R1 / R2 ) + R5 ] +V BE+ ( I BQ + I CQ ) R 4=0

Malha 2:
V CC + I CQ R3 + ( I BQ + I CQ ) R 4 =0

( R3 + R4 ) ICQ =V CC I BQ R 4

Igualando as duas equaes de malha.

V TH + I BQ [ ( R1 / R2 ) + R5 ] +V BE+ ( I BQ + I CQ ) R 4=V CC + I CQ R 3+ ( I BQ+ I CQ ) R4

Isolando IBQ:
V V CCV BE + I CQ R3
I BQ= TH
( R 1 / R2 ) + R 5

Substituindo na equao da malha 2:

V TH V CCV BE + I CQ R3
(R3 + R4 ) I CQ =V CCI BQ R 4=V CC R4
( R 1 / R 2) + R 5

V
( TH V CC V BE + I CQ R 3) R 4

[ ( R3 + R 4 ) I CQV CC ] [( R 1 / R2 ) + R 5]=
9
 V
( TH V CCV BE) R 4
[ ( R3 + R 4 ) I CQV CC ] [( R 1 / R2 ) + R 5]+ I CQ R3 R4 =

Isolando ICQ:
( V CC +V BE V TH ) R 4 +V CC [ ( R1 /R 2 ) + R5 ]
I CQ =
(R3 + R4 ) [(R 1 / R 2)+ R5 ]+ R3 R 4

1.3 Experimental:

Neste item, montamos no protoboard o circuito da figura 1 para cada situao de R1 e

R3 e medimos o que pedido preenchendo a tabela:

(Tabela 3)

Para fazer a montagem foi usado o transistor C548C.

Vale a pena ressaltar a forma de como so dispostos os terminais do transistor, fazendo
uma anlise do topotolgico para o real:

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 (Figura 6)

VBEQ e VCEQ medido com o voltmetro nos terminais do transistor.

IBQ medido fazendo a relao:

V R5
I BQ=
R5

Uma pergunta interessante seria:

No poderamos medir a corrente de base colocando o multmetro na posio de
ampermetro e pondo ele em srie com resistor R5?

A resposta : melhor no, pois por melhor que seja o ampermetro, ele nunca ter
uma resistncia totalmente nula, de modo que ira interferir na malha B-E e consequentemente
na polarizao. Portanto melhor medir a tenso VR5 e fazer a relao.

ICQ e IEQ so obtidos fazendo a relao:

V R3
I CQ =
R3

V R4
I EQ=
R4

Onde VR3 e VR4 so medidos com o voltmetro.

O valor de estimado calculado por:

I CQ
estimado=
I BQ

2 Polarizao do TJB NPN e PNP.

2.1 Agora consideramos o circuito a seguir:

11
 (Figura 7)

Devemos calcular o ponto Q (ICQ e VCE) dos dois transistores usando as estimativas:
VBEQ(NPN) = VEBQ(PNP) = 0,6V e =200.

Comeamos pelo transistor Q1, fazendo o equivalente Thvenin de R1 e R2 e refletindo

R4, na figura 8.

(Figura 8)

V CC R 2
V TH =
R2 + R1

RTH =R 1 / R 2

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 V TH V BEQ1
I BQ 1=
R TH + R4 (1+ )

I CQ 1=I BQ 1

I EQ 1 I CQ1

(Figura 9)

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 Supondo que IBQ2 seja desprezvel, na ordem de A, adotamos IR3 = ICQ1.

V E 1=I E 1 R4

V R 3=I R 3 R3

V CEQ 1=V CCV R 3V E 1

V R 5=V R 3V EBQ 2

VR5
I EQ 2=
R5

I CQ 2 I EQ 2

I CQ 2
I BQ 2=

V C 2=I CQ2 R6

V ECQ 2=V CC V R 5V C 2

V E 1=I E 1 R4

V R 3=I R 3 R3

V CEQ 1=V CCV R 3V E 1

2.2 Montamos o circuito da Figura 7 no protoboard. Para Q1 utilizamos o transistor C548C,

para Q2 o C558B.

Agora devemos medir o ponto Q (ICQ1 ; ICQ2 e VCEQ1 ; VECQ2), e compar-los com os
valores tericos obtidos em 2.1.

Para determinarmos ICQ1 basta medirmos a tenso no resistor R3 e aps fazer a relao:

V R3
I CQ 1=I R 3 =
R3

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 Pois sabemos que o valor de ICQ1 IR3, j que estamos considerando as correntes de
base IB 0.

Logo, para determinar ICQ2 podemos usar qualquer uma das relaes:

V R5
I R 5=
R5

ou

V R6
I R 6=
R6

J que ICQ2 IR5 IR6.

Para VCEQ1 e VECQ2 fazemos as medidas com as ponteiras do voltmetro nos terminais
dos transistores mesmo.

2.3 Para determinar a regio de operao do transistor, devemos ver primeiramente se

VCEQ1 e VECQ2 so positivos (a juno B-E deve estar polarizada diretamente). Pois assim o
transistor estar na regio ativa, onde foram feitas nossas suposies para os clculos.

