Apostila EA 1 Diodos 2014 PDF

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Fundamentos e Guias de Aulas Prticas Ensino Tcnico
Volume 1 - DIODOS
PROF. ANDR BARROS DE MELLO OLIVEIRA
LED diode
CAMPUS VARGINHA EDIO 2014
i
Campus Varginha
Av. dos Imigrantes, 1000. Bairro Vargem. Varginha MG. CEP: 37.022-560.
Telefone: (35) 3690 4200. Homepage: http://www.varginha.cefetmg.br
ii Eletrnica Analgica Fundamentos e Guias de Aulas Prticas

Prefcio
Este texto oferece um material bsico de referncia para as aulas tericas e prticas da disciplina Eletrnica
Analgica e de Potncia, do Curso Tcnico de Mecatrnica.
Para o bom aproveitamento deste material, foi pensada e posta em prtica uma sequencia que possibilita a
consolidao dos conceitos tericos atravs da leitura dos tpicos, dos exemplos resolvidos e da resoluo de
problemas e exerccios, incluindo exerccios de simulao. Alm disso, foram inseridos vrios guias de aulas prticas
(para trabalhos em grupos de at cinco alunos).
Este volume apresenta a teoria e as aplicaes dos principais diodos semicondutores: diodo retificador, diodo
LED e diodos zener. So apresentadas tambm vrias simulaes, atravs do PSpice, um software consagrado
utilizado por engenheiros, pesquisadores, professores e estudantes no mundo inteiro.
Vale salientar que o presente texto no deve substituir a literatura tcnica da rea, pois as referncias
bibliogrficas so, alm de base desta obra, muito enriquecedoras em aspectos tericos e prticos. O bom aluno deve
sempre ler e pesquisar os assuntos referentes a esta disciplina do curso nos excelentes livros editados em portugus,
alm de apostilas e tutoriais disponveis na Internet.
Pede-se a compreenso dos alunos e professores pelos eventuais erros. Assim sendo, so imensamente bem-
vindas as crticas, sugestes e correes, que certamente contribuiro para a melhoria deste material didtico, que
brevemente, poder se transformar em livro.
Varginha, abril de 2014.
Professor Andr Barros de Mello Oliveira.

E-mail: mellogalo@gmail.com
CEFET-MG. Campus Varginha. Curso Tcnico de Mecatrnica. Edio 2014. iii

Agradecimentos
Em primeiro lugar, agradeo a Deus pelo dom da vida e por ter me proporcionado sade e vontade para
realizar este trabalho.
Agradeo aos professores Mrcio Silva Baslio, diretor geral do CEFET-MG, Gilze Belm Chaves Borges,
diretora do Campus Varginha e Wanderley Xavier Pereira, coordenador do curso tcnico de Mecatrnica, pelo
constante incentivo para a produo de um material didtico de qualidade.
Agradeo ao tcnico de laboratrio da rea Eletroeletrnica, Antnio Carlos Borges, pelo constante apoio
durante a elaborao de vrias aulas prticas e tambm aos alunos das disciplinas Circuitos Eltricos e Eletrnica
Analgica e de Potncia, pelas dicas de melhoria das transparncias e guias de aulas prticas, material de base para
este texto.
Por ltimo, um agradecimento especial Grfica do CEFET-MG, localizada no Campus I, em Belo
Horizonte, que sempre nos atendeu com timos servios de impresso e encadernao, sempre dentro do prazo.
Andr Barros.
iv Eletrnica Analgica Fundamentos e Guias de Aulas Prticas

BIOGRAFIA
Andr Barros de Mello Oliveira nasceu em Belo Horizonte, Minas Gerais, em 17 de julho de 1969. Formou-se em
Engenharia Industrial Eltrica pelo Centro Federal de Educao Tecnolgica de Minas Gerais (CEFET-MG), em
dezembro de 1992. Obteve o ttulo de Mestre em Engenharia Eltrica pela Universidade Federal de Minas Gerais
(UFMG), em dezembro de 1998, na rea de Eletrnica de Potncia. Atuou como professor em Escolas de formao
tcnica em Belo Horizonte, como o SENAI, a Utramig, o SESI e o CEFET-MG, at 2001. De 2001 a 2006 foi
professor/pesquisador nos cursos de Engenharia de Telecomunicaes e de Engenharia Eltrica do Centro
Universitrio de Belo Horizonte (Uni-BH). Desde outubro de 2006 professor do CEFET-MG em Varginha, tendo
atuado nos cursos tcnicos de Informtica Industrial e Mecatrnica, at 2009. Atualmente professor no curso
tcnico de Mecatrnica, onde, alm de ministrar aulas, vem orientando alunos nos programas de Iniciao Cientfica
e de Estgio Supervisionado.
CEFET-MG. Campus Varginha. Curso Tcnico de Mecatrnica. Edio 2014. v

Lista de alguns termos e siglas da rea Eletroeletrnica
A - Abbreviation for "ampere" a unit of electrical current.

ABNT Associao Brasileira de Normas Tcnicas. rgo responsvel pela normalizao tcnica no Brasil,
fornecendo a base necessria ao desenvolvimento tecnolgico brasileiro. Trata-se de uma entidade privada e sem fins
lucrativos e de utilidade pblica, fundada em 1940.
AC/DC - Equipment that will operate on either an AC or DC power source.
AC generator - Device used to transform mechanical energy into AC electrical power.
AC voltage - A voltage in which the polarity alternates.
AC Alternating Current. Polarity current moving from positive to negative.
Amplitude - the strength of an electronic signal.
AOP ou Amp-Op Amplificador Operacional.
ANSI American National Standards Institute, Instituto de normas dos Estados Unidos que publica recomendaes e
normas em praticamente todas as reas tcnicas.
AWG - Abbreviation for "American wire gauge". A gauge that assigns a number value to the diameter of a wire.
Beta - (b) The ratio of collector current to base current in a bipolar junction transistor (BJT).
Bipolar junction transistor - (BJT), A three terminal device in which emitter to collector current is controlled by base
current.
BJT Bipolar Junction Transistor.
CA Corrente Alternada.
CAD - Abbreviation for "computer aided design"
Center TAP - Midway connection between the two ends of a winding.
Center tapped rectifier - Circuit that make use of a center tapped transformer and two diodes to provide full wave
rectification.
Center tapped transformer - A transformer with a connection at the electrical center of a winding.
CC Corrente Contnua.
DC Direct Current (corrente contnua).
Direct Current / DC - consistent current that moves in one direction.
Earth - a source that grounds the rest of the electronics.
Farad - a unit of measurement used with capacitance.
GND de Ground (terra). Potencial de referncia de um circuito eltrico, tomado como nvel zero (0 V).
IEEE Institute of Electrical and Electronics Engineers (Instituto de Engenheiros Eletricistas e Eletrnicos)
LCD Liquid Cristal Display (Tela de Cristal Lquido)
LDR Light Dependent Resistor
LED - Light Emitting Diode (diodo emissor de luz)
MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor.
- Rendimento.
Op-Amp Operational amplifier.
RMS Root Mean Square (valor mdio quadrtico).
RPM (ou rpm) Rotaes por minuto.
TJB - transistor (ou transistor) de juno bipolar.
VCC Tenso Contnua (o mesmo que VDC).
RMS - acronym meaning Root Mean Squared.
Volt - unit measuring electromotive force.
Watt - unit measuring power.
Fontes:
1) Glossary / Dictionary of Electronics Terms, em http://www.hobbyprojects.com/dictionary/a.html
2) Glossary of Electronic Terms - http://www.datarecoverylabs.com/electronic-glossary.html
3) Electronic Engineering Electronic - http://www.interfacebus.com/Glossary-of-Terms.html
INTERESSANTE!
http://www.linguee.com.br/ingles-portugues/traducao/electrical+diagram.html
vi Eletrnica Analgica Fundamentos e Guias de Aulas Prticas

Alfabeto Grego
Nome
Maisculas Minsculas
Clssico
Prefixos SI*
A Alfa
Fator Prefixo Smbolo
B Beta 10-3 mili m
Gamma 10-6 micro
Delta 10-9 nano n
E Epsilon 10-12 pico p
Z Zeta 103 quilo k
H Eta 106 mega M
Theta 109 giga G
I Iota 1012 tera T
K Kappa
* SI: Sistema Internacional de Unidades, um conjunto sistematizado e padronizado de
Lambda definies para unidades de medida, utilizado em quase todo o mundo moderno, que
M Mu visa a uniformizar e facilitar as medies e as relaes internacionais da decorrentes.
N Nu Fonte: http://pt.wikipedia.org/wiki/Sistema_Internacional_de_Unidades
Xi (ksi)
O Omicrn
Pi
P Rho
Sigma
T Tau
Y Upsiln
Phi
X Chi
Psi
mega Fonte: http://itp.nyu.edu/physcomp/uploads/arduino_bb_pot_transistor_motor_diode.png
"Escola de Atenas", Rafael Sanzio. Retrata filsofos gregos e personalidades da poca do pintor.
Fonte: http://www.drsa.com.br/wp-content/uploads/2010/10/escola_atenas_rafael.jpg.
CEFET-MG. Campus Varginha. Curso Tcnico de Mecatrnica. Edio 2013. vii

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viii Eletrnica Analgica Fundamentos e Guias de Aulas Prticas Volume 1 - DIODOS

SUMRIO
Captulo 1 Diodos: caractersticas, operao, circuitos e aplicaes ................................................................... 11
1.1 - Histrico da Eletrnica (Fatos Relevantes) ..................................................................................................... 11
1.2 Diodos: caractersticas construtivas e operao ............................................................................................ 15

1.2.1 Condutores e Semicondutores ................................................................................................................. 15
1.2.2 Estrutura Cristalina .................................................................................................................................. 16
1.2.3 Alterao das propriedades eltricas de um material semicondutor ........................................................ 19
1.2.4 Materiais Extrnsecos - Tipos p e n ......................................................................................................... 20
1.2.5 - Fluxo de Eltrons x fluxo de Lacunas ...................................................................................................... 21
1.2.6 Juno PN: a construo do diodo ........................................................................................................... 22
1.2.7 Curva Caracterstica do diodo. Aproximaes e modelos ....................................................................... 24
1.2.8 Especificaes Tcnicas e Teste do Diodo .............................................................................................. 30
1.3 Portas Lgicas com Diodos ............................................................................................................................ 34

1.3.1 Porta Lgica E (AND) ............................................................................................................................. 34
1.3.2 Porta Lgica OU (OR) ............................................................................................................................. 34
1.4 Circuitos com Diodos ...................................................................................................................................... 37

1.4.1 Configuraes em SRIE ........................................................................................................................ 37
1.4.1.1 Anlise por Reta de Carga .................................................................................................................... 39
1.4.2 Configuraes em Paralelo e Mistas (srie-palarela)............................................................................... 42
1.5 Dispositivos Especiais ..................................................................................................................................... 44

1.5.1 Diodos LED e Display de 7 Segmentos .................................................................................................. 44
LR 1 - Leitura Recomendada: Por que uma lmpada de LED mais econmica? ............................................. 50
LR 2 - LED x Incandescente x Fluorescente ....................................................................................................... 50
Recommended Reading: Colours of LEDs. ......................................................................................................... 52
1.5.2 Sensores de Luz ....................................................................................................................................... 54
1.5.2.2 O Dispositivo Optoacoplador ............................................................................................................... 56
1.5.3 Sensores de Temperatura: NTC e PTC .................................................................................................... 56
1.6 Circuitos Retificadores (CA-CC) .................................................................................................................... 58

1.6.1 O Transformador ..................................................................................................................................... 59
1.6.2 Retificador de Meia-Onda (MO) ............................................................................................................. 60
1.6.3 - Retificador Monofsico de Onda-Completa (OC).................................................................................... 66
1.7 Projeto de Filtro Capacitivo em Retificadores ................................................................................................ 74

1.7.1 Filtro capacitivo em um retificador operao e parmetros .................................................................. 74
1.8 Circuitos Ceifadores e Grampeadores ............................................................................................................ 80

1.8.1 Ceifador tipo Srie ................................................................................................................................... 80
1.8.2 Ceifador tipo Paralelo .............................................................................................................................. 82
1.8.3 Circuitos Grampeadores .......................................................................................................................... 86
CEFET-MG. Campus Varginha. Curso Tcnico de Mecatrnica. Edio 2013. ix

1.9 Diodos Zener ................................................................................................................................................... 92
1.9.1 - Diodo Zener: conceito, simbologia e aplicaes ...................................................................................... 92
1.9.2 Topologias de Regulao de tenso com o diodo Zener .......................................................................... 93
Apndice I Listas de Exerccios e Prolemas (LEPs) .............................................................................................. 99
Apndice II Guias de Aulas Prticas .................................................................................................................... 112
Aula Prtica 1 Medio de Valores Caractersticos atravs do Osciloscpio Digital ....................................... 113
Aula Prtica 2 A Curva Caracterstica do Diodo Retificador (I x V) ................................................................ 118
Aula Prtica 3 Diodos LED e Display de 7 segmentos ........................................................................................ 123
Aula Prtica 4 Portas Lgicas com Diodos .......................................................................................................... 126
Aula Prtica 5 Retificador Monofsico de onda e de onda completa Carga R e RC ................................ 129
Aula Prtica 6 Circuitos Limitadores e Grampeadores de Tenso ................................................................... 134
Aula Prtica 7 Regulador de Tenso com Zener: operao e medies ............................................................ 137
Apndice III Plano de Ensino da Disciplina Eletrnica Analgica e de Potncia............................................. 140
Apndice IV A Matriz de Contatos (protoboard)................................................................................................. 143
Apndice V Cdigos de Cores de Resistores 4 e 5 Faixas ................................................................................ 145
Apndice VI Principais diodos ZENER - Parmetros ........................................................................................ 146
Apndice VII Anlise Computacional para Circuitos Eltricos e Eletrnicos ................................................. 148
Referncias Bibliogrficas ........................................................................................................................................ 150
x Eletrnica Analgica Fundamentos e Guias de Aulas Prticas Volume 1 - DIODOS

Captulo 1 Diodos: caractersticas, operao, circuitos e aplicaes
Captulo
1 Diodos: caractersticas, operao, circuitos e aplicaes
1.1 Histrico da Eletrnica (Fatos Relevantes). 1.2 Diodos: caractersticas construtivas e operao. 1.3 Portas lgicas com
diodos. 1.4 Circuitos com Diodos. 1.5 Dispositivos Especiais. 1.6 Circuitos Retificadores (CA-CC). 1.7 Projeto de Filtro
Capacitivo em Retificadores. 1.8 Circuitos ceifadores e grampeadores. 1.8 Diodos Zener.
1.1 - Histrico da Eletrnica (Fatos Relevantes)
A Eletrnica a cincia que estuda meios de controle da energia eltrica em diversos sistemas, com
o uso de tecnologias onde os semicondutores ocupam o papel principal. A Fig. 1 mostra alguns tipos de
diodos, que tm aplicaes em diversos circuitos, como em fontes de corrente e tenso contnuas (CC),
em sinalizadores de nvel (diodos LED ou emissores de luz) e outros.
Fig. 1 Tipos de Diodos, em encapsulamento discreto e integrado (em ponte).

Fonte: http://www.eletronicadidatica.com.br/componentes/diodo/diodos.png
No site do Wikipdia, v-se uma definio mais abrangente:
(...) podemos dizer que a eletrnica o ramo da cincia que estuda o uso de circuitos formados por
componentes eltricos e eletrnicos, com o objetivo principal de representar, armazenar, transmitir ou
processar informaes alm do controle de processos e servo mecanismos. Sob esta tica, tambm se pode
afirmar que os circuitos internos dos computadores (que armazenam e processam informaes), os sistemas
de telecomunicaes (que transmitem informaes), os diversos tipos de sensores e transdutores (que
representam grandezas fsicas - informaes - sob forma de sinais eltricos) esto, todos, dentro da rea de
interesse da Eletrnica.
Fonte: http://pt.wikipedia.org/wiki/Eletrnica.
Pode-se dividir a Eletrnica em dois formatos: analgica e digital. A Eletrnica Analgica, que
ser estudada neste texto, como o prprio nome diz, processa sinais eltricos analgicos, os quais tm
variao contnua em relao ao tempo. A sua representao mais caracterstica uma curva, como
mostra a Fig. 2.
Um sinal digital aquele onde h descontinuidade (valores discretos) no tempo e em amplitude
veja a Fig. 3. Este ltimo estudado na disciplina Sistemas Digitais e tem aplicaes diversas, como nos
microprocessadores e microcontroladores.
11
Fig. 2 Sinal Analgico. Fig. 3 Sinal Digital.
A seguir, a Tabela 1 apresenta alguns fatos histricos que contriburam para o desenvolvimento
da Eletrnica, com especial destaque para o surgimento do transistor.
aconselhvel ao leitor uma pesquisa na internet, onde se encontram diversos trabalhos a
respeito da evoluo da Eletrnica e dispositivos ver tambm como tema de pesquisa a histria da
computao.
Tabela 1 - Fatos marcantes para o desenvolvimento da Eletrnica.

Year Event
1895 Marconi first radio transmission
1904 Fleming Valve (Diode Vacuum Tube)
1907 Deforest Triode vacuum tube (Audion) Age of electronics begins
1905 TV demonstrated
1940 Radar developed during Word War II
1947
Bipolar transistors
invented by Bardeen,
Brattain & Shockley at
Bell Laboratories
1952 Commercial production of silicon bipolar transistors at Texas Instruments
1956 Bardeen, Brattain & Shockley receive Nobel Prize for invention of bipolar transistor
1958 Simultaneous development of the integrated circuit by Kilby (2000 Nobel Prize) at Texas
Instruments & Noyce and Moore at Fairchild Semiconductor
1961 First commercial digital IC available from Fairchild Semiconductor
1967 First Semiconductor RAM (64bits) discussed at the IEEE International Solid-Sate Circuits
Conference (ISSCC)
1968 Introduction of the first commercial IC operational amplifier the A 709 by Fairchild
Semicnductor
1971 Introduction of the 4004 microprocessor by Intel
1978 First 16 bit Microprocessor
12 Eletrnica Analgica Fundamentos e Guias de Aulas Prticas Volume 1 - DIODOS

A inveno da vlvula trodo em 1907, por Lee de Forest inaugura a era da Eletrnica.
Aperfeioando a vlvula dodo, inventada por Fleming poucos anos antes, Forest construiu o primeiro
dispositivo eletrnico capaz de amplificar tenses eltricas.
Segundo Newton Braga, entre as 10 invenes mais importantes do milnio, o transistor ocupa um
lugar de destaque (BRAGA, 2013). Se hoje temos computadores pessoais, telefones celulares, e muitos
outros equipamentos eletrnicos compactos e baratos graas inveno deste componente.
Reading
The transistor is the key active component in practically all modern electronics. Many consider it
to be one of the greatest inventions of the 20th century. Its importance in today's society rests on its
ability to be mass-produced using a highly automated process (semiconductor device fabrication) that
achieves astonishingly low per-transistor costs. The invention of the first transistor at Bell Labs was
named an IEEE Milestone in 20091.
As Figuras 4, 5, 6, 7 e 8 apresentam de modo grfico alguns dos fatos relatados na Tabela 1 - em

resumo -, a evoluo da vlvula at o CI, circuito integrado.
As vlvulas terminicas ou eletrnicas so hoje qualificadas como ultrapassadas, obsoletas,
volumosas e tambm grandes consumidoras de energia eltricas.
Mas elas ainda resistem em aplicaes especficas. No uso domstico, esto presentes em fornos de
microondas (magntron) e em televisores e monitores de vdeo (CRTs tubo de raios catdicos de
imagem). Este ltimo est perdendo o lugar para telas de cristal lquido (e de outros tipos como a de
LEDs). Tambm so usadas em equipamentos industriais, radares, transmissores de potncia etc.
Alm do volume e do consumo de energia para aquecimento, uma outra desvantagem das vlvulas
em relao aos semicondutores so as tenses altas que precisam para operar. O filamento aquecido
com tenso baixa (5V; 6,3V; 12V etc), mas a placa requer valores bem maiores. Valores tpicos para
aparelhos comuns esto na faixa de 100 a 300 V. Vlvulas de alta potncia requerem em geral alguns
milhares de volts.
Fonte: http://www.amplificadores.com.br
Fig. 4 Esquema da vlvula a triodo.
1
"Milestones: Invention of the First Transistor at Bell Telephone Laboratories, Inc., 1947". IEEE Global History Network. IEEE.
Retrieved 3 August 2011.
CEFET-MG. Campus Varginha. Curso Tcnico de Mecatrnica. Edio 2013. 13
1947 Bipolar Transistor
invented by Bardeen, Brattain & Shockley at
Bell Laboratories
1958
O primeiro CI, circuito
integrado, fabricado
pela Texas Instruments
Implementao do primeiro CI.
Fig. 5 A inveno do Transistor Bipolar, em 1947. Fig. 6 Diagrama esquemtico e montagem

do primeiro CI 1958.
Logic symbol for a

A 3-input RTL 2-input RTL NOR
NOR gate circuit gate circuit
1962
Resistor-transistor logic
(RTL) First IC with
wide acceptance in the
comercial market
Photomicrograh of a 3-input RTL NOR gate
Fig. 7 O primeiro CI disponvel no mercado porta lgica RTL.
Fig. 8 - Evoluo da Eletrnica: da vlvula at o circuito integrado.

Fonte: http://www.beatriceco.com/bti/porticus/bell/images/tube-trans_history.jpg

1.2 Diodos: caractersticas construtivas e operao
1.2.1 Condutores e Semicondutores
O modelo atmico de Bohr (devido ao cientista Niels Bohr) apresenta o tomo constitudo por:
ncleo (prtons + nutrons) e eletrosfera (eltrons em movimento) Fig. 9. Ex.: tomo de Silcio (Si),
com 14 eltrons orbitando em torno do ncleo, onde esto os 14 prtons e 14 nutrons.
Fig. 9 Representao do Modelo atmico de Bohr. Fonte:

http://www.gtcceis.anl.gov/images/photos/AtomNucleus.jpg.
Com base neste modelo, classificam-se os materiais eltricos em trs tipos (veja a Tabela 2):
Tabela 2 Tipos de materiais eltricos, de acordo com a resistividade (inverso da condutividade).

Condutor Semicondutor Isolante
Germnio (Ge): 50 .cm
Cobre: 10-6 .cm Mica: 10+12 .cm
Silcio (Si): 50 x 10 .cm
3
a) Condutor: material que sustenta um fluxo de carga, quando uma fonte de f.e.m. de amplitude limitada
aplicada a seus terminais. Apresentam um e- livre na ltima camada (camada de valncia2). A
resistividade nesse tipo de material muito baixa veja o conceito grfico de resistividade na Fig. 10
(BOYLESTAD e NASHELSKY, 2004).
R
l
l cm
1 cm R .cm 2
rea (A) A cm
A = 1 cm2 N eltrons
l = 1 cm
Fig. 10 Representao grfica da resistividade e condutividade (BOYLESTAD e NASHELSKY, 2004).

Copyright 2002 by Pearson Education, Inc. Upper Saddle River, New Jersey 07458. All rights reserved.
2
a ltima camada do tomo ou o ltimo nvel de uma distribuio eletrnica. Normalmente os eltrons pertencentes camada
de valncia so os que participam de alguma ligao qumica, pois so os mais externos.
Na qumica, valncia um nmero que indica a capacidade que um tomo de um elemento tem de se combinar com
outros tomos, capacidade essa que medida pelo nmero de eltrons que um tomo pode doar, receber, ou compartilhar de
forma a constituir uma ligao qumica.

b) Isolante: oferece um nvel muito baixo de condutividade sob a presso de uma fonte de tenso
aplicada. Apresentam 8 e- livres na ltima camada. Veja um exemplo de aplicao na Fig. 11 (cabos
eltricos).
Fig. 11 - Um cabo eltrico constitudo de condutores e isolantes.

Fonte: http://www.alofonextensao.com.br/Produto/Detalhe/9/Cabos-El%C3%A9tricos
c) Semicondutor: possui 4 e- livres na ltima camada. Exemplos de materiais semicondutores, utilizados

para a fabricao de dispositivos eletrnicos como transistores e circuitos e integrados: Silcio (Z = 14) e
Germnio (Z = 32), onde Z o nmero atmico do elemento (Tabela Peridica).
1.2.2 Estrutura Cristalina
1.2.2.1 Nveis de Energia e Ligaes Covalentes
O e- (eltron), no tomo, ao receber energia, salta para uma rbita mais externa (Fig. 12, nveis
discretos de energia em um tomo). A energia maior para as camadas mais externas. A Tabela 3 mostra
os nveis de energia com o nmero de eltrons para cada um. A energia (W) associada com cada eltron,
medida em eV (eltron-Volts) ver (1).
W = Q.V [eV] (1)
da: W = 1,6 x 10-19 C x 1 V W = 1,6 x 10-19 J (joule)
A Fig. 13 mostra os gaps (intervalos) entre os nveis discretos de energia. Estes nveis de energia
so associados a cada eltron em rbita. A Fig. 14 apresenta as bandas de conduo e de valncia em
materiais isolantes, semicondutores e condutores.
Tabela 3 Distribuio eletrnica por nvel de

e-
energia (modelo atmico de Bohr).
Nvel de Energia Nmero de
eltrons
K L M
N O P Q K 2
L 8
M 8 ou 18
Ncleo:
Prtons e
N 8, 18 ou 32
Nutrons O 8 ou 18
P 8 ou 18
Fig. 12 A Energia do eltron maior nos nveis mais externos. Q 8

Energy
Valance Level (outermost shell)

Energy gap
Second Level (next inner shell)
Energy gap
Third Level (etc.)
etc.
Nucleus
Fig. 13 - Nveis discretos nas estruturas atmicas isoladas (Boylestad e Nashelsky, 2004).
(a) (b) (c)

Fig. 14 (Boylestad e Nashelsky, 2004) - Bandas de conduo e de valncia de um isolante (a), semicondutor (b) e
condutor (c). Exemplos: Eg = 1,1 eV (Si). Eg = 0,67 eV (Ge). Eg = 1,41 eV (GaAs). Copyright 2002 by Pearson
Education, Inc. Upper Saddle River, New Jersey 07458. All rights reserved.
Finalmente, veem-se na Fig. 15 a estrutura atmica dos materiais semicondutores Germnio e

Silcio. Ambos possuem 4 eltrons de valncia, o que define as suas propriedades eletrnicas.
Fig. 15 - Estrutura Atmica do Germnio e do Silcio (Boylestad e Nashelsky, 2004). Copyright 2002
by Pearson Education, Inc. Upper Saddle River, New Jersey 07458. All rights reserved.
Apesar de as ligaes covalentes serem bastante fortes entre si (veja a Fig. 16), a agitao trmica
ou a incidncia de luz pode provocar a quebra de algumas ligaes, o que deixa, ento, o eltron livre

para conduo. O termo eltron livre diz respeito ao fato de que seus movimentos podem ser alterados
pela aplicao de um potencial eltrico, calor ou luz.
Fig. 16 Esquema de uma ligao covalente, a qual o resultado de foras atrativas e repulsivas.
Fonte: http://s3.amazonaws.com/magoo/ABAAAe5TcAH-1.jpg.
A Fig. 17 mostra as ligaes covalentes em um tomo de Si (4 e- na ltima camada). Na Fig. 18

so vistas: uma representao da estrutura cristalina para o tomo de Si e outro formato para ilustrar as
suas ligaes covalentes.
Para qualquer um dos quatro eltrons destes tomos de valncia igual a + 4, o potencial de
ionizao menor do que para qualquer outro na estrutura (BOYLESTAD e NASHELSKY, 2004).
Sempre que uma ligao covalente se rompe, surgem de modo simultneo, um eltron e uma lacuna. Se,
entretanto, um eltron preencher o lugar de uma lacuna, completa-se novamente uma ligao covalente e
este processo denominado de RECOMBINAO.
Como tanto os eltrons como as lacunas aparecem e desaparecem aos pares, pode-se afirmar que,
num cristal semicondutor puro, o nmero de eltrons livres sempre igual ao nmero de lacunas.
Fig. 17 - Exemplo de ligao covalente: tomos de Silcio.
(a) (b)
Fig. 18 - Outra representao da estrutura cristalina (a) e das ligaes covalentes (b) no elemento qumico Silcio.

Aplicaes do elemento qumico Silcio
Fonte: http://www.mspc.eng.br/quim1/quim1_014.asp
um dos elementos mais teis. Compostos como areia e argila so amplamente usados na
construo civil. Usado em refratrios para altas temperaturas. Silicatos so empregados na
fabricao de esmaltes. Slica a principal substncia do vidro.
um elemento importante para a vida animal e vegetal. Algas extraem slica da gua, para
formar as paredes das suas clulas. O esqueleto humano contm slica.
um importante ingrediente do ao. Por exemplo, o Carboneto de silcio (SiC) uma das
substncias mais duras e usado em abrasivos.
O Silcio puro com adio de traos de outros elementos como boro, glio, etc tm
propriedades semicondutoras, sendo amplamente aplicado em componentes eletrnicos.
Tambm usado em lasers.
Silicones so polmeros com cadeias de tomos de silcio e oxignio alternados e tm amplas
aplicaes industriais e medicinais em razo das suas propriedades eltricas e qumicas.
1.2.3 Alterao das propriedades eltricas de um material semicondutor
O Silcio e o Germnio podem ser fabricados em um nvel muito grande de pureza. Nveis de
impureza: 1/(10 x 109). Um semicondutor refinado (reduo do nvel de impurezas a um nvel muito
baixo) denominado Material Intrnseco.
A adio de uma parte de impureza do tipo adequado altera as propriedades eltricas destes
materiais. Tal processo denominado DOPAGEM (BOYLESTAD e NASHELSKY, 2004). feita a
insero proposital de impurezas na ordem de 1 para cada 106 tomos do cristal.
Como alterar as propriedades eltricas (condutividade) dos semicondutores? Atravs de:
1. mudanas na temperatura (energia trmica);

2. incidncia de luz (energia dos ftons) e
3. atravs da introduo de impurezas processo de dopagem.
Eltrons livres presentes naturalmente no material semicondutor (sem alterao de sua estrutura):
so chamados de portadores intrnsecos. Por ex.: na mesma temperatura, um material de Germnio
intrnseco apresenta em torno de 2,5 x 1013 portadores livres / cm3, 103 vezes mais que um de Silcio, o
que justifica que o Germnio seja melhor condutor.
Com o aumento da temperatura de um semicondutor,

ocorre um aumento significativo no nmero de e- livres. Os
eltrons de valncia adquirem energia trmica suficiente para
quebrarem as ligaes covalentes, resultando num aumento na
condutividade (veja a Fig. 19).
Os materiais semicondutores apresentam, portanto,
um coeficiente de temperatura negativo - ocorre a reduo da
Fig. 19 Formao de um eltron
resistncia com o aumento da temperatura. Nos metais livre com o aumento da energia
(condutores) acontece o oposto (coeficiente de temperatura trmica em um tomo de Silcio.
positivo).

