El Dopado de Semiconductores

La adicin de un pequeo porcentaje de tomos extraos en la red

cristalina regular de silicio o germanio, produce unos cambios
espectaculares en sus propiedades elctricas, dando lugar a los
semiconductores de tipo n y tipo p
En la produccin de semiconductores, se denomina dopaje al proceso
intencional de agregar impurezas en un semiconductor extremadamente
puro (tambin referido como intrnseco) con el fin de cambiar sus
propiedades elctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de
semiconductores a dopar. A los semiconductores con dopajes ligeros y
moderados se los conoce como extrnsecos. Un semiconductor
altamente dopado, que acta ms como un conductor que como un
semiconductor, es llamado degenerado. El nmero de tomos dopantes
necesitados para crear una diferencia en las capacidades conductoras
de un semiconductor es muy pequea. Cuando se agregan un pequeo
nmero de tomos dopantes (en el orden de1 cada 100.000.000 de
tomos) entonces se dice que el dopaje es bajo o ligero. Cuando se
agregan muchos ms tomos (en el orden de 1 cada 10.000 tomos)
entonces se dice que el dopaje es alto o pesado. Este dopaje pesado se
representa con la nomenclatura N+ para material de tipo N, o P+ para
material de tipo P.

Semiconductor tipo n
Es el que est impurificado con impurezas "Donadoras", que son
impurezas pentavalentes. Como los electrones superan a los huecos en
un semiconductor tipo n, reciben el nombre de "portadores
mayoritarios", mientras que a los huecos se les denomina "portadores
minoritarios".
Al aplicar una tensin al semiconductor de la figura, los electrones libres
dentro del semiconductor se mueven hacia la izquierda y los huecos lo
hacen hacia la derecha. Cuando un hueco llega al extremo derecho del
cristal, uno de los electrones del circuito externo entra al semiconductor
y se recombina con el hueco.
Los electrones libres de la figura circulan hacia
el extremo izquierdo del cristal, donde entran
al conductor y fluyen hacia el positivo de la
batera.

Es decir: si los tomos aadidos tienen cinco

electrones en su ltima capa el semiconductor
se denomina de tipo N, por ser
potencialmente ms negativo que uno sin
dopar. En este tipo de materiales tenemos un quinto electrn que no se
recombina con los dems y que, por tanto, est libre y vaga por el
elemento produciendo corriente. Para hacerse una idea de las
cantidades que entran en juego en esto del dopaje se podra decir que
se introduce un tomo extrao por cada doscientos millones de tomos
del semiconductor.

Semiconductor tipo p
Es el que est impurificado con impurezas "Aceptoras", que son
impurezas trivalentes. Como el nmero de huecos supera el nmero de
electrones libres, los huecos son los portadores mayoritarios y los
electrones libres son los minoritarios.
Al aplicarse una tensin, los electrones libres se mueven hacia la
izquierda y los huecos lo hacen hacia la derecha. En la figura, los huecos
que llegan al extremo derecho del cristal se recombinan con los
electrones libres del circuito externo.

En el circuito hay tambin un flujo de

portadores minoritarios. Los electrones
libres dentro del semiconductor circulan
de derecha a izquierda. Como hay muy
pocos portadores minoritarios, su efecto
es casi despreciable en este circuito.
Es decir: Cuando al dopar introducimos
tomos con tres electrones de valencia en
un elemento de tomos con cuatro
estamos formando un semiconductor tipo P, viniendo su nombre del
exceso de carga aparentemente positiva (porque los tomos siguen
siendo neutros, debido a que tienen igual nmero de electrones que de
protones) que tienen estos elementos. Estos tomos "extraos" que
hemos aadido se recombinan con el resto pero nos queda un hueco
libre que produce atraccin sobre los electrones que circulan por nuestro
elemento. Tambin se produce una circulacin de estos huecos
colaborando en la corriente.