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Nous attestons que ce travail est original, que nous citons en reference toutes les sources utilisees et quil ne comporte
pas de plagiat.
1 Caract
eristiques des photodiodes
Durant les quatre seances de TP nous nous sommes interesses aux photodiodes. On propose dans un premier
temps den decrire les principales caracteristiques avant de sinteresser aux applications frequentes des photodiodes.
Gen eralites
La photodiode est une diode particuli`ere, et donc un dipole non symetrique. Par consequent, les lois habituelles
utilisees dans les circuits lineaires ne sappliquent pas avec ce genre de composants.
De plus il sagit dun composant capable de capter un signal lumineux et de le transformer en signal electrique. Ce
type de composant est realise ` a laide dun semi-conducteur (jonction P-N) pour lequel les photons absorbes per-
mettent le deplacement des electrons entre les deux couches.
On definit ainsi le rendement quantique :
electron fournis
=
photons absorbes
On introduit egalement la sensibilite spectrale, grandeur qui quantifie le rapport entre courant produit par la photo-
diode et lintensite lumineuse quelle a recue. Ce param`etre se mesure en A.W 1 et depend fondamentalement de la
longueur donde.
Courant produit ne qt q
S = = hc
=
Intensite lumineuse recue nphoton t hc
Dimensions
Pour evaluer les dimensions dune diode, on sinteresse en general `a deux param`etres :
La surface du capteur.
Langle solide definissant la zone sensible.
En particulier, la geometrie de la resine epoxy transparente qui entoure le capteur exerce une large influence sur
langle solide qui definit la zone sensible.
Les dimensions des photodiodes sont tr`es variables et la surface du semi-conducteur (capteur) est directement reliee
au temps de reponse du composant1 . On notera par exemple que la SHF206K a un capteur de surface S = 7, 0 mm2
et un angle solide = 120, tandis que les photodiodes utilisees dans le panneau solaire AM-5308CAR-SCE (Sanyo),
ont plutot des dimensions de lordre de L l = 45 15 mm2 .
1
u I < 0 et U < 0.
dans le cadran capteur, o`
LED
Upol
U
I0
Capteur Generateur
(photovoltaque)
Neanmoins, on ne peut pas se permettre de mettre une tension inverse trop grande car la photodiode est limitante.
En effet, la caracteristique reelle a pour profil :
I
1
r
Caracteristique
E Upolmax
U
Droite de charge U0
I0
2 Photodiodes utilis
ees comme photod
etecteurs
Mesure de la bande passante
Le montage utilisant une photodiode polarisee en inverse comme photodetecteur permet detudier la rapidite du
capteur, cest-`a-dire sa bande passante. On utilise une tension doffset de mani`ere `a ce que le courant passe dans le
bon sens dans la LED (sinon, elle serait eteinte au moins la moitie du temps). Experimentalement, on obtient comme
resultat de la superposition de la tension delivree en entree (bleu) et de celle recue en sortie (rouge) :
En utilisant le balayage en frequence du GBF, on peut reperer rapidement la bande passante. Le signal de sortie
sattenue pour les hautes frequences cest donc un filtre passe-bas.On regarde alors la valeur de la tension maximale
en sortie pour une faible frequence, puis on divise cette valeur par 2 et on augmente la frequence jusqu`a ce que notre
maximum atteigne cette valeur. On rel`eve ainsi la valeur de la bande passante `a 3 dB. En repetant la manipulation
avec des valeurs de RP hD , on remarque que la bande passante diminue avec laugmentation de la resistance de charge.
On peut comprendre ce phenom`ene en modelisant la photodiode comme une source de courant en parall`ele avec une
capacite parasite Cp . On a alors :
R 1
Vs = et f0 =
1 + jRCp 2RCp
2
(a) Montage de mesure de la bande passante (b) R
eponse en fr
equence de la diode (c) Observation rapide du type de filtre
On peut alors remplacer le LM-741 par un TL-071 (de slew-rate 16 V.ms1 ) et on sapercoit alors que le signal nest
pas deforme (sinusoidal) car la variation de la tension par rapport au temps ne depasse pas la valeur du slew-rate.