1.2.4 Materiais Extrnsecos - Tipos p e n
Aps a dopagem de um material semicondutor, este denominado de material extrnseco.

Existem dois tipos de materiais extrnsecos:
1) Material tipo n
criado introduzindo-se os elementos de impureza que possuem 5 e- de valncia (pentavalentes).

Ex.: Antimnio, Arsnio e Fsforo veja a Fig. 20, onde foi utilizado como impureza o elemento
Antimnio.
5 eltron de
Valncia do
Antimnio
Dopagem pentavalente num

cristal de Silcio (com tomo
de Sb)
Fig. 20 Duas formas de representao da dopagem do tomo de Silcio com tomos pentavalentes (Boylestad e
Nashelsky, 2004). Copyright 2002 by Pearson Education, Inc. Upper Saddle River, New Jersey 07458. All rights
reserved.
O 5o. e- de valncia do Antimnio desassociado na ligao est relativamente livre para mover-se
dentro do material tipo n, resultando em aumento da condutividade. O Sb neste processo um material
DOADOR (doa 1 eltron). O Silcio com a impureza pentavalente chamado de semicondutor tipo n,
onde n est relacionado com negativo. O e- neste material chamado de portador majoritrio.
2) Material tipo p
construdo introduzindo-se os elementos de impureza com 3 e- de valncia. Ex.: Boro, Glio e

ndio - Fig. 21. A lacuna, ou buraco (ausncia de e-) resultante ir rapidamente aceitar um e- livre e tem
carga eltrica positiva, identificando o material tipo p (p de positivo). O tomo de Boro, na figura ao lado,
um material receptor. Note-se que a lacuna ir aceitar rapidamente um eltron livre.
Fig. 21 - Duas formas de representao da dopagem trivalentedo tomo de Silcio com tomos trivalentes
(Boylestad e Nashelsky, 2004). Copyright 2002 by Pearson Education, Inc. Upper Saddle River, New Jersey
07458. All rights reserved.

1.2.5 - Fluxo de Eltrons x fluxo de Lacunas
Como visto no item anterior, o processo de dopagem possibilita a construo de semicondutores

tipo p e tipo n. As lacunas (holes, em ingls) num semicondutor tambm produzem uma corrente. Ento
h dois trajetos para a corrente: uma atravs da banda de conduo (rbitas maiores) e outro da banda de
valncia (rbitas menores) Figuras 22 e 23.
Fluxo de eltrons
X
Fluxo de lacunas
Condutor: estrada Semicondutor:

de mo nica. estrada de
mo dupla.
Fig. 22 Fluxo de eltrons x fluxo de lacunas (Boylestad e Nashelsky, 2004). Copyright 2002 by Pearson
(a) (b)
Fig. 23 O fluxo de lacunas (de A para F) num semicondutor. (a) Corrente de
lacunas. (b) Diagrama de Energia da corrente de lacunas.
A corrente da banda de conduo num semicondutor semelhante corrente no fio de cobre;

porm a corrente da banda de valncia bem diferente. Observe a lacuna na extremidade direita da Fig.
23 e o eltron sem movimento atravs da trajetria de A at F. Esta lacuna atrai o eltron de valncia em
A. Com uma pequena variao de energia, este eltron de A se move para a lacuna, o que gera uma nova
lacuna em A, que atrai o eltron de valncia em B e assim por diante, de modo a se formar um fluxo de
lacunas (MALVINO, 1997).
O que ocorre em termos de nveis de energia o seguinte: a energia trmica bombeia um eltron
da banda de valncia para a banda de conduo. Com pequenas variaes de energia, os eltrons de
valncia podem se deslocar ao longo do trajeto indicado pelas setas, equivalendo a um movimento da
lacuna atravs da banda de valncia ao longo do trajeto ABCDEF.
Por analogia, podemos dizer que:
um fio de cobre assemelha-se a uma estrada com mo nica e

um semicondutor se comporta como uma pista de duas mos.

1.2.6 Juno PN: a construo do diodo
A Fig. 24 mostra a distribuio de cargas em um material semicondutor dos tipos p e n. A lacuna

(ou buraco, hole em ingls) o portador majoritrio no material tipo p, enquanto que o eltron o
portador minoritrio. No material tipo n a situao se inverte: o eltron o portador majoritrio e a lacuna
o minoritrio. Como se pode intuir desta figura, os materiais p e n constituem os blocos fundamentais
para a construo do diodo, que formado a partir da juno destes. Esta juno conhecida como juno
pn, onde os materiais p e n devem ser da mesma base (Ge ou Si).
ons doadores
ons receptores
Portador
+ + minoritrio
+ Portadores
+ ++ Majoritrios
+ + +
+ + Portadores
+ + Majoritrios
+ +
Tipo p Portador minoritrio Tipo n
Legenda: + lacuna; - eltron; e : ons.
Fig. 24 (a) Material tipo p. (b) Material tipo n.
1.2.6.1 A juno PN como diodo: polarizao
CASO 1: sem polarizao (VD = 0 V)
Com a juno dos materiais tipo p e n, (veja a Fig. 25) ocorrem dois fenmenos: DIFUSO e
DEPLEO (diminuio ou ausncia de portadores majoritrios prximos regio de juno).
Regio de
Depleo (VF)
Tipo p Tipo n
+ + +
+ +
+ +
+ + + +
++ + +
ID = 0 mA - +
VD = 0 V
(sem polarizao externa)
Fig. 25 Diodo: juno p-n sem aplicao de polarizao (VD = 0 V).
DIFUSO: ocorre quando os materiais p e n so unidos. Os eltrons e as lacunas prximas

juno se combinam, resultando na ausncia de portadores livres prximas mesma. Em outras palavras,
o excesso de eltrons do material tipo n tende a migrar para o material tipo p, visando o equilbrio
eletrnico (densidades de eltrons nos dois materiais) e a estabilidade qumica. A ocupao de uma
lacuna por um eltron chamada de RECOMBINAO.

Na regio de depleo ocorre ento uma concentrao de ons positivos (falta de e-) e negativos
(excesso de e-), formando uma barreira de potencial, tambm chamada de tenso direta, VF (do ingls
forward), ou de tenso de limiar ou de disparo, VT (do ingls threshold).
Para o diodo de Silcio, tem-se VF = 0,7 V e para o diodo de Germnio, VF = 0,3 V.
O fenmeno da recombinao cessa aps certo tempo e a regio de depleo fica com ausncia de
e- e lacunas, responsveis pela corrente eltrica. Ento, ID = 0 mA.
CASO 2 (VD < 0 V) Juno p-n polarizada reversamente
Nesta configurao, os eltrons do lado n so atrados para o terminal (+) da fonte e as lacunas para
o terminal (-), conforme mostra a Fig. 26. Com isso, formam-se mais ons positivos no lado n e mais ons
negativos no lado p (aumento da camada de depleo e da barreira de potencial).
Este aumento ocorre at que a d.d.p. da barreira de potencial se iguale tenso reversa aplicada.
Ento:
- no ocorre neste caso a circulao de portadores majoritrios (corrente direta ID);
- ocorre apenas uma corrente muito pequena, denominada de corrente de saturao reversa, IS
(limitada aos portadores minoritrios).
Is Fluxo de portadores minoritrios

Regio de
Depleo (VF) Imajoritrio = 0
+ + +
+
+ +
+ +
+
+ ++ +
p n
VD < 0 V
IS - + IS
Fig. 26 Diodo: juno p-n polarizada reversamente.
CASO 3 (VD > 0 V) Juno p-n polarizada diretamente
Com este tipo de polarizao os eltrons do lado n ganham energia suficiente, pois so repelidos
pelo terminal (-) da fonte VD, rompendo a barreira de potencial, sendo atrados para o lado p,
atravessando a juno pn. Veja a Fig. 27.
No lado p, os e- se recombinam com as lacunas, tornando-se eltrons de valncia, e continuam se
deslocando de lacuna em lacuna, pois so atrados pelo terminal (+) da fonte, formando uma corrente
eltrica de alta intensidade. Esta corrente identificada por ID ou IF (no segundo caso, o subscrito F vem
do ingls forward), corrente direta. Esta corrente dada por (2).
ID = Imajoritrio - IS (3)

IS ID = Imajoritrio - IS
Imajoritrio
p Regio de n
Depleo (VF)
VD > 0 V
ID ID
+ -
Fig. 27 Diodo: juno p-n polarizada diretamente.
Na Fig. 28 e na Fig. 29 podem ser verificados o aspecto construtivo do diodo e o seu smbolo. Por
este ltimo, se conclui que o diodo um componente unidirecional em corrente e em tenso.
Invlucro
A (anodo) K (catodo)
P N
Chip
A K
Aspecto construtivo
Fig. 28 - Juno PN: a construo do diodo. Aspecto do chip e do invlucro.

Fonte: www.sabereletronica.com.br/files/image/TO144_diodo_F09.jpg
Anodo Catodo
(+) (-)
A A
A K
Fig. 29 Smbolo do diodo e aspecto fsico. Terminais: anodo (A) e catodo (K).
Fonte: http://upload.w ikimedia.org/wikipedia/commons/8/83/Diode_pinout_en_fr.svg
1.2.7 Curva Caracterstica do diodo. Aproximaes e modelos
Para entender os modelos que podem ser utilizados para o estudo de um diodo semicondutor, deve-
se primeiramente conhecer a sua curva caracterstica. Esta curva formada pelos eixos ID e VD, corrente e
tenso do diodo. O primeiro modelo para o diodo o de uma chave ideal, que em conduo apresenta
uma tenso nula em seus terminais (VF = 0 V), e que no estado desligado equivalente a um circuito
aberto. A Fig. 30 mostra este modelo.
A Fig. 31 mostra que o diodo um dispositivo unidirecional em corrente e em tenso. No 1
quadrante, com a tenso VD positiva, existe corrente, ou seja, ID 0.

Fig. 30 - (a) diodo diretamente polarizado em conduo. (b) diodo reversamente polarizado, como chave aberta
(Boylestad e Nashelsky, 2004). Copyright 2002 by Pearson Education, Inc. Upper Saddle River, New Jersey
ID
+ ID +
A K
VD
2 1 +
0 VD
ID 0
3 4
+
A K
VD
Fig. 31 O diodo: unidirecional em corrente e em tenso.
Isto indica que o dispositivo permite a passagem de corrente com grande facilidade. Teoricamente
a resistncia direta do diodo nesta regio nula (curto-circuito). Assim:
VF 0V
RF 0
I F 2, 3 mA ... qualquer valor > 0
Para a regio do 3 quadrante, o diodo est reversamente polarizado.
VR - 5 V, - 20 V, ... qualquer valor < 0

RR circuito aberto (resistncia reversa)
IR 0 mA
Os parmetros do diodo, VR e IR , indicam, respectivamente, a tenso reversa e a corrente reversa

no mesmo. A curva real ID x VD do diodo mostrada na Fig. 32.
A equao da corrente do diodo (regies direta e reversa) dada por (4):
k .VD
I D I S .(e TK 1) (4)
Onde:
e = nmero de Euler, igual a 2,718281829...
IS = corrente de saturao reversa;
k = 11.600/ com (letra grega eta) = 1 para o Ge e = 2 para o Si, para nveis baixos de corrente na
curva ID x VD e = 1 para ambos os diodos, na regio da curva onde a corrente cresce de forma mais
acentuada;

TK = TC + 2730, temperatura na escala absoluta de Kelvin3, em funo da temperatura em graus Celsius.
Fig. 32 Curva caracterstica real do diodo, ID x VD (Boylestad e Nashelsky, 2004). Copyright 2002
Efeitos de Temperatura sobre o diodo
- A corrente de saturao reversa do diodo (IS) tem o seu valor alterado com o crescimento da
temperatura. Estudos mostram que a cada 100C de aumento na temperatura, a corrente IS dobra o seu
valor.
The reverse saturation current IS will just about double in magnitude for every 10C increase in
temperature (BOYLESTAD e NASHELSKY, 2004).
- O diodo de Si apresenta menores nveis de IS, mesmo em altas temperaturas, em comparao com o
diodo de Ge. Esta uma das caractersticas a favor da maior utilizao do Silcio no projeto e
desenvolvimento de dispositivos eletrnicos.
- Um aumento de temperatura implica na diminuio da tenso de disparo (V T). Assim, a curva do
diodo, como se v na Fig. 33, ser deslocada para a esquerda, numa temperatura maior (facilita o
disparo do dispositivo).
3
O fsico ingls Willian Thomson (1824-1907), mais conhecido pelo seu ttulo de nobreza, Lord Kelvin, foi quem estabeleceu pela primeira vez a
existncia terica de uma situao na qual as partculas da matria estariam totalmente desprovidas de energia e, portanto, estariam paradas.
A essa situao terica, que se sabe atualmente ser inalcanvel na prtica, se deu o nome de zero absoluto e associou a ela a temperatura igual a zero. Por
esse motivo, a escala kelvin denominada de escala absoluta. O kelvin a escala fundamental da temperatura termodinmica, e seus instrumentos de
medidas (termmetros) esto, normalmente, graduados com os pontos de fuso do gelo a 273 K e o ponto de ebulio da gua a 373 K, considerando as
condies normais de presso. Fonte: http://www.mundoeducacao.com.br/fisica/a-temperatura-suas-escalas.htm
Fig. 33 Curva I x V do diodo. Fonte: http://pt.wikipedia.org/wiki/Ficheiro:Diodo_graph.svg
Nveis de Resistncia no DIODO
Pela curva I x V do diodo, que no-linear, fcil perceber que medida que o ponto de operao
de um diodo se move de uma regio para outra, a sua resistncia tambm se altera. Neste item sero vistos
os tipos de resistncia do diodo. O tipo de tenso ou sinal aplicado no circuito com diodo define o seu tipo
de resistncia. So trs os nveis considerados: resistncia esttica, dinmica e mdia (BOYLESTAD e
NASHELSKY, 2004).
- Resistncia Esttica ou DC:
O valor da resistncia esttica, RD, muda

com o deslocamento do ponto de operao do
diodo na curva caracterstica ID x VD.
Para a Fig. 34, os valores de RD para os
pontos 1, 2 e 3 so assim calculados:
VD1 10V
RD1 10 M
I D1 1 A
VD 2 0,5 V
RD 2 250
I D 2 2 mA
VD 3 0,8 V Fig. 34 - Curva ID x VD do diodo resistncia esttica

RD 3 40 (Boylestad e Nashelsky, 2004). Copyright 2002 by
I D 3 20 mA Pearson Education, Inc. Upper Saddle River, New Jersey
b) Resistncia AC ou Dinmica:
Nvel de resistncia definido por uma reta tangente no ponto Q (ponto quiescente ou de operao).
Para um sinal senoidal aplicado a um diodo, o ponto quiescente ir oscilar em torno do ponto de operao
em CC, como mostra a Fig. 35. Sem o sinal alternado aplicado, este seria o ponto quiescente do diodo,
por exemplo, 0,8 V.

Reta tangente
Ponto Q
Id (operao CC)
Vd
rd
I d
Curva I x V do diodo
Vd
Fig. 35 Determinao da resistncia dinmica ou AC do diodo.
Vd
Para os diodos de Si e de Ge, temperatura ambiente (250 C): rd
I d
Se for tomada a reta tangente ao ponto quiescente como ilustrado na figura anterior, teremos que as
variaes na corrente e na tenso do diodo tendero a zero, ou seja: Vd 0 e Id 0
Do conceito do clculo diferencial - a derivada de uma funo em um ponto a inclinao da reta
tangente traada no mesmo -, encontra-se a resistncia dinmica ou AC do diodo pela equao (5):
dVd 26 mV
rd (5)
dI d ID
O resultado encontrado, temperatura ambiente, obtido da equao da corrente (e da curva) do

diodo, dada por (4). Aplicando a derivada da corrente em relao tenso, em (4), obtm-se:
k .VD

k .VD d I S .(e TK 1)

dI D k k
I D I S .(e TK
1) = ID IS ID
dVD dVD Tk Tk
Isto se justifica porque, geralmente, tem-se ID >> IS na regio mais vertical da curva caracterstica
do diodo.
11600
Como = 1 para diodos de Ge e Si na inclinao vertical da curva I x V: k 11600.

temperatura ambiente (25 0C):
k 11600
TK TC 2730 250 2730 2980 38,93
TK 298
dI D k
I D 38,93 I D
dVD Tk
Invertendo esta ltima relao, encontra-se uma relao de resistncia (6):

dVD 1 26 mV
rd (6)
dI D 38,93 I D I D Ge, Si
c) Resistncia CA Mdia (rav)
Parmetro definido por uma linha reta entre os limites de operao, para variaes grandes no sinal
CA de entrada, como mostra a Fig. 36.
ID (mA)
rav
Id Vd
Ponto Q rav
I d pt. a pt.
VD (V)
Vd
Fig. 36 Determinao da resistncia AC mdia (entre dois pontos da curva do diodo).
A Tabela 4 mostra as trs aproximaes para construir o modelo do diodo. A terceira aproximao
mais indicada para projetos onde se espera uma maior preciso no circuito, como por exemplo, em
equipamentos hospitalares e instrumentos de medio (multmetros, osciloscpios etc.).
Tabela 4 Aproximaes do Diodo.

A K
Circuitos Equivalentes de Diodo (Aproximaes e Modelos)
Tipo e condies Modelo Curva caracterstica

Ideal ID
1a. Aproximao - +

- +
Sistema Ideal A K A K
Rrede >> rav Diodo + - + ID -

Vrede >> VT Ideal
A K
A K 0 vD
Si
ID
2a. Aproximao
-
A
+
K
-
A+
+
K
Modelo simplificado VF
+ Si - + ID -
Rrede >> rav
A K
A
+
K 0 VF vD
VF
Si
3a. Aproximao ID

- + A K
Modelo Linear +
A K
r rav
VF av
Rrede r av
+ Si - ID

A K
Diodo Real
A K + 0 VF vD
r
VF av
Na 3 aproximao utilizado um novo parmetro, a resistncia de corpo do diodo, dada por (7):
rav rp rn (7)

onde:
1) a soma rp rn representa a resistncia hmica do diodo (resistncias das regies p e n);
2) rav a resistncia mdia (do ingls average), algumas vezes identificada por rB (resistncia de
corpo, de body). Geralmente este parmetro da ordem de 1 a 10 ohms.
Onde seria imprescindvel a aplicao da 3 aproximao para o estudo e projeto de circuitos com diodos? Citar
dois exemplos.
1.2.8 Especificaes Tcnicas e Teste do Diodo
As especificaes de um diodo, disponveis nos manuais de fabricantes, so tomadas com base nos
seguintes itens, a maioria dos quais depende da temperatura de operao, citadas a seguir:
1) Tenso direta sobre o diodo (para uma corrente e temperatura especficas): VF (onde o
subscrito F vem do ingls forward);
2) Corrente direta mxima (IF), para uma temperatura especfica;
3) Corrente de saturao reversa (IR), para uma tenso e temperatura especficas;
4) Tenso reversa nominal (VBR) ou breakdown voltage (tenso de ruptura), a uma temperatura
especfica;
5) PDmax: mxima dissipao de potncia, para uma dada temperatura;
6) Nveis de capacitncias de difuso e de transio;
7) Tempo de recuperao reverso, trr;
8) Faixa de operao de temperatura.
Em circuitos onde a frequncia da fonte elevada, deve-se especificar a capacitncia da juno.
Neste texto sero estudados alguns desses parmetros.
Tenso Reversa (VBR)
A Tabela 5 mostra exemplos de valores mximos para o parmetro VBR de alguns diodos. Observe
o destaque para os diodos da famlia 1N400X.
Tabela 5 Valores caractersticos de corrente direta e tenso reversa de alguns diodos.

Diode Maximum Current (IF) Maximum Reverse Voltage (VBR)
1N4001 1A 50 V
1N4002 1A 100 V
1N4003 1A 200 V
1N4004 1A 400 V
1N4005 1A 600 V
1N4006 1A 800 V
1N4007 1A 1000 V
1N5401 3A 100 V
1N5408 3A 1000 V
1N3765 35 A 700 V
SD103N/R 110 A 400 2500 V
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA = 25C unless otherwise specified.
Fontes: (1) http://electronicsclub.info/diodes.htm e (2) http://www.vishay.com/docs/93492/1n1183.pdf
(3) http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet/irf/sd103n.pdf

Potncia Mxima Dissipada no Diodo PDmax = VD. ID
A potncia mxima nominal do diodo no constante, um parmetro dependente da temperatura

de operao. Esta potncia diminui a uma taxa de alguns mW por grau de aumento na temperatura, acima
da temperatura ambiente (25 0C) curva de reduo de potncia disponvel em alguns catlogos de
diodos de baixa potncia.
Capacitncias do Diodo
O diodo apresenta dois tipos de capacitncia:

1. Capacitncia da regio de transio ou de depleo (CT), associada polarizao reversa do diodo,
variando obviamente com a tenso reversa aplicada. Tal efeito utilizado em diodos do tipo varactor, por
exemplo) veja o grfico da Fig. 37.
2. Capacitncia de Difuso (CD) ou de

acumulao, na regio de polarizao direta.
A equao (6) define a capacitncia

de um capacitor de placas paralelas, onde o
parmetro (F/m) indica a permissividade
do dieltrico (material isolante) entre as
placas de rea A (m2) e d (m) a distncia
entre elas.
.A
C (8)
d
Dispositivos eletrnicos como o diodo

so sensveis a nveis elevados de
frequncia. Da equao (9), comprova-se o
efeito de baixas frequncias na reatncia,
pois o diodo tender para um circuito-aberto Fig. 37 Representao da capacitncia tpica de juno.
Fonte: http://www.ph.eng.br/Microeletronica/diodo-comum-efeito-capacitivo.html
em seu comportamento.
Para frequncias muito altas, o diodo ser um caminho de baixa reatncia, como mostra a equao
a seguir (BOYLESTAD e NASHELSKY, 2004).
1
XC (9)
2 . f .C
Como j sabido pelo leitor, quando o diodo est na situao de polarizao reversa, h uma regio
sem portadores (de depleo). Tal regio funciona como um isolante entre as camadas de carga oposta.
Como a largura (d) desta regio aumenta com a elevao da tenso reversa imposta ao diodo, ocorre a
diminuio da capacitncia de transio, como mostra o grfico C x Vd (Fig. 38).
A variao da capacitncia da juno p-n em funo da tenso reversa no diodo encontra
aplicaes em diversos sistemas eletrnicos. Existe um diodo que opera segundo este fenmeno, o diodo
VARACTOR, ou VARICAP. Os efeitos capacitivos no diodo so representados por um esquema onde
um capacitor conectado em paralelo a um diodo ideal, como ilustra a Fig. 39. Quando em baixas e
mdias frequncias (excetuando-se potncias altas), o capacitor no includo no modelo que representa
o diodo (BOYLESTAD e NASHELSKY, 2004).

Fig. 38 Curva de Capacitncias de transio e difuso do diodo x tenso de polarizao (Boylestad e Nashelsky,
2004). Copyright 2002 by Pearson Education, Inc. Upper Saddle River, New Jersey 07458. All rights reserved.
CT ou CD
Fig. 39 Modelo do diodo incluindo o efeito da capacitncia de transio ou de difuso.
Simulao 1 Modelo aproximado do diodo. O circuito da Fig. 40 foi estudado no PSpice, em uma
simulao para verificao dos sinais de entrada e de sada. Comentar sobre o sinal no catodo do diodo.
Fig. 40 Simulao: modelo aproximado do diodo (estudo

dos parmetros). Sinal de entrada: rampa, de 0 a 5 Vp,
Frequncia de 100 Hz.
5.0
5.0VV
vi (t)
2.5V
0V
V(vi:+)
5 .V
5.0 0V
(9.98 ms; 4.34 V)

(9.977m,4.3404)
2.5V
vR (t)
SEL>>
0V
0s 2ms 4ms 6ms 8ms 10ms 12ms 14ms 16ms 18ms 20ms 22ms 24ms 26ms 28
10 ms 20 ms
V(R2:1)
Time Time
Fig. 41 Formas de onda do circuito da Fig. 40.

Comentrios:
Simulao 2 Efeito da frequncia na operao do diodo

Seja o circuito da Fig. 42, onde o diodo est inserido em uma
associao em srie com uma fonte senoidal de frequncia varivel e
um resistor fixo R (1 k). O valor mximo de vi de 10 V.
Numa primeira simulao (software PSpice) foi utilizada f =
60 Hz. Na Fig. 43 so apresentadas as formas de onda do sinal de
entrada e do sinal de sada (no diodo). Efetuada outra simulao, desta
vez utilizando uma frequncia muito alta (50 kHz), verificou-se uma
Fig. 42 Simulao - verificao do efeito
alterao na tenso sobre o diodo - Fig. 44.
da frequncia da fonte na operao do diodo.
10V 10V
vi vi
0V 0V
-10V -10V
V(vi:+) V(vi:+)
10V 10V
vo vo
0V 0V
SEL>> SEL>>
-10V
-10V
0s 10ms 20ms 30ms 40ms
0s 10us 20us 30us 40us 50us
V(D1:1)
V(D1:1)
Time
Time
Fig. 43 Simulao para f = 60 Hz. Fig. 44 Simulao para f = 50 kHz.
Justifique os resultados obtidos em simulao para os dois nveis de frequncia utilizados.
Tempo de recuperao reverso (reverse recovery time)
O tempo de recuperao reverso (trr) um parmetro do diodo de extrema importncia em

aplicaes de alta frequncia (AHMED, 2000). Como o leitor j imagina, o diodo real no comuta
instantaneamente do estado de no-conduo para o de conduo (e vice-versa).
Quando polarizado diretamente, um grande nmero de eltrons no material tipo n avana em
direo ao material tipo p e um grande nmero de lacunas em direo ao material tipo n (uma exigncia
bvia para a conduo no diodo). Isto estabelece um elevado nmero de portadores minoritrios em cada
material. Se a tenso positiva aplicada ao diodo for revertida situao de polarizao reversa -,
idealmente o diodo mudaria do estado de conduo para o estado de chave aberta (no-conduo).
Ocorre que, devido ao elevado nmero de portadores minoritrios nos materiais tipo n e tipo p, o
comportamento do diodo ser modificado como mostra a Fig. 45 (BOYLESTAD e NASHELSKY, 2004).
Durante o tempo ts (tempo de armazenamento), os portadores minoritrios voltam ao seu estado de
portador majoritrio no material oposto. O intervalo seguinte, tr (tempo de transio) aquele em que a
corrente retorna ao estado de no conduo (nvel zero). O tempo de reestabelecimento reverso, t rr a
resultante de ts e tr, ou seja (10):
trr = ts + tr (10)
ID
Mudana de estado (on off)
IF = I direta ocorrendo em t = t1
Resposta esperada (ideal)
0 t1 t
IR = I reversa
ts tt
trr
Fig. 45 Tempo de recuperao reverso em um diodo (Boylestad e Nashelsky, 2004).
Este parmetro muito importante em aplicaes de alta frequncia, onde devem ser empregados
diodos rpidos, como ocorre em fontes de tenso chaveadas, muito utilizadas hoje em dia em
microcomputadores, notebooks, TVs de alta definio e outros equipamentos.
1.3 Portas Lgicas com Diodos
Projetando-se um circuito simples com diodos e resistores possvel executar funes lgicas
simples, como a funo OU (ou OR) e E (ou AND).
A seguir so descritas as portas lgicas E e OR, com as convenes lgicas para os sinais de
entrada e de sada. Seja o circuito da Fig. 46. Para as entradas A e B, adota-se para o nvel 0 binrio o
sinal de 0 V, e para o nvel 1 binrio o sinal de 5 V.
A sada ser representada no circuito por um diodo LED, o qual indicar o nvel lgico 1 quando
aceso (estado ON, ligado), e o nvel lgico 0 quando apagado (OFF, desligado).
1.3.1 Porta Lgica E (AND)
Esta funo lgica apresenta nvel alto na sada

(nvel 1 binrio) somente quando todas as entradas
estiverem em nvel alto.
Para a Tabela 6, preencher o nvel lgico esperado
na sada para todas as combinaes de A e B na entrada.
Expresso Booleana:
S=A.B
(l-se A e B ou A and B).
Fig. 46 Esquema da porta E (ou AND) com diodos.
Tabela 6 Tabela-verdade Porta AND.

