PROBLEMA 1 (25%) +

Los dos MOSFETS en este circuito son idnticos. Sus parmetros relevantes son K = 3 mA/V2, VT = 0.75 V,
y VA = 30 V. Tambin se requiere que los MOSFETs sean polarizados con VOV mayor que 0.1 V para que se
encuentren en conduccin de manera adecuada. La fuente de corriente es IBIAS = 95 uA.
(a) Determinar el valor de RL de manera que vOUT = 3 V, cuando vIN = 0V.
RL = __________ (6.25%)
(b) Determinar los voltajes compuerta-a-fuente en cada MOSFET, VGS1 y VGS2, cuando vIN = 0 V.
VGS1 = _______; VGS2 = _______ (6.25%)
(c) Derivar una expresin para la ganancia de voltaje, AV = vout/vin, cuando ambos transistores estn operando
en las regiones activas
AV (expresin) =____________; AV (valor) =____________ (6.25%)
(d) Determinar el rango de valores de vOUT para el cual la expresin de AV derivada en el literal (c) es vlida.
_______ V < VOUT < _______ V (6.25%)

PROBLEMA 2. (50%)
En cada uno de los literales d (25%), b (12.5%), f (12.5%). Calcular la ganancia en la banda media y fH.
Sean hFE = 175, Cu = 3 pF y fT = 350 MHz. VA = 125 V. Las fuentes de corriente son ideales.

d)AM = __________________; fH = _________________

b) AM = __________________; fH = _________________
f) AM = __________________; fH = _________________
PROBLEMA 3 (25%) +

Vtn = 0.9V, kn= 110 uA/V2; VAn = 80 V.

|Vtp|= 0.9V, kp= 55 uA/V2; Vap = 80 V.
Los tamaos de los dispositivos son los siguientes:
M1 = M5 = M9 = 8.5/1
M4 = M8 = 8.5/1
M3 = M6 = M7 = 50/1
M2 = M10 = 17/1
M11= M12 = 25/1
M13 =

a) Enumerar los transistores que realizan las funciones siguientes:

Amplificador de seal ________________
Fuente o sumidero de corriente ____________
Referencia de Voltaje (para mantener nodos a tensin DC constante) ________________
(4%)
b) Determinar VBIAS (4%)
c) Si Io = 200 uA, cual es la relacin de geometras W/L para M13? (4%)
d) Estimar la ganancia de voltaje en el punto x (vx/vs) (13%)
PROBLEMA 1 (30%) ++

Los dos MOSFETS en este circuito son idnticos. Sus parmetros relevantes son K = 1.5 mA/V2, VT = 0.6 V,
y VA = 25 V. Tambin se requiere que los MOSFETs sean polarizados con VOV mayor que 0.1 V para que se
encuentren en conduccin de manera adecuada. La fuente de corriente es IBIAS = 110 uA.
(a) Determinar el valor de RL de manera que vOUT = 2.5 V, cuando vIN = 0V.
RL = __________ (7.5%)
(b) Determinar los voltajes compuerta-a-fuente en cada MOSFET, VGS1 y VGS2, cuando vIN = 0 V.
VGS1 = _______; VGS2 = _______ (7.5%)
(c) Derivar una expresin para la ganancia de voltaje, AV = vout/vin, cuando ambos transistores estn operando
en las regiones activas
AV (expresin) =____________; AV (valor) =____________ (7.5%)
(d) Determinar el rango de valores de vOUT para el cual la expresin de AV derivada en el literal (c) es vlida.
_______ V < VOUT < _______ V (7.5%)

PROBLEMA 2. (40%)
En cada uno de los literales d (20%), e (10%), c (10%). Calcular la ganancia en la banda media y fH.
Sean hFE = 225, Cu = 1.5 pF y fT = 300 MHz. VA = 105 V. Las fuentes de corriente son ideales.

d)AM = __________________; fH = _________________

b) AM = __________________; fH = _________________
f) AM = __________________; fH = _________________
PROBLEMA 3 (30%) +

Vtn = 1.1V, kn= 90 uA/V2; VAn = 80 V.

|Vtp|= 1.1 V, kp= 45 uA/V2; VAp = 80 V.
Los tamaos de los dispositivos son los siguientes:
M1 = M5 = M9 = 8.5/1
M4 = M8 = 8.5/1
M3 = M6 = M7 = 50/1
M2 = M10 = 17/1
M11= M12 = 25/1
M13 =

a) Enumerar los transistores que realizan las funciones siguientes:

Amplificador de seal ________________
Fuente o sumidero de corriente ____________
Referencia de Voltaje (para mantener nodos a tensin DC constante) ________________
(5%)
b) Determinar VBIAS (5%)
c) Si Io = 200 uA, cual es la relacin de geometras W/L para M13? (5%)
d) Estimar la ganancia de voltaje en el punto x (vx/vs) (15%)