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ESCOLA DE ENGENHARIA
DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA
ENG04 447
ELETRNICA FUNDAMENTAL I-A
Turma B
RELATRIO DO LABORATRIO 8
Excurso de Sinal de Sada
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SUMRIO
Lista de figuras.......................................................................................................................... 3
Lista de smbolos........................................................................................................................4
Introduo..................................................................................................................................5
DESCRIO DO EXPERIMENTO........................................................................................6
RESULTADOS........................................................................................................................15
CONCLUSO.........................................................................................................................18
BIBLIOGRAFIA.....................................................................................................................19
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LISTA DE FIGURAS
- Figura 7 Circuito (2), circuito contendo 1 transistor NPN (Q1) e 1 transistor PNP (Q2).
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LISTA DE SMBOLOS
V Tenso em Volts
A Corrente em Amperes
- Resistncia eltrica em Ohm
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INTRODUO
Neste laboratrio teremos o primeiro contato real com um dos componentes mais
importantes da eletrnica, o transistor de juno bipolar.
Apesar de vermos apenas aplicaes bsicas dos transistores, de suma importncia o
bom entendimento de seu funcionamento na situao de polarizao. e suas regies de
atuao. Para que assim, mais adiante, poder ver suas utilidades em projetos mais complexos.
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DESCRIO DO EXPERIMENTO
(Figura 1)
VBE = 0,6V
tpico do manual
ICQ = 1,5mA
Conforme visto em aula, podemos plotar um grfico em que no eixo das abscissas
teremos os valores de VCE e no eixo das ordenadas os valores de iC. E logo aps traar uma
reta formada pelos vrios pontos onde o transistor pode operar no circuito em questo. Esta
reta chamada reta de carga.
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Teremos a Mxima Excurso de Sinal simplesmente quando o ponto quiescente do transistor
estiver bem no centro da reta de carga, conforme a figura abaixo:
(Figura 2)
Portanto, com os valores que j temos, podemos plotar em papel milimetrado o incio
do desenho do grfico:
(Figura 3)
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Como VO diferente de VCE pelo fato de estar com sua referncia no ground, temos que plotar
um grfico que relacione VO com IC. Estes se comportam segundo a equao da malha
destacada na figura A:
V O=V CCI CQ . R3
(Figura A)
(Figura 6)
Chegamos expresso:
12=I CQ . R3 +V CE + I EQ .(R 4 + R5 )
I CQ I EQ
Com = .
+1
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I CQ I EQ
Como o desse transistor bastante alto podemos considerar simplificando a
equao. Portanto:
12=I CQ . R3 +V CE + I CQ .(R 4 + R5 )
Isolando-se R3:
12V CE
R3= ( R 4 + R5 )
I CQ
(Figura)
(Figura)
1800. R 1 I CQ
12.1800
=
(
R ! +1800 1800+ R1
.
)( )
+0,6 + I CQ .(R4 + R5 )
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Utilizaremos a ferramenta numrica da calculadora HP 50G para resolver esta equao de
forma mais simplificada.
VO
AV =
VI
RESPOSTAS
V CEMX
V CEQ =
2
Logo:
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V CEQ = =6 V
2
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(Figura 4)
Agora j possumos dois pontos da reta de carga (VCEMX e QMES) o que j suficiente
para encontrarmos toda a reta de carga:
(Figura 5)
CONCLUSO
Laboratrio muito proveitoso, pois podemos ter o primeiro contato real com o
transistor, calcular valores de valores de circuitos com ele presente e comparar com o valor
real. Embora ns tivssemos alguns erros mais significativos, chegando a um erro absoluto
11,5%, este valor ainda est bem razovel e dentro do contexto, pois no h muita preciso
nos instrumentos de medida utilizados neste laboratrio.
Tambm foi bom ver o transistor operando em diferentes regies (ativa, corte e
saturao), saber o que necessrio para que ele esteja em cada uma destas regies e tambm
como ele se comporta em cada uma.
Acreditamos que estes conhecimentos adquiridos, apesar de bsicos, so muito
importantes, para mais tarde ver outras finalidades mais complexas deste componente.
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BIBLIOGRAFIA
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