1.3.2 Porta Lgica OU (OR) Entradas Estado do Nvel Lgico
LED da Sada
O circuito lgico com diodos que desempenha a A B ON ou OFF 0 = OFF e 1 = ON
funo OU mostrado na Fig. 47. A sada S apresenta um 0 0
nvel lgico alto na sada (1) quando qualquer das entradas 0 1
estiver em nvel alto. Preencher a Tabela 7 (nvel lgico 1 0
esperado na sada). 1 1

A expresso Booleana do circuito : S = A + B (l-se A ou B ou A or B).
Tabela 7 Tabela-verdade Porta OU.

Estado do Nvel Lgico
Entradas
LED da Sada
A B ON ou OFF 0 = OFF e 1 = ON
Fig. 47 Esquema da porta OR com diodos.
Exemplo 1 O circuito da Fig. 48 representa uma porta OR cuja lgica positiva, ou seja, o nvel
de tenso 10 V representa 1 e o nvel 0 V (terra) representa o estado 0, de acordo com a lgebra
booleana. Verificar com clculos os valores indicados nos instrumentos: 16,25 mA no ampermetro
(corrente no diodo D1) e 1,66 V no multmetro (tenso de sada, sobre o diodo LED).
Fig. 48 Porta OU de lgica positiva. Atravs das chaves S1 e S2

so impostos aos diodos D1 e D2 os nveis 0V e 10 V.
Simulao 3
Porta lgica OU com com diodos.

Dados: 3 entradas variando entre 0 e 5 V.
a) Efetuar a simulao no PSpice do circuito

lgico da
b) Fig. 49.
Observao:
as chaves tClose e tOpen so as funes Sw-tClose

e Sw-tOpen, disponveis na biblioteca do simulador.
Fig. 49 Porta OR de 3 entradas (simulao no PSpice).
b) A Fig. 50 mostras as formas de onda de entrada e de sada. Justifique o resultado obtido.

4.0V
2.0V
0V
V(U11:2)
5.0V
2.5V
0V
V(D5:1)
5.0V
2.5V
0V
V(U12:2)
5.0V
2.5V
SEL>>
-0.5V
0s 10us 20us 30us 40us 50us 60us 70us 80us 90
V(RL:2)
Time
Fig. 50 Formas de onda da porta OR de 3 entradas.
EF Exerccios de Fixao ..Srie 1
EF 1 A Fig. 51 representa uma porta lgica. Qual a funo lgica desempenhada? Preencher a
Tabela 8, onde so indicados na sada 0,7 V (nvel baixo) e 10 V (nvel alto).
Vo Vo = VD = 0,7 V (0)
(a) (b)
Fig. 51 (a) Porta lgica com diodos. (b) Substituio no circuito pelos estados dos diodos no esquema em (a).
Copyright 2002 by Pearson Education, Inc. Upper Saddle River, New Jersey 07458. All rights reserved (Boylestad
e Nashelsky, 2004).
Tabela 8 - Tabela-verdade do EF1.

Entradas Tenso de sada (Vo)
A B 0,7 V ou 10 V
0 0
0 1
1 0
1 1

EF 2 Determinar o nvel de sada (Vo) para a porta lgica AND de 3 entradas, Fig. 52. Preencher as
clulas em branco da Tabela 9.
Tabela 9 - Tabela-verdade da porta AND de 3 entradas.

E1 (V) E2 (V) E3 (V) Vo
0,7 0,7 0,7 0,7
0,7 0,7 10
0,7 10 0,7
0,7 10 10
10 0,7 0,7
10 0,7 10
10 10 0,7
10 10 10
Funo lgica: _________________________

Corrente em cada diodo LED:
Fig. 52 Porta lgica AND com diodos. ______________________________________
1.4 Circuitos com Diodos
Para cada circuito estudado, deve-se determinar o estado do diodo, isto , se o mesmo est ligado
ou desligado, de acordo com a polarizao (d.d.p.) que recebe. Sero estudadas configuraes em srie,
em paralelo e mistas.
Recordando:
Para o diodo ideal: o diodo uma chave fechada (ON) se VAK > 0 V.
Para o diodo na 2 e na 3 aproximaes, o diodo uma chave fechada (ON) se V AK > VF (tenso
direta, igual a 0,7 V para diodos de Si e de 0,3 V para diodos de Ge).
O diodo um dispositivo unidirecional em corrente e tenso.
1.4.1 Configuraes em SRIE
Exemplo 2 A Fig. 53 mostra o modelo do diodo na 3 aproximao. Se este diodo conectado em

srie a uma fonte CC de 12 V e a um resistor de 470 ohms (RL), pede-se: a) calcular a tenso sobre o
resistor RL; b) calcular as perdas no diodo em mW.
Fig. 53 Diodo na 3 aproximao (Boylestad

e Nashelsky, 2004). Copyright 2002
by Pearson Education, Inc. Upper Saddle River,
New Jersey 07458. All rights reserved.
Soluo:
a) A corrente no circuito dada por
12 0,7
I 23,54 mA. Logo, VRL = 470 x I = 11,06 V.
10 470
b) Perdas em mW: PD VD I D rav I D2 0,7 23,54 m + 10 23,54 m PD 22,02 mW .
2

Exemplo 3
Para o circuito da Fig. 54, onde o diodo de Silcio, a primeira medida verificar se o diodo
conduz para o valor de V1 (fonte CC) apresentado. Pela curva do diodo, 2 aproximao, o disparo ocorre
quando VAK 0,7 V (diodo de Silcio). A corrente no instante do disparo nula.
Logo, pela LKT aplicada ao circuito, V1 = VD1 + ID1.R1.

No disparo, a tenso da fonte aplicada no diodo.
V1 = VD1 + ID1.R1 12 = VD1 + 0.1 k
O diodo D1 recebe 12 V em seus terminais anodo e catodo.

Ento, se VAK VF o diodo D1 liga.
VD1 = VF = 0,7 V (Fig. 55). Fig. 54.
A Fig. 55 mostra o circuito equivalente considerando-se o diodo na 2 aproximao.

A Fig. 56 mostra o resultado da simulao deste circuito com o software PSpice.
Simulao 4
Fig. 55 Circuito srie com diodo (2 aproximao). Fig. 56 Simulao no PSpice.

Medidas de corrente e tenso.
CLCULOS:
Com o diodo ligado, tem-se na carga resistiva VR = V1 VF = 12 0,7 = 11,3 V.
A corrente no diodo ser: ID1 = VR1 / R1 = 11,3 V / 1 k = 11,3 mA.
Estes valores foram calculados com a resistncia do diodo nula e com as resistncias dos medidores
(ampermetro e voltmetro) ideais.
Exemplo 4 Circuito com um diodo e duas fontes CC
Simulao 5
O circuito da Fig. 57 apresenta um circuito srie com
1 diodo e duas fontes CC, com resultados de tenses
de ns (simulao).
a) Qual a tenso sobre o diodo D1?

b) Qual o ponto de desengate do diodo, transio
ONOFF?
c) Qual a corrente no circuito?
Resp.: (a) VF = 0,29 V. (b) VAK 3,0 V. (c) I = 1,84 mA.

Fig. 57.

1.4.1.1 Anlise por Reta de Carga
Seja o circuito da Fig. 58, onde uma fonte de tenso CC de E volts alimenta um diodo e um resistor
em srie. Neste circuito, tem-se, pela LKT:
E = VD + ID .R (11) + VD -
Esta equao descreve o comportamento do circuito, e

+
denominada de equao de reta de carga. No ponto de E R
SATURAO (max. corrente no diodo), VD = 0. Da a
ID
corrente no diodo ser:
I D max E R V (12)
D 0V
Fig. 58.
No ponto de CORTE (ID = 0, ou seja, o diodo uma chave aberta): VD ser mxima, i.e., VD = E.
VD corte E I (13)
D 0V
Questo 1 Como se pode modificar a inclinao da reta que intercepta a curva do

diodo?
Questo 2: os valores de E (fonte DC) e de R (carga) influem na inclinao da reta

traada pelos pontos extremos de ID e VD? Veja a Fig. 59.
Fig. 59 Reta de carga do diodo (Boylestad e Nashelsky, 2004). Copyright 2002 by

Pearson Education, Inc. Upper Saddle River, New Jersey 07458. All rights reserved.
Exemplo 5 Em um circuito com diodo, foram feitas algumas alteraes, de modo que a sua reta de
carga, que antes interceptava o eixo de VD em 10 V, agora intercepta em 2,0 V (Fig. 60).
a) Qual a mxima corrente no diodo? Resp.: 20 mA.
b) Encontre o ponto quiescente pela anlise da nova reta de carga.
Fazendo as projees do ponto Q2 nos eixos de ID e VD, encontra-se os valores de 12 mA e 0,75 V.
c) Qual o valor ajustado na fonte CC? E = 2,0 V.
d) Qual o valor do resistor R? R = 2,0 V / 20 mA = 100 ohms.

e) Encontre a potncia dissipada no diodo. PD = VDQ IDQ = 0,75 20 m = 15 mW.
Fig. 60 Reta de carga do diodo (Exemplo 5).
Exemplo 6 Seja a reta de carga de um diodo de Silcio, dada pela

Fig. 61.
a) Encontre o ponto de operao do

diodo no circuito a seguir.
Soluo:
Pela interseo da reta de carga com a
curva do diodo, em valores
aproximados:
VDQ = 0,78 V e IDQ = 9,25 mA
b) Encontre o valor do resistor.
E
E = VD + ID .R I D max
R VD 0V Fig. 61 Reta de carga, diodo de Si.
Da corrente mxima no diodo: 10 mA 10 R V R 1 k .

D 0V
Exemplo 7 Tendo como base o exemplo anterior, para R = 2 k, pede-se calcular:
a) O novo ponto quiescente.

Pela leitura do grfico da Fig. 62, o novo ponto quiescente ser: VDQ 0,7 V e IDQ 4,6 mA.
Fig. 62 Reta de carga, diodo de Si, para R = 2 k (Boylestad e Nashelsky, 2004). Copyright 2002

b) A tenso no resistor, VR.
E = VD + ID .R 10 = 0,7 + ID .R VR 9,3 V.
Da leitura da corrente quiescente, VR ID .R VR 4,6 mA 2 k VR 9, 2 V.
EF 3 - A Fig. 63 apresenta o diagrama

descritivo de um circuito onde um
conjunto de pilhas de 1,5 V conectadas
em srie alimenta uma lmpada de 6 V.
Em srie com a lmpada est conectado
um diodo.
a) Desenhar o diagrama esquemtico do

circuito, inserindo uma chave de comando do
tipo liga-desliga.
b) Qual a resistncia da lmpada se a

corrente mxima no diodo de 50 mA?
Utilize o conceito de reta de carga do diodo,
Fig. 63 Circuito do EF1. Fonte:
visto nesta seo.
http://www.sabereletronica.com.br/files/image/TO144_diodo_F13.jpg
a) Desenho:
b) Clculos:
EF 4 Calcular Vo e a corrente nos diodos para o circuito da Fig. 64. Resp.: Vo = 9,59 V; ID = 1,25 mA.
Simulao 6
Vo
(a) (b)
Fig. 64 (a) Esquema de um circuito srie com dois diodos e duas fontes CC. (b) Resultado de simulao.

1.4.2 Configuraes em Paralelo e Mistas (srie-palarela)
Para o estudo destas configuraes, basta determinar o estado do diodo no circuito e aplicar as LKT
e LKC (leis de Kirchhoff das Tenses e Correntes).
A Fig. 65 mostra uma simulao, onde dois diodos esto em paralelo. Pelos valores indicados das
correntes, qual dos diodos est ligado (ON), D1 ou D2? Resp.: __________________.
Qual a queda de tenso no resistor R2? Resp.: ________________.
Simulao 7
(a) (b)
Fig. 65 (a) Circuito. (b) Resultados de simulao no PSpice.
EF Exerccio de Fixao ..Srie 3
EF 5 Anlise de falhas. O circuito da Fig. 66 Simulao 8

apresenta uma simulao no PSpice de um
circuito misto, onde so empregados dois diodos
de Silcio, da famlia 1N400X.
a) Os resultados para tenso indicados na Fig. 66 esto

corretos? Verifique com clculos.
Fig. 66 Circuito misto com diodos alimentao em CC.
b) Se, ao montar este circuito, foram medidos os valores de tenso e corrente indicados na Fig. 67, qual
(ou quais) componente(s) apresenta(m) falha? uma falha de curto-circuito ou de circuito-aberto?

Fig. 67 - Circuito misto com diodos, com falha (medidas diferentes do circuito terico da Fig. 66).
Exemplo 8 Encontrar a tenso vo no circuito:
A A
K K
Fig. 68 Configurao em paralelo (Boylestad e Nashelsky, 2004). Copyright 2002 by

Soluo:
Com a tenso aplicada, tende-se a imaginar que os dois diodos conduzem. Ocorre que os diodos
esto em paralelo e as tenses tm de ser as mesmas, o que no possvel, j que o diodo de Germnio
dispra antes, colocando 0,3 V nos terminais do diodo de Silcio. Esta tenso inviabiliza o seu disparo.
Logo, somente o diodo de Ge conduz e a tenso de sada dada por:
Vo = 12 V 0,3 V = 11,7 V.
EF 6 Determine os parmetros V0 e ID para o circuito da

Fig. 69 (VF = 0,7 V). Resp.: V0 = 6,2 V e ID = 1,55 mA.
EF 7 Para o circuito do EF2, pede-se determinar:

a) qual ser a potncia dissipada em cada diodo?
b) se os diodos de Si fossem substitudos por outros de Si
com especificao de potncia mxima de 3 mW, qual
seria o mximo valor de E1 ajustado, de modo que os
diodos operassem em condies nominais? Resp.: E1max =
Fig. 69.
26,38 V.

EF 8 Determine as correntes I1, I2 e ID2 para o circuito
misto apresentado na Fig. 70. Considere os diodos de
silcio (VF = VT = 0,7 V).
Respostas:
I1 = 0,212 mA;
I2 = 3,32 mA;
ID2 = 3,108 mA. Fig. 70 Exemplo de circuito misto.
EF 9 Para o circuito srie da Fig. 71a e utilizando as caractersticas do diodo da Fig. 71b, encontrar:
a) O ponto quiescente (VDQ e IDQ).
b) A tenso no resistor. Obs.: construir a reta de carga deste circuito.
Fig. 71 (a) Circuito. (b) Caractersticas (Boylestad e Nashelsky, 2004). Copyright 2002 by
1.5 Dispositivos Especiais
1.5.1 Diodos LED e Display de 7 Segmentos
O diodo emissor de luz (Light Emitting Diode, LED), um dispositivo optoeletrnico. A Fig. 72
mostra o aspecto fsico e o smbolo do diodo LED.
O polo negativo apresenta um terminal

maior dentro do encapsulamento ILED
K
A K
A VF
(a) (b)
Fig. 72 Diodo LED. (a) Aspecto fsico. (b) Smbolo do dispositivo.
O LED tambm formado por uma juno pn, que, quando diretamente polarizada, faz com que os
eltrons atravessem a barreira de potencial, se recombinando com as lacunas. Ocorre que muitos eltrons
no possuem energia suficiente para passarem da banda de valncia banda de conduo, ficando na zona
interdita ou proibida (gap). Como no podem permanecer nessa zona estes eltrons voltam banda de
valncia, perdendo energia e o fazem emitindo luz (ftons), como mostra a Fig. 73.

Este diodo no feito de Silcio e sim de elementos como Glio, Arsnio e Fsforo. O diodo LED
emite uma luz monocromtica. A cor da luz emitida pelo diodo LED depende do material semicondutor
utilizado na sua construo.
Fig. 73 Grfico: nveis de energia e operao do diodo LED.
A Tabela 10 mostra alguns exemplos de diodos nas cores vermelho, verde, amarelo e infra-
vermelho. Comercialmente os LEDs esto disponveis em encapsulamentos comerciais de 3 mm, 5 mm e
10 mm.
Tabela 10 Valores caractersticos de alguns tipos de diodo LED.

LED / Cor Material Semicondutor Nveis mximos de VF e VR
Vermelho Fosfoarsenieto de Glio VF = 1,6 V e VR = 3 V
Verde e Amarelo Fosforeto de Glio VF = 2,4 V e VR = 3 V
Infra-vermelho Arsenieto de Glio VF = 1,35 V e VR = 4 V
Obs.: para estes dados, considera-se a corrente direta (IF) na faixa entre 10 e 50 mA. VF: tenso direta. VR: tenso reversa.
1.5.1.1 - Resistncia a ser conectada em srie com o LED
A regra para o projeto de acionamento de um diodo LED muito simples. A intensidade da luz
emitida por um diodo LED proporcional corrente.
Um exemplo de circuito para esta finalidade visto na Fig. 74a. Para que a corrente no LED seja
constante (e tambm o seu brilho) necessrio projetar uma fonte de corrente. Isto se consegue atravs de
uma fonte de tenso mais alta em relao tenso no LED, bem como uma resistncia que limite a
corrente no circuito de acordo com a corrente nominal no dispositivo (MALVINO, 1997).
ILED
+ VLED
VS RS
(a) (b) (c)

Fig. 74 Acionamento de um diodo LED. (a) Circuito com resistor limitador de corrente. (b) e (c) Exemplo de acionamento de
um diodo LED e de mltiplos LEDs por uma bateria de 9 V. Fonte: http://www.pcboard.ca/kits/led_notes/
Assim, a corrente no LED encontrada por
VS VLED
I (14)
RS
Quanto maior for a tenso da fonte, menor ser o efeito da tenso no LED. Uma variao

indesejvel poderia ocorrer se fosse adotado VS de + 5 V, com um diodo LED do tipo TIL222, com VF
variando entre 1,8 e 3 V. Com um resistor de 120 ohms, a corrente no LED iria variar entre 16,7 e 26,7
mA, o que daria uma grande variao no brilho.
Na Tabela 11 so apresentados alguns valores nominais de diodos LED. A unidade de intensidade
luminosa o cd (candela). Em fotometria, intensidade luminosa indica a medida da percepo da potncia
emitida por uma fonte luminosa em uma dada direo.
Conhecendo-se a corrente mxima do diodo LED utilizado, encontra-se o seu resistor limitador,
atravs de (15):
RS
VS VLED (15)
I
Exemplo 9
No site http://www.pcboard.ca/kits/led_notes/ encontra-se um aplicativo pelo qual possvel

calcular o resistor limitador para um e para trs diodos LED, como indica a Fig. 75.
Observe os valores escolhidos: diodos conectados em srie (3), 9 V para a tenso da fonte e 1,5 V
para VLED. Acesse o site e teste outros valores.
Tabela 11 Valores caractersticos de alguns tipos de diodos LED.

Fonte: http://www.electronica-pt.com/index.php/content/view/126/37/
IF VF VF VR Intensidade Angulo Comprimento
Tipo Cor
max. typ. max. max. Luminosa visualizao de onda
Standard Vermelho 30 mA 1.7V 2.1 V 5V 5 mcd @ 10 mA 60 660nm
brilhante
Standard 30 mA 2.0V 2.5 V 5V 80 mcd @ 10 mA 60 625nm
vermelho
Standard Amarelo 30 mA 2.1V 2.5 V 5V 32 mcd @ 10 mA 60 590nm
Standard Verde 25 mA 2.2V 2.5 V 5V 32 mcd @ 10 mA 60 565nm
Alta intensidade Azul 30 mA 4.5V 5.5 V 5V 60 mcd @ 20 mA 50 430nm
Super brilho Vermelho 30 mA 1.85V 2.5 V 5V 500 mcd @ 20 mA 60 660nm
Baixa corrente Vermelho 30 mA 1.7V 2.0 V 5V 5 mcd @ 2 mA 60 625nm
Verifique matematicamente o valor retornado pelo aplicativo.
Fig. 75 Clculo do resistor limitador para trs LEDS conectados em srie.

Exemplo 10
Para um diodo LED Azul, de

alta intensidade, encontre o resistor RS
conectado em srie com o mesmo.
O diodo ser alimentado por
uma fonte de + 12 V.
Soluo: pela Equao (15)
12 4,5
RS 250
30 mA
Valor comercial mais prximo: 270

ohms (veja o quadro ao lado, valores
comerciais de resistores).
Fonte:
http://euarduino.wordpress.com/tag/eletronica/
1.5.1.2 CORES do diodo LED
A cor uma percepo visual provocada Observador

pela ao de um feixe de ftons sobre clulas
especializadas da retina, que transmitem atravs
de informao pr-processada no nervo ptico,
impresses para o sistema nervoso4.
A cor de um material determinada pelas

mdias de frequncia dos pacotes de onda que
as suas molculas constituintes refletem. Um
objeto ter determinada cor se no absorver Verde
Azul
justamente os raios correspondentes
frequncia daquela cor. Assim, um objeto ou
Fig. 76 Esquema de uma superfcie vermelha: reflexo de ondas.
uma superfcie vermelho se absorve Fonte: www.arq.ufsc.br/labcon/arq5656/Curso_Iluminacao/07_cores/
preferencialmente as frequncias fora do imagens/cor_nos_materiais.jpg
vermelho (veja a
Fig. 76).
A cor relacionada com os diferentes comprimento de onda do espectro eletromagntico. So

percebidas pelas pessoas, em faixa especfica (zona do visvel), e por alguns animais atravs dos rgos
de viso, como uma sensao que nos permite diferenciar os objetos do espao com maior preciso.
Considerando as cores como luz, a cor branca resulta da sobreposio de todas as cores primrias
(amarelo, azul e vermelho), enquanto o preto a ausncia de luz. Uma luz branca pode ser decomposta
em todas as cores (o espectro) por meio de um prisma.
Na natureza, esta decomposio origina um arco-ris. Observao: Cores primrias so cores
indecomponveis, sendo o vermelho, o amarelo e o azul. Desde as experincias de Le Blond, em 1730,
4
Cor: Fenmeno tico. Universidade Federal do Par (26 de julho de 2009). Pgina visitada em 31 de janeiro de 2012.
Fonte: http://www.ufpa.br/dicas/htm/htm-cor4.htm
essas cores vm sendo consideradas primrias. A Fig. 77 mostra a localizao das cores, dentro do
espectro de frequncias, com relao ao comprimento de onda e frequncia.
Fonte: http://pt.wikipedia.org/wiki/Cor
Espectro visvel pelo olho humano (luz)
vermelho
amarelo
laranja
violeta
verde
ciano
azul
Comprimento de onda, (m)
Frequncia (Hz)
Fig. 77 Espectro de frequncias espectro visvel pelo olho humano (luz).

Fonte: http://espacodoconhecimento.org.br/blog/wp-content/uploads/2012/12/Espectro_eletromagnetico-pt.png
Apesar de o diodo LED ser um componente muito comentado hoje em dia, sua inveno, por Nick Holonyac,
aconteceu em 1963, somente na cor vermelha, com baixa intensidade luminosa (1 mcd). Por muito tempo, o LED foi
utilizado somente para indicao de estado, ou seja, em rdios, TVs e outros equipamentos, sinalizando se o
aparelho estava ligado ou no (ON/OFF).
O LED de cor amarela foi introduzido no final dos anos 60. Por volta de 1975 surgiu o primeiro LED verde,
com comprimento de onda ao redor de 550 nm, o que muito prximo do comprimento de onda do amarelo, porm
com intensidade um pouco maior, da ordem de algumas dezenas de mcd. Durante os anos 80, com a introduo da
tecnologia Al In GaP, os LEDs da cor vermelha e mbar conseguiram atingir nveis de intensidade luminosa que
permitiram acelerar o processo de substituio de lmpadas, principalmente na indstria automotiva.
Entretanto, somente no incio dos anos 90, com o surgimento da tecnologia InGaN foi possvel obter-se
LEDs com comprimento de onda menores, nas cores azul, verde e ciano, tecnologia esta que propiciou a obteno
do LED branco, cobrindo, assim, todo o espectro de cores.
At ento, todos estes LEDs apresentavam no mximo de 4.000 a 8.000 milicandelas, com um ngulo de
emisso entre 8 a 30 graus. Foi quando, no final dos anos 90, apareceu o primeiro LED de potncia Luxeon, o qual
foi responsvel por uma verdadeira revoluo na tecnologia dos LEDs, pois apresentava um fluxo luminoso (no
mais intensidade luminosa) da ordem de 30 a 40 lumens e com um ngulo de emisso de 110 graus.
Hoje em dia, os LEDs atingem um fluxo luminoso em torno de 120 lumen, com potncia de 1,0 3,0 e 5,0
watts, disponveis em vrias cores, responsveis pelo aumento considervel na substituio de alguns tipos de
lmpadas em vrias aplicaes de iluminao.
Fonte: http://www.iar.unicamp.br/lab/luz/dicasemail/led/dica36.htm
1.5.1.3 LEDs de 2 ou mais cores
Os diodos LEDs bicolores so construdos a partir de dois componentes unicolores no mesmo

encapsulamento. Possuem 2 ou 3 terminais. O esquema interno mostra dois LEDs ligados em "paralelo
inverso" ou em antiparalelo (um para frente, um para trs) combinados em um nico encapsulamento,
como mostra a Fig. 78.

Red
A B
Green
Fig. 78 Esquema de um diodo LED bicolor.

Fonte: http://www.electronics-tutorials.ws/diode/diode_8.html
LEDs bicolores podem produzir qualquer uma das trs cores, por exemplo, a cor vermelha emitida
quando o dispositivo est conectado com a corrente que flui em uma direo e uma cor verde emitida
quando a corrente eltrica flui em sentido oposto. Emprega-se este tipo de arranjo bidirecional na
indicao de polaridade, como ocorre na verificao da conexo correta de baterias ou de fontes de
alimentao.
Alm desta aplicao, o LED bicolor/bidirecional permite a produo de uma terceira cor, fruto da
mistura das duas cores dos dois LEDs do encapsulamento, se o dispositivo for alimentado por um sinal
alternado (AC) veja a Tabela 12.
Tabela 12 Operao de um LED bicolor.

LED Terminal A
AC
Selected + -
LED 1 ON OFF ON
LED 2 OFF ON ON
Colour Green Red Yellow
Existe outro tipo de LED multicolor, o tricolor, composto por um LED vermelho e um verde,
encapsulados juntos. Este dispositivo de trs terminais, ligados em catodo comum (Fig. 79). Este LED
denominado tricolor pelo fato de poder ser acionado numa cor vermelha ou verde de cada vez ou gerar
tons de cores complementares (terceira cor), como o caso da cor laranja ou amarelo, pelo acionamento
simultneo de dois LEDs com diferentes nveis de corrente. Todas as combinaes de cores possveis so
indicadas na Tabela 13.
Red
LED 2
A1
K
LED 1
A2
Green
Fig. 79 - Esquema de um diodo LED tricolor.

Fonte: http://www.electronics-tutorials.ws/diode/diode_8.html
Tabela 13 Operao de um diodo LED tricolor.

Output Colour Red Orange Yellow Green
LED 1 (Current) 0 5 mA 9,5 mA 15 mA
LED 2 (Current) 10 mA 6,5 mA 3,5 mA 0
Atravs de um procedimento, pode-se alterar a cor em um LED bicolor verde/amarelo ou

verde/vermelho, p. ex. Utilizando uma fonte contnua (6 V, com 4 pilhas de 1,5 V), um potencimetro e
um resistor limitador, pode-se obter outras cores a partir da combinao das cores presentes no LED
bicolor (BRAGA, 2011). O esquema do circuito apresentado na Fig. 80.

R
+ 47 POT
1 k LED Bicolor
Catodo comum
Fig. 80 Esquema de um circuito para obter a mudana de cor em um LED bicolor.

Fonte: http://www.newtoncbraga.com.br/images/stories/artigos9/art0608_05.jpg
LR 1 - Leitura Recomendada: Por que uma lmpada de LED mais econmica?

O diodo LED considerado uma promessa para o futuro da iluminao.
Elaine Martins (adaptado). Fonte: http://www.tecmundo.com.br/led/34046-por-que-uma-lampada-de-led-e-mais-economica-.htm
O uso da tecnologia LED est cada vez mais comum. Televisores, semforos e iluminao pblica
j contam com a presena de diodos emissores de luz no lugar das lmpadas comuns empregadas em suas
estruturas. Mas, afinal de contas, o que faz com que o LED seja mais econmico do que uma lmpada
incandescente ou fluorescente?
Em uma lmpada incandescente comum, menos de 10% da energia que passa por ela
transformada em luz. Os outros 90% de eletricidade so perdidos na forma de calor, por isso uma
lmpada desse gnero aquece tanto quando fica acessa por muito tempo. J pensando na economia de
energia, surgiram as lmpadas fluorescentes, que usam bem menos energia do que as sucessoras, mas
possuem mercrio em sua composio. Por isso, o LED surgiu como uma alternativa razovel. Alm de
possuir um tamanho bem reduzido em relao s demais lmpadas, o diodo possui uma taxa de
luminosidade realmente boa.
As lmpadas de LED so muito mais eficientes do que as comuns, pois produzem a mesma
quantidade de luz (ou lmen, para ser mais correto) utilizando bem menos energia. Alm disso, a gerao
de calor durante esse processo praticamente nula, o que ajuda na economia energtica.
Enquanto uma lmpada incandescente gasta certa de 60 W para produzir uma determinada quantia
de lmem, um conjunto de LED precisa de apenas 20 W. Outra grande vantagem das lmpadas de LED
que elas so muito mais resistentes do que as incandescentes e fluorescentes.
LR 2 - LED x Incandescente x Fluorescente
Ricardo F. Kauffmann (adaptado). Fonte: http://blogdokauffmann.wordpress.com/2011/08/28/led-x-incandescente-x-fluorescente/
J existem LEDs no mercado capazes de gerar 130 lm/W. Para comparao, vale informar que a
lmpada incandescente de 75 W fornece apenas 14,6 lm/W.
Iluminao um assunto muito srio. Um quarto (25%) de toda energia produzida no planeta
gasta para iluminar o planeta. As luminrias de LED gastam apenas um dcimo (10%) da energia
consumida pelas lmpadas incandescentes. Gastam menos de um tero (30%) de energia consumida pelas
lmpadas fluorescentes.
As lmpadas incandescentes j esto proibidas em vrios pases e no Brasil sero proibidas a partir
de 2016. As lmpadas fluorescentes so poluentes, pois contem mercrio. As lmpadas de LED no so
poluentes e alguns fabricantes possuem certificado RoHs que garantem que so amigas do meio ambiente.
A seguir, as figuras 81 e 82 e a Tabela 14 apresentam, para efeito de comparao, caractersticas
das lmpadas incandescente, fluorescente compacta e LED.