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RESULTADOS

1.2 Supondo que o transistor esteja atuando na regio ATIVA,foram aplicadas as

equaes e obtida a tabela 4:

R1() R3() VTH(V) IBQ(A) ICQ(mA) IEQ(mA) VCEQ(V)

1 6,8k 2,2k 3,41 11,51 2,30 2,31 4,16
2 100k 2,2k 0,32 -1,16 -0,23 -0,23 12,79
3 1,8k 2,2k 7,2 27,13 5,43 5,45 -6,48
4 6,8k 100 3,41 11,51 2,30 2,31 8,99
5 6,8k 10k 3,41 11,51 2,30 2,31 -13,80
(Tabela 4)

Nota-se que, no caso 2, as correntes encontradas foram todas negativas. Nota-se,

tambm, que o valor de VTH inferior ao valor de VBEQ, o que deixa o transistor em CORTE.
I =0
Fazendo nova anlise, tomando BQ , obtemos os seguintes valores:

R1() R3() VTH(V) IBQ(A) ICQ(mA) IEQ(mA) VCEQ(V)

2 100k 2,2k 0,32 0 0 0 12
(Tabela 5)

J nos casos 3 e 5, o valor de VCEQ encontrado foi negativo. Conclui-se que o transistor
est na regio de SATURAO.

Fazendo os clculos usando as equaes do transistor na regio de SATURAO,

obtemos os seguintes valores:

R1() R3() VTH(V) IBQ(A) ICQ(mA) IEQ(mA) VCEQ(V)

3 1,8k 2,2k 7,2 2012 3,53 5,54 0
5 6,8k 10k 3,41 680 1,07 1,75 0
(Tabela 6)

1.3 A tabela com os valores medidos fica:

Experimental

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 R1() R3() VBEQ(V) VCEQ(V) ICQ(mA) IBQ(A) IEQ(mA) estimado
6,8k 2,2k 0,65 4,31 2,24 8 2,25 279,55
100k 2,2k 0,31 11,88 0 0 0 -
1,8k 2,2k 0,7 20m 3,20 790 4 4,06
6,8k 100 0,64 8,95 2,2 7,6 2,24 289,47
6,8k 10k 0,67 15m 1,02 350 1,37 2,91
(Tabela 7)

E a tabela com todos os valores:

Terico Experimental
R1( R3( VTH(V) IBQ(A) ICQ(mA) IEQ(mA) VCEQ(V) Regi VBEQ(V) VCEQ(V) ICQ(mA) IBQ(A) IEQ(mA) estimado
) ) o
6,8k 2,2k 3,41 11,51 2,30 2,31 4,16 Ativa 0,65 4,31 2,24 8 2,25 279,55
100k 2,2k 0,32 0 0 0 12 Corte 0,31 11,88 0 0 0 -
1,8k 2,2k 7,2 827,84 3,24 4,07 0 Satur. 0,7 20m 3,20 790 4 4,06
6,8k 100 3,41 11,51 2,30 2,31 8,99 Ativa 0,64 8,95 2,2 7,6 2,24 289,47
6,8k 10k 3,41 380,82 1,03 1,41 0 Satur. 0,67 15m 1,02 350 1,37 2,91
(Tabela 8)

2.1 Calculo do ponto Q para os dois transistores:

V CC R 2 12 2,7 k
V TH = = =2,55V
R2 + R1 2,7 k +10 k

RTH =R 1 / R 2=10 k / 2,7 k =2,13 k

V TH V BEQ1 2,550,6
I BQ 1= = =9,6 A
R TH + R4 (1+ ) 2,13 k +(1+ 200)1 k

I CQ 1=I BQ 1 =9,6 200=1,93 mA

I EQ 1 I CQ1=1,93 mA

V R 5=V R 3V EBQ 2 =3,470,6=2,87 V

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 V R 5 2,87
I EQ 2= = =10,6 mA
R5 270

I CQ 2 I EQ 2=10,6 mA

I CQ 2 10,6 m
I BQ 2= = =53,1 A
200

V C 2=I CQ2 R6 =10,6 m 470=4,98 V

V ECQ 2=V CC V R 5V C 2=122,874,98=4,15V

2.2 Os valores medidos ficaram:

3,42
I CQ 1=I R 3 = =1,9 mA
1,8 K
V CEQ1=6,6V

2,62
I CQ 2=I R 5 = =9,7 mA
270

V ECQ 2=4,59V

Podemos fazer uma comparao entre o valor terico e prtico e calcular o erro
absoluto:

Terico Experimental Erro(%)

ICQ1(mA) 1,93 1,9 1,6
VCEQ1(V) 6,6 6,6 0
ICQ2(mA) 10,6 9,7 11,5
VECQ2 (V) 4,15 4,59 9,6
(Tabela 9)

2.3 Ambos transistores esto operando na regio ativa, pois VCE1 e VEC2 so maiores do
que zero (6,6V e 4,59V), logo a juno B-E esta polarizada diretamente, e com uma tenso
suficiente para que haja corrente na BASE.

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CONCLUSO

Laboratrio muito proveitoso, pois podemos ter o primeiro contato real com o
transistor, calcular valores de valores de circuitos com ele presente e comparar com o valor
real. Embora ns tivssemos alguns erros mais significativos, chegando a um erro absoluto
11,5%, este valor ainda est bem razovel e dentro do contexto, pois no h muita preciso
nos instrumentos de medida utilizados neste laboratrio.
Tambm foi bom ver o transistor operando em diferentes regies (ativa, corte e
saturao), saber o que necessrio para que ele esteja em cada uma destas regies e tambm
como ele se comporta em cada uma.
Acreditamos que estes conhecimentos adquiridos, apesar de bsicos, so muito
importantes, para mais tarde ver outras finalidades mais complexas deste componente.

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BIBLIOGRAFIA

[1] Adel S. Sedra, Kenneth C. Smith. Microeletrnica 5 Edio So Paulo: Pearson

Prentice Hall, 2007.

[2] http://chasqueweb.ufrgs.br/~hklimach/; acesso em 16/05/2010.

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