On calcule de nouveau la capacite parasite et on obtient Cp = 16, 9 F .
On choisit R1 = 100 k et R2 = 200 k de mani`ere `a obtenir un gain de 10. On mesure une bande passante de 333
kHz , ce qui parat plut
ot eleve. En balayant la frequence, on observe un filtre passe-bas ayant une resonance assez
elevee. La bande passante de ce filtre est beaucoup plus fine.
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(f) Montage trans-imp
edance
Sur des signaux non sinusoidaux, ce phenom`ene peut etre genant. Par exemple, la reponse dun signal carre est
deformee au niveau du saut de tension (Fig. (g)).
(g) Montage amplificateur de tension (h) Cp = f (Vpol ) (i) Montage de mesure de la bande pas-
sante
Le document (h) provient de la fiche technique Silicon PIN Photodiode, SFH 206 K, distribuee gratuitement
par OSRAM Opto Semiconductors sur leur catalogue en ligne : (www.catalog.osram-os.com).
Il est donc judicieux de polariser la photodiode avec une tension de 15V ce qui nous donne Cp = 10 pF .
On peut egalement rajouter une capacite CT de quelques pF comme cela est represente sur le document (i). On
limite alors la resonance.
3 Photodiodes utilis
ees pour le photovoltaque
En moyenne, la surface de la Terre recoit un rayonnement lumineux de la part du Soleil de lordre de 1kW.m1 .
Dans la mesure ou lenergie traditionnelle est non renouvelable et difficile `a transporter, lutilisation de ce rayonne-
ment est une alternative quil convient de prendre en compte.
Les enjeux principaux dune telle ressource sont dune part loptimisation du rendement, et dautre part ladaptation
du panneau solaire `a la demande en energie (` a puissance egale, pref`ere-t-on une grande tension ou une grande inten-
site ?).
Propri et
es des photodiodes utilis ees dans le photovoltaque
Dans le cadre de notre experience, nous nous sommes interesses `a un petit panneau solaire comportant trois photo-
diodes, le mod`ele AM-5308CAR-SCE de marque Sanyo.
Dune puissance maximale Pmax = 117mW (laquelle correspond `a une tension delivree UPmax = 1, 9V et une inten-
site IPmax = 61, 3mA), cette cellule constitue un exemple typique des composants qui sont assembles dans de grands
panneaux solaires.
max = 53%
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Caract eristique et point de fonctionnement des cellules photo electriques
Les diodes ont une caracteristique passant par trois cadrans du plan (I, U ). Par consequence, il en existe au moins un
pour lequel la puissance electrique est negative et le composant est actif. De fait, lorsquon eclaire la photodiode, la
caracteristique descend : Un courant est cree. Dans ce cas, on retourne la caracteristique pour observer la tension
et lintensite en positif (on passe en convention generateur).
(j) Caract
eristique dune diode usuelle (k) Caracteristique dune diode en convention
g
en
erateur
(l) Caract
eristique de la cellule `
a (m) Caract
eristique de la cellule
lombre
eclair
ee
Bilan
energ
etique
Dun point de vue energetique, les courbes de puissance ont une allure assez etroite : il est donc difficile datteindre la
puissance optimale et on tombe tr`es facilement vers des puissances tr`es mediocres. En pratique, le point de puissance
optimale ne varie pas avec leclairement (cf. (o)), donc il est relativement facile de trouver la resistance quil faudrait
choisir pour etre au maximum de la puissance. Malheureusement, on cherche rarement `a dissiper toute lenergie
electrique en Effet Joules !
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Pour essayer de se rapprocher du maximum de puissance on utilise la methode de Maximum Power Point Tra-
cking. Developpee pour les syst`emes de production denergie dont la puissance depend de la charge, il sagit dun
syst`eme que lon ins`ere entre le panneau solaire et le circuit. Le composant op`ere par tatonnements jusqu`a trouver
le maximum de puissance2 .
Association en s
erie
(p) Caract
eristique dune cellule photovoltaque (q) Caracteristique du dip
ole
equivalent a
` une associa-
tion en s
erie de deux panneaux solaires
On sinteresse maintenant `
a lassociation en serie de deux panneaux solaires. Le but est daugmenter la surface exposee
au rayonnement lumineux et dobtenir ainsi une plus grande puissance en sortie.