Fig. 81 - Comparativo entre lmpadas: incandescente x fluorescente compacta x LED.
* Estimado que a lmpada fique ligada 2 mil h / ano. ** R$ 0,40 o valor aproximado por kWh (mais impostos).
Fonte: http://afap.com.br/noticias/wp-content/uploads/2013/02/lampadas-economicas-Pop1.jpg
Observaes: * Equivalncia especificada na tenso 220 V. * Pela frequncia da renovao desta tecnologia os produtos podem sofrer alteraes
em suas especificaes. Fonte: http://www.lighting.philips.com.br/pwc_li/br_pt/lightcommunity/assets/guia_de_compras_a4_seq.pdf
Fig. 82 Comparativo entre caractersticas de lmpadas incandescentes e lmpadas de LED.
Tabela 14 Gastos estimados, ao longo de cinco anos, para uma casa com vinte
pontos de luz e utilizao mdia de dez lmpadas acesas durante 6 horas/dia.
Fonte: http://nerdeletrico.blogspot.com.br/2011/12/iluminacao-ep-4-como-medir-luz.html

Recommended Reading: Colours of LEDs.
Source: http://electronicsclub.info/leds.htm
LEDs are available in red, orange, amber, yellow, green, blue and white. Blue and white LEDs are much
more expensive than the other colours. The colour of an LED is determined by the semiconductor material, not by
the colouring of the 'package' (the plastic body) see Table 15. LEDs of all colours are available in uncoloured
packages which may be diffused (milky) or clear (often described as 'water clear'). The coloured packages are also
available as diffused (the standard type) or transparent.
Table 15 - Typical LED Characteristics.

Semiconductor
Wavelength Colour VF @ 20 mA
Material
GaAs 850-940 nm Infra-Red 1,2 V
GaAsP 630-660 nm Red 1,8 V
GaAsP 605-620 nm Amber 2,0 V
GaAsP:N 585-595 nm Yellow 2,2 V
AlGaP 550-570 nm Green 3,5 V
SiC 430-505 nm Blue 3,6 V
GaInN 450 nm White 4,0 V
Tri-colour LEDs
a1
The most popular type of tri-colour LED has a red and a k
green LED combined in one package with three leads (Fig. 83). a2
They are called tri-colour because mixed red and green light appears
to be yellow and this is produced when both the red and green LEDs Fig. 83 - Schematic of a two-color LED.
are on.
The diagram shows the construction of a tri-colour LED. Note the different lengths of the three leads. The
centre lead (k) is the common cathode for both LEDs, the outer leads (a1 and a2) are the anodes to the LEDs
allowing each one to be lit separately, or both together to give the third colour. Fig. 84 shows appearance of a tri-
color diode.
Sets green current
Red Green
1N4148
Sets red current
(a) (b)
Fig. 84 (a) Appearance of a bicolor LED diode. Source: http://www.molgar.es/fotos/real/dil04_001.jpg.
(b) Bi-Colour LED Output Shifting. Source: http://home.cogeco.ca/~rpaisley4/xColourShift2.GIF.
1.5.1.4 Display de 7 Segmentos
O display de sete segmentos de LED tem o seu aspecto apresentado na Fig. 85. Cada trao
apresentado neste dispositivo corresponde a um LED que deve ser aceso/acionado. Veja na Fig. 85c os
nmeros de 0 a 9 e os possveis smbolos que podem ser formados (alfanumricos).
Para formar, por exemplo, o nmero 7 no display, devero ser acionados em 5 V os seguintes
segmentos: a, b e c. Para formar o nmero 1, basta acionar os segmentos b e c.
Um display deste tipo pode perder o seu uso funcional caso algum dos segmentos deixe de
funcionar. Se o segmento g for danificado, quais nmeros no sero indicados?

Anodo ou Catodo
A ou K
(a) (b)
(c)
Fig. 85 (a) e (b) Aspecto e pinagem do display de 7 segmentos. (c) Formao de nmeros e smbolos.
Configurao Anodo Comum
A configurao anodo comum (Fig, 86), aquela onde todos os segmentos ou diodos tm o seu
terminal de anodo ligados em comum.
Logo, tais terminais s podem receber o sinal + 5 V, como ilustra a Figura 3.5, onde um resistor
R ligado em srie com a fonte, para dimensionar a corrente de cada LED do display.
Os terminais de catodo destes diodos devem ser conectados ao terra (GND).
+5V
R
Anodo comum
a b ... g
gn Cada segmento ser acionado

com a conexo do seu terminal de
d catodo ao Terra (gnd).
Fig. 86 - Configurao ANODO COMUM de um display de sete segmentos.
Para acionar o segmento a do display, basta conectar Cada segmento ser acionado
+5V .
o seu terminal catodo ao terra (gnd) e alimentar o terminal Com a sua ligao fonte VCC.
anodo comum em + 5 V.
a b ... g
Configurao Catodo Comum
Catodo comum
Os diodos LED do display de 7 segmentos tm os seus
catodos interconectados, como mostra o esquema da Fig. 87. Cada R
LED acionado com um sinal de + 5 V em seu terminal de anodo.
O terminal de catodo conectado ao terra (gnd) via resistor R de gnd
limitao de corrente.
Fig. 87 Display de 7 segs. (catodo comum).

Exemplo 11 - Este exemplo mostra o acionamento de um display de 7 segmentos atravs do
circuito integrado CD4511, um decodificador BCD-8421 para 7 Segmentos. A figura a seguir mostra o
acionamento do display de 7 segmentos com os sinais do cdigo BCD obtidos atravs da porta paralela
de um PC.
Fonte: http://www.rogercom.com/pparalela/ControleDisplay.htm.
1.5.2 Sensores de Luz
A Optoeletrnica uma rea da Eletrnica que agrega elementos de tecnologias tica e eletrnica.
Os dispositivos optoeletrnicos que emitem ou detectam radiao tica so denominados componentes
optoeletrnicos. Os circuitos optoeletrnicos tm aplicaes em diversas reas, podendo ser citadas:
telecomunicaes, automao e controle e sensoriamento remoto (ALMEIDA, 2006).
Exemplos de dispositivos optoeletrnicos:
1) diodo LED;
2) Fotodiodos e fototransistores;
3) Acopladores pticos.
O dispositivo LED foi estudado no item anterior e a base para os dispositivos optoeletrnicos.
Contudo, antes de estudar os dispositivos optoeletrnicos, convm conhecer um dispositivo sensor de luz
muito simples, que no optoeletrnico, apenas resistivo: o LDR, Light Dependent Resistor.
1.5.2.1 O Sensor de Luz LDR
O LDR, ou resistor dependente de luz, um sensor resistivo que apresenta uma variao em sua
resistncia com a quantidade de luz incidente em sua superfcie. Esta superfcie geralmente feita de
Sulfeto de Cdmio (CdS).
Este componente possui uma grande sensibilidade luz, conforme mostra a Fig. 88a. Apresentam
uma resistncia da ordem de M (106) no escuro e dezenas ou centenas de quando iluminados
(BRAGA, 2005). O seu smbolo e o seu aspecto construtivo so vistos na Fig. 88b.
A Fig. 89 mostra a construo de um divisor de tenso atravs do um resistor e de um LDR. H
duas possibilidades: 1) obter-se uma tenso de sada no divisor com um valor mnimo igual a zero ou 2)
mximo, igual ao valor da tenso da fonte.

Cd
(a) (b)
Fig. 88 LDR. (a) Grfico R x Intensidade Luminosa. (b) Smbolos e aspecto construtivo.
Fonte: http://eletronicadiaria.blogspot.com.br/p/foto-resistor-ldr.html
Equacionando o divisor de tenso:
Fig. 89a: Vo min

RLDR VS
Vo Vo min 0 R 0
R RLDR LDR
Fig. 89b: Vo max

R VS
Vo Vo max VS
(a) (b)
RLDR R RLDR 0
Fig. 89 Divisor de tenso com o dispositivo LDR.

Fonte: http://www.buildcircuit.com/voltage-divider-rule/
A Fig. 90 apresenta uma montagem de um divisor de tenso com um LDR e um resistor de 10 k,

alimentados por uma tenso de 6 V. A tenso lida no voltmetro oscila entre 6 V (com R LDR = 0) e um
valor menor que 6 V, quando RLDR 0. Por exemplo, para RLDR = 10 k, VAB = 3 V.
Mais frente sero estudadas outras aplicaes do LDR em circuitos eletrnicos mais complexos,
com o uso de transistores, amplificadores operacionais e o temporizador 555.
Exemplo 12
Sejam os divisores de tenso mostrados na Fig.89. Supondo, para a situao (a), R = 10 k, RLDR =
120 ohms (claro), RLDR = 8,2 k (escuro), e Vs = + 12 V, quais sero os valores da tenso Vo no claro
e no escuro?
Luminosidade alta (claro): Luminosidade baixa (escuro):
R VS 10k 12 R VS 10k 12
Vo = 11,86 V Vo = 6,59 V
RLDR R 120 10k RLDR R 8, 2k 10k
0V +6V
LDR Ponta Cabo vermelho

de Prova
A
10 k Voltmetro (20 VDC)
Jacar (0 V)
B
Cabo preto - +
Fig. 90 - Esquema de um circuito com LDR. Fonte: http://www.feiradeciencias.com.br/sala15/15_04.asp

1.5.2.2 O Dispositivo Optoacoplador
Uma outra aplicao dos diodos LED o opto-acoplamento. Nesta situao, o diodo LED opto-
isolador IR (infra-red ou infra-vermelho), diodo D1 (Fig. 91)Erro! Fonte de referncia no encontrada.
combinado com um foto-diodo, foto-transistor ou foto-triac, fornecendo um caminho de sinal ptico
entre uma entrada (input) e uma sada (output), garantindo o isolamento eltrico entre os dois circuitos.
A Fig. 92 mostra o controle de um LED sinalizador (0 a 12 V) por um sinal digital de 0 a 5 V.
High voltages ... cant damage the

on this side... delicate circuits
on this side + VCC
Signal R1 R2
input 0a5V
1 kHz
Signal
output
D1 D2
Signal Internal
GND 0 a 12 V (1 kHz)
GND
Fig. 91 Esquema de um opto-isolador com diodos (adaptado). Fig. 92 Exemplo de aplicao: acionando um
Fonte: http://www.ustudy.in/node/7519 diodo LED externo (funo de sinalizao).
O opto-isolador formado por um encapsulamento de plstico prova de luz, com uma tenso de ruptura
entre a entrada (foto-diodo) e a sada (foto-diodo ou foto-transistor, p. ex.) da ordem de 5 MV. Tal
isolamento eltrico especialmente til na situao em que o sinal de um circuito de baixa tenso como
um microcontrolador controla um circuito de potncia, onde os nveis de tenso e correntes so
potencialmente perigosos. Estes nveis podem comprometer a segurana dos operadores do sistema e
tambm a integridade dos dispositivos, em caso de uma falha (por exemplo um curto-circuito).
Exemplo 13 Aplicao: cortina de luz (segurana industrial), Fig. 93.

Fonte: http://castroingenium.no.sapo.pt/doc/PT-ch1_printed.pdf
(a) (b)
Fig. 93 (a) Aplicao horizontal de uma cortina de luz. (b) Cortina de luz para controle de acesso a um permetro.
Fonte: http://www.ab.com/pt/epub/catalogs/3377539/5866177/3378076/7131359/Dispositivos-de-detec-o.html
1.5.3 Sensores de Temperatura: NTC e PTC
Os sensores de temperatura como dispositivos eltricos so construdos com materiais

semicondutores. Denominados Termistores, tm a sua resistncia eltrica alterada termicamente, isto ,
apresentam um valor de resistncia eltrica para cada temperatura absoluta.
Existem dois tipos de termistores:

1. NTC (do ingls Negative Temperature Coefficient): so termistores que apresentam o
coeficiente de variao de resistncia com a temperatura negativo, ou seja: a resistncia diminui
com o aumento da temperatura, conforme se mostra na Fig. 94a.
2. PTC (de Positive Temperature Coefficient), termistores cujo coeficiente de variao de
resistncia com a temperatura positivo, isto , a resistncia aumenta com o aumento da
temperatura.
A Fig. 94b mostra algumas amostras indicando o aspecto fsico do termistor, de acordo com a sua
aplicao, e tambm o seu smbolo.
Smbolo NTC Smbolo PTC
- +
(a) (b)
Fig. 94 (a) Curvas dos termistores comerciais NTC e PTC - razes de resistncias em funo da temperatura. Fonte:
http://www.demar.eel.usp.br/eletronica/aulas/Sensores_de_temperatura.pdf. (b) Aspecto fsico e simbologia dos termistores.
Fonte: http://www.elemon.com.ar/media/rubrosvisuales/imagenes/fotos%20255/te-255%20001.jpg
Os termistores do tipo NTC possuem uma sensibilidade bastante elevada, da ordem de vrias
percentagens de /0C, o que permite detectar variaes nfimas da temperatura.
Apesar da elevada sensibilidade, os termistores tipo NTC apresentam uma no-linearidade na curva
R () x T (0C). A sensibilidade bastante dependente do processo de fabricao do termistor, da
necessria uma calibrao para cada um. Existem algumas topologias de circuitos para esta calibrao.
Exemplo 14 O NTC, conectado em srie com uma lmpada incandescente, pode prolongar a sua
vida til (Fig. 95). Lmpadas incandescentes podem ser queimadas no instante em que so ligadas, visto
que, nesta condio, a temperatura de seu filamento baixa, bem como a resistncia. Alm disso, a
lmpada pode ser ligada no instante de pico da senide da rede CA, o que pode agravar a situao.
Fig. 95 Fonte: http://img841.imageshack.us/img841/6644/circuitocomlampadaincan.png
Neste circuito, quando a lmpada ligada, o NTC apresenta uma resistncia alta (em baixa
temperatura). Da a corrente de partida limitada pelo valor de RNTC. O transitrio de partida cessa
quando o NTC e a lmpada se aquecem. A resistncia do NTC diminui e a corrente no circuito aumenta
at que a lmpada fique com brilho nominal. Esta aplicao do NTC em srie com a lmpada melhora a
sua eficincia bem como a sua vida til.

Exemplo 15 - Na Fig. 96, v-se uma aplicao do PTC como atenuador de corrente de pico. Com o aumento
da corrente no circuito (um curto-circuito na carga, por exemplo), a temperatura nos resistores aumenta o sensor
PTC passa por um auto-aquecimento.
A resistncia da lmpada fica ento acoplada resistncia do PTC, que, a partir de um ponto de inflexo, tem
o seu valor crescente com o aumento da temperatura (veja novamente a curva R () x T (0C), Fig. 94). A Fig. 97
mostra o aspecto de um PTC de 500 mA.
Fig. 96 O NTC como atenuador de corrente.
Fig. 97 Um PTC de 500 mA. Fonte: www.sparkfun.com/tutorials/57.
1.6 Circuitos Retificadores (CA-CC)
A energia eltrica que alimenta diversos equipamentos eltricos e aparelhos eletrnicos gerada e
distribuda na forma senoidal. Porm, em muitos aparelhos o funcionamento depende da tenso contnua,
que a fonte dos circuitos e placas, onde esto interligados os diversos dispositivos eletrnicos como
diodos, transistores, circuitos integrados etc.
Para se obter este sinal contnuo, preciso adequar o sinal senoidal a um nvel mais baixo, por
exemplo de 13800 V para 220 V. E ainda em nveis menores, tem-se transformaes de 220 V para 18 V
(valores eficazes). O equipamento que permite esta adequao de sinal (reduo ou elevao)
denominado transformador, presente em diversas etapas no sistema de gerao, transmisso e distribuio
de energia, apresentadas na Fig. 98.
Gerao
Transformador
Transmisso Usina Hidroeltrica
Subestao
Transmissora
Subestao
Distribuidora
Consumidores Comerciais
e Industriais Distribuio
Dispositivos de
automao da
distribuio
Consumidores residenciais
Fig. 98 Sistema de gerao, transmisso e distribuio de energia eltrica. Fonte:

http://engenharianodiaadia.blogspot.com.br/2012/02/o-desenvolvimento-dos-sistemas.html

1.6.1 O Transformador
O esquema de um transformador, monofsico, apresentado na Fig. 99. Considerando-se que no

h perdas neste sistema, a potncia de sada (P2) igual de entrada (P1), equao (18).
Pentrada P1 e Psada P2 V2 I 2 = V1I1 (16)
(a) (b)
Fig. 99 (a) Esquema de um transformador monofsico. (b) Smbolo.
Fonte: http://www.portaleso.com/usuarios/Toni/web_magnetismo_3/imagenes/transformador_3d.jpg
A relao de espiras, N1/N2, para tenso e corrente, dada por (17):
N1 V1 I 2
= (17)
N 2 V2 I1
Esta aproximao vlida visto que as perdas no transformador podem ser, na maioria dos casos,
desprezadas. Tais perdas aparecem neste sistema devido resistncia dos fios de cobre nas bobinas
(perdas por efeito Joule), presena de correntes parasitas no ncleo (perdas por correntes de Foucault) e
outras. Na realidade, a potncia do secundrio sempre menor do que a do primrio (MARQUES, 1996).
Exemplo 16 (MARQUES, 1996) Seja um transformador abaixador de tenso, de 110 V para 12 V

eficazes. Se o primrio possui 1000 espiras em seu enrolamento, qual ser o nmero de espiras no
secundrio?
Soluo:
N1 V1 110 1000 110
= N 2 109 espiras.
N 2 V2 12 N2 12
Exemplo 17 (MARQUES, 1996) Transformador com Tap Central (center tap)
A Fig. 100 apresenta o esquema de um transformador monofsico onde no enrolamento secundrio

existe uma derivao central, conhecido na literatura tcnica como tap central (ou center tap).
(a) (b) (c)

Fig. 100 - (a) Esquema de um transformador com tap central. (b) formas de onda no secundrio, em relao ao neutro
(terminal CT do transformador). (c) Polaridades das tenses senoidais v2a e v2b.

Em relao a este tap, tm-se duas tenses iguais e opostas em polaridade, v2a e v2b.
A carga RL1 recebe metade da tenso do secundrio.
Por exemplo, para V2rms = 110 V, a tenso em RL1 VRL1 V2 2 110 2 55 Vef .
carga RL2 entregue toda a tenso do secundrio do transformador: VRL 2 V2 110 Vef .
1.6.2 Retificador de Meia-Onda (MO)
Um Retificador ou Conversor CA-CC aquele que converte um sinal alternado em um sinal

contnuo, atravs de chaves estticas (diodos, tiristores etc.), contendo uma pequena ondulao (ripple)
sobreposta ao sinal mdio (CC) [LANDER, 1996].
A Fig. 101 mostra a mais simples de suas topologias, onde a tenso de entrada obtida diretamente
da rede eltrica monofsica, por exemplo, em 127 VRMS.
Fig. 101 Retificador Monofsico de meia-onda (Boylestad e Nashelsky, 2004). Copyright 2002
As formas de onda na carga (resistiva) so apresentadas na Fig. 102, onde o diodo ideal.
Etapas de operao:
Tenso de sada
Ideal (vo ), por etapas
vo
Etapa
vi vo vi vo = vi + Vm

0 T/2 t
Regio de conduo (0 a T/2)
Ideal
vo
Etapa + Vm vo = 0
vi vo vi vo = 0

0 T/2 T t
Regio de no-conduo (T/2 a T)
Fig. 102 Formas de onda de entrada e sada para um retificador M. O. (Boylestad e Nashelsky, 2004).
Valor mdio da tenso de sada, Vmed ou VDC Carga Resistiva
Como visto na figura anterior, a forma de onda da tenso numa carga resistiva ocorre somente
em meio ciclo. O clculo do valor mdio feito a partir da definio (EDMINISTER, 1991), ver a
Fig. 103, para uma tenso de entrada senoidal.
rea 1 T
Vmed
Perodo (T) T 0
v(t ) dt (18)

Fig. 103 Valor mdio (VDC) Retif. M.O. (Boylestad e Nashelsky, 2004).
Uso do Clculo Integral
Neste texto ser apresentada, de forma muito simples, o uso do clculo integral para encontrar a
rea de uma funo em um intervalo de tempo, i. e., dentro de dois limites, inferior e superior.
No caso da sada do retificador de M. O.:
de 0 a T/2 (0 a rad) o diodo permite a passagem do sinal de entrada para a sada.
No intervalo de T/2 a T ( a 2 rad) o diodo est reversamente polarizado (chave aberta) e,
portanto, a tenso de sada no retificador nula.
Aplicando a equao (18) para o intervalo de 0 a T (0 a 2 rad):
0
1 2
Vmax.sen d 0 d
1 T 1
Vmed
T 0
v(t ) dt

2 0
2 0
Vmax.sen d
onde = t qualquer ngulo da forma de onda.

sen d cos Vmax . sen d Vmax . cos 0

Da tabela de integrais:
0
Resolvendo a equao:
cos( ) 0
1 T 1 Vmax
Vmed
T 0
v(t ) dt
2 0
Vmax . sen d
2

Vmax
cos( ) ( cos 0) Vmax (1) cos(0) Vmax 2 Vmax
2 2 2
Vmax .
Logo, Vmed VDC 0,318 Vmax

VDC Vmax
A corrente mdia na carga obtida pela Lei de Ohm, I = V/R: I Lmed I DC
R R
Por aproximao, para um diodo de Silcio por exemplo (Fig. 104), o valor mdio na carga ser:
Vmax VF
Vmed VDC

Vmax - VF
Fig. 104 Valor mdio (VDC) utilizando um diodo de Silcio (Boylestad e Nashelsky, 2004).
Exemplo 18 - Seja o circuito retificador da Fig. 102, para um sinal de entrada triangular (Fig. 105).
Calcular o valor mdio da tenso na carga, utilizando o mtodo do clculo da rea. Considerar o diodo de
Silcio (VF = 0,7 V).
Soluo: utilizando a relao Vmed = rea de f(t) / Perodo (T) e definindo, por aproximao, a tenso
na sada uma rampa ocorrendo de T/2 a T, tem-se a sua representao na Fig. 106, onde Vo max = Vm.
10V
vi
0V
-10V
V(Vi:+)
10V
0V vD
-10V
V(D7:1,D7:2)
10V
vo
5V
0V
-5V
-10V
0s 2ms 4ms 6ms 8ms 10ms 12ms 14ms 16ms 18ms 20ms 22ms 24ms 26ms 28ms 30ms
V(R2:1)
Time
Fig. 105 Formas de onda do retificador M. O. do Exemplo 17.
10V
Vo max
8V
6V
4V
2V
0V
-1V
2ms 4ms 6ms 8ms 10ms 12ms 14ms 16ms 18ms 20ms
V(R2:1)
Time
0 T/2 T
Fig. 106 Tenso de sada para um sinal de entrada triangular.

A tenso de sada do circuito, vo(t), pode ser dividida em duas:
vo1(t) = 0, que ocorre no intervalo de 0 a T/2 e vo2(t) = at, de T/2 a T.
V 0 2Vm
Fazendo o valor mximo de vo2(t) igual a vo 2 (at ) m t t
T T 2 T
Mtodo do clculo da rea:
rea A1: de 0 a T/2 A1 = 0.

b h T T 2 Vm Vm T
rea A2: de T/2 a T A2
2 2 4
Vm
0+ T
rea A +A 2 4 V 10 - 0,7 9,3
Vmed 1 m 2,33 V
Perodo (T) T T 4 4 4
Tenso Reversa (VR ou VBR, de breakdown voltage)
A tenso reversa ocorre nos retificadores e um fator de grande importncia no seu projeto.
considerada sempre a pior condio, o instante em que a tenso de entrada tem o seu valor mximo
(positivo ou negativo, dependendo da orientao do diodo no circuito).
Tambm denominada de PIV, tenso inversa de pico (peak inverse voltage).
Na situao de tenso inversa:
- o diodo est reversamente polarizado;
- o diodo uma chave aberta e da, no circula corrente pelo mesmo;
- preciso ficar atento ao valor de VBR fornecido pelo fabricante (tenso reversa mxima), acima da
qual o diodo danificado, podendo ficar em curto-circuito (short-circuit) ou em aberto (open-circuit).
Exemplo 19
Qual a tenso reversa no circuito da Fig. 107., onde o diodo est representado por uma chave
aberta, devido ao instante do sinal de entrada (valor mximo negativo da senide vi). A tenso de entrada
uma senide em 60 Hz, dada por vi = 180 sen t.
Fig. 107.
a) Qual a orientao do diodo neste circuito? ( )

( )
b) DESAFIO: se, senide de entrada for acrescentado um sinal CC de + 50 V, qual ser a nova tenso reversa no
diodo?

Valor Eficaz da tenso de sada, VRMS ou Vef Carga Resistiva
O valor eficaz ou rms (do ingls root mean square, ou valor mdio quadrtico) de uma funo
peridica v(t) obtido atravs de (19):
1 T
Vrms
T 0
v( t ) 2 dt
(19)
Exemplo 20 - Para um sinal senoidal, como o fornecido pelas concessionrias de energia eltrica, em
60 Hz:
vi = vrede CA =Vmax sen t (20)
O valor eficaz de uma senide completa, como em (20), calculado por:
1 T 2 1 T 2
Vef VRMS
T 0
vi (t )d (t )
T 0
Vmax sen 2 d , onde = t
Como o perodo da senide de 2 rad, e esta ocorre de 0 a 2, pode-se escrever, elevando ao

quadrado os dois lados da equao:
2
2 Vmax 2
Etapas de operao:V 2 1
2
2
Vmax sen 2 d sen 2 d
2
ef 0 0 Tenso de sada
Ideal (vo ), por etapas
2
V2 sen 2 2
Vmax 2 sen 2 2 0 sen 2 0 vo
V max
2

2 2 v 4
ef
Etapa
vi 2 4 vo0 2
i
2 4
v =v + Vm
o i
2
Vmax V2 V2 V
Vef2 max Vef max max 0 T/2 t
2 2 2 2
Regio de conduo (0 a T/2)
Ideal 21 Valor RMS de um sinal retificado em meia-onda (MO)

Exemplo
Para um retificador de MO, a forma de onda de sada vo

Etapa apresentada na Fig. 108. De 0 a rad, o diodo conduz e a tenso de + Vm vo = 0
vi
entrada transmitida carga (o anodo
vo resistiva vi do diodo ligado vo =0
fonte e o catodo carga).
Como no intervalo de a 2 rad o diodo est reversamente
polarizado, este uma chave aberta e, portanto, no h tenso na carga 0 T/2 T t
(tenso nula). O clculo dodevalor
Regio eficaz ser
no-conduo (T/2 aefetuado
T) ento no 0 2
intervalo de 0 a rad.
Fig. 108.

2
1 Vmax
Vef2 sen2 d sen2 d
2
Vmax (21)
2 0 2 0
Resolvendo a expresso (21):

2
1 Vmax
Vef2 sen 2 d sen 2 d
2
Vmax
2 0 2 0

V2 sen 2 2
Vmax sen 2 0 sen 2 0
V max
2

2 4 0 2 2
ef
2 4 2 4
Vmax
2 2
Vmax
Vef2
2 2 4
2
Vmax V
Vef max
4 2
EF 10 Calcule o valor RMS da tenso e da corrente de sada do circuito da Fig. 109.
Fig. 109 - Circuito do EF6 retificador de onda.
EF 11 Para o retificador da Fig. 109, o qual alimenta uma carga resistiva de 100 (245 W),
alimentado por uma tenso de entrada v rede vt 220. 2. sent , pede-se:
a) a tenso mdia na carga;
b) a corrente mdia na carga;
c) a tenso reversa mxima no diodo (PIV);
d) a corrente eficaz na carga;
e) a potncia eficaz (potncia transferida ao resistor R), em Watts [W]. O resistor R indicado poder ser utilizado?
Simulao 9 - Retificador com transformador abaixador de tenso, Fig. 110, com

v1 vt 127. 2.sent .
Fig. 110 Circuito retificador de MO com uso de transformador abaixador de tenso.

200 V
v1 vRL
100V
0
V
- 100 V
- 200V
0s 5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms 35ms 40ms 45ms 50ms
V(RL:2) V(v1:+)
Time
Fig. 111 Formas de onda simulao do circuito da Fig. 110.
1.6.3 - Retificador Monofsico de Onda-Completa (OC)
1.6.3.1 Retificador Monofsico com 2 diodos Uso do Transformador com Tap Central (Center-Tap)
Um retificador pode melhorar em 100% o nvel CC ou nvel mdio obtido a partir de uma tenso
senoidal. Tal tecnologia denominada de retificao em onda completa, OC. Um circuito simples, que
utiliza apenas dois diodos apresentado na Fig. 112, com o acrscimo de um transformador com TAP (ou
derivao) central no enrolamento secundrio.
A Fig. 113 mostra a etapa 1 de operao do circuito, onde somente o diodo D1 conduz, devido
polaridade do sinal senoidal no secundrio do transformador (primeiro semiciclo). Neste intervalo, o
diodo D2 se encontra reversamente polarizado.
Fig. 112 Retif. de OC com transformador de TAP central (Boylestad e Nashelsky, 2004).
Fig. 113 - Etapa 1 de operao do retif. de OC com tap central (Boylestad e Nashelsky, 2004).

