Introduccin a los Semiconductores

Un semiconductor es un elemento material cuya conductividad elctrica puede considerarse

situada entre las de un aislante y la de un conductor, considerados en orden creciente
Los semiconductores ms conocidos son el silicio (Si) y el germanio (Ge). Debido a que, como
veremos ms adelante, el comportamiento del silicio es ms estable que el germanio frente a
todas las perturbaciones exteriores que pueden variar su respuesta normal, ser el primero (Si) el
elemento semiconductor ms utilizado en la fabricacin de los componentes electrnicos de
estado slido. A l nos referiremos normalmente, teniendo en cuenta que el proceso del germanio
es absolutamente similar.
Como todos los dems, el tomo de silicio tiene tantas cargas positivas en el ncleo, como
electrones en las rbitas que le rodean. (En el caso del silicio este nmero es de 14). El inters
del semiconductor se centra en su capacidad de dar lugar a la aparicin de una corriente, es decir,
que haya un movimiento de electrones. Como es de todos conocido, un electrn se siente ms
ligado al ncleo cuanto mayor sea su cercana entre ambos. Por tanto los electrones que tienen
menor fuerza de atraccin por parte del ncleo y pueden ser liberados de la misma, son los
electrones que se encuentran en las rbitas exteriores. Estos electrones pueden, segn lo dicho
anteriormente, quedar libres al inyectarles una pequea energa. En estos recaer nuestra
atencin y es as que en vez de utilizar el modelo completo del tomo de silicio (figura 1),
utilizaremos la representacin simplificada (figura 2) donde se resalta la zona de nuestro inters.

La zona sombreada de la figura 2 representa de una manera simplificada a la zona sombreada de

la figura 1
Como se puede apreciar en la figura, los electrones factibles de ser liberados de la fuerza de
atraccin del ncleo son cuatro.

SEMICONDUCTOR INTRNSECO

Cuando el silicio se encuentra formado por tomos del tipo explicado en el apartado
anterior, se dice que se encuentra en estado puro o ms usualmente que es un
semiconductor intrnseco
Una barra de silicio puro est formada por un conjunto de tomos en lazados unos con otros
segn una determinada estructura geomtrica que se conoce como red cristalina
Si en estas condiciones inyectamos energa desde el exterior, algunos de esos electrones de
los rbitas externas dejarn de estar enlazados y podrn moverse. Lgicamente si un
electrn se desprende del tomo, este ya no est completo, decimos que est cargado
positivamente, pues tiene una carga negativa menos, o que ha aparecido un hueco.
Asociamos entonces el hueco a una carga positiva o al sitio que ocupaba el electrn.
El tomo siempre tendr la tendencia a estar en su estado normal, con todas sus cargas,
por lo tanto en nuestro caso, intentar atraer un electrn de otro tomo para rellenar el
hueco que tiene.
Toda inyeccin de energa exterior produce pues un proceso continuo que podemos
concretar en dos puntos:
Electrones que se quedan libres y se desplazan de un tomo a otro a lo largo de la
barra del material semiconductor de silicio.
Aparicin y desaparicin de huecos en los diversos tomos del semiconductor.
Queda as claro que el nico movimiento real existente dentro de un semiconductores el de
electrones. Lo que sucede es que al aparecer y desaparecer huecos, "cargas positivas", en
puntos diferentes del semiconductor, parece que estos se mueven dando lugar a una
corriente de cargas positivas. Este hecho, movimiento de huecos, es absolutamente falso,.
Los huecos no se mueven, slo parece que lo hacen.
Ahora bien, para facilitar el estudio de los semiconductores hablaremos de corriente de
huecos (cargas positivas), pues nos resulta ms cmodo y los resultados obtenidos son los
mismos que los reales.