Lorsquon se place au maximum en puissance, on mesure VCO = 4, 6V et ICC = 4, 6mA. On en deduit que ICC nest
pas modifie par ladjonction de deux panneaux, mais que VCO est multiplie par deux.
Lorsquon occulte lun des panneaux, le courant et la tension chutent brutalement et deviennent nuls. De meme, si
une seule photodiode est masquee, le courant et lintensite sont divises par deux.
Sur le circuit de gauche, la cellule grisee nest pas eclairee : elle est bloquante pour le reste du circuit. En consequence,
lintensite est nulle `
a travers tout le circuit et aucun courant ne peut etre recupere. On en deduit quun tel montage
nest pas adapte `a une situation reelle : La plupart du temps, les panneaux solaires ne sont pas uniformement eclaires
et pourtant, on souhaite quand meme recuperer de lenergie. On utilise donc des diodes de by-pass qui doivent per-
mettre dannuler cet effet. De fait, si lune des cellules nest pas uniformement eclairee, le courant issu des autres
cellules peut tout de meme traverser le circuit. Les diodes de by-pass permettent donc de compenser parfaitement le
probl`eme des ombres.
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On peut donc envisager un generateur equivalent fournissant une bonne intensite (de lordre de 60 mA pour deux
panneaux). En particulier, ceci peut-etre utile pour charger des batteries telles que les accumulateurs Ni-MH ou
Ni-Cd.
Bilan
Les photodiodes utilisees pour le photovoltaque diff`erent fondamentalement des autres diodes puisquelles sont uti-
lisees en tant que generateur dans le circuit. En fonction de leur association, on modifie les proprietes du generateur
equivalent, ainsi une mise en serie permet dobtenir une bonne tension et une mise en parall`ele donne un bon courant.
Neanmoins, il est tr`es difficile datteindre le point de fonctionnement optimal des cellules et le rendement chute tr`es
vite. Ainsi, les diodes sont encore aujourdhui beaucoup plus utilisees pour limiter les pertes dans leclairage (tr`es
bon rendement compare aux lampes ` a incandescence) plutot que pour produire de lenergie electrique.
4 Photodiodes utilis
ees dans un capteur optique
Apr`es avoir detaille de mani`ere generale le fonctionnement des photodiodes, on sinteresse desormais `a un exemple
concret dutilisation en tant que capteur optique. On propose ainsi de realiser une fourche optique de mani`ere arti-
sanale. On placera la photodiode dans le cadran capteur.
R
ealisation du montage de la fourche optique
Dans la partie gauche du circuit, on utilise des resistances en serie pour limiter le courant qui traverse les LED afin
quelles ne grillent pas. Dans le circuit du detecteur, la photodiode est alimentee par une tension de 5V en inverse :
cela permet de sassurer quon travaille dans le bon cadran de la caracteristique et que la photodiode remplit bien le
r
ole de capteur.
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On mesure alors la tension VS lorsque lon met la photodiode face `a la LED rouge puis face `a la LED IR :
276mV Pour la LED rouge
VS =
3, 2V Pour la LED IR
On obtient pour lefficacite quantique de 10, 4% pour la LED rouge 40% pour la LED IR. On attribue cette
difference tr`es nette `
a la sensibilite spectrale de la diode qui depend de la longueur donde. Ainsi, la courbe proposee
par Osram indique un pic relativement etroit vers 850 nm, ce qui justifie un meilleur rendement pour la LED IR.
S (%)
S photodiode
(nm)
LED Rouge LED IR
On utilise donc par la suite la LED infrarouge qui est mieux detectee par la photodiode. On rajoute alors un mo-
teur qui fait tourner une roue percee reguli`erement entre la LED et la photodiode. On obtient un signal periodique
sur Vs qui peut, entre autres, nous permettre de determiner la vitesse de rotation de la roue. On lestime `a 50 tr.min1 .
On remarque que pour les plus faibles resistances, la tension est effectivement divisee par 2 mais lorsquon atteint le
M , la resistance de loscilloscope entre en jeu et ne peut plus etre negligee.