Na etapa 2 (Fig. 114) a situao se inverte. O semiciclo negativo da tenso de entrada habilita
somente o diodo D2 a conduzir (D1 est em corte ou em estado OFF, desligado).
iD2
Fig. 114 - Etapa 2 de operao do retif. de OC com tap central (Boylestad e Nashelsky, 2004).
Tenso Reversa nos Diodos D1 e D2 (Fig. 115)
A tenso reversa nesta topologia encontrada escolhendo-se um dos diodos desligados. Na

Fig. 115b o diodo D1 est reversamente polarizado. A sua tenso anodo-catodo , de acordo com o
circuito:
VAK = VA VK = Vm Vm 0 = 2 Vm (22)
K (de D1)
Fig. 115 (a) Diodo D1 conduzindo. (b) Diodo D1 reversamente polarizado.
Tal expresso vlida para os diodos D1 e D2 ideais. Note-se que o potencial de catodo de D1 foi
considerado como referncia, e por D2 estar conduzindo, VK de D1 se encontra no terminal (+) do
enrolamento inferior do trafo.
Logo, para o correto dimensionamento dos diodos: VBR 2Vmax.
Tenso Mdia na Carga R
Como se pode observar, nas duas etapas de operao, na carga circula uma corrente unidirecional.
Assim, a carga resistiva tem somente uma polaridade (ou seja, a corrente na mesma no inverte o
sentido). No h um intervalo em que a tenso sobre a carga seja nula, como ocorre com o retificador de
onda. A tenso na carga ser nula somente nos instantes mltiplos de rad (, 2, ..., n).
O valor mdio da tenso na carga resistiva (R) encontrada atravs dos seguintes clculos,
considerando-se que a frequncia do sinal de sada duas vezes maior do que a do sinal de entrada. Por
exemplo, para um sinal de entrada em 60 Hz, tem-se um sinal de sada neste retificador de 120 Hz. Logo,
o perodo de rad.
1 T
T 0
Vmed v(t ) dt
Vmax . sen d max cos( ) 0 max cos( ) ( cos 0)

1 V V
0

Vmax
(1) cos(0) Vmax 2 2.Vmax

VDC 2.Vmax
A corrente mdia na carga obtida pela Lei de Ohm, I = V/R: I Lmed I DC
R R
Para os diodos na 2 aproximao, considera-se a tenso direta em cada diodo, VF:
2 Vmax VF
O valor mdio na carga ser dado por: Vmed VDC

EF 12 Plotar no oscilograma da Fig. 116 as formas significativas de onda do circuito da Fig. 117.
Fig. 116.
Dados:
Vi = 180 sen t, em 60 Hz.

Transformador: 10:1.
R = 47 ohms, 100 W.
a) Qual o valor mdio da tenso na carga?
b) Encontre a tenso reversa nos diodos.
Fig. 117.

EF 13 Refazer o EF8 considerando o diodo D2 for danificado (falha de circuito aberto).
1.6.3.2 Retificador Monofsico em Ponte (Full Bridge)
Outra topologia para a retificao em OC apresentada na Fig. 118, em formatos diferentes.

Eletricamente o circuito o mesmo, basta verificar as conexes dos terminais da fonte CA s junes
entre os diodos D1 e D3 (brao 1 da ponte) e D2 e D4 (brao 2), respectivamente.
Este retificador tambm denominado de retificador monofsico de 2 caminhos. A cada semiciclo
do sinal de entrada, dois diodos esto ligados (ON) e dois desligados (OFF).
(a) (b)
Fig. 118 Retificador de onda completa em ponte.
Modo de operao do retificador em OC
1 Etapa de Funcionamento
Na primeira etapa de funcionamento, a tenso da fonte est no semiciclo positivo, o que polariza os
diodos D1 e D4 diretamente, os quais conduzem a corrente de carga iL.
Os diodos D2 e D3, reversamente polarizados, encontram-se bloqueados.
Fig. 119 Etapa 1 de operao: semiciclo positivo da tenso de entrada (Boylestad e Nashelsky, 2004).
2 Etapa
Durante a 2a etapa (Fig. 120), no semiciclo negativo da fonte, a situao se inverte: D2 e D3 esto
agora diretamente polarizados, conduzindo iL , e os diodos D1 e D4 esto bloqueados. A forma de onda
resultante na carga resistiva vista na Fig. 121.

Fig. 120 Etapa 2 de operao: semiciclo negativo da tenso de entrada (Boylestad e Nashelsky, 2004).
As formas de onda para este circuito so idnticas s estabelecidas para o retificador monofsico de
ponto mdio, j mostradas na Fig. 115, exceto para a tenso reversa nos diodos. Assim, os clculos para a
tenso mdia e corrente mdia na carga so idnticos.
A nica mudana para estes ltimos ocorre quando se considera os diodos na 2 aproximao,
como se mostra nas expresses (23) e (24).
Fig. 121 Tenses de entrada e de sada do retificador de OC em ponte (Boylestad e Nashelsky, 2004).
Valor mdio na carga:
2(Vmax 2VF )
VDC (23)

Valor eficaz (RMS) na carga:
(Vmax 2.VT )
VRMS (24)
2
A Fig. 122 mostra uma ponte integrada de diodos (monofsica), onde so disponveis 4 terminais: 2
de entrada, identificados pelo smbolo (~) e dois de sada, identificados pelos smbolos (+) e (-).
Na Tabela 16 so apresentados os valores mdios e eficazes para os retificadores monofsicos de
onda e de onda completa, carga resistiva e diodo ideal.
(a) (b)
Fig. 122 (a) Configurao da ponte retificadora com diodos encapsulados. (b) aspecto prtico. Fontes:
(a) www.newtoncbraga.com.br/index.php/instrumentacao/107-testando-componentes/999-teste-de-pontes-retificadoras-ins028
(b) http://seriallink.com.br/loja/images/prod_ponte_diodos_8A_gde.png

Tabela 16 Resumo: valores mdios e eficazes na carga para Retificadores Monofsicos, carga resistiva.
Retificador Topologia e formas de onda Valores mdio e eficaz na carga
Vmax VF
VDC
Retificador de onda,
onde VF = 0,7 V
(diodo de Silcio)
Vmax VF
Vrms
2
2(Vmax - VF )
Retificador de
VDC
onda completa
(2 diodos, com
Vmax VF
transformador
com Tap central)
Vrms
2
EF 14 Para um retif. de OC em ponte, sejam as etapas de operao apresentadas na Fig. 123.
Fig. 123 EF 14: etapas de operao de um retif. de OC em ponte.
a) Considerando os diodos de Silcio e o valor mximo da senide de entrada igual a V m, qual ser a
tenso reversa em cada diodo? Faa o clculo para o diodo D2 na primeira etapa.
b) Como ficaria a tenso de sada se o diodo D3 fosse danificado em curto-circuito?
EF 15 Para o circuito da Fig. 124, vi(t) = 15 sen t, em 1 kHz. Considerar os dois diodos de Silcio
(com VF = 0,7 V). A carga resistiva, R = 2 k. Pede-se:
Fig. 124 EF 11 ponte (Boylestad e Nashelsky, 2004). Copyright 2002 by Pearson


a) determinar a forma de onda da tenso de sada vo(t) e determinar o seu valor mdio.
b) Calcular a tenso reversa em cada diodo.
c) Qual ser a frequncia do sinal de sada? Justifique.
EF 16 Explique a operao do sistema de acionamento de um motor de CC, mostrado na Fig. 125.
Fig. 125 EF 12. Fonte: http://openbookproject.net/electricCircuits/Exper/05139.png

Simulao 10 Retificador de OC em Ponte (Full Bridge) Figuras 126 e 127.
Para um sinal senoidal de entrada de 180 V de pico, qual a tenso reversa em cada diodo deste circuito?
Considere os diodos de Silcio (VF = 0,7 V).
Fig. 126 Esquema de um retif. de o.c. no PSpice.
vi 200V
0V
-200V
V(Vi:+,Vi:-)
iD1
2.0A
0A
I(D1)
iD2
2.0A
0A
I(D2)
iD3
2.0A
0A
I(D3)
iD4
2.0A
0A
I(D4)
vD4 0V
SEL>>
-200V
-V(D4:2,0)
vRL 200V
100V
0V
0s 10ms 20ms 30ms 40ms 50ms 60ms
V(RL:2)
Time
Fig. 127 Formas de onda significativas para o circuito da
Fig. 126.

1.7 Projeto de Filtro Capacitivo em Retificadores
Para a construo de uma fonte de tenso contnua regulada, preciso seguir algumas etapas, como
mostra a Fig. 128. A segunda etapa constitui a filtragem do sinal alternado retificado (reduo da
ondulao ou ripple).
Capacitores
Eletrolticos
(aspecto)
Fig. 128 Etapas para a construo de uma fonte de tenso CC regulada ou estabilizada.
Este filtro pode ser construdo com a utilizao de capacitores eletrolticos, que operam
polarizados.
O uso de filtros capacitivos comum em fontes de alimentao CC onde no necessrio uma boa
regulao, i. e., determinados nveis de ondulao so aceitveis na tenso entregue carga (MARQUES,
1996).
1.7.1 Filtro capacitivo em um retificador operao e parmetros
A Fig. 129 apresenta um circ. retificador monofsico com um filtro capacitivo, onde so utilizados
dois valores de capacitor: 20 F e 500 F.
Com qual valor de capacitor a tenso de sada teria menos ondulao?
A tenso de ondulao, ou de ripple, a variao de pico-a-pico na tenso de sada. Para uma fonte
com regulao perfeita, o ripple seria nulo!
(VERM.)
(AZUL)
Fig. 129 (a) Retificador de onda com filtro capacitivo. (b) formas de onda de entrada (azul) e de sada (vermelho).

CLCULO do Valor Mdio na sada do retificador com Filtro Capacitivo
a) Equaes para um capacitor onde RC T (capacitores grandes)
Para valores grandes de capacitor, a forma de onda na sada do retificador com filtro poder ser
linearizada, como mostra a Fig. 130.
vo
vRL (ripple) vC
Vmax
VDC
vo sem filtro
0 T/2 T t
Fig. 130 Linearizao da tenso de sada do retif. de MO com filtro (para capacitores grandes).
RC a constante de tempo do capacitor (). Supondo, por aproximao, que o capacitor se carrega
instantaneamente, teremos tc = 0. A corrente de carga do capacitor ser:
Q
I DC Q C.VRL (25)
t
onde VRL a ondulao (ripple) da tenso de sada. Da tem-se:
Q C.VRL
I DC C. f .VRL (26)
t T
Como, pela Lei de Ohm, IDC = VDC / RL, a tenso mdia na carga ser dada por:
VDC R.I DC R.C. f .VRL (27)
Pela forma de onda linearizada,
VDC Vmax VRL 2 (28)
Da Equao (29), obtm-se:

VDC
VRL (29)
R.C. f
Substituindo este parmetro na Equao (30) e isolando-se o parmetro VDC, encontra-se:
VDC
VDC Vmax
2 RCf
2.R.C. f .Vmax
VDC (30)
1 2.R.C. f
onde f a frequncia da rede CA. Nos retificadores de onda o perodo de vo igual ao perodo do
sinal da rede alternada, vrede CA.

Tenso de Ripple
O valor de pico-a-pico (amplitude) da tenso de ripple pode ser encontrado atravs de (31):
Vripple( p p ) Vmax fRC (31)
onde
Vmax o valor mximo da tenso de sada (V);
f = frequncia da ondulao (Hz);
RL = R = resistncia da carga () e C = capacitor em (F).
Para os retificadores de OC, onde o perodo de vRL ou vo a metade do perodo de vrede CA, o valor
de VDC ser encontrado por
4.R.C. f .Vmax
VDC (32)
1 4.R.C. f
Expresso genrica:
n.R.C. f .Vmax 2 : retif. de MO

VDC com n
1 n.R.C. f 4 : retif. de OC
A Fig. 131 ilustra esta situao, onde a tenso de sada linearizada, tendo o formado triangular.
Fig. 131 Tenso de ripple aproximada (linealizada) em um retificador de OC (Boylestad e Nashelsky, 2004).
O valor de pico-a-pico (amplitude) da tenso de ripple ser menor, encontrado por (33) e (34):
Vmax
Vripple ( p p ) (33)
2 fRC
I DC .VDC
Vripple ( p p ) (34)
2. f .C.Vmax

b) Equaes para um capacitor onde RC < T (capacitores pequenos)
Neste caso, o capacitor se descarrega mais rapidamente, como mostra o exemplo da Fig. 132. A
forma de onda na carga durante a descarga do capacitor mais prxima de uma onda exponencial
decrescente. O tempo de descarga prximo do perodo T.
20V
10V
0V
-10V
-20V
0s 5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms 35ms 40ms 45ms 50ms
V(RL:2) V(vi:+,vi:-)
Time
Fig. 132 Descarga do capacitor de filtro para RC < T.
A tenso de ripple de pico-a-pico encontrada a partir de (SEDRA e SMITH, 2000):
Vripple ( p p) Vmax Vmax eT / RC (35)
No retificador de OC, o perodo do sinal de sada a metade do perodo do sinal de entrada. Da,
Vripple ( p p ) Vmax Vmax eT / RC , onde T = T/2.

T o perodo de sada, com f = 120 Hz se a frequncia do sinal de entrada for de 60 Hz.
Tenso mdia de sada (aproximada): V DC Vmax Vripple ( p- p ) 2
Fator de Ripple ou de Ondulao (FR)
A sada de um retificador CA-CC com filtro possui um nvel CC (valor mdio) e alguma variao
CA, denominada de tenso de ripple (vide aspecto do sinal de vo acima e o sinal de ripple, vr pp
linearizado) Fig. 133.
vo
vo = vr pp
VDC
t
Fig. 133 Sinal de ripple linearizado (sada de um retificador de OC).

O fator de ripple permite encontrar o quanto retificado o sinal CA no processo. Por este fator
pode-se comparar diversos mtodos/circuito de retificao. definido como (36):
Vac
r 100% (36)
VDC
Para melhor compreender este fator, seja um exemplo (CIPELLI, 2001):

Um sinal retificado em onda completa, contnuo e pulsante, mostrado na Fig. 134.
v
t
v R
Pef = Pdc + Pac

Fig. 134 Potncias em um sinal contnuo pulsante.
A sua equao matemtica, segundo a srie de Fourier, : v = VDC + h
sendo: VDC o nvel de tenso contnua e

h o somatrio das componentes harmnicas.
Observao: para uma onda puramente contnua, o termo h = 0.

Se for aplicada uma tenso retificada em O. C. a um resistor, a potncia dissipada por ele ser dada
pela expresso:
Pef = Pdc + Pac
onde:
Pef = potncia eficaz devido tenso contnua pulsante;

Pdc = potncia devido tenso mdia contnua, Vdc;
Pac = potncia eficaz devido componente alternada ( h).
Logo, tm-se:
Vef2 Vdc2 Vac2
Pef = Pdc + Pac Vef2 Vdc2 Vac2
R R R
Portanto, o valor eficaz da componente alternada :
Vr Vac Vef2 Vdc2 (37)
Para um sinal senoidal retificado em OC:

Vripple ( p p)
Vac
2 3

Exemplo 22 Qual o fator de ripple de um sinal de sada de um retificador de meia-onda (carga
resistiva)? Observao: tenso mdia, VDC = Vmax/ e tenso eficaz, Vef = Vmax/2.
2 2
V V 1 1
Vr Vac max max Vmax
2
2 0,3856 Vmax
2 4
Vac 0,3856 Vmax

r 100% 100% 121%
VDC 0,318 Vmax
Para o retificador de OC, r = 48 % (VERIFIQUE).
Estes clculos mostram que a ondulao nestes circuitos muito alta, o que no recomenda o uso dos
mesmos como fonte de CC.
Exemplo 23 Seja o circuito da Fig. 135, onde vi um sinal senoidal, de 18 Vp (60 Hz). O diodo
de Silcio. Qual o fator de ripple na tenso de sada?
Soluo:
Clculo de RC: RC = 100 * 100 x 10-6 = 10 ms.
Como RC < T, utiliza-se: Vripple ( pp) Vmax Vmax e T / RC

Vripple ( p p ) Vmax 1 e T RC

Vripple ( p p ) (18 0,7) 1 e 16,67m 10m 17,3 1 e 1,67 12,27 V .
Fig. 135 Retif. de OC (carga RC).
Exemplo 24
As formas de onda da Fig. 136 so referentes ao retificador de MO citado no Exemplo 21.

Identificar o ponto de mxima tenso reversa no diodo e a sua equao matemtica.
O ponto de tenso reversa mxima no diodo D1 est indicado na terceira curva. Note-se que
quando o diodo conduz (carga do capacitor), a tenso sobre o mesmo em torno de 0,7 V.
Equao para calcular a tenso reversa:
VD1 (BR) = VAK = VA VK = - Vmax vo (no instante de (-Vmax))
20V vo (no inst.

de - Vmax)
0V
SEL>>
D1
-20V (on)
V(RL:2) V(vi:+,vi:-)
20V
- Vmax
0V
-20V
VD1 (BR)
-40V
0s 5ms
V(D1:1)- V(D1:2)
10ms 15ms 20ms 25ms 30ms 35ms 40ms
Time4 5 m s 50ms 55ms
Time
Fig. 136 Formas de onda do retificador de MO da Fig. 135.

1.8 Circuitos Ceifadores e Grampeadores
Os circuitos ceifadores so tambm conhecidos como limitadores de tenso (ou de corrente),

seletores de amplitude ou cortadores, extraindo uma poro do sinal de entrada, sem distorcer o mesmo.
1.8.1 Ceifador tipo Srie
O exemplo inicial de ceifador, tipo srie, mostrado na

Fig. 137. Em (a) o diodo tem a direo tal que a corrente flui da fonte para a carga resistiva, da esquerda
para a direita. Em (b) so apresentados exemplos de sinais de entrada, onda quadrada e onda triangular,
respectivamente e os correspondentes sinais de sada. Dependendo da orientao do diodo no circuito, a
regio positiva ou negativa do sinal de entrada ceifada.
VD = 0 (ideal) vi vi
vo +V
A K
+V
+ +
vi R
_ iD _ 0 0
t t
-V -V
- VBR + vo vo
vo +V +V
- A K
vi R
0 0
+ t t
-V -V
(a) (b) (c)
Fig. 137 Ceifador do tipo srie (Boylestad e Nashelsky, 2004). Copyright 2002 by
Como visto na figura anterior, os ceifadores SRIE so definidos como aqueles que tm o diodo
em srie com a carga. Na anlise dos sinais de um circuito ceifador, importante conhecer o roteiro para
se encontrar a resposta vo(t) em funo do sinal vi(t), entrada:
1) imaginar um esboo da resposta do circuito com base na direo do diodo e nos nveis de tenso
aplicados;
2) encontrar a tenso de transio que causar a mudana de estado no diodo (OFF ON), tendo em
conta que no instante do disparo a corrente nula;
3) estar sempre ciente dos terminais e da polaridade de vo(t);
4) com relao aos oscilogramas do circuito, traar na sequncia, vi(t) e vo(t), i.e., traar o sinal de sada
a partir dos valores instantneos da entrada.
Exemplo 25 Determinar, para o circuito da Fig. 138:
a) o ponto de desengate do diodo, a partir do qual ocorre o disparo do mesmo;

b) a forma de onda de vo(t) para o circuito ceifador srie com uma fonte DC (Fig. 138), onde V1 = 1 V.
Considere o diodo ideal.

vi vo
VD = 0 (ideal) + Vo max
+5 V + - vo
A K
?
V1 D1 +
0
vi R 0
t iD _ t
-5V - Vo max
Fig. 138 Ceifador srie com entrada triangular.
Soluo:
a) Para que o diodo D1 entre em conduo, necessrio que ocorra VAK 0 (o diodo ideal).
Assim, VA VK 0 vi V1 VK 0
Como, no instante do disparo a corrente no diodo nula, VK = R.ID = 0.
Da fcil encontrar o ponto de desengate:
vi V1 VK 0
vi V1 0 0
vi V1 0 vi V1
b) Do ponto de desengate, vi 1 V .
- Qual ser o valor mximo da tenso na sada? Como o valor mximo do sinal de entrada de 5
V, o valor mximo da tenso de sada ser de (5 1) = 4 V.
- As tenses vi e vo esto sincronizadas? Sim, esto em sincronismo, conforme mostra a Fig. 139.
vi vi
5 5
1
1
0 t
0 t
vo
vo
4
1
1 0 t
0 t
D1 (ON) D1 (OFF)
Fig. 140 Forma de onda na sada para o

Fig. 139 Formas de onda do ceifador srie do Exemplo 17.
diodo na 2. aproximao e V1 = 2,0 V.
Faa voc mesmo (a):
se a fonte V1 for substituda por outra de valor + 2 V, e se para o diodo D1 for utilizada a 2 aproximao
(VF = 0,7 V), qual ser a nova forma de onda na sada do circuito (Fig. 140)?

Exemplo 26 - Determinar a forma de onda de vo(t) para o circuito ceifador da Fig. 141.
Fig. 141 Circuito Ceifador srie5.
- Por uma primeira anlise do circuito, entende-se que o diodo

D1 s ligar com vi positivo.
- Mas qual ser a tenso de transio que liga o diodo?
Para o diodo ideal, vAK 0 para ocorrer o disparo.

No instante do disparo considera-se iD = 0 A.
Fig. 142 Ceifador srie, Ex. 25.
Tenso de transio
Tenso de anodo: vA = vi + 5 V (Fig. 142).
Tenso de catodo: vK = 0, visto que, no disparo, vo(t) = R.ID1
= 0 V, como ilustra a Fig. 143.
vAK 0 vA vK 0 vi + 5 0 0 vi - 5 V.
para vi < - 5 V, o diodo D1 no conduz, e vo = 0
Anlise :
para vi - 5 V, o diodo D1 conduz e tem-se vo = vi + 5 V Fig. 143.
A tenso de sada apresentada na Fig. 144.
Fig. 144 Formas de onda de entrada e de sada para o ceifador srie da Figura 143.
1.8.2 Ceifador tipo Paralelo
So definidos como aqueles que tm o diodo em paralelo com a carga (sada do circuito). O
exemplo mais simples de um ceifador paralelo est mostrado na
Fig. 145. No 1 semiciclo de vi, o diodo conduz e a sada um curto-circuito (aproximao: diodo ideal).
Com o diodo aberto (2 semiciclo), a tenso de sada igual de entrada, j que no h corrente
circulando pelo resistor R. Da, VR = 0 V.
5
Figuras 141, 142, 143 e 144: Electronic Devices and Circuit Theory, 8e. Copyright 2002 by Pearson Education,Inc. Upper Saddle River, New
Jersey 07458. All rights reserved.
Fig. 145 Resposta de um ceifador paralelo a um sinal de onda quadrada em sua entrada (Boylestad e Nashelsky,
2004). Copyright 2002 by Pearson Education, Inc. Upper Saddle River, New Jersey 07458. All rights reserved.
Exemplo 27 Encontrar o sinal de sada do ceifador da Fig. 146, para um sinal de entrada de onda
triangular (32 Vpp, em 10 kHz).
vi vo
+ Vo max
+ 16 V
- 16 V
t
0
- Vo max
? t
Fig. 146 Ceifador paralelo com entrada triangular, simtrica em relao ao eixo do tempo.
Soluo:
A tenso de anodo no circuito de 4 V (tenso V1). VA = 4 V.
A tenso de catodo dada por VK = vi VR1. Para o disparo do diodo D1, VAK 0,7 V.
Assim, para determinar o ponto de desengate do circuito (diodo OFF diodo ON), utiliza-se a
condio:
VAK 0,7 V De acordo com o circuito da Fig. 147:
VA VK 0,7 V [4 (vi VR1)] 0,7
iR1
iR2
Fig. 147 Circuito ceifador Exemplo 18.
Como, no instante do disparo, a corrente no diodo nula, e ainda levando em conta que o resistor
R2 tenha uma resistncia muito alta, ou seja, R2 (circuito aberto):
[4 (vi 0)] 0,7 4 vi 0,7 vi 3,3 vi + 3,3 V.

Com o diodo ligado: vo = + 4 0,7 = 3,3 V (vo mnimo).
Com o diodo desligado: vo = vi (t).

20V
+ 16 V
0V
- 16 V
-20V
V(vi:+
20V )
10V
3,3 V
0V
0 50u 100u 150u 200u 250u 300u 350u 400u
V(D1:2
s s s s s s s s s
) Time
Fig. 148 Ceifador paralelo com entrada triangular, formas de onda de entrada e de sada.
Exemplo 28
Para um sinal de entrada triangular, variando entre + 9 e 9 V (10 kHz), aplicado ao circuito da
Fig. 149, desenhar as formas de onda de sada (vo) e no diodo D1 (Si).
Para o diodo conduzir: VAK 0,7 V.
vo
vA = vi no disparo (ID1 = 0).
vK = 4 V.
VAK 0,7 V VA VK 0,7
vi 4 0,7 vi 4,7
Com o diodo ligado:
vRo = 4,7 V, como mostra a Fig. 150. Fig. 149 Ceifador paralelo do Exemplo 26.
Tenso reversa no diodo:

A tenso reversa no diodo igual a vAK no pior caso, onde vi = - 9 V.
Assim, VAK VA VK 9 4 13 V.
10V
0V vi
-10V
V(Vi:+)
0V
vo
vD1
-10V
SEL>>
0s 50us 100us 150us 200us 250us 300us Time3 5 0 u s 400us 450us

V(D1:1,V2:+) V(Ro:2)
Fig. 150 Formas de onda do ceifador do Exemplo
Time 27.

EF 17 Para o ceifador da Fig. 151, explique o seu modo de operao.

+ Vmax
10V
vi(t)
0V t
SEL>>
-10V
0 T - Vmax T
V(vi:+)
5.0V
2
(a) (b) (senoidal)
Sinal de Entrada
Fig. 151 Circuito ceifador de tenso, tipo srie. (a) topologia. (b) Sinal de entrada senoidal.
2.5V
0V
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2

V(R1:2)
Na Fig. 152 so mostradas as formas de onda de simulao do circuito, onde a entrada um sinal T
de entrada senoidal de 10 V de pico, em 1 kHz.
10V
0V
SEL>>
-10V
V(vi:+)
5.0V
2.5V
0V
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms 3.5ms 4.0ms 4.5ms 5.0
V(R1:2)
Time
Fig. 152 Formas de onda ceifador srie, EF 17.
EF 18 Sejam os estados apresentados na Fig. 153, para o sinal de entrada de um circuito ceifador.
Qual ser a forma de onda de sada resultante? Explicar a operao do ceifador e desenhar os
oscilogramas de vi(t) e vo(t) no espao disponvel na Fig. 154b.
Fig. 153 Circuito ceifador (Boylestad e Nashelsky, 2004). Copyright 2002 by


(a) (b)
Fig. 154 (a) Tenso de entrada do circuito da Fig. 153 (Boylestad e Nashelsky, 2004). Copyright 2002 by
Pearson Education, Inc. Upper Saddle River, New Jersey 07458. All rights reserved. (b) Tenso de sada.
1.8.3 Circuitos Grampeadores
O circuito grampeador fixa ou grampeia o sinal de entrada em um nvel DC diferente. Para

montar este circuito, necessrio, conforme mostra a Fig. 155:
- uma fonte de entrada (sinal peridico);
- um capacitor eletroltico;
- um diodo (para sinais de entrada em frequncias muito altas deve ser um diodo rpido,);
- um resistor.
- uma fonte de tenso independente (indicada por Va na figura acima).
Uma caracterstica marcante dos circuitos grampeadores : a excurso (variao de pico-a-pico) do
sinal de sada a mesma do sinal de entrada (vo = vi), como ser verificado.
Fig. 155 Aspecto de um circuito grampeador de tenso (Boylestad e Nashelsky, 2004).

A constante de tempo = RC deve ser projetada de modo que deva ser grande o suficiente para que
a tenso no capacitor no se descarregue sobre o resistor de sada no intervalo em que o diodo no estiver
em conduo.
Vale lembrar que um capacitor leva um tempo de aproximadamente 5 para se carregar ou se
descarregar. O sinal vi(t) tem uma frequncia f, dada por f = 1/T. Da, 5 >> (T/2).
Exemplo 29 Operao bsica de um Grampeador de Tenso.

A Fig. 156 mostra um grampeador de tenso que recebe uma onda quadrada, simtrica em relao
ao eixo t. Qual o sinal resultante na sada (sobre o resistor R)?
1
A
ID K
(a) (b) 2.
Figura (c) Figura 3.
Fig. 156 Grampeador de tenso Exemplo 28. (a) Circuito. (b) Sinal de entrada. (c) Etapa 1: carga do capacitor.
- Iniciar a anlise pelo semiciclo de vi(t) que liga o diodo e inicia a
carga do capacitor intervalo de T/2 a T (Figura 2).
Etapa 1: - Com vi (t) = + Vmax, o diodo liga e o capacitor se carrega
86 Eletrnica
carga do Analgica Fundamentos
instantaneamente e Guias
at o valor dedepico
AulasdaPrticas
entrada Volume 1 - DIODOS
(a resistncia
capacitor neste caminho muito pequena).
- o resistor R pode ser a carga ou a combinao deste com outros
elementos para fornecer o RC desejado.
Soluo:
deve-se interpretar a operao do grampeador de tenso por etapas.