SEMICONDUCTOR DOPADO

Si aplicamos una tensin al cristal de silicio, el positivo de la pila intentar atraer los
electrones y el negativo los huecos favoreciendo as la aparicin de una corriente a travs
de una corriente a travs del circuito

Sentido del movimiento de un electrn y un hueco en el silicio

Ahora bien, esta corriente que aparece es de muy pequeo valor, pues son pocos los
electrones que podemos arrancar de los enlaces entre los tomos de silicio. Para aumentar
el valor de dicha corriente tenemos dos posibilidades:
Aplicar una tensin de valor superior
Introducir previamente en el semiconductor electrones o huecos desde el exterior
La primera solucin no es factible pues, an aumentando mucho el valor de la tensin
aplicada, la corriente que aparece no es de suficiente valor. La solucin elegida es la
segunda.
En este segundo caso se dice que el semiconductor est "dopado".
El dopaje consiste en sustituir algunos tomos de silicio por tomos de otros elementos. A
estos ltimos se les conoce con el nombre de impurezas. Dependiendo del tipo de impureza
con el que se dope al semiconductor puro o intrnseco aparecen dos clases de
semiconductores.
Semiconductor tipo P
Semiconductor tipo N

SEMICONDUCTOR TIPO N

Si en una red cristalina de silicio (tomos de silicio enlazados entre s) ....

Enlace covalente de tomos de germanio, obsrvese que cada tomo comparte cada uno de sus electrones con
otros cuatro tomos
.... sustituimos uno de sus tomos (que como sabemos tiene 4 electrones en su capa
exterior) por un tomo de otro elemento que contenga cinco electrones en su capa exterior,
resulta que cuatro de esos electrones sirven para enlazarse con el resto de los tomos de la
red y el quinto queda libre.

Semiconductor dopado tipo N

A esta red de silicio "dopado" con esta clase de impurezas se le denomina "Silicio tipo N"
En esta situacin hay mayor nmero de electrones que de huecos. Por ello a estos ltimos
se les denomina "portadores minoritarios" y "portadores mayoritarios" a los electrones
Las Impurezas tipo N ms utilizadas en el proceso de dopado son el arsnico, el antimonio y
el fsforo
Est claro que si a un semiconductor dopado se le aplica tensin en sus bornes, las
posibilidades de que aparezca una corriente en el circuito son mayores a las del caso de la
aplicacin de la misma tensin sobre un semiconductor intrnseco o puro.

SEMICONDUCTOR TIPO P

Si en una red cristalina de silicio (tomos de silicio enlazados entre s) ....

Enlace covalente de tomos de germanio, obsrvese que cada tomo comparte cada uno de sus electrones con
otros cuatro tomos

.... sustituimos uno de sus tomos (que como sabemos tiene 4 electrones en su capa
exterior) por un tomo de otro elemento que contenga tres electrones en su capa exterior,
resulta que estos tres electrones llenarn los huecos que dejaron los electrones del tomo
de silicio, pero como son cuatro, quedar un hueco por ocupar. Osea que ahora la
sustitucin de un tomo por otros provoca la aparicin de huecos en el cristal de silicio. Por
tanto ahora los "portadores mayoritarios" sern los huecos y los electrones los portadores
minoritarios.
A esta red de silicio dopada con esta clase de impurezas se le denomina "silicio tipo P"

Semiconductor dopado tipo P

OBSERVACIONES
Los semiconductores dopados se representan indicando dentro de los mismos el tipo de
portadores mayoritarios.

Semiconductor tipo N Semiconductor tipo P

No siempre el ndice de dopado de un semiconductor es el mismo, puede ser que este "poco
dopado", "muy dopado", etc.
Es norma utilizar el signo (+) para indicar que un semiconductor est fuertemente dopado.

Semiconductor tipo N fuertemente dopado Semiconductor tipo P fuertemente dopado

Todos los componentes electrnicos en estado slido que veremos en adelante

(transistores, diodos, Tiristores) no son ni ms y menos que un conjunto de
semiconductores de ambos tipos ordenados de diferentes maneras.