Carga do instantaneamente at o valor de pico da entrada (a resistncia
capacitor neste caminho muito pequena).
- o resistor R pode ser a carga ou a combinao deste com outros
1
A
ID K
Figura 2. Figura 3.
Equaes da ETAPA 1:
Tenso no capacitor:
carga do instantaneamente at o valor
malha de entrada no Vdepico
vC v(aC resistncia
da0entrada V
Diodo neste
capacitor caminho muito pequena).
ligado - osentido
resistorhorrio
R pode (LKT):
ser a carga ou a combinao deste com outros
Tenso de sada: vo 0 (diodo ligado)
ETAPA 2:
Veja a Fig. 157, onde a tenso de entrada igual a Vmax. Sinal de sada resultante: Fig. 158b.
vi
2
Fig. 157 Etapa 2 de operao: intervalo de T a 3T/2 do sinal de entrada.
- Por que o diodo no ir conduzir neste intervalo? Qual ser a sua tenso reversa?
Etapa 2: Tenso de sada: vo vi vC V V 2V

Diodo
desligado
(T a 3T/2) Tenso reversa no diodo: vAK vo 2V

(a)
(b)
Fig. 158 Sinais de entrada e de sada grampeador do Ex. 28.
Exemplo 30 Grampeador de Tenso com fonte de tenso independente. Para o circuito grampeador
apresentado na Fig. 159a, encontre a tenso no capacitor e os nveis do sinal de sada.
(a) (b)
Fig. 159 - (a) Grampeador de tenso do Exemplo 29. (b) Forma de onda de entrada (Boylestad e Nashelsky, 2004).
Etapa 1: para o sinal de entrada igual a 20 V, o diodo liga e o capacitor carregado (Fig. 160a).
Percorrendo a malha de entrada no sentido horrio (LKT), ou determinando-se a d.d.p. sobre o capacitor,
encontra-se:
VC = vo vi (pela polaridade apresentada no circuito) = (- VF + 5 V) (- 20) = 4,3 + 20 VC = 24,3 V.
A tenso de sada ser: vo = 5 V 0,7 V = 4,3 V.
(a) (b)
Fig. 160 - (a) Etapa 1 de operao (carga do capacitor). (b) Etapa 2: diodo aberto (Boylestad e Nashelsky, 2004).

Etapa 2: vi = + 10 V (Fig. 160b). O diodo est reversamente polarizado (VERIFIQUE a sua tenso V AK)
e o sinal de sada ser dado por: + 10 V + 24,3 vo = 0 vo = 34,3 V.
Obs. importante: a excurso do sinal de sada a mesma do sinal de entrada (vo = vi = 30 Vpp).
Fig. 161 Tenso de sada (Ex. 29).

EF 19 Para o circuito grampeador de tenso da Fig. 162, pede-se determinar:
120
3V
(a) (b)
Fig. 162 (a) Grampeador de tenso do EF 19. (b) Forma de onda de entrada (Boylestad e Nashelsky, 2004).
a) a constante de tempo do capacitor.

b) a tenso reversa sobre o diodo.
EF 20 Com base na anlise e nos clculos efetuados no EF 19, desenhar no oscilograma da Fig. 163
as formas de onda de vo, com base na forma de onda de entrada (vi) apresentada na Fig. 162b.
Fig. 163 Oscilograma para desenho de vo(t) circuito grampeador da Fig. 162a.

EF 21 O circuito da Fig. 164 um grampeador
de tenso. Considere que:
o diodo de Silcio (VF = 0,7 V);
o sinal de entrada uma onda quadrada, simtrica
em relao ao eixo t.
a tenso de sada oscila entre - 2,3 e - 22,3 V;
a tenso do capacitor em regime permanente de
12,3 V.
a) Quais so os valores de pico do sinal de entrada?
Veja algumas das formas de onda do circuito, nos
oscilogramas a seguir. Fig. 164.
0V
-20V
-40V
V(R1:2)
20V
0V
SEL>>
-20V
3.0ms 3.5ms 4.0ms 4.5ms 5.0ms 5.5ms 6.0ms 6.5ms 7.0ms 7.5ms 8.0ms 8.5ms 9.0ms 9.5ms
V(D1:1)- V(D1:2) V(C1:2,C1:1)
Time
Simulao 11
Efetuar a simulao do circuito grampeador da Fig.

165 com o software PSpice (ou similar) e interpretar
o sinal de sada obtido (Fig. 166). O sinal de entrada
uma onda senoidal, de 10 Vp (1 kHz).
Fig. 165 Esquema do circuito da simulao 11.
25V
20V
vo(t)
10V
0V
vi(t)
-10V
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms 3.5ms 4.0ms 4.5ms 5.0ms
V(C1:2) V(R1:2)
Time
Fig. 166 Formas de onda de entrada e sada do circuito da simulao 11.

Simulao 12 O circuito da Fig. 167 um grampeador de tenso alimentado por uma onda
quadrada oscilando entre 0 e + 10 V (veja as formas de onda na Fig. 168).
a) Os resultados obtidos esto CORRETOS? Faa uma interpretao da operao do circuito.
b) Qual ser a tenso reversa no diodo?
Fig. 167 Circuito grampeador (simulao 12).
10V
0V
SEL>>
-10V
V(vi:+)
-0V
-10V
-20V
V(R1:2)
-0V
-10V
-20V
5.0ms 5.5ms 6.0ms 6.5ms 7.0ms 7.5ms 8.0ms 8.5ms 9.0ms 9.

V(D1:1)- V(D1:2)
Time
Fig. 168 Formas de onda de entrada e sada do circuito da simulao 12: tenso de entrada, de sada e no diodo.

1.9 Diodos Zener
1.9.1 - Diodo Zener: conceito, simbologia e aplicaes
O diodo zener um dispositivo projetado para operar na regio da tenso de ruptura, como mostra
a Fig. 169 (simbologia e curva caracterstica). Este diodo tem o comportamento de um diodo comum
estando diretamente polarizado, mas suporta tenses reversas prximas tenso de ruptura (breakdown
voltage, VBR).
ID (mA)
K
VZ
A
A
Tenso de joelho
Ruptura
VZ
Iz min
VD (V)
Iz min = 0,1 Iz max
Iz max
Fig. 169 Curva caracterstica do diodo Zener e smbolo (BERTOLI, 2000).
Para cada diodo Zener h uma tenso de operao como, por exemplo, 5,1 V, 6,3 V e 24 V.
A Fig. 170 mostra os modelos equivalentes do diodo zener para os estados ligado (on) e desligado
(off), de acordo com a tenso imposta aos seus terminais.
K K
+ +
IZ
VKA > VZ +
VKA <VZ +
- VZ - VZ
A A
(a)
K K
+ +
IZ
VKA > VZ +
VKA <VZ +
- VZ - VZ
A A
(b)
Fig. 170 Estados do diodo zener. (a) Estado ON (ligado). (b) Estado OFF (desligado).

1.9.2 Topologias de Regulao de tenso com o diodo Zener
Configurao 1 Vi e RS Fixos
A tenso CC aplicada fixa, bem como o resistor de carga, RL (Fig. 171a).

A anlise pode ser dividida em duas etapas, descritas a seguir:
1 Determinao do estado do zener, removendo-o do circuito e calculando a tenso no circuito
aberto resultante (terminais a e b).
Aplicando-se a etapa (1) ao circuito, resulta no circuito da IRS
a
Fig. 171b, onde pela regra do divisor de tenso resulta:
RS IZ IRL
Vi VZ RL
R .V
Vab VL L i (38)
RS RL
b
(a)
Comparao da tenso Vab com a tenso nominal do diodo Zener
IRS
(ponto de desengate): a
RS + IRL
Se Vab < VZ o zener est no estado OFF e o circuito
Vi Vab RL
equivalente permanece igual ao da Fig. 171b.
Se Vab VZ o zener est reversamente polarizado, no estado -
ON e ento tem-se a tenso de sada regulada na tenso VZ: b
(b)
Vab VZ VL = VZ IRS
a
Circuito equivalente: Fig. 171c.
RS IZ IRL
+
2 Com o zener ligado substitui-se o circuito aberto nos Vi VZ RL
terminais a e b pelo diodo zener (modelo de uma fonte VZ). -
Efetua-se o clculos das tenses e correntes.
b
Tenso na carga (regulada na tenso do zener): VL = VZ
(c)
Correntes: a corrente da fonte se divide em duas, pela LKT:
Fig. 171 - Regulador com diodo Zener
I Z I RS I L onde Vi e RS so fixos.
Exemplo 31
Para o circuito regulador zener da Fig. 171, dados:

Vi = 16 V, VZ = 10 V, RS = 1 k e RL = 1k2 , determinar:
a) os parmetros do circuito VL, VR, IZ e PZ. b) repetir o item (b) para RL = 3 k.

R .V 3k .16
Vab L i 12 V
RL .Vi 1k 2.16 RS RL 1k 3k
Vab 8, 73 V
RS RL 1k 1k 2 Como Vab VZ Estado ON .
Como Vab VZ Estado OFF .
Logo, VL 10 V e VR Vi VL 16 10 6 V .
Logo, VL 8, 73 V e VR Vi VL I L 10 / 3k 3,33 mA e I R 6 /1k 6 mA.
16 8, 73 7, 27 V . I Z (6 3,33) 2, 67 mA.
I Z 0 A e PZ VZ I Z 0 W . PZ VZ I Z 26, 7 mW .

Configurao 2 - Vi e RL Varivel
Esta configurao mantm a tenso na carga constante, sob variao da corrente na mesma. O
objetivo determinar a variao em RL que garante o diodo zener no estado ligado.
- Clculo de RL min
Um valor de RL muito pequeno resultar em uma tenso VL < VZ e o zener estar desligado.
Calcula-se pelo divisor de tenso entre os terminais a e b o mnimo valor de RL que sustenta o
zener ligado:
RL min .Vi
VL VZ
RS RL min
Isolando RL min obtm-se (39):
RS .VZ
RL min (39)
Vi VZ
De (20), se obtm a corrente mxima na carga (40):
VL V
I L max Z (40)
RL min RL min
- Clculo de RL max
O diodo zener estando no estado ligado (ON), a tenso em RS permanece constante em

VRS Vi VZ . Da, a corrente IRS ser:
I RS VRS RS
Corrente no zener: I Z I RS I L
Para IZ = IZM (datasheet) I L min I RS I ZM
Em funo de IL min, o valor mximo em RL ser dado por (41):
VZ
RL max (41)
I L min
Exemplo 32
Seja um Regulador zener (VZ = 10 V) com variao paramtrica (em RL), Fig. 172.
Atravs de uma simulao no PSpice, com o resistor de carga variando entre 200 ohms e 50 k,
com um incremento de 5 ohms, obteve-se o resultado da simulao, na Fig. 173. Este resultado mostra
que a tenso de sada regulada em 10 V a partir de RL = 2 k (valor mnimo).
Comprove este valor atravs das equaes (39) e (41).

Fig. 172 Variao paramtrica no resistor RL.
12V
10V
8V
6V
4V
2V
0 0.2K 0.4K 0.6K 0.8K 1.0K 1.2K 1.4K 1.6K 1.8K 2.0K 2.2K 2.4K 2.6K 2.8K 3.0K
V(RL_valor:2) RL_valor
Fig. 173 Variao de RL e sua influncia na tenso de sada regulada.
Configurao 3 - RL Fixo e Vi varivel
Para valores fixos de RL no circuito ao lado, a tenso Vi dever ser suficientemente grande para
ligar o diodo zener. Deve-se conhecer os parmetros do dispositivo, PZM (mW) e IZM (mA).
Vi = Vi min que liga o zener ser encontrada atravs de:
RL .Vi
VL VZ
RL RS
Isolando a tenso Vi min encontra-se:
Vi min
RL RS .VZ (42)
RL
O valor mximo de Vi limitado pela corrente de zener mxima, IZM.

Das correntes no circuito:
IZM = IRS - IL
A corrente mxima em RS ser
IRS max = IZM + IL (43)
A corrente de sada IL est fixa em VZ / RL.

Sendo conhecida IZM (valor mximo de IZ), a mxima tenso Vi ser definida por
Vi max = IRS max RS + VZ (44)
Exemplo 33
O circuito da
Fig. 174 um regulador de tenso que emprega um diodo zener de 4,7 V. Os resultados de simulao
so apresentados na Fig. 175.
Nota-se o trecho onde o diodo zener perde a regulao da tenso de sada.
VERIFIQUE o resultado efetuando uma simulao utilizando os valores indicados.
Fig. 174 Regulador zener com Vi varivel.
8.0V
Perda da regulao
(9.831m,4.9301) vi
6.0V
SEL>>
4.0V
V(VSIN:+)
6.00V
5.00V
3.75V
vo
0s 5ms 10ms 15ms 20ms 25ms
V(RL:2)
Time
Fig. 175 Formas de onda regulador zener.

EF Exerccio de Fixao ..Srie 10
EF 22 Justifique a forma de onda de sada para o circuito da Fig. 176a.
(a)
(b)
(c)
Fig. 176 Exerccio de Fixao 21 (Boylestad e Nashelsky, 2004). Copyright 2002 by Pearson
Soluo:

EF 23 Para o circuito regulador zener (Fig. 177), determinar a faixa de valores de RL e IL que
manter a tenso VRL em 10 V. A resposta est ilustrada na Fig. 178.
Fig. 177 Circuito regulador zener do EF 22 (Boylestad e Nashelsky, 2004).

Fig. 178 Faixa de variao de valores de RL e IL que garante tenso regulada em V Z no circuito da Fig. 176 (Boylestad e
Nashelsky, 2004). Copyright 2002 by Pearson Education, Inc. Upper Saddle River, New Jersey 07458. All rights reserved.
Soluo:

Apndice I Listas de Exerccios e Prolemas (LEPs)
Apndice I Listas de Exerccios e Problemas (LEPs)
LEP 1 Lista de Exerccios e Problemas

Diodos: caractersticas construtivas e circuitos com entrada em CC e CA
1. Marque V para verdadeiro e F para falso, para as alternativas a seguir:

a. ( ) Materiais semicondutores, como o Germnio e o Silcio, apresentam um coeficiente de
temperatura positivo.
b. ( ) O Germnio apresenta um gap de energia, Eg , maior do que o Silcio.
c. ( ) Com o aumento da temperatura, torna-se mais fcil disparar um diodo (a tenso de disparo
diminui).
d. ( ) Se uma aplicao exige uma tenso reversa maior do que a permitida para um nico
dispositivo, alguns diodos de mesmas caractersticas podem ser conectados em paralelo.
e. ( ) A corrente de saturao reversa num diodo mantm o seu valor inalterado, com o aumento da
temperatura.
2. Seja a estrutura do diodo mostrada na Figura 1. Completar as lacunas:
Nesta situao, a fonte DC ________________ (positiva/negativa) e a juno p-n est

polarizada _____________________ (diretamente/reversamente). Com este tipo de polarizao os
eltrons do lado n ganham energia suficiente, pois so _______________ pelo terminal (-) da fonte VD,
rompendo a barreira de potencial, sendo _________________ para o lado p, atravessando a juno pn.
Figura 1 Questo 2.
3. O que so materiais semicondutores intrnsecos?
4. Qual o efeito do aumento da temperatura em um material semicondutor?
5. Explique a regio zener da curva de um diodo.
6. Faa uma pesquisa e identifique os parmetros que se levam em conta para se especificar um diodo.
7. Dada a reta de carga para um circuito srie com diodo, mostrada na Figura 2, pede-se:
a) calcular o valor de do resistor R no circuito e da fonte contnua, E.

b) calcular a potncia dissipada no diodo, em mW.
c) encontrar a corrente mxima no diodo, se a fonte E for ajustada para 6 volts.

Figura 2 (Boylestad e Nashelsky, 2004). Copyright 2002 by Pearson Education,
Inc. Upper Saddle River, New Jersey 07458. All rights reserved.
8. Determine a tenso Vo e a corrente Io para os circuitos da Figura 3.
a) b)
Figura 3 Questo 8.
9. Seja o retificador mostrado na Figura 4. Considere o diodo ideal.
a) Encontrar a corrente no diodo.

b) Supondo que na Figura 3 a fonte assumisse o valor de V= - 200 V, qual ou quais diodos da tabela
abaixo no poderiam ser utilizados no circuito? Justifique.
Diodo VBR IFmx

1N914 75 V 200 mA
1N4001 50 V 1A
1N1185 120 V 35 A
+
200 V
-
Figura 4 Questo 9.

10. Calcule para o circuito da Figura 5:
a) a tenso no resistor R4, se os dois diodos so de Silcio, com VF = 0,7 V.

b) a potncia dissipada no diodo D3.
c) a tenso no diodo D3, se o mesmo for invertido. Esta tenso ser direta ou reversa? Justifique.
Figura 5.
11. Determinar a tenso de sada Vo para cada circuito da Figura 6.
Figura 6 Questo 11 (Boylestad e Nashelsky, 2004). Copyright 2002 by Pearson Education,

12. Para a porta lgica com diodos da Figura 7, testar o mesmo, com E1 e E2 assumindo 0 V e 10 V
(montar uma tabela com as combinaes possveis).
13. Qual a tenso de sada e a corrente no diodo indicada no circuito da Figura 8?
Figura 7. Figura 8.
Figuras 7 e 8 (Boylestad e Nashelsky, 2004). Copyright 2002 by Pearson Education,
14. Seja um circuito retificador em ponte completa, alimentado por uma tenso de entrada senoidal,
cuja equao v(t ) 110 2 sen 377t.
a) Desenhar o esquema do circuito.

b) Se os diodos so de Silcio, com VF = 0,7 V, qual a tenso mdia na carga, VDC?
c) Qual a corrente mdia na carga (IDC) para RL = 50 ohms ?
15. O transformador do circuito da Figura 9 (diodos ideais) apresenta uma tenso eficaz de 45 V (no lado
secundrio.
a) Qual o valor da tenso mdia na carga?

b) Qual ser a PIV (tenso de pico inversa, do ingls Peak Inverse Voltage) atravs de cada diodo?
Figura 9 Questo 15 (Boylestad e Nashelsky, 2004). Copyright 2002 by Pearson

c) Dentre as opes abaixo, qual(is) diodo(s) pode(m) ser utilizado(s), considerando as especificaes de
tenso de ruptura dos mesmos?
a. ( ) 1N914 - VBR = 20 V
b. ( ) 1N1183 - VBR = 50 V
c. ( ) 1N4002 - VBR = 100 V
d. ( ) 1N3070 - VBR = 175 V
e. ( ) N.D.A.
* Tabela 1 - Diodos da srie 1N 400X: tenso de ruptura (PIV ou V BR).

1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007
50V 100V 200V 400V 600V 800V 1000V
Respostas de exerccios e problemas selecionados:
Questo 7 (a) R = 1 k. (b) PD = 7,22 mW. (c) IDmax = 6 mA.

Questo 8 Figura 3a: Io = 1,7 mA. (b) Vo = 7,99 V. Figura 3b: Io = 0,82 mA. (b) Vo = 2,7 V.
Questo 9 (a) 32,4 mA. (b) VBR(D1) = -136,23 V.
Questo 10 (a) 5,3 V. (b) P(D3) = 3,71 mW. (c) VBR = - 12 V.
Questo 11 (a) 9,5 V. (b) 7,02 V.
Questo 13 Vo = 6,2 V e ID = 1,55 mA.
Questo 14 (b) VDC = 98,14 V. (c) IDC = 1,96 A.
Questo 15 (a) VDC = 40,51 V. (c) VBR ou PIV = 127,28 V.
Referncias Bibliogrficas
[1] BOYLESTAD, R. L. e NASHELSKY L. Dispositivos Eletrnicos e Teoria de Circuitos. 8 ed.

Pearson Prentice-Hall, 2004.
[2] MARQUES, A. E. B. et al. Dispositivos Semicondutores: Diodos e Transistores. So Paulo: rica,
1996.
[3] OLIVEIRA, A. B. M. Transparncias e Guias de Aulas Prticas.
Disponvel em <mellogalo.4shared.com>. Acesso em 10 ago 2009.

Retificadores Monofsicos Carga R e RC
Questo 1 Seja o circuito retificador de onda completa, com carga resistiva, como mostra a Figura 1. A
tenso de entrada dada por v(t ) 180 sen 377t.
a) Para os diodos D1 e D4 conduzindo (etapa 1), qual ser a
tenso reversa no diodo D3? Considere todos os diodos
ideais.
Resp.: VBR(D3) = - Vmax
b) Se todos os diodos forem de Silcio (VF = 0,7 V),

encontre novamente a tenso reversa no diodo D3.
Resp.: VBR(D3) = - Vmax + VF

Figura 1.
c) Considerando que houve uma falha no diodo D2 (falha permanente de circuito aberto), fazer um esboo
das formas de onda da entrada, v(t), e de sada, vR (t).
Questo 2 Sejam as formas de onda da Figura 2, onde o valor eficaz de v2 de 110 V. A frequncia do
sinal de entrada de 60 Hz (concessionria de energia, CEMIG). A carga R de 47 ohms, 200 W. Os
diodos apresentam uma queda de tenso direta VF = 1,0 V.
a) A que tipo de retificador se referem as formas
de onda apresentadas? Fazer o desenho do
circuito no espao abaixo.
b) Por que a tenso reversa no diodo D1
(segundo grfico) tem um valor igual ao dobro
de Vmax do sinal de entrada?
c) Qual a frequncia do sinal de sada?
Resp.: fo = 120 Hz.
d) Calcule a potncia eficaz na carga resistiva. O
resistor poder ser utilizado? Justifique.
Resp.: PR ef = 252,79 W.
Questo 3 Sejam as topologias de circuitos

para retificador de onda completa apresentadas
na Figura 3, onde os diodos so de Silcio.
a) Identificar as diferenas tcnicas entre as

mesmas.
Figura 2.
b) Se, para ambos os circuitos, a entrada em 110 VRMS e o transformador de 11:1 (abaixador de
tenso), calcular para cada um o valor mdio da corrente (IDC) obtido na sada, para uma carga de 4,7 k
(conectada entre os terminais (+) e (-)).
Resp.: Circuito 1: IDC = 0,86 mA. Circuito 2: IDC = 1,73 mA.

c) Qual dos dois circuitos apresenta maior tenso reversa sobre cada diodo?
Figura 3.
Questo 4
A Figura 4 mostra uma topologia (incompleta) de um circuito

retificador com carga RC.
Completar o desenho, indicando onde ficam os lados CA e CC
e a conexo da carga RC (lembrando que o capacitor eletroltico).
Figura 4.
Questo 5 Explicar o que tenso de ripple em um retificador com carga RC. O que o fator de ripple
de uma ondulao? Calcule o fator de ripple para um retificador de onda completa, com carga resistiva.
Resp.: Fator de ripple = 0,48.
Questo 6 Como se calcula o valor eficaz da tenso de sada para um retificador de O. C. (carga RC),
onde a constante RC T? Qual o aspecto da forma de onda de sada deste circuito?
Questo 7 Aos terminais (+) e (-) do circuito retif. com filtro capacitivo (Figura 5), conectado um
resistor R.
a) Para RC >> T, qual a equao que permite calcular o valor aproximado da tenso contnua na sada?
E para o caso em que RC < T?
b) Em que intervalo o capacitor carregado? E em que intervalo descarregado?
c) Qual a equao utilizada para o clculo do ripple da tenso de sada?
d) Adotando Vs = 12 VRMS (secundrio), f = 60 Hz, diodos ideais, R = 2200 ohms e C = 10 F, calcular
VDC e e a tenso de Vripple p-p para este circuito.
Figura 5 Questo 7 - Fonte: http://ivairsouza.com/circuitos_retificadores.html.

Resp.: d) VDC = 14,27 V e Vrpp = 6,43 V.
Questo 8 Seja o circuito retificador com filtro capacitivo da Figura 6. O sinal v1 senoidal, de 180
volts de pico, em 60 Hz. O transformador abaixador de tenso (6:1) e os diodos so ideais. Os
componentes RL e C so dados por: RL = 470 ohms e C = 47 F.
Resp.: a) VD1 = - 30 V. b) VDC = 10,89 V. c) VDC = 12,62 V.

a) Tendo somente a chave S2 fechada, calcular a tenso reversa no diodo D1.
b) Fechando somente S1, calcular a tenso mdia, VDC, utilizando a equao adequada (comparar a
constante de tempo = RC com o perodo T).
c) Com S1 e S2 fechadas, qual ser o novo valor de VDC?
(a) (b)
Figura 6 Filtro capacitivo: (a) circuito com filtro a capacitor; (b) aspecto da forma de onda de sada.
Questo 9 Como se pode medir, atravs de um osciloscpio digital, o valor eficaz da ondulao em uma
carga RC de um retificador de onda completa?
Questo 10 Como se pode medir, atravs de um osciloscpio digital, o valor de pico-a-pico da

ondulao (ripple) em uma carga RC de um retificador de onda completa?

Circuitos Ceifadores e Grampeadores de Tenso
Questo 1 Seja o circuito ceifador da Figura 1, onde vi1 um

gerador de sinal. Considerar o diodo de Silcio (VF = 0,7 V).
a) Encontrar e desenhar o sinal de sada (vo) para um sinal de onda

quadrada em vi1 de 7 Vpp , em 10 kHz.
b) Qual a tenso reversa no diodo?
c) Repita os itens (a) e (b) para vi1 senoidal em vi1 ( 12 Vpp ,1
kHz).
Figura 1 Circuito Ceifador.
Questo 2 Para o circuito ceifador da Figura 2, pede-se:

a) qual a tenso reversa no diodo, se a onda vi(t) um sinal triangular de
10 Vpp , em 10 kHz ?
b) desenhar a forma de onda de sada.
c) repita os itens (a) e (b) se a fonte de 4 V for invertida no ramo do
diodo.
Resp.: (a) VBR = - 9 V. (c) VBR = - 1 V. Figura 2.
Questo 3
a) Qual a tenso reversa no diodo da Figura 3a? Considere a onda de entrada senoidal (Figura 3b).
b) Desenhar a forma de onda de vo(t) para o circuito ceifador da Figura 3a, indicando o ponto de
desengate (bloqueio conduo) do diodo.
Resp.: (a) VBR = - 12 V. (b) Ponto de desengate: vi 4,7 V.
(a) (b)
Figura 3 (a) Circuito ceifador srie e (b) forma de onda de vi(t).
Questo 4 Seja o circuito limitador da Figura 4,

onde a tenso v1 uma onda triangular de 15 Vpp,
em 20 kHz e o diodo de Silcio, com VF = 0,7 V.
a) Desenhar as formas de onda da tenso no diodo,
e nos resistores R2 e R3.
b) Qual a tenso mdia em R2?
c) Qual a tenso reversa no diodo D1?
Resp.: (b) VDC = 3,1 V. (c) VBR = - 2,5 V.
Figura 4.
Questo 5 - Para o circuito da Figura 5a, aplicar na entrada vi(t) as formas de onda indicadas nas
Figuras 5b e 5c e desenhar as formas de onda na sada, vo. Componentes do circuito: R = 1 k e D1 =
1N4002 (VF = 0,7 V).

(a) (b) (c)
Figura 5. (a) Circuito ceifador srie. (b) vi : onda triangular com 15 Vpp, 1 kHz.
(c) vi : onda quadrada com 15 Vpp, 1 kHz.
Resp.: para vi triangular, vo triangular, com + 7,5 Vp e ceifada em um trecho em 5,7 V.

Para vi quad., vo quad. variando entre + 7,5 V e 5,7 V.
Questo 6 No circuito da Fig. 6, vi um sinal de onda

quadrada de 10 Vp (f = 10 kHz) e vC1(0) = 0.
a) Qual a constante de tempo do capacitor?

b) Qual a tenso reversa sobre o diodo ideal D1?
c) Desenhar as formas de onda das tenses vi e vo.
Resp.: (a) = RC = 470 ms. (b) VBR = - 19,3 V. (c) vo : onda quad.
com variao entre + 16,3 V e 3,7 V (excurso de 20 Vpp). Figura 6.
Questo 7 Esboar o sinal de sada para os circuitos das Figuras 7(a) e 7(b), para o sinal de onda
quadrada apresentado (40 Vpp, onde 1/f >> 5.RC). Componentes: R = 1 k e C = 220 F.
Figura 7.
Resp.: para o circuito da Figura 8 (a), vo uma onda quadrada com variao entre os valores de 0 V e de + 40 V
(vo de 40 Vpp); para o circuito da Figura 8 (b), vo onda quadrada variando entre - 5 V e + 35 V (vo de 40 Vpp).
Questo 8 - Para o circuito da Figura 8, com vi(t) de 10 Vpp - onda quadrada em 1 kHz - pede-se:
a) Qual o sinal de sada, vo (t)? Desenhar a forma de onda esperada sobre R.
b) Qual a tenso reversa no diodo de Silcio?
Respostas: (a) vo uma onda quadrada variando entre -1,3 e 21,3 V (vo de 20 Vpp); (b) VBR = - 19,3 V.
Figura 8.

Questo 9 - Projetar um circuito grampeador que realize a funo indicada na Figura 10c, considerando-
se a forma de onda de entrada da Figura 10a. Resp.: VBR = - 20 V.
Questo 10 - Qual a tenso reversa sobre o diodo do circuito projetado da questo 9?
(a) (b) (c)

Figura 10.

Diodos Zener: circuitos e aplicaes
Questo 1 Seja o circuito com diodo zener da Figura 1, cuja tenso nominal VZ = 7,5 V.
a) Qual ser a tenso na carga para os parmetros deste circuito?
b) Calcular a corrente e a potncia no diodo zener.
c) Se RL for substitudo por outro resistor de 4,7 k, qual ser o valor de VRL? Para esta situao
calcule novamente IZ e PZ. O diodo zener poder ser utilizado? Justifique.
Resp.: (a) VL = 6,0 V. (b) IZ = 0 e PZ = 0. (c) VL = 7,5 V. Sim, pois PZ < PZ nominal.
Figura 1. Figura 2.
Questo 2 Para o circuito da Figura 2, determinar a faixa de variao de RL e de IL que manter o diodo
zener ligado. Considerar Vz = 3,3 V, PZM = 33 mW, Vi = 15 V e RS = 1 k.
Resp.: RL min = 282,05 e RL max = 1,94 k ; IL min = 1,7 mA e IL max = 11,7 mA.
Questo 3 Para regulador zener da Fig. 2, a tenso de entrada uma onda triangular de 20 V de pico,
em 5 kHz.
a) Sabendo-se que o resistor RS = 1 k, RL = 3 k e VZ = 10 V, assinale abaixo o ponto de desengate do

circuito (onde, a partir de vi , o zener ligado).
a. ( ) v i 20 V b. ( ) v i 20 V c. ( ) v i 10 V d. ( ) v i 10 V e. ( x ) v i 13,33 V
b) Desenhar as formas de onda de vi(t) e vo(t).
Questo 4 Seja o circuito regulador zener da Figura 2, onde a tenso de entrada uma fonte varivel
(onda quadrada) entre 14 e 20 V (zener ligado) e a corrente de carga IL varia entre 100 mA e 200 mA,
neste intervalo. Sabendo-se que VZ = 10 V e que IZmin = 0,1 IZmax , projetar:
a) a faixa de variao do resistor RL;

b) o valor de RS.
Questo 5 No circuito da Figura 3, o diodo ideal com V z = 12 V, Rs = 920 ohms e RL = 2400 ohms.
Determine a corrente na fonte, no diodo zener e da carga para Vin = 25 V.
Resp.: 14,13 mA; 9,13 mA; 5 mA.

R
Vi VZ RL Vo
Figura 3. Figura 4.
Questo 6 Para o regulador zener da Figura 4, a tenso de entrada varia entre 20 e 22 V. Sendo R S =
150 ohms, o diodo zener com VZ = 10 V e a corrente na carga com tenso regulada igual 1 60 mA, pede-
se calcular os valores mnimo e mximo de IZ, PZ e PRS .
Questo 7 O regulador de tenso com diodo zener da Figura 5 opera nas condies nominais se a tenso
de entrada varia entre 23,67 V e 36,87 V. Dimensionar o valor do resistor RS em ohms e em Watts.
Figura 5 Regulador de tenso com diodo zener (questo 7).
Questo 8 Para o regulador zener da Figura 6, qual a mxima tenso de entrada permitida para que a
carga RL opere com tenso regulada em 8 V?
Resp.: Vi max = 15,86 V.
Figura 6.
Questo 9 Desenhar, para o regulador zener da Figura 7, os sinais de tenso de entrada, tenso de sada
e corrente no diodo zener. O sinal de entrada uma onda quadrada (simtrica em relao ao eixo t) de 40
Vpp (5 kHz).
Figura 7.

Questo 10 Um regulador zener (Figura 8) tem as formas de onda de entrada e de sada apresentadas na
Figura 9. Se a tenso mnima de entrada que dispara o zener de 14,54 V, qual ser o valor aproximado
de RS?
20V
20 V
vi (t)
10 V
10V
Figura 8. 00 V
a. ( ) 2 k.
b. ( ) vo (t)
1 k.
- 10 -V
10V
c. ( ) 4,7 k.
d. ( ) 2,2 k.
e. ( ) 10 k. - 20 -V
20V
0s 100us 200us 300us 400us 500us
V(Rs:1) V(R1:2)
Time
Figura 9.

Apndice II Guias de Aulas Prticas
A
ANNEEX
XOO IIII -- G
Guuiiaass d
dee A
Auullaass PPrrttiiccaass
Fonte: http://electronic.gronerth.com/images/TX27Mhz2Wattsa.gif
Fonte: http://www.te1.com.br/imagens/tda7052-amplificador-audio-philips.jpg

Aula Prtica 1 Medio de Valores Caractersticos atravs do Osciloscpio Digital
Aula
MEDIO DE VALORES CARACTERSTICOS
1 ATRAVS DO OSCILOSCPIO DIGITAL
Grupo de trabalho (nome completo) Matrcula

1.
2.
3.
4.
5.
Turma: Modalidade: Data: Nota:
___/___/20___
1.1 - Objetivos
1.1.1 Conhecer a ementa das aulas prticas da disciplina Eletrnica Analgica e de Potncia, incluindo
o trabalho final (montagem de um circuito em placa de circuito impresso).
1.1.2 Efetuar medidas com o osciloscpio e anotar os valores caractersticos de sinais de CA (Fig. 1.1),
obtidos atravs de um gerador de sinais aplicados a uma carga resistiva pura.
1.1.3 Compreender os significados dos parmetros mdio e eficaz de um sinal peridico e calcular estes
valores para um sinal senoidal e um sinal triangular.
SENOIDAL QUADRADA TRIANGULAR DENTE-DE-SERRA

v(t), i(t)
t(s) t(s) t(s) t(s)
Figura 1.1 Sinais peridicos obtidos em um gerador de sinais tpico.
1.2 Introduo Valor Mdio e Valor Eficaz de um Sinal Peridico
a) Valor Mdio de um sinal peridico:

1 T
VDC = Vmed VDC
T 0
v(t ) dt (1.1)
De um modo mais simples, VDC rea da funo num perodo T

perodo T
b) Valor Eficaz de um sinal peridico (ou valor RMS, do ingls Root Mean Square):
Seja um sinal de tenso v(t) peridico. O seu valor eficaz, Vef ou VRMS uma medida de sua
eficcia em liberar potncia para um resistor de carga, ou seja, para uma tenso senoidal, por exemplo, o
seu valor eficaz de 127 V equivale uma tenso mdia (ou contnua) de 127 V que, aplicada a um
resistor, libera a mesma quantidade de calor pelo efeito Joule (DORF e SVOBODA, 2003).
Matematicamente,
1 T
T 0
Vef = VRMS v(t ) 2 dt (1.2)

Nesta primeira aula prtica do curso sero feitas medies de dois sinais CA, um senoidal e outro
triangular, obtidos atravs de um gerador de funes (ou gerador de sinal). Os valores medidos devero
ser anotados para posterior comparao com os valores tericos, calculados atravs das equaes
apresentadas acima.
1.3 Parte Prtica Medies via Osciloscpio
Medio 1 Seja um sinal senoidal de 3 Vp, 1 kHz, aplicado a uma carga resistiva, conforme ilustra a
montagem do circuito na Figura 1.2a.
a) Desenhar o aspecto deste sinal (Figura 1.2b), identificando:
Perodo (T) em ms: T = _______ ms. Amplitude (valor de pico-a-pico): Vpp = ______ V.
Slot AGND
(a) (b)
Figura 1.2 (a) Esquema de ligao para leitura do sinal a ser medido. (b) Aspecto do sinal (esboo).
Conexo do gerador de forma de onda com frequncia varivel
Ligar atravs de um fio apropriado para o protoboard o pino D2 do conector D ao resistor R do

circuito da Figura 1.2 (veja a Figura 1.3, onde o slot D indica a seo de comunicao analgica e DSP,
sada do gerador de funes do mdulo universal 2000 - Datapool).
Figura 1.3 Alimentao do carto EAC-02 com sinal de onda quadrada obtido do gerador de funes.
Ajuste do sinal do gerador de sinais
Com a chave de simetria, CH3, em OFF, fazer o

ajuste do sinal de entrada em 4 VRMS, no formato
senoidal. Verificar o ajuste de OFFSET (simetria do sinal
em relao ao eixo do tempo Figura 1.4, terceiro cursor
da esquerda para a direita).
Se for utilizado o multmetro para medir a
freqncia do sinal de entrada, selecionar o calibre 20 k
com os cabos para medio de tenso.
Figura 1.4 Ajuste de Simetria da forma de onda.

O ajuste da forma de onda SENOIDAL obtido atravs de uma chave, localizada prxima ao
conjunto de chaves de ajuste de freqncia veja a Figura 1.5.
Ajuste de formas de onda:

quadrada, triangular e senoidal
Figura 1.5 Painel do mdulo para ajuste de frequncia e do formato do sinal. Detalhe
para o conjunto de chaves para ajuste em escalas da frequncia (com ajuste fino).
Para alterar o valor da frequncia, utilizar as chaves de ajuste (o aspecto do conjunto ilustrado
no quadro da Figura 1.5).
Para o ajuste de sinais de baixa frequncia (10 Hz p. ex.), efetuar o ajuste com o cursor em
valores mais baixos. Para valores mais altos, mudar a chave de ajuste, at o valor prximo ao
desejado.Verificar o ajuste da frequncia pelo osciloscpio.
b) Medir e anotar na Tabela 1.1 os seguintes valores, atravs do osciloscpio:
Tabela 1.1.
Perodo (T) [ms] VDC [V] Vef ou Vrms [V]
Uso do MENU Cursores Medida do Perodo T

Osciloscpio: Tektronix, modelo TDS 2002B
Procedimentos
Fig. 1.6 Acesso ao menu Cursores.
- Apertar o boto CURSORES (Figura 1.6);
- Marcar tipo = TEMPO e origem = CH2, utilizado para medio
da curva senoidal vR(t) no resistor;
- fixar o cursor de CH1 no meio da tela, atravs do boto de
ajuste acima do boto PRINT, aps selecionar no menu do
display cursor 1 (ver Figura 1.7);
- o cursor 1 estar com t (Delta) = 0,00 s e o cursor 2 ser
movimentado pelo usurio ao longo da curva da tenso vR(t),
posicionado de modo a indicar o perodo do sinal senoidal em
questo. Fig. 1.7 Exemplo de medida de tempo (t).

Medio 2 Sinal Triangular variando de 0 a 3 Vp, em 1 kHz Figura 1.8.
Medidas obtidas:
Perodo (T) [ms]
VDC [V]
Vef = Vrms [V]
Figura 1.8 Medidas caractersticas para um sinal triangular.
RELATRIO AULA 1
Formas de Onda de CA. Medio e Clculo de Valores Caractersticos (mdio e eficaz).
Uso do Osciloscpio Digital.
1.1 - Efetuar os clculos dos valores mdio e eficaz do sinal senoidal da medio 1, atravs do uso das
Equaes (1.1) e (1.2).
1.2 Repetir o item anterior para o sinal triangular.

1.3 Como foi obtido no gerador de sinais o sinal triangular variando de 0 a 3 Vp ?
1.4 Concluses
Elaborar e redigir as concluses s quais o grupo chegou. As experincias de laboratrio tm o

objetivo de oferecer informaes reais, a partir da manipulao dos componentes e montagens, para
consolidar o aprendizado terico e prover contato com a prtica. A discusso das experincias feitas em
grupo deve oferecer o subsdio necessrio para a elaborao de concluses consistentes, que so a parte
mais importante do relatrio.

Aula Prtica 2 A Curva Caracterstica do Diodo Retificador (I x V)
Aula
2 A CURVA CARACTERSTICA DO DIODO RETIFICADOR (I X V)

1.
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2.1 Objetivos
2.1 - Efetuar o teste de um diodo com o multmetro;

2.2 - medir corretamente a corrente e a tenso no diodo conectado em um circuito srie alimentado por
uma fonte de tenso CC varivel;
2.3 - levantar experimentalmente medidas relativas tenso e corrente sobre um diodo retificador para
esboar sua curva caracterstica.
2.4 - verificar a curva caracterstica do diodo atravs do osciloscpio, com operao no modo XY.
Figura 2.1 Teste do diodo semicondutor com o multmetro digital.

Fonte: https://learn.sparkfun.com/tutorials/diodes/real-diode-characteristics.
2.2 Material Utilizado
1 resistor de 1 k 1 osciloscpio digital

1 diodo do tipo 1N4148 ou da srie 1N 400X 1 fonte de tenso C.C. ajustvel
1 multmetro digital Pontas de prova para os instrumentos de medio
2 tomadas adaptadoras de 3 para 2 pinos (multmetro e osciloscpio)

2.3 Parte Prtica - Procedimentos
2.3.1 Circuito 1: montagem do circuito da Figura 2.2 e preenchimento das Tabelas 2.1 e 2.2.
a) Testar o diodo direta e reversamente com o multmetro digital na

escala de resistncias. Repetir o teste direto e reverso com o
multmetro operando na escala de teste de semicondutores.
RD = ______ . RR = ______ . VF = ______ V.
b) Montar o circuito da Figura 2.1.
c) Ajustar a tenso da fonte de alimentao Vf a partir do valor seu valor
mnimo.
Figura 2.2.
d) Medir a tenso sobre o diodo, VD e a corrente ID do circuito. Repetir os procedimentos anteriores at completar
as tabelas de polarizao direta e reversa.
Tabela 2.1 Dados para a regio direta da curva I x V do diodo.

Vf (V) 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 1,0 2,0 3,0 5,0 10,0 12,0
VD (V)
ID (mA)
Tabela 2.2 Dados para a regio reversa da curva I x V do diodo.

Valores de corrente: anotar com sinal negativo!
Vf (V) -1 -2 -5 -8 -10
VD (V)
ID (mA)
2.4 Curva I x V do diodo atravs do Osciloscpio
a) Montar o circuito da Figura 2.3 utilizar o diodo 1N4148 (diodo rpido) e aplicar, atravs do gerador
de funes, um sinal triangular de 4 Vpp em 1 kHz. Desenhar no oscilograma da Figura 2.4 o esboo
deste sinal.
Figura 2.3 Esquema do circuito para a Figura 2.4 Oscilograma esboo

verificao da curva ID x VD do diodo. da curva ID x VD do diodo.
b) Medir o sinal referente tenso no diodo pelo canal 1 (eixo x, horizontal) e ajustar o osciloscpio
para operar no formato XY;
c) medir o sinal referente corrente no diodo (tenso em R1) atravs do canal 2 (eixo y, vertical);

d) observar a tela do osciloscpio e fazer um esboo da mesma no oscilograma da Figura 2.5.
Figura 2.5 Esboo do sinal triangular de 4 Vpp, 1 kHz aplicado ao circuito da Figura 2.3.
e) alterar a amplitude de vi (sinal triangular) e observar o que ocorre com a curva ID x VD.

RELATRIO AULA 2
A Curva Caracterstica do Diodo Retificador
2.1 Curva do Diodo
A partir dos dados levantados plotar no Excel ou em um programa similar a curva caracterstica I x V do
diodo retificador da experincia. Colar esta curva no espao a seguir.
Espao reservado para

a colagem do grfico elaborado
em programa de computador
2.2 Levantamento Tcnico
Buscar em datasheets os dados principais do diodo utilizado na prtica. Definir quais os parmetros so os
principais na especificao do componente em questo.

2.3 Concluses
- Elaborar e redigir as concluses s quais o grupo chegou.

- As experincias de laboratrio tm o objetivo de oferecer informaes reais, a partir da manipulao dos
componentes e montagens, para consolidar o aprendizado terico e prover contato com a prtica.
- A discusso das experincias feitas em grupo deve oferecer o subsdio necessrio para a elaborao de
concluses consistentes, que so a parte mais importante do relatrio.

Aula Prtica 3 Diodos LED e Display de 7 segmentos
Aula
3 DIODOS LED E DISPLAY DE 7 SEGMENTOS

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3.1 - Objetivos
Conhecer as caractersticas e modo de operao de um diodo LED.

Verificar o tipo (anodo comum e catodo comum), os terminais e a operao de um display de 7
segmentos.
3.2 - Material Utilizado
- 01 resistor de 220 ohms - 01 protoboard

- 01 diodo LED (vermelho, verde ou amarelo) - 01 multmetro digital
- fios para conexo em protoboard - 02 pontas de prova para o multmetro
3.3 Acionando um Diodo LED
Na Figura 3.1, v-se o aspecto de um diodo LED, com destaque para o terminal de catodo (mais
prxima parte chanfrada, no esquema).
Esta a maneira mais simples e direta de se identificar o terminal de catodo (K). Outro modo
identificar o terminal maior no encapsulamento do LED, o qual o catodo (K), como mostra a Figura 3.2.
Figura 3.1 Aspecto Fsico do LED, com destaque para a parte chanfrada (lado do catodo).
Fonte: http://commons.wikimedia.org/wiki/File:LED,_5mm,_green_(unlabelled,_full).svg
Figura 3.2 Fonte: http://viaspositronicas.blogspot.com/2009/06/led-faca-se-luz.html

Circuito para a polarizao de um diodo LED
A Figura 3.3 apresenta um circuito para a polarizao de um LED. Nesta montagem sero medidas
a tenso e a corrente diretas no dispositivo, de acordo com a variao da tenso aplicada.
Figura 3.3 Polarizando um diodo LED. Medio de VF e IF = IS.
Etapas:
a) Identificar os terminais do LED, com o multmetro, polarizando-o corretamente (VAK > VF);
b) Montar o circuito da Figura 3.3, para o qual ser adotado um resistor RS = 220 .
c) Medir IF e VF no LED e anotar na Tabela 3.1.
Nota: para o correto dimensionamento do resistor limitador de corrente no LED, o valor de RS no

circuito da Figura 3.3 pode ser facilmente encontrado por:
VS VF
RS
IF
Tabela 3.1 Parmetros do LED (tenso e corrente) de acordo com a tenso aplicada.
Cor do LED: Vermelho Verde Amarelo
VS aplicado (V)
VF (V) IF (mA)
-5 V
-3 V
1V
4V
6V
3.4 O Display de 7 Segmentos
a) Encontrar com o multmetro analgico a pinagem do display em bancada (anodo comum ou catodo
comum), com base nas representaes apresentadas nas Figuras 3.4 e 3.5.
+5V Cada segmento ser acionado

+5V .
Com a sua ligao fonte VCC.
R
Anodo comum
a b ... g
a b .. g
Catodo comum
.
Cada segmento ser acionado com a
R
gnd
conexo do seu terminal de catodo
ao Terra (gnd). gnd
Fig. 3.4 - Configurao ANODO COMUM

de um display de sete segmentos. Fig. 3.5 Display de 7 segs. (catodo comum).

b) Montar nmeros no display, lembrando-se de limitar a corrente com um resistor R de 100 no
terminal comum.
RELATRIO AULA 3
A Diodos LED e Display de 7 segmentos
3.5 Consideraes Finais
Fig. 3.6 Circuito de alimentao de um LED no protoboard.

Fonte: http://www.doctronics.co.uk/safety_lights.html#LEDs

Aula Prtica 4 Portas Lgicas com Diodos
Aula
4 PORTAS LGICAS COM DIODOS

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4.1 Objetivo
Verificar a aplicao do diodo LED como dispositivo indicador na sada de circuitos lgicos com
diodos (portas AND e OR).
01 resistor de 330 ohms 01 protoboard

01 diodo LED (amarelo, verde ou vermelho) 01 osciloscpio e 01 gerador de funes
02 diodos (1N4148 ou da srie 1N400X) fios (para conexo em protoboard)
4.3 Parte Prtica - Portas Lgicas com Diodos Sada lgica identificada pelo diodo LED
Procedimentos:
a) Montar os circuitos das Figuras 4.1 e 4.2 para confirmar o nvel lgico da sada de ambos.
b) Alimentar as entradas (A ou B) com sinais de 0 V (nvel lgico 0) e 5 V (nvel lgico 1).
c) Anotar nas tabelas-verdade de cada circuito o estado do LED:
ligado ou aceso (ON): nvel lgico 1 ou desligado ou apagado (OFF), nvel lgico 0, zero.
Porta Lgica E (AND)
Esta funo lgica apresenta nvel alto

na sada (nvel 1 binrio) somente quando
todas as entradas estiverem em nvel alto.
Expresso Booleana:
S=A.B
(l-se A e B ou A and B).
Fig. 4.1 Esquema da porta E (ou AND) com diodos.

Tabela 4.1 Tabela-verdade Porta AND.
Entradas Estado do LED Nvel Lgico da Sada
0 0
0 1
1 0
1 1
Porta Lgica OU (OR)
O circuito lgico com diodos que desempenha a funo OU mostrado na Fig. 4.2. A sada S
apresenta um nvel lgico alto na sada (1) quando qualquer das entradas estiver em nvel alto. Preencher
a Tabela 4.2 (nvel lgico esperado na sada).
A expresso Booleana do circuito : S = A + B (l-se A ou B ou A or B).
Fig. 4.2 Esquema da porta OR com diodos.
Tabela 4.2 Tabela-verdade Porta OU.

Entradas Estado do LED Nvel Lgico da Sada
0 0
0 1
1 0
1 1
d) Inserir em uma das entradas uma onda quadrada (vquad) de 0 a 5 V, na frequncia de 10 Hz e na outra
um sinal de 0 V ou 5 V (alternar estes sinais), para visualizar pelo LED os estados lgicos do circuito.
Observaes:
1) utilizar o gerador de funes do Mdulo Universal 2000 AD Fabricante: Datapool (slot D,
pino D2).
Conexo da fonte vi (t), senoidal, com freqncia varivel ligar atravs de um fio apropriado
para o protoboard o pino D2 do conector D da seo de comunicao analgica e DSP (sada do
gerador de funes), como indica graficamente a Figura 4.3.

Pino D2: sinal de vi(t)
Figura 4.3 Obtendo a tenso senoidal do gerador de funes.
2) Observao: para uma melhor visualizao no osciloscpio do sinal de onda quadrada,

ajustar a base de tempo em 50 ms / div.
RELATRIO AULA 4
Portas Lgicas com Diodos
4.1 Apontamentos
Para o circuito da Figura 4.1, calcular as correntes nos diodos retificadores e no diodo LED, para todas as
situaes da Tabela 4.1. Preencher os resultados na Tabela 4.3.
Tabela 4.3 Tabela-verdade Porta AND.

Entradas Estado do LED Nvel Lgico da Sada ID1 ID2 ILED
A B ON ou OFF 0 = OFF e 1 = ON (mA) (mA) (mA)
0 0
0 1
1 0
1 1
- CLCULOS Circuito da PORTA E (AND):

Aula Prtica 5 Retificador Monofsico de onda e de onda completa Carga R e RC
Aula
RETIFICADOR MONOFSICO DE ONDA E DE ONDA
5 COMPLETA CARGA R E RC (FILTRO CAPACITIVO)

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5.1 Medies de Parmetros com o Osciloscpio
Montar no protoboard o circuito

retificador de meia-onda (Figura 5.1, chave
S1 aberta).
Medir e anotar na Tabela 5.1 os
valores indicados, sem filtro e com o filtro
capacitivo (chave S2 aberta e fechada,
respectivamente). Figura 5.1 Retificador monof. com filtro capacitivo.
Dados: R = 470 , C1 = 22 F e C2 = 47 F.
Tabela 5.1 Medidas efetuadas no circuito da Figura 5.1, como retificador de onda.
Medidas com o Osciloscpio
Tipo de carga IDC (multmetro)
VDC Vripple p-p Vrms
R: sem filtro
RC: C1 = 22 F
RC: C2 = 47 F
Para se obter o retificador monofsico de onda completa a partir da Figura 5.1, basta fechar
a chave S1. Na Tabela 5.2 devem ser anotados os valores caractersticos do circuito.
Tabela 5.2 Medidas efetuadas no circuito da Figura 5.1, como retificador de onda completa.
Medidas com o Osciloscpio
Tipo de carga IDC (multmetro)
VDC Vripple p-p Vrms
R: sem filtro
RC: C1 = 22 F
RC: C2 = 47 F

5.3 Formas de onda nos circuitos verificao e anlise
a) Medir com o osciloscpio, as formas de onda na entrada do retificador (secundrio do transformador),

no diodo D1 e na carga R, sem e com filtro capacitivo. Verificar, nas Figuras 5.2 5.3, o modo correto
de ligao do terra do osciloscpio e das pontas de prova dos canais 1 e 2.
b) Anotar nos oscilogramas da Figura 5.4 as formas de onda indicadas.
Figura 5.2. Figura 5.3.
Formas de Onda (esboo) Retificador Monofsico de Meia-onda
Carga Resistiva (sem filtro) Carga RC, onde C = ________ F
Figura 5.4 - Formas de Onda Retificador Monofsico de Meia-onda Carga R e RC.

Relatrio - Aula 5 - Retificador Monofsico de onda e de onda completa carga R e RC
5.1 Clculos e Consideraes Finais
Efetuar os clculos para os retificadores utilizados na aula prtica para os dois valores de capacitor
eletroltico utilizados. Comentar a respeito dos valores medidos e comparar os mesmas com os clculos
efetuados.
Figura 5.5- (a) Retificador de onda com filtro capacitivo. (b) formas de onda de
entrada (azul, senoidal) e de sada (vermelho, com decaimento exponencial).
1 Retificador Monofsico - Carga R (resistiva)

Vmax VF
Vdc
Topologia de onda,
onde VT = 0,7 V
(diodo de Silcio)
Vmax VF
Vrms
2
2(Vmax - VF )
Topologia Vdc
de onda completa
(2 diodos, com
transformador Vmax VF
com Tap central) Vrms
2
vo
vRL (ripple) vC
Vmax
VDC
vo sem filtro
0 T/2 T t
Figura 5.6 Detalhe da tenso de ripple (forma de onda linearizada)
para a sada de um retificador de meia-onda completa com filtro capacitivo.

Figura 5.7 - Forma de onda linearizada para a sada de um retificador
de onda completa com filtro capacitivo (BOYLESTAD e NASHELSKY, 2004).
2 Retificador Monofsico - Carga RC (filtro capacitivo, capacitor em paralelo com o resistor)
* Para RC T (ver Figuras 5.6 e 5.7, tenso na carga linearizada):
n.R.C. f .Vmax
VDC Valor mdio, onde n = 2 para topologia de onda (M. O.)
1 n.R.C. f e n = 4 para topologia de onda completa (O. C.).
Vmax
Vripple ( pp ) fRC (M. O.)
Vriplle ( p - p )
Vdc = Vmax
2 V Vmax
ripple ( pp ) (O. C.)

2 fRC
Vripple ( p p )
Componente AC da ondulao: Vac
2 3
Valor RMS (valor eficaz da ondulao):
2
Vrms Vac2 Vdc2
Vac
Fator de Ripple FR % 100 %
Vdc
Figura 5.8 - Forma de onda na sada de um retificador de meia-onda com

filtro capacitivo capacitor com valor baixo (NOVAES, 2002).

* Para RC T (ver Figura 5.8, sinal na sada com decaimento exponencial):
Para o retificador de onda:
Vripple ( p p) Vmax Vmax eT / RC
Para o retificador de onda completa:
Vripple ( p p) Vmax Vmax eT / RC
Onde T = T/2 (vale lembrar que o sinal retificado em OC tem o dobro da freqncia do sinal
retificado em MO).
Para um sinal senoidal da CEMIG, por exemplo, T o perodo de sada, com f = 120 Hz (a
frequncia do sinal de entrada f = 60 Hz).
Vriplle ( p - p )
Valor mdio: Vdc = Vmax
2
Vripple ( p p )
Componente AC da ondulao: Vac
2 3
Valor RMS (valor eficaz da ondulao):
2
Vrms Vac2 Vdc2
Vac
Fator de Ripple (r ou FR): FR % 100 %
Vdc
valor eficaz de vo Vr ( rms )

r 100% 100%
VDC VDC

Aula Prtica 6 Circuitos Limitadores e Grampeadores de Tenso
Aula
6 CIRCUITOS LIMITADORES E GRAMPEADORES DE TENSO

1.
2.
3.
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6.1 Objetivo
Comprovar o funcionamento dos circuitos ceifadores e grampeadores.
01 resistor de 1 k 01 multmetro digital

01 resistor de 100 k 01 Gerador de Funes
01 diodo da srie 1N400X 01 Osciloscpio digital
01 capacitor eletroltico de 100 F Pontas de prova para os instrumentos de medio.
6.3 Parte Prtica - Procedimentos
6.3.1 Circuitos Ceifadores e Grampeadores.

R D1 +
a) Para o circuito das Figura 6.1, aplicar a forma de
onda indicada e medir suas tenses de sada com o vi(t) vo (t)
osciloscpio, verificando seu comportamento. -5V
-
b) Desenhar no oscilograma da Figura 6.2 os sinais -
vi(t) e vo(t).
Fig. 6.1 vi : onda triangular com 15 Vpp, 1 kHz.
Componentes: R = 1 k e D = 1N4002.
vi(t) vo(t)
t (ms) t (ms)
Figura 6.2 Esboo dos sinais vi(t) e vo(t) medidos no circuito da Figura 6.1.

c) Repita o mesmo procedimento para o circuito das Figura 6.3.
C1 = 100 F D1 +
R vo (t)
vi (t)
+5V
-
Figura 6.3 Componentes: R = 100 k, D = 1N4002 e C = 100 F, eletroltico.

Sinal de entrada: vi (t): onda quadrada, de 10 Vpp (1 kHz).
d) Formas de onda: anotar, nos oscilogramas da Figura 6.4, as formas de onda dos sinais vi(t) e vo(t).
vi(t) vo(t)
t (ms) t (ms)
Figura 6.4 Esboo dos sinais vi(t) e vo(t) medidos no circuito da Figura 6.3.
Relatrio - Aula 6
Circuitos Limitadores e Grampeadores de Tenso
6.1 Anlise e Projeto de um circuito grampeador
6.1.1 Para o circuito grampeador da Figura 6.1, seja o sinal de onda quadrada da Figura 6.5, onde, no instante t7,
ocorreu uma interrupo do gerador de sinal. A partir da a tenso de entrada ficou nula.
Desenhar o sinal de sada no oscilograma da Figura 6.6 e explicar a operao do circuito, por etapas.
vi (t): onda quadrada, de 12 Vpp (1 kHz)
Figura 6.5.

Figura 6.6.
6.1.2 Qual a tenso reversa neste circuito?
6.1.2 Seja o circuito retificador da Figura 6.6, onde o diodo utilizado ideal.
Figura 6.6 Observao: vi(t) = Vmax sen t + VDC Equao geral.
a) Qual o componente contnuo (VCC ou VDC) do sinal vi (t)? Qual o valor mdio de vo (t)?
b) Qual ser a forma de onda esperada para vo (t), dentre as alternativas mostradas na Figura 6.7? Justifique.
Figura 6.7.

Aula Prtica 7 Regulador de Tenso com Zener: operao e medies
Aula
REGULADOR DE TENSO COM DIODO
7 ZENER: OPERAO E MEDIES

1.
2.
3.
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7.1 Objetivos
- Verificao da operao de um circuito regulador zener, considerando-se os parmetros vi

(tenso de entrada), RS (resistncia limitadora de corrente), RL (resistncia de carga) e os valores
nominais do diodo zener: tenso zener (VZ) e potncia zener mxima (PZM).
- Determinar experimentalmente o mnimo valor da tenso de entrada no-regulada (tenso de
sada de um filtro capacitivo) que fixa o diodo zener no estado de chave fechada e plotar o grfico v o x vi
(grfico da tenso de sada regulada).
7.2 Procedimentos
7.2.1 - Verificar a conexo do transformador - ligao dos terminais T1, T2 e CT do mdulo aos terminais
VAC da placa CEB-01.
7.2.2 Fechar somente as chaves S1, S2 e S6 (posio ON) do micro switch. Nestas condies obtm-se
o circuito equivalente da Figura 7.1.
Figura 7.1 Esquema do regulador de tenso com diodo zener.
7.2.3 Ligar o terra do osciloscpio em PT0, o canal 1 em PT10 e o canal 2 em PT11.

7.2.4 Ajustar a escala do osciloscpio, para melhor visualizao dos sinais, como:
T/div: 5 ms Canal 1: 2V/div Acoplamento: DC
Canal 2: 2V/div Acoplamento: DC

7.2.5 Sinais medidos/observados:
a) No canal 1 ser observado o sinal de entrada no regulado que pode ser variado atravs do
potencimetro P1 do mdulo universal (no valor de 1 k).
b) No canal 2 ser observada a tenso de sada regulada pelo diodo zener (quando ligado).
7.2.6 Medio da Tenso em RL e Grfico vo x vi (grfico da tenso de sada regulada).
a) Atravs do potencimetro P1, regular a tenso de entrada (valores aproximados) de acordo com os
sugeridos na Tabela 7.1. Anotar na 2 coluna os valores correspondentes da tenso de sada.
Tabela 7.1 Tenses de Entrada e de Sada do Regulador de Tenso com Zener.

vi (tenso de entrada) vo (tenso de sada)
10
9
8
6
4
Relatrio - Aula 7
Regulador de Tenso com diodo Zener: operao e medies
7.1 Grfico vo x vi Regulador Zener

a) Plotar no software Excel ou similar o grfico vo x vi e colar o mesmo no espao abaixo.
Espao reservado para

a colagem do grfico elaborado
em programa de computador

b) Fazer o levantamento de dados tcnicos do diodo zener com V Z = ______ V, com relao potncia
mxima e corrente mxima. Calcular o mximo valor de Vi no resistor R1 para o regulador operar em
condies nominais.
7.2 PROJETO - Configurao com Vi e Rs fixos
Seja o circuito da Figura 7.2 e VZ = 5,1 V e

PZ = 0,4 W (diodo zener 1N751).
a) Calcule a corrente mxima no zener.
Figura 7.2 - Esquema do circuito regulador zener.
IZM = ________ mA.
b) Qual a tenso nos terminais a e b suficiente para disparar o diodo zener?
c) Determinar ento o valor de RL no circuito da Figura 5.2 que garanta que VL = VZ , considerando Vi =
9 V e RS = 560 ohms.
d) Aps o clculo de RL, selecionar abaixo o valor comercial mais prximo para a montagem do circuito
da Figura 7.2.
a. ( ) 560 . b. ( ) 470 . c. ( ) 680 . d. ( ) 220 . e. ( ) 820 .

Apndice III Plano de Ensino da Disciplina Eletrnica Analgica e de Potncia
Apndice III Plano de Ensino da Disciplina Eletrnica Analgica e de Potncia
CENTRO FEDERAL DE
EDUCAO TECNOLGICA
DE MINAS GERAIS
DIRETORIA DE EDUCAO PROFISSIONAL E TECNOLGICA

COORDENAO GERAL DE AVALIAO EPT
COORDENAO PEDAGGICA
PLANO DE ENSINO
I Identificao
1.1 - Campus: Varginha

1.2 - Curso: Tcnico em Mecatrnica.
Modalidades: Integrado e Subsequente.
1.3 - Disciplina: Eletrnica Analgica e de Potncia - CH. Anual: 80 - Aulas Semanais: 2
1.4 Professor: Andr Barros de Mello Oliveira
II Ementa Contida no Projeto de Curso
Diodos. Transistores. Amplificadores operacionais. Retificadores controlados de potncia. Conversores de

potncia gradadores. Conversores CC-CA de potncia inversores.
III - Interface com outras Disciplinas e reas de Conhecimento
Circuitos Eltricos, Sistemas Digitais e Acionamentos Eltricos.
IV Objetivos
Ao final da srie, o aluno dever ser capaz de:

- Identificar dispositivos semicondutores em circuitos eletrnicos.
- Analisar circuitos com diodos retificadores.
- Desenhar formas de onda de circuitos retificadores.
- Analisar circuitos com transistores.
- Utilizar o transistor como chave e amplificador.
- Analisar circuitos bsicos com amplificadores operacionais.
- Utilizar amplificadores operacionais.
- Identificar componentes eletrnicos de potncia.
- Calcular os valores de tenso, corrente e potncia dos circuitos eletrnicos.
- Analisar circuitos retificadores de potncia controlados.
- Especificar retificadores de potncia.
- Analisar circuitos conversores de potncia CC/CA e suas aplicaes.

V Unidades de Ensino e Contedos Programticos
UNIDADE 1 DIODOS
1.1 Caractersticas e funcionamento.
1.2 Diodos LED e display de 7 segmentos.
1.3 Portas lgicas com diodos.
1.4 Retificadores monofsicos de meia onda.
1.5 Retificadores monofsicos de onda completa.
1.6 Circuitos ceifadores e grampeadores.
1.7 Diodos Zener: modelo e aplicaes.
UNIDADE 2 TRANSISTOR DE JUNO BIPOLAR (TJB)

2.1 Construo e operao bsica do Transistor.
2.2 Configuraes base-comum (BC). Ao amplificadora do TJB.
2.3 Configuraes emissor-comum (EC) e coletor-comum (CC).
2.4 Limites de operao e folha de dados do TJB.
2.5 Teste de transistores e identificao do tipo (NPN ou PNP) e dos terminais.
2.6 Polarizao do TJB configuraes e anlise de estabilidade.
2.7 Transistores como chave projeto e reta de carga.
2.8 Aplicaes prticas do TJB: acionador de rel, fonte de corrente constante e em fontes de tenso
reguladas.
UNIDADE 3 - AMPLIFICADORES OPERACIONAIS

3.1 Amplificadores operacionais: constituio e caractersticas.
3.2 Amplificador inversor, no inversor, somador e subtrator.
3.3 Comparador de tenso: inversor e no-inversor. Aplicaes.
3.4 O circuito integrado 555 (temporizador).
3.5 O comparador com histerese.
3.6 Integradores e diferenciadores com amplificadores operacionais.
3.7 Filtros com amplificadores operacionais (filtros ativos).
UNIDADE 4 - RETIFICADORES CONTROLADOS DE POTNCIA

4.1 - SCR Caractersticas e Funcionamento.
4.2 - Aplicaes SCR como rel de estado slido e como retificador.
4.3 - Retificadores controlados monofsicos de meia onda.
4.4 - Retificadores controlados monofsicos de onda completa.
4.5 - Retificadores controlados trifsicos de meia onda e onda completa.
UNIDADE 5 - CONVERSORES DE POTNCIA GRADADORES

5.1 - Gradador monofsico com SCRs controle por ngulo de fase e por ciclos integrais - curva de
transferncia de potncia.
5.2 - DIAC e TRIAC funcionamento e caractersticas.
5.3 - Aplicaes TRIAC como chave CA eletrnica.
5.4 - Gradador monofsico como TRIAC e DIAC.
UNIDADE 6 - CONVERSORES CC-CA DE POTNCIA INVERSORES

6.1 - Transistor IGBT funcionamento e caractersticas.
6.2 - Inversor monofsico em ponte a transistor - onda quadrada e quase quadrada - funcionamento e
aplicaes.
6.3 - Inversor monofsico em ponte a transistor funcionamento em PWM senoidal e aplicaes.
6.4 - Inversor trifsico a transistor funcionamento em PWM senoidal e aplicaes.

VI Metodologia:
- Aulas expositivas, com o auxilio de retro-projetor, datashow/notebook e quadro negro.

- Resoluo de exerccios e problemas prticos.
- Montagens de experincias (viso mais clara e concreta dos fenmenos fsicos, eltricos e
eletrnicos em estudo).
VII Bibliografia Especfica
1. AHMED, Ashfaq. Eletrnica de Potncia. Ed. Prentice-Hall, So Paulo, 2000, ISBN 8587918036.
2. BOYLESTAD, Robert L. e NASHELSKY, Lous. Dispositivos Eletrnicos e Teoria de Circuitos. 8

edio. So Paulo: Ed. Prentice-Hall, 2004. ISBN 8587918222.
3. BARBI, Ivo. Eletrnica de Potncia. 6 edio. Florianpolis: Edio do autor, 2006.

ISBN 85-901046-2-1. Disponvel em <http://www.ivobarbi.com/PotI.php>
4. MARTINS, Denizar Cruz e BARBI, Ivo. Introduo ao Estudo dos Conversores CC-CA. 1 edio.
Florianpolis: Edio dos autores, 2005. ISBN 85905203-1.
5. OLIVEIRA, Andr Barros de Mello. Eletrnica Analgica Fundamentos e Guias de Aulas

Prticas. Apostila, Volume 1 - Diodos. Belo Horizonte: Grfica do CEFET-MG, 2014.
VIII Bibliografia Complementar
1. MALVINO, Albert Paul. Eletrnica. Volume 1, 4 edio. So Paulo: Ed. Makron Books do Brasil,
2001. ISBN 8534603782.
2. MALVINO, Albert Paul. Eletrnica. Volume 2, 4 edio. So Paulo: Ed. Makron Books do Brasil,
1997. ISBN 853460455X.
3. MARQUES, ngelo Eduardo B. e LOURENO, Antnio Carlos. Dispositivos Semicondutores:

diodos e transistores. 1 edio, Ed. rica, 1996, ISBN 8571943176.
4. RASHID, Muhammad H. Eletrnica de Potncia Circuitos, Dispositivos e Aplicaes. So Paulo:

Makron Books, 1999.

Apndice IV A Matriz de Contatos (protoboard)
Apndice IV - A Matriz de Contatos (protoboard)
Nas aulas prticas desta disciplina, as montagens experimentais sero feitas com facilidade e sem a
necessidade de se utilizar soldas, atravs de uma matriz de contatos, tambm conhecida como protoboard - Figura 1.
Figura 1 - Protoboard tpico de uma camada.
Nesta matriz, existem furos onde podem ser encaixados fios e componentes de modo que o contato feito de
uma forma definida, possibilitando a montagem do circuito desejado.
No caso de um projeto, antes de se montar a placa de circuito impresso definitiva, aconselhvel verificar o
funcionamento do esquema desejado no protoboard, a fim de no se correr riscos desnecessrios.
As duas linhas horizontais (A e B) vistas na Figura 1 podem ser usadas para servir de linhas positiva e
negativa de alimentao para o circuito, respectivamente.
Os furos da parte central (C) esto interligados em grupos de 5, em posio vertical. a que sero dispostos
os componentes. Entre os dois grupos de 5 furos da parte central est uma faixa central (D), prevista para a
colocao de circuitos integrados.
Na Figura 2 tem-se um exemplo simples de montagem de acendimento de um diodo LED usando a matriz.
Observe que so usados pedaos de fios rgidos para algumas conexes, de modo a fechar o circuito.
Figura 2 Montagem para o acionamento de um diodo LED.
A Figura 3 mostra o aspecto de um protoboard para a montagem de circuitos mais simples. Na Figura 4 so
apresentados alguns exemplos de circuitos montados nesta estrutura matricial.
Deve-se conectar os dispositivos atravs de fios, de forma otimizada, procurando manter um bom leiaute de
modo a facilitar a medio de todos os pontos do circuito.

Figura 3 Protoboard aspecto de uma placa.
Figura 4 Exemplos de circuitos simples montados em um protoboard.

Apndice V Cdigos de Cores de Resistores 4 e 5 Faixas
Apndice V Cdigos de Cores de Resistores 4, 5 e 6 Faixas
Observao: A extremidade com mais faixas deve apontar para a esquerda

Fonte: http://www.diyaudioandvideo.com/Electronics/Color/
Fonte: http://itll.colorado.edu/electronics_center/resistor_chart/

Apndice VI Principais diodos ZENER - Parmetros
Apndice VI Principais diodos ZENER - Parmetros
Cdigo Tenso Potncia Cdigo Tenso Potncia Cdigo Tenso Potncia

1N746 3,3 V 400 mW 1N5227 3,6 V 500 mW 1N4751 30 V 1W
1N747 3,6 400 mW 1N5228 3,9 500 mW 1N4752 33 1W
1N748 3,9 400 mW 1N5229 4,3 500 mW 1N4753 36 1W
1N749 4,3 400 mW 1N5230 4,7 500 mW 1N4754 39 1W
1N750 4,7 400 mW 1N5231 5,1 500 mW 1N4755 43 1W
1N751 5,1 400 mW 1N5232 5,6 500 mW 1N4756 47 1W
1N752 5,6 400 mW 1N5234 6,2 500 mW 1N4757 51 1W
1N753 6,2 400 mW 1N5235 6,8 500 mW 1N4758 56 1W
1N754 6,8 400 mW 1N5236 7,5 500 mW 1N4759 62 1W
1N755 7,5 400 mW 1N5237 8,2 500 mW 1N4760 68 1W
1N756 8,2 400 mW 1N5239 9,1 500 mW 1N4761 75 1W
1N757 9,1 400 mW 1N5240 10 500 mW 1N4762 82 1W
1N758 10 400 mW 1N5242 12 500 mW 1N4763 91 1W
1N759 12 400 mW 1N5245 15 500 mW 1N4764 100 1W
1N957 6,8 400 mW 1N5246 16 500 mW 1N5333 3,3 5W
1N958 7,5 400 mW 1N5248 18 500 mW 1N5334 3,6 5W
1N959 8,2 400 mW 1N5250 20 500 mW 1N5335 3,9 5W
1N960 9,1 400 mW 1N5251 22 500 mW 1N5336 4,3 5W
1N961 10 400 mW 1N5252 24 500 mW 1N5337 4,7 5W
1N962 11 400 mW 1N5254 27 500 mW 1N5338 5,1 5W
1N963 12 400 mW 1N5256 30 500 mW 1N5339 5,6 5W
1N964 13 400 mW 1N5257 33 500 mW 1N5340 6,0 5W
1N965 15 400 mW 1N5258 36 500 mW 1N5341 6,2 5W
1N966 16 400 mW 1N5259 39 500 mW 1N5342 6,8 5W
1N967 18 400 mW 1N5260 43 500 mW 1N5343 7,5 5W
1N968 20 400 mW 1N5261 47 500 mW 1N5344 8,2 5W
1N969 22 400 mW 1N5262 51 500 mW 1N5345 8,7 5W
1N970 24 400 mW 1N5263 56 500 mW 1N5346 9,1 5W
1N971 27 400 mW 1N5265 62 500 mW 1N5347 10 5W
1N972 30 400 mW 1N5266 68 500 mW 1N5348 11 5W
1N973 33 400 mW 1N5267 75 500 mW 1N5349 12 5W
1N974 36 400 mW 1N5268 82 500 mW 1N5350 13 5W
1N975 39 400 mW 1N5270 91 500 mW 1N5351 14 5W
1N976 43 400 mW 1N5271 100 500 mW 1N5352 15 5W
1N977 47 400 mW 1N4728 3,3 1W 1N5353 16 5W
1N978 51 400 mW 1N4729 3,6 1W 1N5354 17 5W
1N979 56 400 mW 1N4730 3,9 1W 1N5355 18 5W

Cdigo Tenso Potncia Cdigo Tenso Potncia Cdigo Tenso Potncia
1N980 62 V 400 mW 1N4731 4,3 V 1W 1N5356 19 V 5W
1N981 68 400 mW 1N4732 4,7 1W 1N5357 20 5W
1N982 75 400 mW 1N4733 5,1 1W 1N5358 22 5W
1N983 82 400 mW 1N4734 5,6 1W 1N5359 24 5W
1N984 91 400 mW 1N4735 6,2 1W 1N5361 27 5W
1N985 100 400 mW 1N4736 6,8 1W 1N5362 28 5W
1N986 110 400 mW 1N4737 7,5 1W 1N5363 30 5W
1N987 120 400 mW 1N4738 8,2 1W 1N5364 33 5W
1N988 130 400 mW 1N4739 9,1 1W 1N5365 36 5W
1N989 150 400 mW 1N4740 10 1W 1N5366 39 5W
1N990 160 400 mW 1N4742 12 1W 1N5367 43 5W
1N991 180 400 mW 1N4743 13 1W 1N5368 47 5W
1N992 200 400 mW 1N4744 15 1W 1N5369 51 5W
1N5221 2,4 500 mW 1N4745 16 1W 1N5370 56 5W
1N5222 2,5 500 mW 1N4746 18 1W 1N5371 60 5W
1N5223 2,7 500 mW 1N4747 20 1W 1N5372 62 5W
1N5224 2,8 500 mW 1N4748 22 1W 1N5373 68 5W
1N5225 3,0 500 mW 1N4749 24 1W 1N5374 75 5W
1N5226 3,3 500 mW 1N4750 27 1W
Fonte: http://www.esquemas.org/Zeners.htm
Figura III.1 Aspectos do diodo zener, que variam conforme a sua potncia nominal.

Apndice VII Anlise Computacional para Circuitos Eltricos e Eletrnicos
Apndice VII Anlise Computacional para Circuitos Eltricos e Eletrnicos
Os simuladores de circuitos eltricos e eletrnicos constituem ferramentas computacionais teis e

poderosas para a anlise do comportamento de sinais eltricos. A sua grande vantagem que
dispensvel a montagem fsica do circuito, o que traz agilidade ao projeto e reduo de tempo e de custos.
Os simuladores de circuitos surgiram inicialmente na dcada de 60 e necessitavam de
computadores de grande porte. Na dcada de 70 (1975), na Universidade de Berkeley (Califrnia), foi
projetado o programa SPICE: Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis, um programa de
domnio pblico de grande capacidade, que hoje em dia um dos simuladores mais utilizados.
SPICE: (acrnimo de Simulated Program with Integrated Circuits Emphasis): Programa de
Simulao com nfase em Circuitos Integrados um software de simulao de circuitos analgicos e
digitais.
O software foi desenvolvido em 1975 pelos pesquisadores Larry Nagle e Donald Petterson nos
laboratrios de pesquisas da Faculdade de Engenharia Eltrica e Cincias da Computao
da Universidade da Califrnia, campus de Berkeley. Tanto essa verso, como a segunda verso (criada
em 1983) foram codificadas utilizando a linguagem de programao Fortran. A partir da terceira verso, o
programa foi codificado em linguagem C, mas com o uso da sintaxe de Fortran na descrio de circuitos.
Algumas verses comerciais mantm compatibilidade com a verso de Berkeley, mas outras
adicionaram extenses. Verses mais recentes do software vm com teis interfaces grficas.
Quanto aos tipos de algoritmos utilizados, isto depende do tipo de circuito. Por exemplo, para a
simulao e soluo de circuitos no-lineares (circuitos que possuem elementos no-lineares), utilizado
o mtodo numrico de Newton-Raphson.
A Cadende Design Systems, uma das empresas que se apropriou desta tecnologia, denominou o
SPICE de PSPICE, como conhecido hoje mundialmente.
Neste texto, a verso utilizada do software : PSpice 9.1 Student Version, disponvel
gratuitamente no endereo eletrnico: http://pspice.softonic.com.br/download.
A Fig. VII.1 mostra o ambiente PROBE do PSpice, uma janela com as formas de onda do circuito.
A Fig. VII.2 mostra o ambiente Schematics do PSpice, e tambm o PROBE. O Schematics o
ambiente para desenho do circuito.
Fig. VII.1 Ambiente PROBE do PSpice (formas de onda).

Fig. VII.2 rea de trabalho do PSpice, no ambiente Schematics.
Links interessantes sobre o PSpice
[1] PSpice Simulao de Circuitos Analgicos e Digitais. Guia passo-a-passo. Verso Estudante, 9.1
(2003). Disponvel em:
http://www.dsif.fee.unicamp.br/~fabiano/EE640/Material%20Auxiliar/PSpice_Guia_Passo_a_Passo.pdf
[2] A Tutorial for Schematics. Fonte: http://uawc1.wayne.uakron.edu/Tutor91_2.pdf
[3] PSpice Examples. Fonte: http://www.saadat.us/pspiceintro253.htm
[4] Short Tutorial on PSpice. Fonte: http://www.ee.nmt.edu/~rison/ee321_fall02/Tutorial.html
[5] EE124 Web Site - Introduction to PSPICE. Fonte: http://www.engr.sjsu.edu/ee124/p-intro.html
[6] COSTA, Thiago Faria; DONOSO, Pedro. Apostila de PSpice. Disponvel em:
http://www.cpdee.ufmg.br/~petee/download/Arquivos_download/Apostila_de_PSPICE_PETEE-
UFMG.pdf

Referncias Bibliogrficas
AHMED, A. Eletrnica de Potncia. So Paulo: Pearson Prentice Hall, 2000. 479 p.

ALMEIDA, K. C. D. Circuitos Optoeletrnicos - Aula 10, 2006. Disponivel em:
<http://www.labspot.ufsc.br/~katia/eel7011/Aula10.PDF>. Acesso em: 2013 maio 2013.
BERTOLI, R. . Eletrnica - Apostila. Campinas: [s.n.], 2000.
BOYLESTAD, R. L.; NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrnicos e Teoria de Circuitos. 8. ed. So
Paulo: Pearson Prentice-Hall, 2004.
BRAGA, N. C. Eletrnica Bsica para Mecatrnica. 1a. ed. So Paulo: Saber, 2005.
BRAGA, N. C. Instituto Newton C. Braga - NCB. Montagens Simples com Potencimetros e LEDs
(ART608), 2011. Disponivel em: <http://www.newtoncbraga.com.br/index.php/projetos-
educacionais/4436-art608>. Acesso em: 30 maio 2013.
BRAGA, N. C. Instituto Newton C. Braga. A Histria do transistor, 2013. Disponivel em:
<http://www.newtoncbraga.com.br/index.php/artigos/67-historia-da-eletronica/407-a-historia-do-
transistor.html>. Acesso em: 7 junho 2013.
CIPELLI, A. M. V. Teoria e Desenvolvimento de Projetos de Circuitos Eletrnicos. 18a. ed. So
Paulo: rica, 2001.
DORF, R. C.; SVOBODA, J. A. Introduo aos Circuitos Eltricos. Rio de Janeiro: LTC, 2003.
EDMINISTER, J. A. Circuitos Eltricos. 2a. ed. So Paulo: Makron Books, 1991. 581 p.
KUPHALDT, T. R. Lessons In Electric Circuits A free series of textbooks on the subjects of
electricity and electronics, 2000-2004. Disponivel em: <http://www.ibiblio.org/obp/electricCircuits>.
Acesso em: 14 maio 2010.
MALVINO, A. P. Eletrnica. 4a. ed. So Paulo: Pearson Education do Brasil, 1997.
MARQUES, . E. B. Dispositivos Semicondutores: diodos e transistores. So Paulo: rica, 1996.
NOVAES, R. C. R. Eletrnica Analgica Atividades de Laboratrio. Campinas: [s.n.], 2002. 174 p.
RASHID, M. H. Eletrnica de Potncia: circuitos, dispositivos e aplicaes. So Paulo: Makron Books,
1999.
SEDRA, A. S.; SMITH, K. C. Microeletrnica. 4a. ed. So Paulo: MAKRON Books, 2000.

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Cuurrssoo TTccnniiccoo ddee M

Fundamentos e Guias de Aulas Prticas Ensino Tcnico

PROF. ANDR BARROS DE MELLO OLIVEIRA

CAMPUS VARGINHA EDIO 2014

ii Eletrnica Analgica Fundamentos e Guias de Aulas Prticas

Varginha, abril de 2014.

Professor Andr Barros de Mello Oliveira.

CEFET-MG. Campus Varginha. Curso Tcnico de Mecatrnica. Edio 2014. iii

iv Eletrnica Analgica Fundamentos e Guias de Aulas Prticas

CEFET-MG. Campus Varginha. Curso Tcnico de Mecatrnica. Edio 2014. v

A - Abbreviation for "ampere" a unit of electrical current.

vi Eletrnica Analgica Fundamentos e Guias de Aulas Prticas

CEFET-MG. Campus Varginha. Curso Tcnico de Mecatrnica. Edio 2013. vii

viii Eletrnica Analgica Fundamentos e Guias de Aulas Prticas Volume 1 - DIODOS

1.1 - Histrico da Eletrnica (Fatos Relevantes) ..................................................................................................... 11

1.2 Diodos: caractersticas construtivas e operao ............................................................................................ 15

1.3 Portas Lgicas com Diodos ............................................................................................................................ 34

1.4 Circuitos com Diodos ...................................................................................................................................... 37

1.5 Dispositivos Especiais ..................................................................................................................................... 44

1.6 Circuitos Retificadores (CA-CC) .................................................................................................................... 58

1.7 Projeto de Filtro Capacitivo em Retificadores ................................................................................................ 74

1.8 Circuitos Ceifadores e Grampeadores ............................................................................................................ 80

CEFET-MG. Campus Varginha. Curso Tcnico de Mecatrnica. Edio 2013. ix

Apndice I Listas de Exerccios e Prolemas (LEPs) .............................................................................................. 99

Apndice II Guias de Aulas Prticas .................................................................................................................... 112

Aula Prtica 2 A Curva Caracterstica do Diodo Retificador (I x V) ................................................................ 118

Aula Prtica 3 Diodos LED e Display de 7 segmentos ........................................................................................ 123

Aula Prtica 4 Portas Lgicas com Diodos .......................................................................................................... 126

Aula Prtica 6 Circuitos Limitadores e Grampeadores de Tenso ................................................................... 134

Apndice III Plano de Ensino da Disciplina Eletrnica Analgica e de Potncia............................................. 140

Apndice IV A Matriz de Contatos (protoboard)................................................................................................. 143

Apndice V Cdigos de Cores de Resistores 4 e 5 Faixas ................................................................................ 145

Apndice VI Principais diodos ZENER - Parmetros ........................................................................................ 146

Referncias Bibliogrficas ........................................................................................................................................ 150

x Eletrnica Analgica Fundamentos e Guias de Aulas Prticas Volume 1 - DIODOS

1 Diodos: caractersticas, operao, circuitos e aplicaes

1.1 - Histrico da Eletrnica (Fatos Relevantes)

Fig. 1 Tipos de Diodos, em encapsulamento discreto e integrado (em ponte).

No site do Wikipdia, v-se uma definio mais abrangente:

Tabela 1 - Fatos marcantes para o desenvolvimento da Eletrnica.

1904 Fleming Valve (Diode Vacuum Tube)

1907 Deforest Triode vacuum tube (Audion) Age of electronics begins

1940 Radar developed during Word War II

1952 Commercial production of silicon bipolar transistors at Texas Instruments

1961 First commercial digital IC available from Fairchild Semiconductor

1971 Introduction of the 4004 microprocessor by Intel

1978 First 16 bit Microprocessor

12 Eletrnica Analgica Fundamentos e Guias de Aulas Prticas Volume 1 - DIODOS

As Figuras 4, 5, 6, 7 e 8 apresentam de modo grfico alguns dos fatos relatados na Tabela 1 - em

Fig. 4 Esquema da vlvula a triodo.

Fig. 5 A inveno do Transistor Bipolar, em 1947. Fig. 6 Diagrama esquemtico e montagem

Logic symbol for a

Photomicrograh of a 3-input RTL NOR gate

Fig. 7 O primeiro CI disponvel no mercado porta lgica RTL.

Fig. 8 - Evoluo da Eletrnica: da vlvula at o circuito integrado.

14 Eletrnica Analgica Fundamentos e Guias de Aulas Prticas Volume 1 - DIODOS

1.2.1 Condutores e Semicondutores

Fig. 9 Representao do Modelo atmico de Bohr. Fonte:

Tabela 2 Tipos de materiais eltricos, de acordo com a resistividade (inverso da condutividade).

Fig. 10 Representao grfica da resistividade e condutividade (BOYLESTAD e NASHELSKY, 2004).

CEFET-MG. Campus Varginha. Curso Tcnico de Mecatrnica. Edio 2013. 15

Fig. 11 - Um cabo eltrico constitudo de condutores e isolantes.

c) Semicondutor: possui 4 e- livres na ltima camada. Exemplos de materiais semicondutores, utilizados